JPH0797226B2 - 電子写真感光体及びその製造方法 - Google Patents
電子写真感光体及びその製造方法Info
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- JPH0797226B2 JPH0797226B2 JP62164556A JP16455687A JPH0797226B2 JP H0797226 B2 JPH0797226 B2 JP H0797226B2 JP 62164556 A JP62164556 A JP 62164556A JP 16455687 A JP16455687 A JP 16455687A JP H0797226 B2 JPH0797226 B2 JP H0797226B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用い
られる電子写真感光体に関するものである。
られる電子写真感光体に関するものである。
従来の技術 電子写真感光体における光導電体として、Se、有機光半
導体（以下OPCと記す）があるが、最近、10〜40atm％の
水素を局在化状態密度を減少せしめる修飾物質として含
む非晶質シリコン（以下ａ−Si:Hと記す）が高い光感
度、無公害性、及び高い硬度を有することにより注目さ
れ利用されている。
導体（以下OPCと記す）があるが、最近、10〜40atm％の
水素を局在化状態密度を減少せしめる修飾物質として含
む非晶質シリコン（以下ａ−Si:Hと記す）が高い光感
度、無公害性、及び高い硬度を有することにより注目さ
れ利用されている。
しかし、上記のａ−Si:Hで構成される電子写真感光体は
問題も多い。第１にａ−Si:Hは誘電率が約11とOPCの約
３、Seの約６に比べて大きく、そのため静電容量が大き
く、電子写真プロセスの帯電過程に於て大きな帯電電流
が必要となる。第２に画像で十分な黒濃度を得るための
実用表面電位（〜400V）では表面電荷密度が高く、電荷
を光除電するのに必要な光量は大きい。このためキャリ
ア生成における量子効率が高いと言う特徴が、生かされ
ていない。第３に、ａ−Si:H膜の成膜に用いるシランガ
ス（以下SiH4と記す）を原料ガスとしたプラズマCVD法
は、堆積速度も10μm/h以下と遅くSiH4ガスも高価であ
ることから、製造コストの低減は困難である。
問題も多い。第１にａ−Si:Hは誘電率が約11とOPCの約
３、Seの約６に比べて大きく、そのため静電容量が大き
く、電子写真プロセスの帯電過程に於て大きな帯電電流
が必要となる。第２に画像で十分な黒濃度を得るための
実用表面電位（〜400V）では表面電荷密度が高く、電荷
を光除電するのに必要な光量は大きい。このためキャリ
ア生成における量子効率が高いと言う特徴が、生かされ
ていない。第３に、ａ−Si:H膜の成膜に用いるシランガ
ス（以下SiH4と記す）を原料ガスとしたプラズマCVD法
は、堆積速度も10μm/h以下と遅くSiH4ガスも高価であ
ることから、製造コストの低減は困難である。
これらの問題を解決する手段として、特開昭54-143645
号公報には有機半導体材料を用いた機能分離型の感光体
が、また特開昭56-24355号公報には無機半導体材料を用
いた機能分離型感光体が提案されている。また我々は、
電荷輸送層として非晶質カーボンを主成分とする層を用
い、電荷発生層を非晶質シリコンで構成する機能分離型
感光体を提案している。
号公報には有機半導体材料を用いた機能分離型の感光体
が、また特開昭56-24355号公報には無機半導体材料を用
いた機能分離型感光体が提案されている。また我々は、
電荷輸送層として非晶質カーボンを主成分とする層を用
い、電荷発生層を非晶質シリコンで構成する機能分離型
感光体を提案している。
しかし、第１の有機半導体を用いた場合、誘電率の減少
により帯電電流は減少するものの、一般に移動度が小さ
く、またキャリアの寿命も短いため光感度は劣化する。
また硬度が小さいため、ａ−Si:H膜の持つ高い硬度によ
り長寿命感光体として特長が生かせない。第２の無機半
導体においては、多結晶化しやすいカルコゲン材料、あ
るいは誘電率の大きなSiC等を用いるため温度特性の低
下、或は光感度の大幅な向上が期待できない。第３の非
晶質カーボンを電荷輸送層として用いた場合、誘電率が
小さく、帯電電流の減少、表面電荷密度の減少と特性の
改善向上に結びつくが、通常移動度が低く、電子写真プ
ロセスのスピードに大きな制約を課すことになる。また
非晶質カーボンの成膜にプラズマCVD法を使用した場
合、原料ガスとして、安価なCH4、C2H4、C2H2、C6H6等
のガスが使用可能であるが、成膜速度が最大でも10μ/h
と遅く、感光体の製造コストの大幅な低減には難点が残
る。
により帯電電流は減少するものの、一般に移動度が小さ
く、またキャリアの寿命も短いため光感度は劣化する。
また硬度が小さいため、ａ−Si:H膜の持つ高い硬度によ
り長寿命感光体として特長が生かせない。第２の無機半
導体においては、多結晶化しやすいカルコゲン材料、あ
るいは誘電率の大きなSiC等を用いるため温度特性の低
下、或は光感度の大幅な向上が期待できない。第３の非
晶質カーボンを電荷輸送層として用いた場合、誘電率が
小さく、帯電電流の減少、表面電荷密度の減少と特性の
改善向上に結びつくが、通常移動度が低く、電子写真プ
ロセスのスピードに大きな制約を課すことになる。また
非晶質カーボンの成膜にプラズマCVD法を使用した場
合、原料ガスとして、安価なCH4、C2H4、C2H2、C6H6等
のガスが使用可能であるが、成膜速度が最大でも10μ/h
と遅く、感光体の製造コストの大幅な低減には難点が残
る。
発明が解決しようとする問題点 機能分離型電子写真感光体において、高感度の感光体を
得るには、より小さい誘電率を有する、或はより大きな
移動度を有する電荷輸送層の実現が必要である。
得るには、より小さい誘電率を有する、或はより大きな
移動度を有する電荷輸送層の実現が必要である。
電荷輸送層の誘電率は、非晶質カーボンの場合３〜６で
あり、OPCの場合およそ３である。これ以下の誘電率を
実現することは困難であるし、またメリットも少ない。
あり、OPCの場合およそ３である。これ以下の誘電率を
実現することは困難であるし、またメリットも少ない。
これに対して、電荷輸送層の移動度に課せられる条件
は、μτＶ＞d2であり、（ここでμ移動度、τはキャリ
ア寿命、ｄは電荷輸送層の膜厚、Ｖは電荷輸送層にかか
る電圧を表す）μが大きい場合、キャリアが電荷輸送層
の膜厚を走りきる時間は、Tr＝d2／μＶとなり、移動度
の大きな電荷輸送層ほど、速いプロセススピードを有す
る複写機、光プリンタが実現可能となる。
は、μτＶ＞d2であり、（ここでμ移動度、τはキャリ
ア寿命、ｄは電荷輸送層の膜厚、Ｖは電荷輸送層にかか
る電圧を表す）μが大きい場合、キャリアが電荷輸送層
の膜厚を走りきる時間は、Tr＝d2／μＶとなり、移動度
の大きな電荷輸送層ほど、速いプロセススピードを有す
る複写機、光プリンタが実現可能となる。
小さな誘電率を有する非晶質カーボンは、キャリアの走
行距離を表すμτ積としては、電荷輸送層の膜厚相当の
距離を走りきる条件を満足しており、低光量で表面電位
を減衰させることができるが、μが小さく電荷輸送層に
注入したキャリアが層中を走りきるのに時間がかかり、
プロセススピードに大きな制限を加える。
行距離を表すμτ積としては、電荷輸送層の膜厚相当の
距離を走りきる条件を満足しており、低光量で表面電位
を減衰させることができるが、μが小さく電荷輸送層に
注入したキャリアが層中を走りきるのに時間がかかり、
プロセススピードに大きな制限を加える。
問題点を解決するための手段 光励起によってキャリアを発生する光導電層と、そのキ
ャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能分離型電子写
真感光体において電荷輸送層がＰ−フェニレンを有し、
パラ位にVIb族元素を有する直鎖状化合物高分子層であ
り、VIb族元素としてS,Se、Te、の少なくともいずれか
一つを含有し、更にＯ原子を該VIb族とは別に高分子鎖
上外に含有させる。
ャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能分離型電子写
真感光体において電荷輸送層がＰ−フェニレンを有し、
パラ位にVIb族元素を有する直鎖状化合物高分子層であ
り、VIb族元素としてS,Se、Te、の少なくともいずれか
一つを含有し、更にＯ原子を該VIb族とは別に高分子鎖
上外に含有させる。
作用 高分子におけるキャリアの移動は、高分子の主鎖方向に
沿っての電子軌道間のホッピング伝導で行われるが、そ
のキャリアの移動度は、隣合う軌道の重なりの大きいほ
どホッピング確率が増し、増加する。主鎖方向にＰ−フ
ェニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する構造の高
分子においてVIb族元素が中性の状態であると、隣合う
Ｐ−フェニレンは、空間的にπ電子軌道が、直行する配
位状態にあり、移動度は小さい。しかしVIb族元素が添
加させたＯ原子により正に帯電し、イオン化した場合Ｐ
−フェニレンの空間的ねじれは解消し、π電子軌道は同
一平面内に配置され、ホッピング確率の増加とともに移
動度の向上が図られる。
沿っての電子軌道間のホッピング伝導で行われるが、そ
のキャリアの移動度は、隣合う軌道の重なりの大きいほ
どホッピング確率が増し、増加する。主鎖方向にＰ−フ
ェニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する構造の高
分子においてVIb族元素が中性の状態であると、隣合う
Ｐ−フェニレンは、空間的にπ電子軌道が、直行する配
位状態にあり、移動度は小さい。しかしVIb族元素が添
加させたＯ原子により正に帯電し、イオン化した場合Ｐ
−フェニレンの空間的ねじれは解消し、π電子軌道は同
一平面内に配置され、ホッピング確率の増加とともに移
動度の向上が図られる。
実施例 図は、本発明における基本的な電子写真感光体の一実施
例の断面を模式的に示したものである。
例の断面を模式的に示したものである。
図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体としての支
持体１上に、高分子層からなる電荷移動層２と光導電層
３とを有し、前記光導電層３は一方で自由表面４を有し
ている。
持体１上に、高分子層からなる電荷移動層２と光導電層
３とを有し、前記光導電層３は一方で自由表面４を有し
ている。
本発明においては、光導電層として硬度の高いシリコン
を含有する非晶質を用い、例えば、ａ−Si（:H:X）、ａ
−Si1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yOy（:H:
X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yNy（:H:X）（０＜ｙ＜
１）、ａ−Si1-zGez（:H:X）（０＜ｚ＜１）、ａ−(Si
1-zGez)1-yNy（:H:X）（０＜y,z＜１）、ａ−(Si1-zG
ez)1-yOy（:H:X）（０＜y,z＜１）、またはａ−(Si1-zG
ez)1-yCy（:H:X）（０＜y,z＜１）の単層、あるいはこ
れらの積層からなる。また、ｙを連続的に変化させた場
合も使用できる。
を含有する非晶質を用い、例えば、ａ−Si（:H:X）、ａ
−Si1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yOy（:H:
X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yNy（:H:X）（０＜ｙ＜
１）、ａ−Si1-zGez（:H:X）（０＜ｚ＜１）、ａ−(Si
1-zGez)1-yNy（:H:X）（０＜y,z＜１）、ａ−(Si1-zG
ez)1-yOy（:H:X）（０＜y,z＜１）、またはａ−(Si1-zG
ez)1-yCy（:H:X）（０＜y,z＜１）の単層、あるいはこ
れらの積層からなる。また、ｙを連続的に変化させた場
合も使用できる。
この時の膜厚は、電荷移動層は５〜50μｍ好適には10〜
25μｍ、また光導電層の膜厚は0.5〜10μｍ好適には１
〜５μｍとすれば良い。
25μｍ、また光導電層の膜厚は0.5〜10μｍ好適には１
〜５μｍとすれば良い。
本発明において、更に電子写真特性を向上させるため
に、第１図において、支持体１と電荷移動層２との間
に、支持体１から電荷移動層２に注入するキャリアを効
果的に阻止するため障壁層を設けてもよい。
に、第１図において、支持体１と電荷移動層２との間
に、支持体１から電荷移動層２に注入するキャリアを効
果的に阻止するため障壁層を設けてもよい。
障壁層を形成する材料としては、Al2O3、BaO、BaO2、Be
O、Bi2O3、CaO、CeO2、Ce2O3、La2O3、Dy2O3、Lu2O3、C
r2O3、CuO、Cu2O、FeO、PbO、MgO、SrO、Ta2O3、ThO2、
ZrO2、HfO2、TiO2、TiO、SiO2、GeO2、SiO、GeO等の金
属酸化物またはTiN、AlN、SnN、NbN、TaN、GaN等の金属
窒化物、またはWC、SnC、TiC、等の金属炭化物またはSi
C,SiN、GeC、GeN、BC、BN等の絶縁物、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリアクリルニトリル等の耐熱性を有
する有機化合物が使用される。
O、Bi2O3、CaO、CeO2、Ce2O3、La2O3、Dy2O3、Lu2O3、C
r2O3、CuO、Cu2O、FeO、PbO、MgO、SrO、Ta2O3、ThO2、
ZrO2、HfO2、TiO2、TiO、SiO2、GeO2、SiO、GeO等の金
属酸化物またはTiN、AlN、SnN、NbN、TaN、GaN等の金属
窒化物、またはWC、SnC、TiC、等の金属炭化物またはSi
C,SiN、GeC、GeN、BC、BN等の絶縁物、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリアクリルニトリル等の耐熱性を有
する有機化合物が使用される。
また、クリーニング性、耐摩耗性あるいは耐コロナ性を
向上させるため、図において、自由表面４上に表面被覆
層を形成する。表面被覆層として好適な材料としては、
SixO1-x、SixC1-x、SixN1-x、GexO1-x、GexC1-x、GexN
1-x、BxN1-x、BxC1-x、AlxN1-x（０＜ｘ＜１）、カーボ
ンおよびこれらに水素あるいはハロゲンを含有する層等
の無機物などが上げられる。
向上させるため、図において、自由表面４上に表面被覆
層を形成する。表面被覆層として好適な材料としては、
SixO1-x、SixC1-x、SixN1-x、GexO1-x、GexC1-x、GexN
1-x、BxN1-x、BxC1-x、AlxN1-x（０＜ｘ＜１）、カーボ
ンおよびこれらに水素あるいはハロゲンを含有する層等
の無機物などが上げられる。
シリコンを含有する光導電層であるａ−Si（:H:X）の作
成には、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiF4、SiCl4、SiHF3、Si
H2F2、SiH3F、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl等のSi原子の原
料ガスを用いたプラズマCVD法、または多結晶シリコン
をターゲットとし、ArとH2（さらにF2又はCl2を混合し
ても良い）の混合ガス中での反応性スパッタ法が用いら
れる。また、ａ−Si1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ
−Si1-yOy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yNy（:H:
X）（０＜ｙ＜１）の作成には、更に炭素源として、C
H4、C2H6、C3H8、C4H10、C2H4、C3H6、C4H8、C2H2、C3H
4、C4H6、C6H6等の炭化水素、CH3F、CH3CI、CH3I、C2H5
Cl、C2H5Br、等のハロゲン化アリル、CClF3、CF4、CH
F3、C2F6、C3F8等のフロンガス、C6H6-mFm（ｍ−１〜
６）の弗化ベンゼン等のＣ原子の原料ガスをプラズマCV
D法に用いるシリコン原料ガスと混合して、あるいは、
反応性スパッタ法にはAr等のスパッタガスと混合して用
いる。また、酸素源としてはO2、CO、CO2、NO、NO2等、
また、窒素源としてはN2、NH3、NO等を混合して用い
る。
成には、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiF4、SiCl4、SiHF3、Si
H2F2、SiH3F、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl等のSi原子の原
料ガスを用いたプラズマCVD法、または多結晶シリコン
をターゲットとし、ArとH2（さらにF2又はCl2を混合し
ても良い）の混合ガス中での反応性スパッタ法が用いら
れる。また、ａ−Si1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ
−Si1-yOy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yNy（:H:
X）（０＜ｙ＜１）の作成には、更に炭素源として、C
H4、C2H6、C3H8、C4H10、C2H4、C3H6、C4H8、C2H2、C3H
4、C4H6、C6H6等の炭化水素、CH3F、CH3CI、CH3I、C2H5
Cl、C2H5Br、等のハロゲン化アリル、CClF3、CF4、CH
F3、C2F6、C3F8等のフロンガス、C6H6-mFm（ｍ−１〜
６）の弗化ベンゼン等のＣ原子の原料ガスをプラズマCV
D法に用いるシリコン原料ガスと混合して、あるいは、
反応性スパッタ法にはAr等のスパッタガスと混合して用
いる。また、酸素源としてはO2、CO、CO2、NO、NO2等、
また、窒素源としてはN2、NH3、NO等を混合して用い
る。
また、ａ−Si（:H:X）にGeを添加する場合もGeH4、Ge2H
6、Ge3H8、GeF4、GeCl4、GeHF3、GeH2F2、GeH3F、GeHCl
3、GeH2Cl2、GeH3Cl等のガスを上記Si原子の原料ガスと
混合しプラズマCVD法によって形成することも出来る。
さらに、本発明において、上記のａ−Si（:H:X）,a−Si
1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yOy（:H:X）
（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yNy（:H:X）（０＜ｙ＜
１）、あるいはこれらにGe添加のこれらの膜中に、不純
物を添加することにより伝導性を制御し、所望の電子写
真特性を得ることができる。ｐ型伝導性を与えるｐ型不
純物としては、周期律表第III族ｂに属するＢ、Al、G
a、In等があり、好適にはＢ、Al、Gaが用いられ、ｎ型
伝導性を与えるｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族ｂ
に属するＮ、Ｐ、As、Sb等が有り、好適にはＰ、Asが用
いられる。
6、Ge3H8、GeF4、GeCl4、GeHF3、GeH2F2、GeH3F、GeHCl
3、GeH2Cl2、GeH3Cl等のガスを上記Si原子の原料ガスと
混合しプラズマCVD法によって形成することも出来る。
さらに、本発明において、上記のａ−Si（:H:X）,a−Si
1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yOy（:H:X）
（０＜ｙ＜１）、ａ−Si1-yNy（:H:X）（０＜ｙ＜
１）、あるいはこれらにGe添加のこれらの膜中に、不純
物を添加することにより伝導性を制御し、所望の電子写
真特性を得ることができる。ｐ型伝導性を与えるｐ型不
純物としては、周期律表第III族ｂに属するＢ、Al、G
a、In等があり、好適にはＢ、Al、Gaが用いられ、ｎ型
伝導性を与えるｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族ｂ
に属するＮ、Ｐ、As、Sb等が有り、好適にはＰ、Asが用
いられる。
これらの不純物を添加する方法として、ｐ型不純物の場
合、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H12、B6H14、BF3、B
Cl3、BBr3、AlCl3、(CH3)3Al、(C2H5)3Al、(i-C4H9)3A
l、(CH3)3Ga、(C2H5)3Ga、InCl3、(C2H5)2Inを、ｎ型不
純物の場合、N2、NH3、NO、N2O、NO2、PH3、P2H4、PH
4I、PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3，PBr5、PI3、AsH3、A
sF3、AsCl3、AsBr3、SbH3、SbF3、SbF5、SbCl3、SbCl5
等のガスを、あるいはこれらのガスをH2,He、Arで希釈
したガスを、プラズマCVD法では、それぞれの膜形成時
において、使用する上記のＣ原子,Si原子等の原料ガス
と混合して用いれば良く、反応性スパッタ法では、Arま
たはH2あるいはF2、Cl2に混合して用いれば良い。以下
実施例について述べる。
合、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H12、B6H14、BF3、B
Cl3、BBr3、AlCl3、(CH3)3Al、(C2H5)3Al、(i-C4H9)3A
l、(CH3)3Ga、(C2H5)3Ga、InCl3、(C2H5)2Inを、ｎ型不
純物の場合、N2、NH3、NO、N2O、NO2、PH3、P2H4、PH
4I、PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3，PBr5、PI3、AsH3、A
sF3、AsCl3、AsBr3、SbH3、SbF3、SbF5、SbCl3、SbCl5
等のガスを、あるいはこれらのガスをH2,He、Arで希釈
したガスを、プラズマCVD法では、それぞれの膜形成時
において、使用する上記のＣ原子,Si原子等の原料ガス
と混合して用いれば良く、反応性スパッタ法では、Arま
たはH2あるいはF2、Cl2に混合して用いれば良い。以下
実施例について述べる。
実施例１ 鏡面研磨したアルミニウム基板上に、VI族としてＳを有
するフィルム形状のPPS（ポリｐ−フェニレンスルフィ
ド）を、貼りつけ、フッ素樹脂シートをフィルムの上側
より巻き付け熱処理炉において加熱し、PPSフィルム
を、アルミニウム基板上に融着させた。加熱温度は、PP
Sの、融解温度である285℃より高い290℃とし、加熱雰
囲気は、大気中である。熱処理炉より基板を取り出した
後、フッ素樹脂シートを取り外し、再び熱処理炉に設置
し、酸素雰囲気で、加熱処理を、施した。加熱温度は、
285℃〜350℃の範囲内で、制御し、加熱処理時間は、３
時間一定とした。この処理後、PPSフィルムの膜厚は、1
0〜25μｍとした。この層を、電荷輸送層とし、電荷発
生層として、量子効率が大きく可視光全域に渡って良好
な感度を有するａ−Si:Hを、採用した。ａ−Si:Hの製膜
は、プラズマCVD法で行った。PPSフィルムを、貼りつけ
た基板を、６インチの放電電極を有する平行平板型の容
量結合方式プラズマCVD装置内に設置し、反応容器内を
５×10-6Torr以下に排気後基板を150〜200℃の温度範囲
の一定温度に加熱制御した。反応容器内にSiH4ガスを、
50sccm,H2ガスを250sccm混合導入し、容器内圧力を0.2
〜1.0Torr、13.56MHZの高周波を電力40〜80Wの条件で成
膜し、ａ−Si:H層を光導電層として0.5〜5.0μ燕形成し
た。
するフィルム形状のPPS（ポリｐ−フェニレンスルフィ
ド）を、貼りつけ、フッ素樹脂シートをフィルムの上側
より巻き付け熱処理炉において加熱し、PPSフィルム
を、アルミニウム基板上に融着させた。加熱温度は、PP
Sの、融解温度である285℃より高い290℃とし、加熱雰
囲気は、大気中である。熱処理炉より基板を取り出した
後、フッ素樹脂シートを取り外し、再び熱処理炉に設置
し、酸素雰囲気で、加熱処理を、施した。加熱温度は、
285℃〜350℃の範囲内で、制御し、加熱処理時間は、３
時間一定とした。この処理後、PPSフィルムの膜厚は、1
0〜25μｍとした。この層を、電荷輸送層とし、電荷発
生層として、量子効率が大きく可視光全域に渡って良好
な感度を有するａ−Si:Hを、採用した。ａ−Si:Hの製膜
は、プラズマCVD法で行った。PPSフィルムを、貼りつけ
た基板を、６インチの放電電極を有する平行平板型の容
量結合方式プラズマCVD装置内に設置し、反応容器内を
５×10-6Torr以下に排気後基板を150〜200℃の温度範囲
の一定温度に加熱制御した。反応容器内にSiH4ガスを、
50sccm,H2ガスを250sccm混合導入し、容器内圧力を0.2
〜1.0Torr、13.56MHZの高周波を電力40〜80Wの条件で成
膜し、ａ−Si:H層を光導電層として0.5〜5.0μ燕形成し
た。
この電子写真感光体を6.0kVでコロナ帯電させたとこ
ろ、電荷輸送層の膜厚が20μ燕のもので＋1500Vの表面
電位を得ることができ、白色光で露光したところ、残留
電位＋50V以下、半減露光量は1.01x・ｓ以下と非常に優
れた電子写真特性を示した。この電子写真感光体の組成
分析をしたところ、電荷輸送層中に含まれるＯ原子のＣ
原子に対する組成比率は、12atm％であった。
ろ、電荷輸送層の膜厚が20μ燕のもので＋1500Vの表面
電位を得ることができ、白色光で露光したところ、残留
電位＋50V以下、半減露光量は1.01x・ｓ以下と非常に優
れた電子写真特性を示した。この電子写真感光体の組成
分析をしたところ、電荷輸送層中に含まれるＯ原子のＣ
原子に対する組成比率は、12atm％であった。
比較としてPPSフィルムの融着後の加熱処理を、0.1Torr
以下の減圧下で行い、Ｏ原子数がＣ原子に対して1atm％
以下である電荷輸送層を得、前述同様ａ−Si;H層を電荷
発生層として形成した。この電子写真感光体の特性は、
残留電位＋400V以上、半減露光量1501x・ｓ以上と劣っ
ていた。更に膜中のＯ原子数を酸素雰囲気中の加熱処理
の加熱時間で50atm％まで変化させたところ１〜35atm％
までは、残留電位＋50V以下と実用上問題のない電子写
真特性を示した。
以下の減圧下で行い、Ｏ原子数がＣ原子に対して1atm％
以下である電荷輸送層を得、前述同様ａ−Si;H層を電荷
発生層として形成した。この電子写真感光体の特性は、
残留電位＋400V以上、半減露光量1501x・ｓ以上と劣っ
ていた。更に膜中のＯ原子数を酸素雰囲気中の加熱処理
の加熱時間で50atm％まで変化させたところ１〜35atm％
までは、残留電位＋50V以下と実用上問題のない電子写
真特性を示した。
実施例２ 電荷発生層を、形成する際、融着処理と同時に電子受容
体として、TCNQ（7,7,8,8,−テトラシアノキノジメタ
ン）を添加した。原料であるPPSフィルムに対して５重
量％の添加量で膜厚25μｍとして実施例１と同じ条件で
酸素雰囲気での熱処理を施し電荷輸送層とした。電荷発
生層には、ａ−Si:H層及びａ−SiCx:H（アモルファスシ
リコンカーバイト）層を採用し、それぞれ電子写真特性
の評価を行った。その結果電荷発生層が、ａ−Si:H層の
場合、残留電位＋30V以下、半減露光量0.61x・ｓ以下と
良好な特性を示した。又電荷発生層が、ａ−SiCx:H層の
場合でも同等の電子写真特性を得た。尚、ａ−SiCx:H層
の製膜は、導入ガスをC2H2とSiH4の混合としプラズマCV
D法で行った。
体として、TCNQ（7,7,8,8,−テトラシアノキノジメタ
ン）を添加した。原料であるPPSフィルムに対して５重
量％の添加量で膜厚25μｍとして実施例１と同じ条件で
酸素雰囲気での熱処理を施し電荷輸送層とした。電荷発
生層には、ａ−Si:H層及びａ−SiCx:H（アモルファスシ
リコンカーバイト）層を採用し、それぞれ電子写真特性
の評価を行った。その結果電荷発生層が、ａ−Si:H層の
場合、残留電位＋30V以下、半減露光量0.61x・ｓ以下と
良好な特性を示した。又電荷発生層が、ａ−SiCx:H層の
場合でも同等の電子写真特性を得た。尚、ａ−SiCx:H層
の製膜は、導入ガスをC2H2とSiH4の混合としプラズマCV
D法で行った。
発明の効果 本発明によれば、光励起によってキャリアを発生する光
導電層と、そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる
機能分離型電子写真感光体において、電荷輸送層がＰ−
フェニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する直鎖状
化合物高分子層であり、VIb族元素としてS,Se、Te、の
少なくともいずれか一つを含有し、更にＯ原子を含有す
ることで、高感度、低残留電位の電子写真感光体を得る
ことができる。又、表面に高い硬度を持つ非晶質層を設
けることで高耐刷性を持ち得る。更に電荷輸送層層の製
造が、高分子の融着で行えることで、安価な電子写真感
光体を提供でき得る。
導電層と、そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる
機能分離型電子写真感光体において、電荷輸送層がＰ−
フェニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する直鎖状
化合物高分子層であり、VIb族元素としてS,Se、Te、の
少なくともいずれか一つを含有し、更にＯ原子を含有す
ることで、高感度、低残留電位の電子写真感光体を得る
ことができる。又、表面に高い硬度を持つ非晶質層を設
けることで高耐刷性を持ち得る。更に電荷輸送層層の製
造が、高分子の融着で行えることで、安価な電子写真感
光体を提供でき得る。
図は、本発明の実施例における電子写真感光体の断面図
である。 １……支持体、２……電荷輸送層、３……電荷発生層、
４……自由表面。
である。 １……支持体、２……電荷輸送層、３……電荷発生層、
４……自由表面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋山 浩二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 渡辺 正則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−59353（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−90954（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−224846（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−113156（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】光励起によってキャリアを発生する光導電
層と、そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能
分離型電子写真感光体において、前記電荷輸送層がＰ−
フェニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する直鎖状
化合物高分子層であり、VIb族元素としてS,Se、Te、の
少なくともいずれか一つを含有し、更にＯ原子を該VIb
族とは別に高分子鎖上外に含有することを特徴とする電
子写真感光体。 - 【請求項２】電荷輸送層中のＯ原子のＣ原子に対する原
子数比率が、１〜35atm％であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - 【請求項３】光励起によってキャリアを発生する光導電
層と、そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能
分離型電子写真感光体において、前記電荷輸送層がＰ−
フェニレンを有し、パラ位にVIb族元素を有する直鎖状
化合物高分子層であり、VIb族元素としてS,Se、Te、の
少なくともいずれか一つを含有し、更にＯ原子を該VIb
族とは別に高分子鎖上外に含有する電子写真感光体の製
造方法において、前記電荷輸送層を形成する工程に、酸
素雰囲気中における加熱処理を含むことを特徴とする電
子写真感光体の製造方法。 - 【請求項４】酸素雰囲気中における加熱処理の加熱温度
が、250〜350℃の範囲であることを特徴とする特許請求
の範囲第３項記載の電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62164556A JPH0797226B2 (ja) | 1987-07-01 | 1987-07-01 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| US07/190,093 US4886719A (en) | 1987-05-07 | 1988-05-04 | Electrophotography photosensitive member and a method for fabricating same |
| DE3855975T DE3855975T2 (de) | 1987-05-07 | 1988-05-06 | Lichtempfindliches, elektrophotographisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP88304123A EP0290270B1 (en) | 1987-05-07 | 1988-05-06 | Electrophotography photosensitive member and a method for fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62164556A JPH0797226B2 (ja) | 1987-07-01 | 1987-07-01 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS649460A JPS649460A (en) | 1989-01-12 |
| JPH0797226B2 true JPH0797226B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=15795406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62164556A Expired - Fee Related JPH0797226B2 (ja) | 1987-05-07 | 1987-07-01 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797226B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4725414B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2011-07-13 | パナソニック株式会社 | 出力端子付き電動機 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5590954A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-10 | Toray Ind Inc | Photoconductor |
| JPS59224846A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-17 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電子写真用感光体 |
| JPS6059353A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-05 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| JPH0715584B2 (ja) * | 1985-11-13 | 1995-02-22 | 松下電器産業株式会社 | 電子写真感光体 |
-
1987
- 1987-07-01 JP JP62164556A patent/JPH0797226B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649460A (en) | 1989-01-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |