JPH079889B2 - 半導体ウエハ熱処理装置 - Google Patents
半導体ウエハ熱処理装置Info
- Publication number
- JPH079889B2 JPH079889B2 JP61186290A JP18629086A JPH079889B2 JP H079889 B2 JPH079889 B2 JP H079889B2 JP 61186290 A JP61186290 A JP 61186290A JP 18629086 A JP18629086 A JP 18629086A JP H079889 B2 JPH079889 B2 JP H079889B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- heat treatment
- cantilever
- semiconductor wafer
- flange
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、反応管内の半導体ウエハに対して所定の熱処
理を施すための半導体ウエハ熱処理装置に関するもので
ある。
理を施すための半導体ウエハ熱処理装置に関するもので
ある。
（従来の技術） 半導体ウエハプロセスの中の酸化、拡散、デポジション
などの熱処理周辺技術の一例として、半導体ウエハプロ
セスにおける炉体へのローディングシステムで超無塵か
つ雰囲気コントロールを行うことの要求を満たす技術と
しては、例えばUSPAT.No.4459104、USPAT.No.4543059が
ある。
などの熱処理周辺技術の一例として、半導体ウエハプロ
セスにおける炉体へのローディングシステムで超無塵か
つ雰囲気コントロールを行うことの要求を満たす技術と
しては、例えばUSPAT.No.4459104、USPAT.No.4543059が
ある。
またこれら反応管を形成する接合部には、シーリング材
としてゴム製のＯリングが既に使用されている。
としてゴム製のＯリングが既に使用されている。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら前記した従来技術では、比較的低温で処理
を行う場合には、良好な性能が得られているが、高温中
で処理を行う拡散、酸化処理においては、耐熱性、耐薬
品性などの観点から、反応管内汚染の危険が生じるの
で、前記したゴム製のＯリングの使用は困難であった。
また従来のシール材は熱変成により塵が発生する場合も
あり、クリーン対応の面からは好ましくない。
を行う場合には、良好な性能が得られているが、高温中
で処理を行う拡散、酸化処理においては、耐熱性、耐薬
品性などの観点から、反応管内汚染の危険が生じるの
で、前記したゴム製のＯリングの使用は困難であった。
また従来のシール材は熱変成により塵が発生する場合も
あり、クリーン対応の面からは好ましくない。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、繰り返
し熱処理反応工程を実行しても熱変成がなく、接触汚染
の改善された半導体ウエハ熱処理装置を提供して、前記
問題の解決を図ることを目的とする。
し熱処理反応工程を実行しても熱変成がなく、接触汚染
の改善された半導体ウエハ熱処理装置を提供して、前記
問題の解決を図ることを目的とする。
（課題を解決するための手段） 前記目的達成のため、本発明によれば、反応管内の半導
体ウエハに対して所定の熱処理を施す如く構成された熱
処理装置において、反応管を構成するプロセスチューブ
と、このプロセスチューブの一端に形成された開口端部
からこのプロセスチューブ内に、その先端部から挿入自
在なカンチレバーチューブとを有し、プロセスチューブ
の他端にはガス供給口が設けられると共に、前記開口端
部にはフランジ部が形成され、カンチレバーチューブの
先端部は開口しており、さらにこのカンチレバーチュー
ブの後端部近傍には前記フランジ部と密着接合するフラ
ンジが形成されると共に、さらにこのカンチレバーチュ
ーブの後端部にはカンチレバー内に通ずるガス導入口が
設けられ、またこのカンチレバーチューブ内には被処理
体である半導体ウエハを複数配置する保持台が設けら
れ、さらに前記フランジ部とフランジとの接合面には、
ガラス状炭素からなるＯリングが設けられたことを特徴
とする、半導体ウエハ熱処理装置が提供される。
体ウエハに対して所定の熱処理を施す如く構成された熱
処理装置において、反応管を構成するプロセスチューブ
と、このプロセスチューブの一端に形成された開口端部
からこのプロセスチューブ内に、その先端部から挿入自
在なカンチレバーチューブとを有し、プロセスチューブ
の他端にはガス供給口が設けられると共に、前記開口端
部にはフランジ部が形成され、カンチレバーチューブの
先端部は開口しており、さらにこのカンチレバーチュー
ブの後端部近傍には前記フランジ部と密着接合するフラ
ンジが形成されると共に、さらにこのカンチレバーチュ
ーブの後端部にはカンチレバー内に通ずるガス導入口が
設けられ、またこのカンチレバーチューブ内には被処理
体である半導体ウエハを複数配置する保持台が設けら
れ、さらに前記フランジ部とフランジとの接合面には、
ガラス状炭素からなるＯリングが設けられたことを特徴
とする、半導体ウエハ熱処理装置が提供される。
（実施例） 以下本発明の装置を酸化装置、拡散装置に適用した一実
施例を図面を用いて詳述する。
施例を図面を用いて詳述する。
熱処理炉（１）内に配置された耐熱性反応管、例えば石
英製のプロセスチューブ（２）の一端には、ガス供給口
（３）が設けられており、このガス供給口（３）は、ガ
ス供給系内でウエハプロセスに必要な種々な反応ガス供
給系やパージガス供給系に接続されている。
英製のプロセスチューブ（２）の一端には、ガス供給口
（３）が設けられており、このガス供給口（３）は、ガ
ス供給系内でウエハプロセスに必要な種々な反応ガス供
給系やパージガス供給系に接続されている。
上記プロセスチューブ（２）の他端には、先端外周にフ
ランジ部（４）が形成されている。このフランジ部
（４）側からカンチレバーチューブ（５）を挿入する構
成となっており、かかる場合の挿入操作はロードステー
ション（６）により行われる。このロードステーション
（６）の下側は、キャリッジ乗ったまっすぐなトラック
を支えるＣ−チャンネルの構造になっている。
ランジ部（４）が形成されている。このフランジ部
（４）側からカンチレバーチューブ（５）を挿入する構
成となっており、かかる場合の挿入操作はロードステー
ション（６）により行われる。このロードステーション
（６）の下側は、キャリッジ乗ったまっすぐなトラック
を支えるＣ−チャンネルの構造になっている。
反応ガスは各々の反応管であるプロセスチューブ
（２）、カンチレバーチューブ（５）のスカベンジャー
（７）側より排気され、除外装置（図示せず）へ導びか
れる。
（２）、カンチレバーチューブ（５）のスカベンジャー
（７）側より排気され、除外装置（図示せず）へ導びか
れる。
複数の半導体ウエハ（８）は、炉の反対側の位置にガス
導入口（９）を備えたカンチレバーチューブ（５）内に
配置され、例えば石英などの耐熱性、クリーン度の高い
材質で形成された保持台（10）上に載置される。
導入口（９）を備えたカンチレバーチューブ（５）内に
配置され、例えば石英などの耐熱性、クリーン度の高い
材質で形成された保持台（10）上に載置される。
カンチレバーチューブ（５）の炉側は、起立させた多数
の半導体ウエハ（８）を収容した状態の保持台（10）の
挿入と、半導体ウエハ（８）に対してのガス導入のため
に開口しており、反対側は、例えば石英製の２枚のフラ
ンジ（11）、（12）を備えている。
の半導体ウエハ（８）を収容した状態の保持台（10）の
挿入と、半導体ウエハ（８）に対してのガス導入のため
に開口しており、反対側は、例えば石英製の２枚のフラ
ンジ（11）、（12）を備えている。
炉側に近いフロントフランジ（11）には、カンチレバー
チューブ（５）がプロセスチューブ（２）に挿入した第
１図（ｂ）の状態では、プロセスチューブ（２）のフラ
ンジ部（４）とフロントフランジ（11）との接合面に反
応容器の気密シールを行うガラス状炭素のＯリング（1
3）を狭設している。
チューブ（５）がプロセスチューブ（２）に挿入した第
１図（ｂ）の状態では、プロセスチューブ（２）のフラ
ンジ部（４）とフロントフランジ（11）との接合面に反
応容器の気密シールを行うガラス状炭素のＯリング（1
3）を狭設している。
他方のリアフランジ（12）には、カンチレバーチューブ
（５）の一端側、即ち片持ち可能なように、例えばグラ
ファイトのようなＯリング（14）が用いられている。こ
の部分は、反応容器外であるため、この実施例では通常
のグラファイトを用いている。
（５）の一端側、即ち片持ち可能なように、例えばグラ
ファイトのようなＯリング（14）が用いられている。こ
の部分は、反応容器外であるため、この実施例では通常
のグラファイトを用いている。
このような装置を用いて、半導体ウエハ酸化膜を形成す
る場合は、第１図（ａ）に示す状態で、ガス供給口
（３）、ガス導入口（９）から、各々パージガスとして
例えば不活性ガスの窒素ガスを流入している状態で第１
図（ｂ）に示す如く、カンチレバーチューブ（５）を挿
入し、装着後、熱処理炉（１）により所定温度に昇温す
る。
る場合は、第１図（ａ）に示す状態で、ガス供給口
（３）、ガス導入口（９）から、各々パージガスとして
例えば不活性ガスの窒素ガスを流入している状態で第１
図（ｂ）に示す如く、カンチレバーチューブ（５）を挿
入し、装着後、熱処理炉（１）により所定温度に昇温す
る。
次に酸素ガスを導入し、各プロセスチューブ（２）、カ
ンチレバーチューブ（５）内を酸素雰囲気とする。なお
この時酸素ガスにパージガスとして例えば不活性ガスの
窒素を使用する。
ンチレバーチューブ（５）内を酸素雰囲気とする。なお
この時酸素ガスにパージガスとして例えば不活性ガスの
窒素を使用する。
高温状態の半導体ウエハ（８）、即ちシリコンは、金属
のアルカイドやイオンによる汚染の影響を大変受けやす
く、それが半導体の歩留りや寿命を落とすことになる。
のアルカイドやイオンによる汚染の影響を大変受けやす
く、それが半導体の歩留りや寿命を落とすことになる。
そのため半導体ウエハ（８）周りを高圧雰囲気とし、パ
ーティクルがカンチレバーチューブ（５）内に侵入した
り、半導体ウエハ（８）上に付着することを最小限にす
る必要がある。従ってゴミの発生要素は皆無にする必要
がある。
ーティクルがカンチレバーチューブ（５）内に侵入した
り、半導体ウエハ（８）上に付着することを最小限にす
る必要がある。従ってゴミの発生要素は皆無にする必要
がある。
この実施例では、ガラス状炭素をシール材、具体的には
Ｏリング（13）として用いることにより対処している。
そしてこのようなカンチレバーチューブ（５）のフロン
トフランジ（11）に備えたＯリング（13）が、プロセス
チューブ（２）のフランジ部（４）に相対するまでゆっ
くりとカンチレバーチューブ（５）を移動させて設置
し、熱処理反応を進めるのである。
Ｏリング（13）として用いることにより対処している。
そしてこのようなカンチレバーチューブ（５）のフロン
トフランジ（11）に備えたＯリング（13）が、プロセス
チューブ（２）のフランジ部（４）に相対するまでゆっ
くりとカンチレバーチューブ（５）を移動させて設置
し、熱処理反応を進めるのである。
次にガラス状炭素の概略を記す。ガラス状炭素は有機物
の固相熱分解（炭化）によって生成するもので、セルロ
ースカーボン、グラッシー・カーボン、ヒドロカーボ
ン、ポリマーカーボンと呼ばれるものが含まれている。
その製法例を示せば、図３に示した如くである。またガ
ラス状炭素の特性については、図４の図表に示した。
の固相熱分解（炭化）によって生成するもので、セルロ
ースカーボン、グラッシー・カーボン、ヒドロカーボ
ン、ポリマーカーボンと呼ばれるものが含まれている。
その製法例を示せば、図３に示した如くである。またガ
ラス状炭素の特性については、図４の図表に示した。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明にかかる半導体ウエハ熱処
理装置によれば、プロセスチューブのフランジ部とカン
チレバーチューブのフランジとの接合面に、ガラス状炭
素からなるＯリングが使用されているので、繰り返し熱
処理反応工程を実行しても熱変成がなくまた接合部のシ
ール性も向上しているので、プロセスチューブ内の汚染
を抑えて、反応ガスによる高率の半導体ウエハの熱処理
を行うことが可能である。また接触破損の防止も図られ
ているから、プロセスチューブのフランジ部とカンチレ
バーチューブのフランジとが密着接合しても、これによ
って密閉性が損なわれることはない。
理装置によれば、プロセスチューブのフランジ部とカン
チレバーチューブのフランジとの接合面に、ガラス状炭
素からなるＯリングが使用されているので、繰り返し熱
処理反応工程を実行しても熱変成がなくまた接合部のシ
ール性も向上しているので、プロセスチューブ内の汚染
を抑えて、反応ガスによる高率の半導体ウエハの熱処理
を行うことが可能である。また接触破損の防止も図られ
ているから、プロセスチューブのフランジ部とカンチレ
バーチューブのフランジとが密着接合しても、これによ
って密閉性が損なわれることはない。
しかもプロセスチューブの他端にはガス供給口が設けら
れ、他方カンチレバーチューブの後端部にはガス導入口
が設けられているため、プロセスチューブ内にカンチレ
バーチューブを挿入する際には、各チューブ内を同時に
パージしつつかかる挿入動作を行うことができ、さらに
前記した接合面外方近傍には、スカベンジャーが設けら
れているので、例えば該パージの際の不活性ガスが反応
管内へ拡散することが防止できるものとなっている。
れ、他方カンチレバーチューブの後端部にはガス導入口
が設けられているため、プロセスチューブ内にカンチレ
バーチューブを挿入する際には、各チューブ内を同時に
パージしつつかかる挿入動作を行うことができ、さらに
前記した接合面外方近傍には、スカベンジャーが設けら
れているので、例えば該パージの際の不活性ガスが反応
管内へ拡散することが防止できるものとなっている。
第１図は本発明の一実施例にかかる装置の説明図、第２
図は第１図の実施例に使用されたＯリングの側面と断面
を示した説明図、第３図はガラス状炭素の製法例を示す
フロー図、第４図はガラス状炭素の特性を示した図表で
ある。 なお図中、１は熱処理炉、２はプロセスチューブ、３は
ガス供給口、４はフランジ部、５はカンチレバーチュー
ブ、７はスカベンジャー、８は半導体ウエハ、９はガス
導入口、10は保持台、11はフランジ、13はＯリングであ
る。
図は第１図の実施例に使用されたＯリングの側面と断面
を示した説明図、第３図はガラス状炭素の製法例を示す
フロー図、第４図はガラス状炭素の特性を示した図表で
ある。 なお図中、１は熱処理炉、２はプロセスチューブ、３は
ガス供給口、４はフランジ部、５はカンチレバーチュー
ブ、７はスカベンジャー、８は半導体ウエハ、９はガス
導入口、10は保持台、11はフランジ、13はＯリングであ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】反応管内の半導体ウエハに対して所定の熱
処理を施す如く構成された熱処理装置において、 反応管を構成するプロセスチューブと、このプロセスチ
ューブの一端に形成された開口端部からこのプロセスチ
ューブ内に、その先端部から挿入自在なカンチレバーチ
ューブとを有し、 プロセスチューブの他端にはガス供給口が設けられると
共に、前記開口端部にはフランジ部が形成され、 カンチレバーチューブの先端部は開口しており、さらに
このカンチレバーチューブの後端部近傍には前記フラン
ジ部と密着接合するフランジが形成されると共に、さら
にこのカンチレバーチューブの後端部にはカンチレバー
内に通ずるガス導入口が設けられ、 またこのカンチレバーチューブ内には被処理体である半
導体ウエハを複数配置する保持台が設けられ、前記フラ
ンジ部とフランジとの接合面には、ガラス状炭素からな
るＯリングが設けられ、 さらに当該接合面外方近傍にはスカベンジャーが設けら
れたことを特徴とする、半導体ウエハ熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186290A JPH079889B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体ウエハ熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186290A JPH079889B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体ウエハ熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342118A JPS6342118A (ja) | 1988-02-23 |
| JPH079889B2 true JPH079889B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=16185723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61186290A Expired - Lifetime JPH079889B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体ウエハ熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079889B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2733681B2 (ja) * | 1988-03-09 | 1998-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| NO2734471T3 (ja) * | 2011-07-20 | 2018-05-19 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI60380C (fi) * | 1977-02-21 | 1982-01-11 | Jorma K Rautavuori | Foerfarande foer framstaellning av glasliknande kol |
| JPS55116611A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-08 | Kanebo Ltd | Manufacture of porous glassy carbon body |
| JPS61101792A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | 松下電器産業株式会社 | 真空・雰囲気電気炉 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61186290A patent/JPH079889B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6342118A (ja) | 1988-02-23 |
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