JPH0797730B2 - モノパルスマイクロストリツプアンテナ - Google Patents
モノパルスマイクロストリツプアンテナInfo
- Publication number
- JPH0797730B2 JPH0797730B2 JP61221411A JP22141186A JPH0797730B2 JP H0797730 B2 JPH0797730 B2 JP H0797730B2 JP 61221411 A JP61221411 A JP 61221411A JP 22141186 A JP22141186 A JP 22141186A JP H0797730 B2 JPH0797730 B2 JP H0797730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiating element
- mode
- feeding point
- axis
- monopulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） モノパルス用に和及び差のパターンを形成するモノパル
スマイクロストリップアンテナに関する。
スマイクロストリップアンテナに関する。
（従来の技術） 従来のモノパルス用のマイクロストリップアンテナは、
第８図に示すように、同一平面上に少なくとも４個の放
射素子11を配置させ、これらの出力を４個以上のハイブ
リッド12及び終端器13等で合成することにより、Ｘ−Ｚ
面内での差のパターンΔＸ−Ｚ、Ｙ−Ｚ面内での差のパ
ターンΔＹ−Ｚ及び和のパターンΣを得ている。
第８図に示すように、同一平面上に少なくとも４個の放
射素子11を配置させ、これらの出力を４個以上のハイブ
リッド12及び終端器13等で合成することにより、Ｘ−Ｚ
面内での差のパターンΔＸ−Ｚ、Ｙ−Ｚ面内での差のパ
ターンΔＹ−Ｚ及び和のパターンΣを得ている。
しかしながら、上記のような従来のモノパルスマイクロ
ストリップアンテナでは、放射素子及びハイブリッドが
それぞれ４個以上必要であり、その構成が複雑であるば
かりか、位相合わせ等が困難であり、その調整も大変で
あった。
ストリップアンテナでは、放射素子及びハイブリッドが
それぞれ４個以上必要であり、その構成が複雑であるば
かりか、位相合わせ等が困難であり、その調整も大変で
あった。
（発明が解決しようとする問題点） この発明は、従来のアンテナでは構成が複雑で位相合わ
せが難しかった点を改善するためになされたもので、部
品点数が少なく、構成が簡単であり、位相合わせが容易
なモノパルスマイクロストリップアンテナを提供するこ
とを目的とする。
せが難しかった点を改善するためになされたもので、部
品点数が少なく、構成が簡単であり、位相合わせが容易
なモノパルスマイクロストリップアンテナを提供するこ
とを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明に係るモノパルスマイクロストリップアンテナ
は、第１の給電点より最低次モードで励振され、いわゆ
るモノパルス測角に用いられる和のパターンを形成する
第１の放射素子と、この第１の放射素子の一方側に誘電
体もしくは空気を介して位置し、前記第１の放射素子の
地導体となると共に、前記第１の放射素子よりも広く形
成されかつ第２、第３の給電点よりそれぞれ前記最低次
モードとは異なる最低次の次の高次モードで励振され、
いわゆるモノパルス測角に用いられる差のパターンを形
成する第２の放射素子と、この第２の放射素子の第１の
放射素子とは反対側に誘電体もしくは空気を介して位置
し、前記第２の放射素子の地導体となると共に、前記第
２の放射素子よりも広く形成される地導体板と、前記第
１、第２の放射素子上に形成される第１乃至第３の給電
点に給電を行う給電手段とを具備し、前記第１、第２の
給電点を第１の軸上の互いに異なる位置に配置し、前記
第３の給電点を前記第２の放射素子の中心位置を通り前
記第１の軸と直交する第２の軸から45°傾けた軸上の、
その交点から第２の給電点までの距離と同じ距離の位置
に配置することを特徴とする。
は、第１の給電点より最低次モードで励振され、いわゆ
るモノパルス測角に用いられる和のパターンを形成する
第１の放射素子と、この第１の放射素子の一方側に誘電
体もしくは空気を介して位置し、前記第１の放射素子の
地導体となると共に、前記第１の放射素子よりも広く形
成されかつ第２、第３の給電点よりそれぞれ前記最低次
モードとは異なる最低次の次の高次モードで励振され、
いわゆるモノパルス測角に用いられる差のパターンを形
成する第２の放射素子と、この第２の放射素子の第１の
放射素子とは反対側に誘電体もしくは空気を介して位置
し、前記第２の放射素子の地導体となると共に、前記第
２の放射素子よりも広く形成される地導体板と、前記第
１、第２の放射素子上に形成される第１乃至第３の給電
点に給電を行う給電手段とを具備し、前記第１、第２の
給電点を第１の軸上の互いに異なる位置に配置し、前記
第３の給電点を前記第２の放射素子の中心位置を通り前
記第１の軸と直交する第２の軸から45°傾けた軸上の、
その交点から第２の給電点までの距離と同じ距離の位置
に配置することを特徴とする。
（作用） 上記構成によるモノパルスマイクロストリップアンテナ
は、最低次モードで励振される第１の放射素子と最低次
の次のモードで励振される第２の放射素子がスタック状
に重ね合わされているため、特別にハイブリッドを使用
することなく、第１の放射素子から和のパターンを取出
し、第２の放射素子から差のパターンを取出すことがで
きる。
は、最低次モードで励振される第１の放射素子と最低次
の次のモードで励振される第２の放射素子がスタック状
に重ね合わされているため、特別にハイブリッドを使用
することなく、第１の放射素子から和のパターンを取出
し、第２の放射素子から差のパターンを取出すことがで
きる。
（実施例） 以下、第１図乃至第６図を参照してこの発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
第１図はその構成を示すもので、（ａ）図は上面図、
（ｂ）図は側面図である。図中21はTM110モードで共振
する第１の放射素子、22は第１の放射素子21に対して地
導体板となりかつTM210モードで共振する第２の放射素
子、23は第２の放射素子22に対する地導体板、24〜26は
それぞれ第１乃至第３の給電用同軸線路、Ａは第１の放
射素子を励振するための第１の給電点、B,Cはそれぞれ
第２の放射素子22を励振するための第２及び第３の給電
点である。
（ｂ）図は側面図である。図中21はTM110モードで共振
する第１の放射素子、22は第１の放射素子21に対して地
導体板となりかつTM210モードで共振する第２の放射素
子、23は第２の放射素子22に対する地導体板、24〜26は
それぞれ第１乃至第３の給電用同軸線路、Ａは第１の放
射素子を励振するための第１の給電点、B,Cはそれぞれ
第２の放射素子22を励振するための第２及び第３の給電
点である。
第１及び第２の放射素子21,22は間隔t1をもって対向さ
れ、その間には誘電体ε１による層が形成される。ま
た、第２の放射素子22及び地導体板23は間隔t2をもって
対向され、その間には誘電体ε２による層が形成され
る。第１及び第２の放射素子21,22はそれぞれ直径a1,a2
（a1＜a2）とする円盤状に形成され、中心軸（Ｚ軸方
向）が同一となるようにして対向されている。また、地
導体板23は第２の放射素子22より広く形成され、第２の
放射素子22と対向して設けられており、第１の放射素子
21とは中心付近で対向しないように貫通されている。
れ、その間には誘電体ε１による層が形成される。ま
た、第２の放射素子22及び地導体板23は間隔t2をもって
対向され、その間には誘電体ε２による層が形成され
る。第１及び第２の放射素子21,22はそれぞれ直径a1,a2
（a1＜a2）とする円盤状に形成され、中心軸（Ｚ軸方
向）が同一となるようにして対向されている。また、地
導体板23は第２の放射素子22より広く形成され、第２の
放射素子22と対向して設けられており、第１の放射素子
21とは中心付近で対向しないように貫通されている。
第１の給電点Ａは第１の放射素子21と地導体板23とが重
ならない位置でＸ軸上に設けられている。この第１の給
電点Ａで、第１の給電用同軸線路24の中心導体が第１の
放射素子21に接続され、外導体が第２の放射素子22に接
続されている。第２の給電点Ｂは第１の放射素子21と第
２の放射素子22とが重ならない位置でＸ軸上に設けられ
ている。この第２の給電点Ｂで、第２の給電用同軸線路
25の中心導体が第２の放射素子22に接続され、外導体が
地導体板23に接続されている。第３の給電点Ｃは第１の
放射素子21と第２の放射素子22とが重ならない位置でＸ
軸からＹ軸方向に45°傾けた位置に設けられている。こ
の第３の給電点Ｃで、第３の給電用同軸線路26の中心導
体が第２の放射素子22に接続され、外導体が地導体板23
に接続されている。
ならない位置でＸ軸上に設けられている。この第１の給
電点Ａで、第１の給電用同軸線路24の中心導体が第１の
放射素子21に接続され、外導体が第２の放射素子22に接
続されている。第２の給電点Ｂは第１の放射素子21と第
２の放射素子22とが重ならない位置でＸ軸上に設けられ
ている。この第２の給電点Ｂで、第２の給電用同軸線路
25の中心導体が第２の放射素子22に接続され、外導体が
地導体板23に接続されている。第３の給電点Ｃは第１の
放射素子21と第２の放射素子22とが重ならない位置でＸ
軸からＹ軸方向に45°傾けた位置に設けられている。こ
の第３の給電点Ｃで、第３の給電用同軸線路26の中心導
体が第２の放射素子22に接続され、外導体が地導体板23
に接続されている。
上記構成において、以下その動作について説明する。
まず、第１の放射素子21をTM110モードで共振させ、第
２の放射素子22をTM210モードで共振させる。TM110モー
ドで共振する第１の放射素子21の半径a1は、 で近似することができる。また、TM210モードで共振す
る第２の放射素子22の半径a2は、 で近似することができる。このことは文献（K.Hirasaw
a,et el.“Analysis,Design,and Measurement of Small
and Low−Profile Antennas"Norwood,MA.;Artech Hous
e,1992.）等で広く知られている。
２の放射素子22をTM210モードで共振させる。TM110モー
ドで共振する第１の放射素子21の半径a1は、 で近似することができる。また、TM210モードで共振す
る第２の放射素子22の半径a2は、 で近似することができる。このことは文献（K.Hirasaw
a,et el.“Analysis,Design,and Measurement of Small
and Low−Profile Antennas"Norwood,MA.;Artech Hous
e,1992.）等で広く知られている。
但し、xmn0は、第一種ｍ次のベッセル関数をJm（ｘ）で
表すとき、 Jm′(xmn0)＝０ を満足するｎ番目の解であり、TM110モードとTM210モー
ドに対しては、それぞれ x110≒1.841 x210≒3.054 で近似することができる。
表すとき、 Jm′(xmn0)＝０ を満足するｎ番目の解であり、TM110モードとTM210モー
ドに対しては、それぞれ x110≒1.841 x210≒3.054 で近似することができる。
また、f0は設計周波数であり、εｒは放射素子導体と地
導体板との間の媒質の比誘電率である。さらに、ε０と
μ０はそれぞれ自由空間の誘電率と透過率であり、 ε０＝｛1/（36π）｝×10-9 ［F/m］ μ０＝４π×10-7 ［H/m］ となる。
導体板との間の媒質の比誘電率である。さらに、ε０と
μ０はそれぞれ自由空間の誘電率と透過率であり、 ε０＝｛1/（36π）｝×10-9 ［F/m］ μ０＝４π×10-7 ［H/m］ となる。
このとき、第１の放射素子21には第１の給電点Ａの給電
によりTM110モード電流が第２図中矢印で示すように流
れる。このため、ハイブリッドを使用することなく、第
１の給電用同軸線路24を通じて、例えば第３図に示すよ
うなモノパルスにおける和のパターンΣを得ることがで
きる。第３図において（ａ）図はＸ−Ｚ面（Ｅ面）内の
和のパターン、（ｂ）図はＹ−Ｚ面（Ｈ面）内の和のパ
ターンを示している。
によりTM110モード電流が第２図中矢印で示すように流
れる。このため、ハイブリッドを使用することなく、第
１の給電用同軸線路24を通じて、例えば第３図に示すよ
うなモノパルスにおける和のパターンΣを得ることがで
きる。第３図において（ａ）図はＸ−Ｚ面（Ｅ面）内の
和のパターン、（ｂ）図はＹ−Ｚ面（Ｈ面）内の和のパ
ターンを示している。
一方、第２の放射素子22では第２の給電点Ｂの給電によ
りTM210モード電流が第４図中矢印で示すように流れ
る。このため、ハイブリッドを使用することなく、第２
の給電用同軸線路25を通じて、例えば第５図に示すよう
なモノパルスにおけるTM210モードによるＸ−Ｚ面内の
差のパターンΔＸ−を得ることができる。
りTM210モード電流が第４図中矢印で示すように流れ
る。このため、ハイブリッドを使用することなく、第２
の給電用同軸線路25を通じて、例えば第５図に示すよう
なモノパルスにおけるTM210モードによるＸ−Ｚ面内の
差のパターンΔＸ−を得ることができる。
また、第２の放射素子22では第３の給電点Ｃの給電によ
りTM210モード電流が第６図中矢印で示すように流れ
る。このため、同じくハイブリッドを使用することな
く、第３の給電用同軸線路26を通じて、例えば第７図に
示すようなモノパルスにおけるTM210モードによるＹ−
Ｚ面内の差のパターンΔＹ−Ｚを得ることができる。
りTM210モード電流が第６図中矢印で示すように流れ
る。このため、同じくハイブリッドを使用することな
く、第３の給電用同軸線路26を通じて、例えば第７図に
示すようなモノパルスにおけるTM210モードによるＹ−
Ｚ面内の差のパターンΔＹ−Ｚを得ることができる。
すなわち、放射素子導体の形状が円形のマイクロストリ
ップアンテナは、一般に円形マイクロストリップアンテ
ナと呼ばれ、放射素子導体と地導体板とで挟まれた領域
内にはTMmn0モードと呼ばれる共振モードが励振され
る。このモードの電界成分は、 と表現することができる。ここで、Vmn0は境界条件から
決まる係数であり、ｔは放射素子導体と地導体板とで挟
まれた領域の厚さである。また、φmn0は放射素子導体
と地導体板とで挟まれた共振領域に存在し得る共振モー
ドに対応した固有関数であり、円形マイクロストリップ
アンテナの場合、 と置き換えられる。但し、 であり、φ0は給電点のφ座標を表す。
ップアンテナは、一般に円形マイクロストリップアンテ
ナと呼ばれ、放射素子導体と地導体板とで挟まれた領域
内にはTMmn0モードと呼ばれる共振モードが励振され
る。このモードの電界成分は、 と表現することができる。ここで、Vmn0は境界条件から
決まる係数であり、ｔは放射素子導体と地導体板とで挟
まれた領域の厚さである。また、φmn0は放射素子導体
と地導体板とで挟まれた共振領域に存在し得る共振モー
ドに対応した固有関数であり、円形マイクロストリップ
アンテナの場合、 と置き換えられる。但し、 であり、φ0は給電点のφ座標を表す。
また、この場合、放射素子導体の地導体板に対向した表
面上の電流分布は、 と表現できる。但し、ωは角周波数である。したがっ
て、ｍ＝１、ｎ＝１であるTM110モードに対する電流分
布は、その給電点をＸ軸上の点Ａに選ぶとき、φ0＝０
°となり、第２図に示すものとなる。また、TM210モー
ドに対する電流分布は、その給電点を同じくＸ軸上の点
Ｂに選ぶとき、第４図に示すものとなる。
面上の電流分布は、 と表現できる。但し、ωは角周波数である。したがっ
て、ｍ＝１、ｎ＝１であるTM110モードに対する電流分
布は、その給電点をＸ軸上の点Ａに選ぶとき、φ0＝０
°となり、第２図に示すものとなる。また、TM210モー
ドに対する電流分布は、その給電点を同じくＸ軸上の点
Ｂに選ぶとき、第４図に示すものとなる。
ところで、TM210モードに対する電流分布に注目する
と、その給電点の位置を第１図の点Ｃに選ぶことによ
り、φ0＝45°となり、第６図に示す電流分布となるこ
とがわかる。ここで注目すべき点は、この電流分布と第
４図に示す電流分布とは相関がないという点である。こ
れは、両給電点間には高いアイソレーションがあること
を意味しており、これらの電流分布に基づく放射パター
ンはモノパルス測角に必要な和のパターンと差のパター
ンを構成している点である。
と、その給電点の位置を第１図の点Ｃに選ぶことによ
り、φ0＝45°となり、第６図に示す電流分布となるこ
とがわかる。ここで注目すべき点は、この電流分布と第
４図に示す電流分布とは相関がないという点である。こ
れは、両給電点間には高いアイソレーションがあること
を意味しており、これらの電流分布に基づく放射パター
ンはモノパルス測角に必要な和のパターンと差のパター
ンを構成している点である。
この電流分布に対応する放射磁界は、ホイヘンスの原理
より、 と求まる。但し、上式の積分はマイクロストリップアン
テナの放射素子の端部開放側面上での面積分を表し、
′は同側面上の外向き単位法線ベクトルを表す。ま
た、はＺ軸方向の単位ベクトルであり、ｒは波源から
放射電界に対する観測点までの距離を表す。さらに、k0
は自由空間の伝搬定数であり、設計周波数に対する波長
をλ０で表すとき、 k0＝２π／λ０ と表現できる。（７）式より、放射電界は、mn0 ＝120πmn0× …（８） と表せる。この結果を元に、ｍ＝１、ｎ＝１であるTM
110モードに基づく放射電界を求めると、その給電点を
Ｘ軸上の点Ａに選ぶとき、φ0＝０°とおくことによっ
て第３図に示すものとなり、モノパルス測角のΣパター
ンに相当する指向性となっていることがわかる。また、
TM210モードに基づく放射電界を求めると、その給電点
をＸ軸上の点Ｂに選ぶとき、φ0＝０°とおくことによ
って第５図に示すものとなり、Ｘ−Ｚ面内に対するΔパ
ターンに相当する指向性となっていることがわかる。一
方、点Ｃに選ぶとき、φ0＝45°とおくことによって第
７図に示すものとなり、Ｙ−Ｚ面内に対するΔパターン
に相当する指向性となっていることがわかる。
より、 と求まる。但し、上式の積分はマイクロストリップアン
テナの放射素子の端部開放側面上での面積分を表し、
′は同側面上の外向き単位法線ベクトルを表す。ま
た、はＺ軸方向の単位ベクトルであり、ｒは波源から
放射電界に対する観測点までの距離を表す。さらに、k0
は自由空間の伝搬定数であり、設計周波数に対する波長
をλ０で表すとき、 k0＝２π／λ０ と表現できる。（７）式より、放射電界は、mn0 ＝120πmn0× …（８） と表せる。この結果を元に、ｍ＝１、ｎ＝１であるTM
110モードに基づく放射電界を求めると、その給電点を
Ｘ軸上の点Ａに選ぶとき、φ0＝０°とおくことによっ
て第３図に示すものとなり、モノパルス測角のΣパター
ンに相当する指向性となっていることがわかる。また、
TM210モードに基づく放射電界を求めると、その給電点
をＸ軸上の点Ｂに選ぶとき、φ0＝０°とおくことによ
って第５図に示すものとなり、Ｘ−Ｚ面内に対するΔパ
ターンに相当する指向性となっていることがわかる。一
方、点Ｃに選ぶとき、φ0＝45°とおくことによって第
７図に示すものとなり、Ｙ−Ｚ面内に対するΔパターン
に相当する指向性となっていることがわかる。
したがって、上記のように構成したモノパルスマイクロ
ストリップアンテナは、ハイブリッドを必要とせず、さ
らに位相合わせ等の繁雑な作業を必要としないので、部
品点数が少なく、構成が簡単であり、位相合わせが容易
である。
ストリップアンテナは、ハイブリッドを必要とせず、さ
らに位相合わせ等の繁雑な作業を必要としないので、部
品点数が少なく、構成が簡単であり、位相合わせが容易
である。
尚、上記実施例では、便宜上、円形マイクロストリップ
アンテナを例に説明したが、この場合のTM110モードは
いわゆる基本モードであり、TM210モードはいわゆる高
次モードである。要は、最低次のモードと最低次の次の
次数のモードを利用することがこの発明の特徴とする点
であり、放射素子導体の形状に依存するものではない。
アンテナを例に説明したが、この場合のTM110モードは
いわゆる基本モードであり、TM210モードはいわゆる高
次モードである。要は、最低次のモードと最低次の次の
次数のモードを利用することがこの発明の特徴とする点
であり、放射素子導体の形状に依存するものではない。
例えば、矩形マイクロストリップアンテナの場合は、TM
010モード、またはTM100モードに基づく放射電界がΣパ
ターンに相当する指向性を示すことになり、TM110モー
ドに基づく放射電界がそれぞれＸ−Ｚ面内に対するΔパ
ターンとＹ−Ｚ面内に対するΔパターンに相当する指向
性となる。また、誘電体層ε1,ε２の比誘電率及び厚さ
は同じであっても良く、また空気であってもよい。ま
た、基板21〜23の大きさ及び形状はその上にある放射素
子導体より大きければ任意でよいものである。
010モード、またはTM100モードに基づく放射電界がΣパ
ターンに相当する指向性を示すことになり、TM110モー
ドに基づく放射電界がそれぞれＸ−Ｚ面内に対するΔパ
ターンとＹ−Ｚ面内に対するΔパターンに相当する指向
性となる。また、誘電体層ε1,ε２の比誘電率及び厚さ
は同じであっても良く、また空気であってもよい。ま
た、基板21〜23の大きさ及び形状はその上にある放射素
子導体より大きければ任意でよいものである。
［発明の効果］ 以上のようにこの発明によれば、部品点数が少なく、構
成が簡単であり、位相合わせが容易なモノパルスマイク
ロストリップアンテナを提供することができる。
成が簡単であり、位相合わせが容易なモノパルスマイク
ロストリップアンテナを提供することができる。
第１図はこの発明に係るモノパルスマイクロストリップ
アンテナの一実施例を示す構成図、第２図乃至第７図は
それぞれ同実施例の動作を説明するための図、第８図は
従来のアンテナの構成を示す構成図である。 11……放射素子、12……ハイブリッド、13……終端器、
21,22……放射素子、23……地導体板、24〜26……給電
用同軸線路、Ａ〜Ｃ……給電点。
アンテナの一実施例を示す構成図、第２図乃至第７図は
それぞれ同実施例の動作を説明するための図、第８図は
従来のアンテナの構成を示す構成図である。 11……放射素子、12……ハイブリッド、13……終端器、
21,22……放射素子、23……地導体板、24〜26……給電
用同軸線路、Ａ〜Ｃ……給電点。
Claims (1)
- 【請求項１】第１の給電点より最低次モードで励振さ
れ、いわゆるモノパルス測角に用いられる和のパターン
を形成する第１の放射素子と、 この第１の放射素子の一方側に誘電体もしくは空気を介
して位置し、前記第１の放射素子の地導体となると共
に、前記第１の放射素子よりも広く形成されかつ第２、
第３の給電点よりそれぞれ前記最低次モードとは異なる
最低次の次の高次モードで励振され、いわゆるモノパル
ス測角に用いられる差のパターンを形成する第２の放射
素子と、 この第２の放射素子の第１の放射素子とは反対側に誘電
体もしくは空気を介して位置し、前記第２の放射素子の
地導体となると共に、前記第２の放射素子よりも広く形
成される地導体板と、 前記第１、第２の放射素子上に形成される第１乃至第３
の給電点に給電を行う給電手段とを具備し、 前記第１、第２の給電点を第１の軸上の互いに異なる位
置に配置し、前記第３の給電点を前記第２の放射素子の
中心位置を通り前記第１の軸と直交する第２の軸から45
°傾けた軸上の、その交点から第２の給電点までの距離
と同じ距離の位置に配置することを特徴とするモノパル
スマイクロストリップアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221411A JPH0797730B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | モノパルスマイクロストリツプアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221411A JPH0797730B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | モノパルスマイクロストリツプアンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376506A JPS6376506A (ja) | 1988-04-06 |
| JPH0797730B2 true JPH0797730B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=16766316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221411A Expired - Lifetime JPH0797730B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | モノパルスマイクロストリツプアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797730B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10029881B4 (de) * | 2000-06-16 | 2010-06-24 | Linde Material Handling Gmbh | Gabelstapler |
| JP2007081824A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Toshiba Corp | アンテナ装置とそのアンテナ装置を用いたモノパルスレーダ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746762B2 (ja) * | 1986-01-30 | 1995-05-17 | 日本電気株式会社 | 円偏波マイクロストリツプアンテナ |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61221411A patent/JPH0797730B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6376506A (ja) | 1988-04-06 |
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