JPH0797083B2 - レチクルの検査方法 - Google Patents
レチクルの検査方法Info
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- JPH0797083B2 JPH0797083B2 JP22211789A JP22211789A JPH0797083B2 JP H0797083 B2 JPH0797083 B2 JP H0797083B2 JP 22211789 A JP22211789 A JP 22211789A JP 22211789 A JP22211789 A JP 22211789A JP H0797083 B2 JPH0797083 B2 JP H0797083B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 レチクルの検査方法に係り，特にレチクルを含むペリク
ル内の異物を検出してレチクル使用の可否を判定するレ
チクルの検査方法に関し， 半導体ウエハプロセスの待ち時間を短縮して生産のスル
ープットを上げることを目的とし， 致命的な欠陥のないパターンと原点マークと回転基準マ
ークを含むレチクルを台に搭載し，レーザ光を該レチク
ルに照射し，該レーザ光を該台に対して相対的に移動す
ることにより該レチクルの全面を走査するようにし，該
レチクルからの反射光を受光して電気信号に変換し，レ
ーザ光が照射されている位置と異常な電気信号から該レ
チクルの異物に対応するレチクル異物座標データを作成
し，かつ該原点マーク及び該回転基準マークの位置を検
出してそれらの座標データを作成し，該原点マークが原
点に該回転基準マークが座標軸上にくるように座標変換
を行って初回レチクル異物座標データを作成し，次い
で，該レチクルを使用する際に，前記初回レチクル異物
座標データの作成と同様にして被検査レチクル異物座標
データを作成し，該被検査レチクル異物座標データを前
記初回レチクル異物座標データと比較して差異を調べる
ことにより該レチクルの使用の可否を判定するレチクル
の検査方法により構成する。
ル内の異物を検出してレチクル使用の可否を判定するレ
チクルの検査方法に関し， 半導体ウエハプロセスの待ち時間を短縮して生産のスル
ープットを上げることを目的とし， 致命的な欠陥のないパターンと原点マークと回転基準マ
ークを含むレチクルを台に搭載し，レーザ光を該レチク
ルに照射し，該レーザ光を該台に対して相対的に移動す
ることにより該レチクルの全面を走査するようにし，該
レチクルからの反射光を受光して電気信号に変換し，レ
ーザ光が照射されている位置と異常な電気信号から該レ
チクルの異物に対応するレチクル異物座標データを作成
し，かつ該原点マーク及び該回転基準マークの位置を検
出してそれらの座標データを作成し，該原点マークが原
点に該回転基準マークが座標軸上にくるように座標変換
を行って初回レチクル異物座標データを作成し，次い
で，該レチクルを使用する際に，前記初回レチクル異物
座標データの作成と同様にして被検査レチクル異物座標
データを作成し，該被検査レチクル異物座標データを前
記初回レチクル異物座標データと比較して差異を調べる
ことにより該レチクルの使用の可否を判定するレチクル
の検査方法により構成する。
本発明はレチクルの検査方法に係り，特にレチクルを含
むペリクル内の異物を検出してレチクル使用の可否を判
定するレチクルの検査方法に関する。
むペリクル内の異物を検出してレチクル使用の可否を判
定するレチクルの検査方法に関する。
半導体ウエハプロセスでは，待ち時間を短縮して生産の
スループットを上げることが要望される。そのため，半
導体ウエハにパターン転写する原版となるレチクルの使
用にあたり，そのレチクルが使用可能か否かを確認する
ための時間を短くすることが要求される。
スループットを上げることが要望される。そのため，半
導体ウエハにパターン転写する原版となるレチクルの使
用にあたり，そのレチクルが使用可能か否かを確認する
ための時間を短くすることが要求される。
第５図はレチクルを含むペリクルの説明図で，（ａ），
（ｂ）は，それぞれ，斜視図，断面図であり,1はレチク
ル,13は石英板,2はペリクル,21は枠を表す。レチクル１
のパターンは通常クロムで形成され，使用中にきずが着
いたり，ごみなどの異物が付着しないように透明な保護
膜であるペリクル２で覆われている。
（ｂ）は，それぞれ，斜視図，断面図であり,1はレチク
ル,13は石英板,2はペリクル,21は枠を表す。レチクル１
のパターンは通常クロムで形成され，使用中にきずが着
いたり，ごみなどの異物が付着しないように透明な保護
膜であるペリクル２で覆われている。
それにもかかわらず，保管期間，移動回数，使用回数の
増加とともにペリクルで囲まれた内部で異物が発生し
て，それがレチクル１や石英板13上に着いたり，あちら
こちらに移動したりして，半導体ウエハに転写したパタ
ーンに不良を発生させる原因となる。そのような異物の
付着する面は，レチクルの形成されている石英板の上面
と下面，上のペリクル面，下のペリクル面等があるが，
特に使用上大きな障害となるのは石英板の上面に付着す
る異物である。
増加とともにペリクルで囲まれた内部で異物が発生し
て，それがレチクル１や石英板13上に着いたり，あちら
こちらに移動したりして，半導体ウエハに転写したパタ
ーンに不良を発生させる原因となる。そのような異物の
付着する面は，レチクルの形成されている石英板の上面
と下面，上のペリクル面，下のペリクル面等があるが，
特に使用上大きな障害となるのは石英板の上面に付着す
る異物である。
通常，レチクルを使用するに当たり，まずこのレチクル
を露光装置に装着して，クロムを被着して石英板にレジ
ストを塗布してパターン転写を行い，現像エッチング処
理を行って，レチクルに起因する共通欠陥が前回使用し
た時から変化していないことを確認してから使用してい
る。
を露光装置に装着して，クロムを被着して石英板にレジ
ストを塗布してパターン転写を行い，現像エッチング処
理を行って，レチクルに起因する共通欠陥が前回使用し
た時から変化していないことを確認してから使用してい
る。
この方法は確実性においてすぐれているが，使用の度に
４時間以上もの検査時間を要し，ウエハプロセスの待ち
時間が長いという欠点があった。
４時間以上もの検査時間を要し，ウエハプロセスの待ち
時間が長いという欠点があった。
〔発明が解決しようとする課題〕 本発明は，使用しようとするレチクルが，使用可能か否
かを短時間に判定するための方法を提供することを目的
とする。
かを短時間に判定するための方法を提供することを目的
とする。
第１図は本発明のレチクル検査方法を説明するための
図，第２図はレチクル検査装置を説明するこための図で
ある。
図，第２図はレチクル検査装置を説明するこための図で
ある。
上記課題は，致命的な欠陥のないパターンと原点マーク
11と回転基準マーク12を含むレチクル１を台３に搭載
し，レーザ光を該レチクル１に照射し，該レーザ光を該
台３に対して相対的に移動することにより該レチクル１
の全面を走査するようにし，該レチクル１からの反射光
を受光して電気信号に変換し，レーザ光が照射されてい
る位置と異常な電気信号から該レチクル１の異物に対応
するレチクル異物座標データを作成し，かつ該原点マー
ク11及び該回転基準マーク12の位置を検出してそれらの
座標データを作成し，該原点マーク11が原点に該回転基
準マーク12が座標軸上にくるように座標変換を行って初
回レチクル異物座標データを作成し，次いで，該レチク
ル１を使用する際に，前記初回レチクル異物座標データ
の作成と同様にして被検査レチクル異物座標データを作
成し，該被検査レチクル異物座標データを前記初回レチ
クル異物座標データと比較して差異を調べることにより
該レチクル１の使用の可否を判定するレチクルの検査方
法によって解決される。
11と回転基準マーク12を含むレチクル１を台３に搭載
し，レーザ光を該レチクル１に照射し，該レーザ光を該
台３に対して相対的に移動することにより該レチクル１
の全面を走査するようにし，該レチクル１からの反射光
を受光して電気信号に変換し，レーザ光が照射されてい
る位置と異常な電気信号から該レチクル１の異物に対応
するレチクル異物座標データを作成し，かつ該原点マー
ク11及び該回転基準マーク12の位置を検出してそれらの
座標データを作成し，該原点マーク11が原点に該回転基
準マーク12が座標軸上にくるように座標変換を行って初
回レチクル異物座標データを作成し，次いで，該レチク
ル１を使用する際に，前記初回レチクル異物座標データ
の作成と同様にして被検査レチクル異物座標データを作
成し，該被検査レチクル異物座標データを前記初回レチ
クル異物座標データと比較して差異を調べることにより
該レチクル１の使用の可否を判定するレチクルの検査方
法によって解決される。
本発明では，予めレチクルの初回レチクル異物座標デー
タを作成しておき，そのレチクルを使用する前に，初回
レチクル異物座標データを作成した時と同様の手順で被
検査レチクル異物座標データを作成する。そして，被検
査レチクル異物座標データを初回レチクル異物座標デー
タと比較することにより，そのレチクルが使用可能か否
かを判定する。このようにすれば，従来行っていたよう
なパターンの転写現像処理を行って比較する必要がな
く，確認時間が大幅に短縮できる。
タを作成しておき，そのレチクルを使用する前に，初回
レチクル異物座標データを作成した時と同様の手順で被
検査レチクル異物座標データを作成する。そして，被検
査レチクル異物座標データを初回レチクル異物座標デー
タと比較することにより，そのレチクルが使用可能か否
かを判定する。このようにすれば，従来行っていたよう
なパターンの転写現像処理を行って比較する必要がな
く，確認時間が大幅に短縮できる。
さらに，被検査レチクル異物座標データと初回レチクル
異物座標データの比較を精度よく行うために，レチクル
に原点マーク11と回転基準マーク12を形成しておき，台
３上へ搭載した時，原点マーク11と回転基準マーク12が
例えば台３に固定されたＸ−Ｙ座標の原点と座標軸上に
なくとも，座標変換することにより原点マーク11が座標
の原点に，回転基準マーク12が座標軸上にくるようにし
ている。初回レチクル異物座標データと被検査レチクル
異物座標データはこのような座標変換を受けた後のもの
であるから，重ね合わせの精度が高く，初回レチクル異
物座標データと被検査レチクル異物座標データの差異を
精度よく検出することができる。
異物座標データの比較を精度よく行うために，レチクル
に原点マーク11と回転基準マーク12を形成しておき，台
３上へ搭載した時，原点マーク11と回転基準マーク12が
例えば台３に固定されたＸ−Ｙ座標の原点と座標軸上に
なくとも，座標変換することにより原点マーク11が座標
の原点に，回転基準マーク12が座標軸上にくるようにし
ている。初回レチクル異物座標データと被検査レチクル
異物座標データはこのような座標変換を受けた後のもの
であるから，重ね合わせの精度が高く，初回レチクル異
物座標データと被検査レチクル異物座標データの差異を
精度よく検出することができる。
第１図は本発明のレチクル検査方法を説明するための
図，第２図は本発明のレチクル検査を行うためのレチク
ル検査装置を説明するための図，第３図（ａ）乃至
（ｃ）は初回レチクル異物座標データの作成手順を説明
するための図，第４図（ａ）乃至（ｃ）は被検査レチク
ル異物座標データの作成手順を説明するための図であ
り，以下これらの図を参照しながら，第５図に示すよう
なペリクル２に囲まれたレチクル１の検査の実施例につ
いて説明する。
図，第２図は本発明のレチクル検査を行うためのレチク
ル検査装置を説明するための図，第３図（ａ）乃至
（ｃ）は初回レチクル異物座標データの作成手順を説明
するための図，第４図（ａ）乃至（ｃ）は被検査レチク
ル異物座標データの作成手順を説明するための図であ
り，以下これらの図を参照しながら，第５図に示すよう
なペリクル２に囲まれたレチクル１の検査の実施例につ
いて説明する。
第２図参照 第２図は本発明のレチクル検査を行うための検査装置を
説明するための図で,1はレチクル,2はペリクル,3は台,4
はレーザ,5は受光部,6は信号処理部,71はメモリI,72は
メモリII,8は制御部,9は比較判定部,10はＸ−Ｙ駆動部
を表す。
説明するための図で,1はレチクル,2はペリクル,3は台,4
はレーザ,5は受光部,6は信号処理部,71はメモリI,72は
メモリII,8は制御部,9は比較判定部,10はＸ−Ｙ駆動部
を表す。
ペリクル２に囲まれたレチクル１は台３に搭載される。
台３はＸ−Ｙ駆動部10によりＸ方向及びＹ方向に駆動さ
れる。
台３はＸ−Ｙ駆動部10によりＸ方向及びＹ方向に駆動さ
れる。
レチクルのパターンの形成されている面はレーザ４によ
り照射され，反射光が受光部５で受光される。レチクル
のパターンの形成されている面に異物がなければ受光部
５にはほとんど光は入射しないが，異物があればレーザ
光が乱反射され，異物の大きさに応じた光が受光部５に
入射する。
り照射され，反射光が受光部５で受光される。レチクル
のパターンの形成されている面に異物がなければ受光部
５にはほとんど光は入射しないが，異物があればレーザ
光が乱反射され，異物の大きさに応じた光が受光部５に
入射する。
レーザ光はＸ−Ｙ駆動部10を駆動することにより，レチ
クルの形成されている全面を走査する。
クルの形成されている全面を走査する。
受光部５は光を電気信号に変換して信号処理部６に送
る。信号処理部６は異常な電気信号とレーザ光が照射さ
れている台３上の位置座標のデータからレチクル異物に
対応するレチクル異物座標データを作成する。原点マー
ク及び回転基準マークの位置は，例えば台３との位置関
係が予め決められている顕微鏡で検出してその位置情報
を信号処理部６に送り座標データを作成する。信号処理
部６はそれらのデータに加工を加えてメモリＩ（71）或
いはメモリII（72）に送り込む。
る。信号処理部６は異常な電気信号とレーザ光が照射さ
れている台３上の位置座標のデータからレチクル異物に
対応するレチクル異物座標データを作成する。原点マー
ク及び回転基準マークの位置は，例えば台３との位置関
係が予め決められている顕微鏡で検出してその位置情報
を信号処理部６に送り座標データを作成する。信号処理
部６はそれらのデータに加工を加えてメモリＩ（71）或
いはメモリII（72）に送り込む。
比較測定部９はデータを比較し，レチクル使用の可否を
判定する。
判定する。
制御部８は一定の手順で一連の作業を行わせるよう各部
の制御を行う。
の制御を行う。
第１図参照 第１図は本発明のレチクル検査方法を説明するための図
である。
である。
まず，致命的な欠陥を含まず原点マーク11と回転基準マ
ーク12の形成された初回のレチクル１を台３に搭載す
る。
ーク12の形成された初回のレチクル１を台３に搭載す
る。
レーザ４でレチクルパターンの形成されている面を照射
しながらＸ−Ｙ駆動部10により台３を駆動して，レーザ
４でレチクル１全面を走査する。
しながらＸ−Ｙ駆動部10により台３を駆動して，レーザ
４でレチクル１全面を走査する。
受光部５に反射光が順次取り込まれ，電気信号に変換さ
れる。異物がなければ反射光はほとんど受光部５に入ら
ないが，異物があるとそこから乱反射した光が受光部５
に入り異常な電気信号が発生する。その電気信号とレー
ザ光が照射されている台３上の位置座標のデータからレ
チクル異物座標データを作成する。原点マーク11と回転
基準マーク12は予め台３との位置関係が決められている
顕微鏡でそれらの位置を検出して，その情報から原点マ
ーク座標データ及び回転基準マーク座標データを作成す
る。次に，原点マーク11の位置が座標の原点に，回転基
準マーク12の位置が座標軸上にくるように座標変換処理
を行い，初回レチクル異物座標データを作成する。その
初回レチクル異物座標データをメモリＩに格納する。
れる。異物がなければ反射光はほとんど受光部５に入ら
ないが，異物があるとそこから乱反射した光が受光部５
に入り異常な電気信号が発生する。その電気信号とレー
ザ光が照射されている台３上の位置座標のデータからレ
チクル異物座標データを作成する。原点マーク11と回転
基準マーク12は予め台３との位置関係が決められている
顕微鏡でそれらの位置を検出して，その情報から原点マ
ーク座標データ及び回転基準マーク座標データを作成す
る。次に，原点マーク11の位置が座標の原点に，回転基
準マーク12の位置が座標軸上にくるように座標変換処理
を行い，初回レチクル異物座標データを作成する。その
初回レチクル異物座標データをメモリＩに格納する。
次に，このレチクルを使用する際は，使用する前に検査
を行う。そのために前述の初回レチクル異物座標データ
を作成した時と同様にして被検査レチクル異物座標デー
タを作成する。そのデータをメモリIIに格納する。
を行う。そのために前述の初回レチクル異物座標データ
を作成した時と同様にして被検査レチクル異物座標デー
タを作成する。そのデータをメモリIIに格納する。
メモリIIから引き出した被検査レチクル異物座標データ
を，メモリＩから引き出した初回レチクル異物座標デー
タと比較する。そして差異がない場合はそのレチクルを
使用可と判定し，差異がある場合はそのレチクルを使用
不可と判定する。
を，メモリＩから引き出した初回レチクル異物座標デー
タと比較する。そして差異がない場合はそのレチクルを
使用可と判定し，差異がある場合はそのレチクルを使用
不可と判定する。
第３図（ａ）乃至（ｃ）はレチクル異物座標データから
初回レチクル異物座標データを作成する手順を説明する
ための図である。
初回レチクル異物座標データを作成する手順を説明する
ための図である。
第３図（ａ）参照 このレチクルには原点マーク11,回転基準マーク12が形
成されており，さらに異物31,32が存在するが，これら
の異物は致命的な欠陥ではなく，レチクルは可能であ
る。
成されており，さらに異物31,32が存在するが，これら
の異物は致命的な欠陥ではなく，レチクルは可能であ
る。
このレチクルを台３に搭載する時，原点マーク11は必ず
しも台３のＸ−Ｙ座標の原点とは一致せず，原点マーク
11と回転基準マーク12とを結ぶ方向も台３のＸ軸方向と
は一致しない。台３のＸ−Ｙ座標系から見た原点マーク
11,回転基準マーク12の座標を,A（x0,y0）,B（x1,y1）
とする。
しも台３のＸ−Ｙ座標の原点とは一致せず，原点マーク
11と回転基準マーク12とを結ぶ方向も台３のＸ軸方向と
は一致しない。台３のＸ−Ｙ座標系から見た原点マーク
11,回転基準マーク12の座標を,A（x0,y0）,B（x1,y1）
とする。
第３図（ｂ）参照 次に,X軸に平行に，さらにＹ軸に平行に座標を移動して
原点マーク11に原点をもってくる。
原点マーク11に原点をもってくる。
新しい座標系をＸ＊−Ｙ＊系とすれば，原点マーク11と
回転基準マーク12の座標はＡ＊（0,0）,B＊（x1 ＊,
y1 ＊）となり,X＊−Ｙ＊座標系と,X−Ｙ座標系との関係
は次のようになる。
回転基準マーク12の座標はＡ＊（0,0）,B＊（x1 ＊,
y1 ＊）となり,X＊−Ｙ＊座標系と,X−Ｙ座標系との関係
は次のようになる。
ｘ＊＝ｘ−x0 ｙ＊＝ｙ−y0 原点マーク11と回転基準マーク12を結ぶ方向は,X＊軸に
対してθなる角度をなす。
対してθなる角度をなす。
第３図（ｃ）参照 次に,X＊−Ｙ＊系の原点の周りに座標を回転してＸ＊＊
−Ｙ＊＊系へ座標変換し，回転基準マーク12がＸ＊＊軸
上にくるようにする。原点マーク11と回転基準マーク12
の座標は,A＊＊（0,0）,B＊＊（x1 ＊＊,0）となり,X
＊＊−Ｙ＊＊座標系とＸ＊−Ｙ＊座標系との関係は次の
ようになる。
−Ｙ＊＊系へ座標変換し，回転基準マーク12がＸ＊＊軸
上にくるようにする。原点マーク11と回転基準マーク12
の座標は,A＊＊（0,0）,B＊＊（x1 ＊＊,0）となり,X
＊＊−Ｙ＊＊座標系とＸ＊−Ｙ＊座標系との関係は次の
ようになる。
ｘ＊＊＝cos θ・ｘ＊＋sin θ・ｙ＊ ｙ＊＊＝−sin θ・ｘ＊＋cos θ・ｙ＊ レチクル異物座標データに対して上に述べた座標変換を
施すことにより，初回レチクル異物座標データを得る。
施すことにより，初回レチクル異物座標データを得る。
第４図（ａ）乃至（ｃ）はレチクル異物座標データから
被検査レチクル異物座標データを作成する手順を説明す
るための図であるが，その手順は前述の初回レチクル異
物座標データを作成する手順と同様である。
被検査レチクル異物座標データを作成する手順を説明す
るための図であるが，その手順は前述の初回レチクル異
物座標データを作成する手順と同様である。
第４図（ａ）参照 被検査レチクルには原点マーク11,回転基準マーク12が
形成されており，さらに異物33,34,35が存在する。
形成されており，さらに異物33,34,35が存在する。
このレチクルを台３に搭載する時，台３のＸ−Ｙ座標系
から見た原点マーク11,回転基準マーク12の座標を,C（x
2,y2）,D（x3,y3）とする。
から見た原点マーク11,回転基準マーク12の座標を,C（x
2,y2）,D（x3,y3）とする。
第４図（ｂ）参照 次に,X軸に平行に，さらにＹ軸に平行に座標を移動して
原点マーク11に原点をもってくる。
原点マーク11に原点をもってくる。
新しい座標系をＸ＊−Ｙ＊系とすれば，原点マーク11と
回転基準マーク12の座標はＣ＊（0,0）,D＊（x3 ＊,
y3 ＊）となり,X＊−Ｙ＊座標系と,X−Ｙ座標系との関係
は次のようになる。
回転基準マーク12の座標はＣ＊（0,0）,D＊（x3 ＊,
y3 ＊）となり,X＊−Ｙ＊座標系と,X−Ｙ座標系との関係
は次のようになる。
ｘ＊＝ｘ−x2 ｙ＊＝ｙ−y2 原点マーク11と回転基準マーク12を結ぶ方向は,X＊軸に
対してψなる角度をなす。
対してψなる角度をなす。
第４図（ｃ）参照 次に,X＊−Ｙ＊系の原点の周りに座標を回転してＸ＊＊
−Ｙ＊＊系へ座標変換し，回転基準マーク12がＸ＊＊軸
上にくるようにする。原点マーク11と回転基準マーク12
の座標は,C＊＊（0,0）,D＊＊（x3 ＊＊,0）となり,X
＊＊−Ｙ＊＊座標系とＸ＊−Ｙ＊座標系との関係は次の
ようになる。
−Ｙ＊＊系へ座標変換し，回転基準マーク12がＸ＊＊軸
上にくるようにする。原点マーク11と回転基準マーク12
の座標は,C＊＊（0,0）,D＊＊（x3 ＊＊,0）となり,X
＊＊−Ｙ＊＊座標系とＸ＊−Ｙ＊座標系との関係は次の
ようになる。
ｘ＊＊＝cos ψ・ｘ＊＋sin ψ・ｙ＊ ｙ＊＊＝−sin ψ・ｘ＊＋cos ψ・ｙ＊ レチクル異物座標データに対して上に述べた座標変換を
施すことにより，被検査レチクル異物座標データを得
る。
施すことにより，被検査レチクル異物座標データを得
る。
さて，この被検査レチクル異物座標データを初回レチク
ル異物座標データと比較する時，原点マーク11と回転基
準マーク12は重なり合い，異物31と異物33,異物32と異
物34は合致して差異を見出すことはないが，異物35は初
回レチクル異物座標データと合致せず，このレチクルは
使用不可と判定される。
ル異物座標データと比較する時，原点マーク11と回転基
準マーク12は重なり合い，異物31と異物33,異物32と異
物34は合致して差異を見出すことはないが，異物35は初
回レチクル異物座標データと合致せず，このレチクルは
使用不可と判定される。
また，被検査レチクル異物座標データの異物の位置が初
回レチクル異物座標データの異物の位置と重なり合って
いたとしても，被検査レチクル異物座標データの異物の
方が大きくなっている場合は，このレチクルは使用不可
と判定される。
回レチクル異物座標データの異物の位置と重なり合って
いたとしても，被検査レチクル異物座標データの異物の
方が大きくなっている場合は，このレチクルは使用不可
と判定される。
さらに，石英板13の下面，上のペリクル面，下のペリク
ル面に付着した異物も，その面に焦点をしぼってレーザ
光を照射し，前述と同様にして初回の異物座標データと
被検査異物座標データを作成し，それらを比較判定する
検査を付加すれば，さらに完全な検査ができる。
ル面に付着した異物も，その面に焦点をしぼってレーザ
光を照射し，前述と同様にして初回の異物座標データと
被検査異物座標データを作成し，それらを比較判定する
検査を付加すれば，さらに完全な検査ができる。
なお，上では被検査レチクル異物座標データが初回レチ
クル異物座標データと合致しない場合，使用不可と判定
したが，若干判定基準を緩めて，致命的欠陥に到らない
程度の差異を許容するようにすることもできる。
クル異物座標データと合致しない場合，使用不可と判定
したが，若干判定基準を緩めて，致命的欠陥に到らない
程度の差異を許容するようにすることもできる。
以上のようにすれば，レーザ光でレチクルのパターンの
形成されている面を走査してその像を取り込んだ後は，
すべてデータ処理ですむので，従来のような実際のパタ
ーン転写，現像エッチング処理といった面倒な工程が省
略できて，レチクルの検査時間が大幅に短縮される。
形成されている面を走査してその像を取り込んだ後は，
すべてデータ処理ですむので，従来のような実際のパタ
ーン転写，現像エッチング処理といった面倒な工程が省
略できて，レチクルの検査時間が大幅に短縮される。
以上説明した様に，本発明によれば，レチクルを使用す
るウエハプロセスにおける待ち時間が大幅に短縮できる
ので，スループットの向上に寄与することができる。
るウエハプロセスにおける待ち時間が大幅に短縮できる
ので，スループットの向上に寄与することができる。
第１図は本発明のレチクル検査方法を説明するための
図， 第２図はレチクル検査装置を説明するための図， 第３図は初回レチクル異物座標データの作成手順， 第４図は被検査レチクル異物座標データの作成手順， 第５図はレチクルを含むペリクルの説明図である。 図において， １はレチクル， 11は原点マーク， 12は回転基準マーク， 13は石英板， ２はペリクル， 21は枠， ３は台， 31乃至35は異物， ４はレーザ， ５は受光部， ６は信号処理部， 71はメモリI, 72はメモリII, ８は制御部， ９は比較判定部， 10はＸ−Ｙ駆動部 を表す。
図， 第２図はレチクル検査装置を説明するための図， 第３図は初回レチクル異物座標データの作成手順， 第４図は被検査レチクル異物座標データの作成手順， 第５図はレチクルを含むペリクルの説明図である。 図において， １はレチクル， 11は原点マーク， 12は回転基準マーク， 13は石英板， ２はペリクル， 21は枠， ３は台， 31乃至35は異物， ４はレーザ， ５は受光部， ６は信号処理部， 71はメモリI, 72はメモリII, ８は制御部， ９は比較判定部， 10はＸ−Ｙ駆動部 を表す。
Claims (1)
- 【請求項１】致命的な欠陥のないパターンと原点マーク
（11）と回転基準マーク（12）を含むレチクル（１）を
台（３）に搭載し，レーザ光を該レチクル（１）に照射
し，該レーザ光を該台（３）に対して相対的に移動する
ことにより該レチクル（１）の全面を走査するように
し，該レチクル（１）からの反射光を受光して電気信号
に変換し，レーザ光が照射されている位置と異常な電気
信号から該レチクル（１）の異物に対応するレチクル異
物座標データを作成し，かつ該原点マーク（11）及び該
回転基準マーク（12）の位置を検出してそれらの座標デ
ータを作成し，該原点マーク（11）が原点に該回転基準
マーク（12）が座標軸上にくるように座標変換を行って
初回レチクル異物座標データを作成し， 次いで，該レチクル（１）を使用する際に，前記初回レ
チクル異物座標データの作成と同様にして被検査レチク
ル異物座標データを作成し， 該被検査レチクル異物座標データを前記初回レチクル異
物座標データと比較して差異を調べることにより該レチ
クル（１）の使用の可否を判定することを特徴とするレ
チクルの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22211789A JPH0797083B2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | レチクルの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22211789A JPH0797083B2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | レチクルの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384441A JPH0384441A (ja) | 1991-04-10 |
| JPH0797083B2 true JPH0797083B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=16777423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22211789A Expired - Fee Related JPH0797083B2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | レチクルの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797083B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3265003B2 (ja) * | 1992-10-28 | 2002-03-11 | 株式会社東芝 | ブラウン管パネルの欠陥の検査装置およびブラウン管パネルの欠陥の検査修正装置 |
| US5644850A (en) * | 1995-10-16 | 1997-07-08 | Costales; Straf G. | Laser plumb device |
| JP4281314B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2009-06-17 | 日本電気株式会社 | レチクル製造方法 |
| JP2006010544A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Horiba Ltd | 異物検査装置および異物検査方法 |
| US8735030B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-05-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and apparatus for modifying a substrate surface of a photolithographic mask |
| CN114563916A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-31 | 合肥清溢光电有限公司 | 一种掩膜版检查机检查区域坐标设置方法 |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP22211789A patent/JPH0797083B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0384441A (ja) | 1991-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |