JPH0811356B2 - Polishing method and polishing apparatus - Google Patents
Polishing method and polishing apparatusInfo
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- JPH0811356B2 JPH0811356B2 JP1089175A JP8917589A JPH0811356B2 JP H0811356 B2 JPH0811356 B2 JP H0811356B2 JP 1089175 A JP1089175 A JP 1089175A JP 8917589 A JP8917589 A JP 8917589A JP H0811356 B2 JPH0811356 B2 JP H0811356B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、シリコン等のウエハ、光学レンズ等の被
研磨物表面のポリッシング方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for polishing a surface of an object to be polished such as a wafer made of silicon or the like, an optical lens or the like.
（従来の技術） 主としてシリコンを材料とする半導体のIC基盤を製造
する場合には、通常、単結晶シリコンのインゴットをダ
イアモンドブレードを用いてスライスしてウエハを形成
し、該ウエハを研磨してその表面を平面精度の高い鏡面
に仕上げている。このようにして形成されたウエハは、
その表面をポリッシングして鏡面に仕上げられる。該ウ
エハのポリッシングには、大別して次の３つの工程に分
けることが出来る。(Prior Art) When manufacturing a semiconductor IC substrate mainly made of silicon, usually, an ingot of single crystal silicon is sliced with a diamond blade to form a wafer, and the wafer is polished to The surface is mirror finished with high flatness. The wafer thus formed is
The surface is polished to a mirror finish. The polishing of the wafer can be roughly divided into the following three steps.
第１に、ダイアモンドブレードによりスライスされた
ウエハの反りやブレード条痕等を除去してウエハを基本
的に均一な厚さの平盤とするラッピング工程。First, a lapping process in which a wafer sliced by a diamond blade is removed from warpage, blade scratches, and the like to form a flat plate having a basically uniform thickness.
第２に、ラッピング工程に於いてウエハ表面に或る深
さまで生じた加工変質層を除去するためにこの変質層を
酸またはアルカリで侵食するエッチング工程。Second, in the lapping step, an etching step of corroding the deteriorated layer formed on the wafer surface to a certain depth by acid or alkali in order to remove the deteriorated layer.
第３に、エッチングによる加工変質層（ラッピング後
のストック層と称せられる）を除去して、純シリコン層
がミクロな傷や曇りがなく完全な鏡面でしかもIC回路の
焼付に必要かつ充分の平面性に仕上げるポリッシング工
程。Third, the work-affected layer caused by etching (called the stock layer after lapping) is removed, and the pure silicon layer has a perfect mirror surface with no micro scratches or fogging, and is a plane that is necessary and sufficient for baking an IC circuit. Polishing process that finishes to a good quality.
上記のポリッシング工程では、一般に回転平盤式のポ
リッシング装置が使用されている。該ポリッシング装置
は、例えば第４図（ａ）および（ｂ）に示すように、大
型の回転平盤61にポリッシングパット63を貼付けるとと
もに、該回転平盤61と対向配設された複数のキャリヤー
円盤62の下面にそれぞれ複数のウエハ64を装着してお
き、各キャリヤー円盤62を重錘65その他の手段によりポ
リッシングパッド63に圧接する。そして、ポリッシング
パッド63とウエハ64との間に砥液を通流させながら、回
転平盤61を公転させるつつキャリヤー円盤62を自転させ
ることにより、各キャリヤー円盤62に保持されたウエハ
64はポリッシングされる。In the above polishing process, a rotary flat plate type polishing apparatus is generally used. As shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), for example, the polishing apparatus attaches a polishing pad 63 to a large rotary flat plate 61 and a plurality of carriers arranged to face the rotary flat plate 61. A plurality of wafers 64 are mounted on the lower surface of the disk 62, and each carrier disk 62 is pressed against the polishing pad 63 by a weight 65 or other means. Then, while letting the polishing liquid flow between the polishing pad 63 and the wafer 64, the carrier disk 62 is rotated while the rotating flat disk 61 is revolving, so that the wafers held by the carrier disks 62 are rotated.
64 is polished.
（発明が解決しようとする課題） このような、従来のポリッシング装置では、数多くの
欠点が存在する。(Problems to be Solved by the Invention) Such a conventional polishing apparatus has a number of drawbacks.
第１に、回転平盤61に貼付けたポリッシングパッド63
は被研磨物である各ウエハ64の研磨面全体に対向してい
るために、各ウエハ64を高精度にポリッシングするため
には、回転平盤61とキャリヤー円盤62下面とが高精度に
平面化されていなければならない。また、ポリッシング
時には、ウエハの温度が上昇するために、ウエハに歪み
が生じるおそれがある。このような歪を補正するため
に、回転平盤61およびキャリヤー円盤62を冷却するため
の冷却水通路をそれぞれの内部に設ける等の複雑な構造
が必要となり、しかも、ポリッシング時には温度コント
ロールしなければならない。ポリッシングパッド63は、
回転平盤61に貼付けても直ちに使用できず、通常ダイア
モンド工具などにより厚みを均等化したり、あるいはか
なりの長時間にわたって予めポリッシングパッド61を研
磨するいわゆる共摺りを施す必要がある。キャリヤー円
盤62へのウエハ64の取り付けに、細心の注意が必要にな
るという問題もある。First, the polishing pad 63 attached to the rotary flat plate 61.
Is opposed to the entire polishing surface of each wafer 64, which is the object to be polished. Therefore, in order to polish each wafer 64 with high accuracy, the rotary flat plate 61 and the lower surface of the carrier disk 62 are highly accurately planarized. Must have been done. Further, during polishing, the temperature of the wafer rises, which may cause distortion in the wafer. In order to correct such distortion, a complicated structure such as providing a cooling water passage for cooling the rotary flat disc 61 and the carrier disc 62 is required, and further, temperature control is required during polishing. I won't. The polishing pad 63 is
It cannot be used immediately even if it is attached to the rotary flat plate 61, and it is usually necessary to equalize the thickness with a diamond tool or the like, or to carry out so-called co-polishing in which the polishing pad 61 is polished in advance for a considerably long time. There is also a problem in that careful attention is required to attach the wafer 64 to the carrier disk 62.
第２に、第４図に示すように回転平盤61の公転時に
は、その外周部と円周部とでは周速度は本質的に異なる
ため、各ウエハ64が取り付けられたキャリヤー円盤62を
自転させないと、ポリッシングパッドに対する各ウエハ
64の摺動運動量が等しくならない。このために回転平盤
61の公転に対してキャリヤー円盤62を自転させることに
より、各ウエハ64の回転方向および回転速度を調整し
て、各ウエハ64のポリッシングパッド63に対する摺動運
動量の均一化を図っている。しかし、キャリヤー円盤62
に取付けられた各ウエハ64がキャリヤー円盤62の外周部
に位置する場合と内周部に位置する場合とでも、ポリッ
シングパッド63に対する各ウエハ64の摺動運動量が不均
一になり、各ウエハ64のポリッシング精度を均一化する
ことは不可能である。このように、各ウエハ64のポリッ
シング精度が不均一であれば、ポリッシングパッド63に
は、研削屑による目詰まりや摩耗が、その径方向に不均
一に生じてしまう。ポリッシングパッド63の径方向の目
詰まりや摩耗の不均一は、各ウエハ64のポリッシング精
度に差が生じる原因となり、そのポリッシング精度の差
は、ポリッシングを繰返すにつれて大きくなるために、
各ウエハ64は高精度にポリッシングできなくなる。Secondly, as shown in FIG. 4, when the rotary flat disc 61 revolves, the peripheral speed of the outer peripheral portion and the peripheral portion thereof are essentially different, so that the carrier disc 62 to which each wafer 64 is attached is not rotated. And each wafer for polishing pad
Sliding momentum of 64 is not equal. For this purpose a rotating flat plate
By rotating the carrier disk 62 with respect to the revolution of 61, the rotation direction and rotation speed of each wafer 64 are adjusted, and the amount of sliding motion of each wafer 64 with respect to the polishing pad 63 is made uniform. However, the carrier disc 62
Even if each of the wafers 64 mounted on the carrier disk 62 is located at the outer peripheral portion and the inner peripheral portion of the carrier disk 62, the amount of sliding motion of each wafer 64 with respect to the polishing pad 63 becomes non-uniform, and It is impossible to make the polishing accuracy uniform. As described above, if the polishing precision of each wafer 64 is non-uniform, the polishing pad 63 is clogged or abraded by grinding debris in the radial direction. Non-uniformity in radial direction clogging and wear of the polishing pad 63 causes a difference in polishing accuracy between the wafers 64, and the difference in polishing accuracy increases as the polishing is repeated.
Each wafer 64 cannot be polished with high precision.
第３に、従来のポリッシング装置は４〜６個のキャリ
ヤー円盤62を備え、各キャリヤー円盤62に３〜７枚のウ
エハ64が装着されるために、１回のポリッシング作業が
終了すると、少なくとも４〜６個のキャリヤー円盤62を
交換しなければならない。このように、従来のポリッシ
ング装置では、ポリッシング作業が断続的に行われるバ
ッチ作業となって、連続的にポリッシング作業を行え
ず、作業効率が悪いという問題がある。また、前述した
ように、ポリッシングパッド63はその径方向位置による
ポリッシング能力が不均一になることは、該ポリッシン
グパッド63とウエハ64との相対摺動運動量の不均一に起
因する目詰まり状態が不均一に発生することが主たる原
因である。このため、ポリッシングされたウエハ64に平
面不良が生じる以前にポリッシング作業を中断し、回転
平盤61に貼着したポリッシングパッド63を洗いながらス
クイーズして研磨屑（主として削り取られたポリッシン
グ後のストック）を除去するドレッシング作業を行わね
ばならない。Thirdly, the conventional polishing apparatus is equipped with 4 to 6 carrier disks 62, and each carrier disk 62 is loaded with 3 to 7 wafers 64. ~ 6 carrier discs 62 must be replaced. As described above, the conventional polishing apparatus has a problem that the polishing operation is a batch operation which is intermittently performed, the polishing operation cannot be continuously performed, and the operation efficiency is poor. Further, as described above, the non-uniform polishing ability of the polishing pad 63 depending on its radial position means that the clogging state due to the non-uniform relative sliding momentum between the polishing pad 63 and the wafer 64 is not uniform. The main cause is uniform occurrence. Therefore, the polishing operation is interrupted before the polished wafer 64 has a flat surface defect, and the polishing pad 63 attached to the rotary flat plate 61 is squeezed while being squeezed to remove polishing scraps (mainly the stock after polishing is removed). Dressing work must be done to remove the.
第４に、従来のポリッシング装置では回転平盤61に貼
着されたポリッシングパッド63に、多数のウエハ64が同
時に摺動するために、ポリッシングパッド63とそれぞれ
のウエハ64とを間に砥液を均一に供給することが容易で
はなく、しかも砥液の供給に特別の配慮をすることが困
難である。通常は、回転平盤61の中心付近に砥液を流下
させて、遠心力とキャリヤー円盤62の回転により、砥液
をウエハ64とポリッシングパッド63との間へ自然に流し
ており、また、両者の間隙からの排出も遠心力により行
われている。このように、遠心力によりウエハ64とポリ
ッシングパッド63との間に砥液を介在させるためには、
砥液の流量を大きくする必要があるが、このように流量
が大きくなれば、大部分はポリッシング作用を行なうこ
となく無為に回転平盤61上を通流することになる。この
場合でも、砥液はウエハ64の全面に亘って均一に通流し
ない。ウエハ64の中心付近において、砥液の供給および
排出を良好に行わせるために、ポリッシングパッド63に
溝等を設けて該溝内に砥液を通流させる試みも為されて
いるが、ポリッシング作用が阻害される等の不都合があ
り、必ずしも良好な結果は得られていない。Fourthly, in the conventional polishing apparatus, since a large number of wafers 64 slide simultaneously on the polishing pad 63 attached to the rotary flat plate 61, an abrasive liquid is interposed between the polishing pad 63 and each wafer 64. It is not easy to supply uniformly, and it is difficult to give special consideration to the supply of the polishing liquid. Usually, the polishing liquid is caused to flow near the center of the rotary flat plate 61, and the polishing liquid is naturally flowed between the wafer 64 and the polishing pad 63 by the centrifugal force and the rotation of the carrier disc 62. The discharge from the gap is also performed by centrifugal force. As described above, in order to interpose the abrasive liquid between the wafer 64 and the polishing pad 63 by the centrifugal force,
It is necessary to increase the flow rate of the polishing liquid, but if the flow rate is increased in this way, most of it will flow through the rotary flat plate 61 without performing polishing action. Even in this case, the polishing liquid does not flow uniformly over the entire surface of the wafer 64. In the vicinity of the center of the wafer 64, in order to favorably supply and discharge the polishing liquid, it has been attempted to provide a groove or the like in the polishing pad 63 and allow the polishing liquid to flow through the groove. However, good results have not always been obtained.
第５に、ポリッシング速度が遅いという問題がある。
従来の回転平盤式のポリッシング装置では、ウエハの寸
法が大きくなるに連れて回転平盤61も大きくなる。例え
ば、通常、回転平盤61の外径は48〜52インチ程度であ
り、５〜６個のキャリヤー円盤62が設けられている。そ
して、各キャリヤー円盤62に６インチウエハを５〜７枚
装着するようになっている。このような大型のポリッシ
ング装置では、回転速度を大きくすることは難しく、回
転平盤61は、通常、キャリヤー円盤62中心位置におい
て、60〜100m/分程度の低周速となるようにされてお
り、ポリッシング作業としてはかなり低い速度である。
従って、ポリッシュ作業はきわめて低能率であり、スト
ックリムーバル（エッチングされた加工変質層を磨き去
る）と称する粗ポリッシング工程においても、0.5〜1.0
μm/分の速度であるため、通常、20〜30分を要する。Fifth, there is a problem that the polishing speed is slow.
In the conventional rotary flat plate type polishing apparatus, the rotary flat plate 61 becomes larger as the size of the wafer becomes larger. For example, the outer diameter of the rotary flat disc 61 is usually about 48 to 52 inches, and 5 to 6 carrier discs 62 are provided. Then, 5 to 7 6-inch wafers are mounted on each carrier disk 62. In such a large-sized polishing device, it is difficult to increase the rotation speed, and the rotary flat disc 61 is usually designed to have a low peripheral speed of about 60 to 100 m / min at the center position of the carrier disc 62. However, it is a fairly low speed for polishing work.
Therefore, the polishing operation is extremely inefficient, and even in a rough polishing process called stock removal (polishing an etched work-affected layer), 0.5 to 1.0 is required.
Since the speed is μm / min, it usually takes 20 to 30 minutes.
第６に、作業装置の大型化が困難である。前述のよう
に６インチウエハ用のポリッシング装置でも、作業やメ
ンテナンス性の限界に近づいているが、さらに近い将
来、８インチウエハが使用される環境となれば、ポリッ
シング装置の大型化は深刻な問題となる。そこで、１枚
のウエハ毎にポリッシングする単葉型或は少枚数型のポ
リッシング装置の開発が行われているが、いずれの装置
もウエハを回転させるために、前述した第２の問題点で
あるウエハが径方向で均一にポリッシングされないとい
う基本的な欠点がある。Sixth, it is difficult to increase the size of the working device. As described above, even the polishing apparatus for 6-inch wafers is approaching the limit of workability and maintainability. However, if the environment where 8-inch wafers are used in the near future, enlargement of the polishing apparatus becomes a serious problem. Becomes Therefore, a single-leaf type polishing apparatus or a small number type polishing apparatus that polishes each wafer is being developed. However, since both apparatuses rotate the wafer, the above-mentioned second problem, wafer Has the basic drawback that it is not uniformly polished in the radial direction.
例えば、特開昭62−162467号公報には、ウエハをチャ
ックに取り付けて回転させて、布又は帯等よりなるポリ
ッシングロールを回転接触させ、加工面にポリッシング
液を供給しつつポリッシングを行なうことが開示されて
いる。該装置は、ポリッシングの最終工程である、いわ
ゆる仕上げポリッシュにのみ適用され、また、ポリッシ
ングローラー自体を布、帯等よりなるものとしたいわゆ
るバフロール的作用を示すものである。しかも、ウエハ
がポリッシングローラーに接して回転する構成であるた
め、前述したように、ウエハの内周部と外周部とにより
ポリッシング精度に差が生じるという問題がある。For example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-162467, a wafer is attached to a chuck and rotated, a polishing roll made of cloth or a band is brought into rotational contact, and polishing is performed while supplying a polishing liquid to a processed surface. It is disclosed. The apparatus is applied only to so-called finishing polishing, which is the final step of polishing, and shows a so-called baffle-like action in which the polishing roller itself is made of a cloth, a belt or the like. Moreover, since the wafer is configured to rotate in contact with the polishing roller, there is a problem in that the polishing accuracy is different between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the wafer, as described above.
特公昭61−16586号公報、特開昭62−162466号公報に
は、帯状のベルトを用いた研磨方法が開示されている。
しかし、いずれの方法も、被研磨物を回転させつつ研磨
しているため、やはり、同様の問題が生じる。Japanese Patent Publication No. 61-16586 and Japanese Patent Laid-Open No. 62-162466 disclose a polishing method using a belt belt.
However, in each of the methods, since the object to be polished is polished while rotating, the same problem still occurs.
本発明はこれら上記従来の問題を解決するものであ
り、その目的は、ウエハを全体にわたって高精度にポリ
ッシングし得るために、ポリッシング精度が著しく向上
し、しかも、ポリッシング作業効率を著しく向上させる
ポリッシング方法およびポリッシング装置を提供するこ
とにある。The present invention solves the above-mentioned conventional problems. An object of the present invention is to polish a wafer as a whole with high accuracy, so that the polishing accuracy is remarkably improved and the polishing work efficiency is remarkably improved. And to provide a polishing apparatus.
（課題を解決するための手段） 本発明のポリッシング方法は、被研磨物の研磨すべき
面が平面状になっており、該研磨すべき平面にポリッシ
ングベルトを対向させて、該研磨物とポリッシングベル
トとの間に該ポリッシングベルト上流側から供給される
砥液を流通させつつ両者を相対的に直線移動させる際
に、該ポリッシングベルトにその背面から圧力液体によ
り圧力を付与するとともに、該ポリッシングベルトと圧
力盤との間に圧力液体による液体膜を介在させて該被研
磨物の該研磨すべき平面に均一な圧力を与え該被研磨物
をポリッシングすることを特徴とするものであり、その
ことにより上記目的が達成される。(Means for Solving the Problem) In the polishing method of the present invention, the surface to be polished of the object to be polished is a flat surface, and the polishing belt is opposed to the flat surface to be polished to polish the object to be polished. When the polishing liquid supplied from the upstream side of the polishing belt is circulated between the belt and the both, and the two are relatively linearly moved, a pressure is applied to the polishing belt from the back surface by the pressure liquid, and the polishing belt is also applied. A liquid film of a pressure liquid is interposed between the pressure plate and the pressure plate to apply a uniform pressure to the flat surface to be polished of the object to be polished, and to polish the object to be polished. The above object is achieved by the above.
また、本発明のポリッシング装置は、被研磨物の研磨
すべき平面状の面に適当な間隔をあけて対向配設された
平板状の圧力盤と、該圧力盤と被研磨物の研磨すべき面
との間に介装されて被研磨物とは相対的に直線方向へ移
動し得るように複数のプーリに巻掛けられているポリッ
シングベルトと、該ポリッシングベルトと被研磨物との
間に該ポリッシングベルト上流側から砥液を供給する手
段と、研磨すべき平面に対して該ポリッシングベルトと
圧力盤との間に圧力液体による液体膜を介在させる液体
膜介在手段とを具備するものであり、そのことにより上
記目的が達成される。Further, the polishing apparatus of the present invention includes a flat plate-shaped pressure plate which is disposed opposite to a flat surface of the object to be polished with an appropriate interval, and the pressure plate and the object to be polished. A polishing belt which is interposed between the polishing belt and the surface and is wound around a plurality of pulleys so that the polishing belt can move in a linear direction relative to the polishing object; and the polishing belt between the polishing belt and the polishing object. The polishing belt is provided with a means for supplying a polishing liquid from the upstream side, and a liquid film interposing means for interposing a liquid film of pressure liquid between the polishing belt and the pressure plate with respect to a flat surface to be polished. Thereby, the above object is achieved.
さらに、好ましくは、本発明のポリッシング装置にお
ける液体膜介在手段は、圧力盤のポリッシングベルトに
対向した平面に平面状に複数開設されて該ポリッシング
ベルトに向けて水を吐出させる複数の液体吐出孔を有す
る。Further, preferably, the liquid film intervening means in the polishing apparatus of the present invention has a plurality of liquid discharge holes which are flatly formed on a plane of the pressure plate facing the polishing belt and discharge water toward the polishing belt. Have.
さらに、好ましくは、本発明のポリッシング装置にお
いて、内部に洗浄液が収容され該洗浄液に前記ポリッシ
ングベルトが浸漬するように設けられた洗浄液槽内に、
該洗浄液に入る該ポリッシングベルトに転接して、該ポ
リッシングベルト表面を清掃するブラシ性のスクラバロ
ールと、該洗浄液から退出する該ポリッシングベルト表
面に転接し該ポリッシングベルト表面を研磨して再生す
る再生ロールとが配設されている。Furthermore, preferably, in the polishing apparatus of the present invention, a cleaning liquid is housed inside, and a cleaning liquid tank provided so that the polishing belt is immersed in the cleaning liquid,
A brush-like scrubber roll that cleans the surface of the polishing belt by rolling contact with the polishing belt that enters the cleaning liquid, and a reclaim roll that rolls on the surface of the polishing belt that retreats from the cleaning liquid and polishes the surface of the polishing belt. And are provided.
さらに、本発明のポリッシング装置は、被研磨物の研
磨すべき平面状の面に適当な間隔をあけて対向配設され
た平板状の圧力盤と、該圧力盤と被研磨物の研磨すべき
面との間に介装されて被研磨物とは相対的に直線方向へ
移動し得るように複数のプーリに巻掛けられているポリ
ッシングベルトと、該ポリッシングベルトと被研磨物と
の間に該ポリッシングベルト上流側から砥液を供給する
手段と、研磨すべき平面に対して該ポリッシングベルト
と圧力盤との間に圧力液体による液体膜を介在させる液
体膜介在手段と、該ポリッシングベルトの移動方向に直
交する方向の往復運動により該圧力盤と被研磨物との間
隔を変化させる往復運動手段とを具備するものであり、
そのことにより上記目的が達成される。Further, in the polishing apparatus of the present invention, a flat plate-shaped pressure plate is disposed opposite to a flat surface of the object to be polished at an appropriate interval, and the pressure plate and the object to be polished are to be polished. A polishing belt which is interposed between the polishing belt and the surface and is wound around a plurality of pulleys so that the polishing belt can move in a linear direction relative to the polishing object; and the polishing belt between the polishing belt and the polishing object. A means for supplying a polishing liquid from the upstream side of the polishing belt, a liquid film intervening means for interposing a liquid film of pressure liquid between the polishing belt and the pressure plate with respect to a plane to be polished, and a moving direction of the polishing belt. A reciprocating means for changing the distance between the pressure plate and the object to be polished by reciprocating motion in a direction orthogonal to
Thereby, the above object is achieved.
（実施例） 以下に本発明を実施例について説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples.
本発明のポリッシング装置は、第１図に示すように、
被研磨物であるウエハ14を下面に保持する平板状のキャ
リヤー13を有する。該キャリヤー13は水平状に配設され
ており、該キャリヤー13の下方には平板状の圧力盤12
が、適当な間隔をあけて水平状に配設されている。該圧
力盤12の各側方には、それぞれプーリ17および18が、該
圧力盤12を挟むように、水平状に配設されている。一方
のプーリ18の下方には、プーリ19が水平状に配設されて
いる。該プーリ19は、洗浄液が収容された洗浄液槽20内
に位置しており、該洗浄液槽20内の洗浄液に該プーリ19
の下部が浸漬されている。上下方向に配設されたプーリ
18と19との間であって、圧力盤12の下方側には、アイド
ルプーリ16が配設されており、これらの四つのプーリ1
7,18,19,16には、無端状のポリッシングベルト11が巻掛
けられている。該ポリッシングベルト11は、後述の砥液
を保持し得る材質により構成されている。該ポリッシン
グベルト11は、洗浄液槽20内のプーリ19から、アイドル
プーリ16により屈曲されて、プーリ17により周回移動方
向を反転された後に、ウエハ14が保持されたキャリヤー
13と圧力盤12との間を通過して、洗浄液槽20内の洗浄液
に浸漬される。The polishing apparatus of the present invention, as shown in FIG.
It has a flat plate-shaped carrier 13 for holding a wafer 14 to be polished on its lower surface. The carrier 13 is arranged horizontally, and a flat plate-shaped pressure plate 12 is provided below the carrier 13.
Are arranged horizontally with appropriate intervals. Pulleys 17 and 18 are horizontally arranged on the respective sides of the pressure plate 12 so as to sandwich the pressure plate 12. Below one of the pulleys 18, a pulley 19 is horizontally arranged. The pulley 19 is located in a cleaning liquid tank 20 containing a cleaning liquid, and the pulley 19 is placed in the cleaning liquid in the cleaning liquid tank 20.
The bottom of the is submerged. Pulleys arranged vertically
Between 18 and 19 and below the pressure platen 12, an idle pulley 16 is arranged.
An endless polishing belt 11 is wound around 7,18,19,16. The polishing belt 11 is made of a material capable of holding a polishing liquid described later. The polishing belt 11 is a carrier on which a wafer 14 is held after being bent by an idle pulley 16 from a pulley 19 in a cleaning liquid tank 20 and being turned around by a pulley 17.
It passes between the pressure plate 12 and the pressure plate 12, and is immersed in the cleaning liquid in the cleaning liquid tank 20.
洗浄液槽20内には、キャリヤー13と圧力盤12との間を
通過し、洗浄液に入るポリッシングベルト11に転接して
該ポリッシングベルト11表面を洗浄するブラシ性のスク
ラバロール21が配設されている。また、該洗浄液槽20内
には、該洗浄液槽20の洗浄液から退出するポリッシング
ベルト11に転接して該ポリッシングベルト11を研削する
ことにより再生する例えばゴム性の再生ロール22が配設
されている。In the cleaning liquid tank 20, there is disposed a brush-like scrubber roll 21 that passes between the carrier 13 and the pressure plate 12 and rolls on the polishing belt 11 that enters the cleaning liquid to clean the surface of the polishing belt 11. . Further, in the cleaning liquid tank 20, there is disposed, for example, a rubber-made regenerating roll 22 that is regenerated by rolling the polishing belt 11 by rolling it against the polishing belt 11 that exits from the cleaning liquid in the cleaning liquid tank 20. .
キャリヤー13と圧力盤12との間を通過するポリッシン
グベルト11は、その表面（上面）がキャリヤー13の下面
に保持されたウエハ14とは略接触状態になり、その背面
（下面）は、圧力盤12とは略接触状態になっている。The polishing belt 11 passing between the carrier 13 and the pressure plate 12 is in substantially contact with the wafer 14 whose front surface (upper surface) is held on the lower surface of the carrier 13, and its rear surface (lower surface) is the pressure plate. It is almost in contact with 12.
キャリヤー13と圧力盤12との間に侵入するポリッシン
グベルト11には、ノズル部15が対向して配設されてい
る。該ノズル部15には、砥液が通流されて、該砥液が、
キャリヤー13と圧力盤12との間に侵入するポリッシング
ベルト11に向けて吐出される。該砥液は、ポリッシング
ベルト11とともにキャリヤー13と圧力盤12との間から流
出する。A nozzle portion 15 is arranged to face the polishing belt 11 that penetrates between the carrier 13 and the pressure plate 12. A polishing liquid is passed through the nozzle portion 15, and the polishing liquid is
It is discharged toward the polishing belt 11 which penetrates between the carrier 13 and the pressure plate 12. The polishing liquid flows out between the carrier 13 and the pressure plate 12 together with the polishing belt 11.
圧力盤12のポリッシングベルト11の移動域側である表
面には、第２図に示すように、多数の吐出孔12aが適当
な間隔をあけて開設されている。各吐出孔12aには、水
などの圧力液体が吐出され、該圧力液体により、該圧力
盤12の上方を移動されるポリッシングベルト11と該圧力
盤11との間に液体膜が形成される。そして、該液体膜に
よりポリッシングベルト11が上方へ押し上げられる。液
体膜を形成する圧力液体は、該圧力盤12の端部に形成さ
れた溝部（図示せず）、あるいは、該圧力盤12の端部と
ポリッシングベルト11との間隙等から流出される。As shown in FIG. 2, a large number of discharge holes 12a are formed at appropriate intervals on the surface of the pressure platen 12, which is on the moving area side of the polishing belt 11. A pressure liquid such as water is discharged into each discharge hole 12a, and the pressure liquid forms a liquid film between the polishing belt 11 moved above the pressure plate 12 and the pressure plate 11. Then, the polishing belt 11 is pushed upward by the liquid film. The pressure liquid forming the liquid film flows out from a groove (not shown) formed at the end of the pressure plate 12 or a gap between the end of the pressure plate 12 and the polishing belt 11.
このような構成のポリッシング装置によるシリコンウ
エハ14の研磨は次のように行われる。被研磨物であるウ
エハ14は、キャリヤー13の下面に、研磨すべき面を下方
に向けて保持されて、各プーリ16,17,18,および19に巻
掛けられたポリッシングベルト11が周回移動される。こ
のとき、ノズル部15からは、ポリッシングベルト11とキ
ャリヤー13に保持されたウエハ14との間に砥液が吐出さ
れるとともに、圧力盤12の各吐出孔12aから、例えば、
水等の圧力液体が吐出される。Polishing of the silicon wafer 14 by the polishing apparatus having such a configuration is performed as follows. The wafer 14, which is the object to be polished, is held on the lower surface of the carrier 13 with the surface to be polished facing downward, and the polishing belt 11 wound around the pulleys 16, 17, 18 and 19 is circularly moved. It At this time, while the abrasive liquid is discharged from the nozzle portion 15 between the polishing belt 11 and the wafer 14 held by the carrier 13, from each discharge hole 12a of the pressure plate 12, for example,
A pressure liquid such as water is discharged.
このような状態で、ポリッシングベルト11がキャリヤ
ー13と圧力盤12との間に周回移動してくると、該ポリッ
シングベルト11と圧力盤12との間には、圧力盤12の各吐
出孔12aから吐出される圧力液体の液体膜が形成され、
該液体膜により、ポリッシングベルト11がウエハ14方向
へ押し上げられる。これにより、該ポリッシングベルト
11は、ノズル部15から吐出される砥液を介してキャリヤ
ー13に保持されたウエハ14に強く当接される。このよう
に、ポリッシングベルト11は、砥液をウエハ14の研磨す
べき面全面に強く押し付けられた状態を保持しつつ、移
動し、この移動の間に該ウエハ14が砥液により研磨され
る。このとき、キャリヤー13は、ポリッシングベルト11
の周回移動方向と直交する方向に往復運動させることに
より、より一層効果的にウエハ14をポリッシングするこ
とができる。In such a state, when the polishing belt 11 moves around between the carrier 13 and the pressure platen 12, the polishing belt 11 and the pressure platen 12 are exposed to each other through the discharge holes 12a of the pressure platen 12. A liquid film of the pressure liquid to be discharged is formed,
The polishing belt 11 is pushed up toward the wafer 14 by the liquid film. Thereby, the polishing belt
The wafer 11 is strongly contacted with the wafer 14 held by the carrier 13 through the abrasive liquid discharged from the nozzle unit 15. In this way, the polishing belt 11 moves while maintaining the state in which the polishing liquid is strongly pressed against the entire surface of the wafer 14 to be polished, and during this movement, the wafer 14 is polished by the polishing liquid. At this time, the carrier 13 is the polishing belt 11
The wafer 14 can be polished more effectively by reciprocating in the direction orthogonal to the orbiting movement direction of the above.
本発明のポリッシング装置に使用される砥液は、アル
カリ性のコロイダルシリカ水溶液、微細砥粒を懸濁させ
たアルカリ性あるいは酸性の水溶液、これらにアミンを
加えたもの、等が使用される。該砥液は、含有する遊離
微細砥粒が機械的に作用することにより、かつその酸性
あるいはアルカリ性の液やアミンが化学的に作用するこ
とにより、ストックリムーバル工程から仕上げポリッシ
ング工程に至るポリッシング作業を行う。該砥液および
該砥液を用いたポリッシング方法は、例えば、特開昭61
−38954号公報に開示されている。As the polishing liquid used in the polishing apparatus of the present invention, an alkaline colloidal silica aqueous solution, an alkaline or acidic aqueous solution in which fine abrasive grains are suspended, an amine added to these, or the like is used. The abrasive liquid contains free fine abrasive grains mechanically acting, and its acidic or alkaline liquid or amine chemically acts to perform polishing work from the stock removal process to the finishing polishing process. To do. The polishing liquid and the polishing method using the polishing liquid are described in, for example, JP-A-61-61
-38954.
ポリッシングベルト11は、フェルトタイプポリッシン
グパッド材、ナップタイプポリッシングパッド材等のよ
うに、砥液を保持し得る材質のものが使用される。ま
た、これらのパッド材の内部に、あるいは背面に、コー
ド状もしくは織布等のシート状の屈曲性抗張体により補
強してもよい。さらに、ポリッシングベルトとしては、
ポリッシング面に織布を用い、該織布の背面に適当な暑
さのエラストマー層を積層したポリッシングパッド材、
プラスチックやエラストマーの単体層あるいはそれらの
複合層であって、そのポリッシング面に砥液を保持する
ための溝部や凹部が形成されたポリッシングパッド材を
用いてもよい。The polishing belt 11 is made of a material such as a felt type polishing pad material, a nap type polishing pad material, or the like that can hold an abrasive liquid. In addition, the inside of the pad material or the back surface may be reinforced by a sheet-like flexible tension member such as a cord or a woven fabric. Furthermore, as a polishing belt,
A polishing pad material in which a woven cloth is used for the polishing surface, and an elastomer layer having an appropriate heat is laminated on the back surface of the woven cloth,
It is also possible to use a polishing pad material which is a single layer of plastic or elastomer, or a composite layer thereof, in which grooves or recesses for holding the abrasive liquid are formed on the polishing surface.
ポリッシングベルト11と圧力盤12との間に形成される
液体膜によるポリッシングベルト11の押圧力は、ポリッ
シングに際してウエハ14に加わる必要圧力により設定さ
れ、例えば、シリコンウエハのポリッシングにおけるス
トックリムーバルポリッシング工程では、300〜500g/cm
2、仕上げポリッシング工程では、50〜100g/cm2とされ
る。300〜500g/cm2の圧力は、水等の液体を用いること
により容易に得られる。また、50〜100g/cm2の圧力は空
気等の気体を用いることにより容易に得られる。The pressing force of the polishing belt 11 by the liquid film formed between the polishing belt 11 and the pressure plate 12 is set by the necessary pressure applied to the wafer 14 during polishing, for example, in the stock removal polishing step in polishing a silicon wafer, 300-500g / cm
2. In the finishing polishing process, it is 50 to 100 g / cm 2 . A pressure of 300 to 500 g / cm 2 can be easily obtained by using a liquid such as water. A pressure of 50 to 100 g / cm 2 can be easily obtained by using a gas such as air.
ポリッシングベルト11は無端状である必要はなく、例
えば、第３図に示すように、ポリッシングベルト11が有
端状であって、その各端部が巻取りリール31及び36に巻
回されている構成であってもよい。一方の巻取りリール
31から繰り出されるポリッシングベルト11は、上下一対
のアイドルプーリ32および33を介してプーリ18に巻掛け
られ、該プーリ18からキャリヤー13と圧力盤12との間を
通過して、プーリ17に巻掛けられ、上下一対のアイドル
プーリ34および35を介して巻取りリール36に巻取られて
いる。このような構成の場合には、ポリッシングベルト
交互に高速にて容易に往復運動させることができる。The polishing belt 11 does not need to be endless, for example, as shown in FIG. 3, the polishing belt 11 is endless and each end thereof is wound around the take-up reels 31 and 36. It may be configured. One take-up reel
The polishing belt 11 fed from 31 is wound around a pulley 18 through a pair of upper and lower idle pulleys 32 and 33, passes from the pulley 18 between a carrier 13 and a pressure plate 12, and is wound around a pulley 17. And is wound around a winding reel 36 via a pair of upper and lower idle pulleys 34 and 35. In the case of such a configuration, the polishing belt can be easily reciprocated alternately at high speed.
この場合にも、例えば、それぞれ対を成す各アイドル
プーリ32および33、34および35における下側のプーリ3
3、34をそれぞれ洗浄液槽20および20内に位置させ、各
プーリ33および34の下部の周回域を通過するポリッシン
グベルト11を洗浄液に浸漬するようにしてもよい。各洗
浄液槽20には、スクラバロール21および再生ロール22が
配設されている。Also in this case, for example, the lower pulley 3 in each pair of idle pulleys 32 and 33, 34 and 35 is also used.
Alternatively, the cleaning belts 3 and 34 may be located in the cleaning liquid tanks 20 and 20, respectively, and the polishing belt 11 passing through the lower circulation regions of the pulleys 33 and 34 may be immersed in the cleaning liquid. Each cleaning liquid tank 20 is provided with a scrubber roll 21 and a regeneration roll 22.
次に、本発明装置によりシリコンウエハのポリッシン
グ実験を行ったので、以下に詳述する。Next, a silicon wafer polishing experiment was conducted using the apparatus of the present invention, which will be described in detail below.
（実験例１） 第１図に示す装置により、シリコンウエハ14をポリッ
シングした。該装置は、各プーリ16〜19がステンレス製
であり、直径が100mm、軸方向長さが180mmである。これ
らのプーリに巻掛けられるポリッシングベルト11は、周
長1800mmの無端シームレス状に接合した幅175mm、厚さ3
00μｍの二軸延伸ポリエステルシートに、厚さ0.8mmの
フェルトタイプのポリッシングパッド材（ロデール・ニ
ッタ株式会社製、商品名「SUBA−600」）を耐屈曲性の
接着剤にて無端状に接着したものを用いた。圧力盤12
は、セラミック製であり、その表面（上面）は高精度に
平面仕上げされている。該圧力盤12の表面は、180mm×1
80mmの大きさであって、ポリッシングベルト11の背面か
ら、正確に10μｍだけ下方に位置されている。該圧力盤
12の表面における中央部150mm×150mmの領域内に、直径
1mmの吐出孔12aが、10mmピッチに256個開設されてい
る。各吐出孔12aは圧力盤12内にてそれぞれが連通され
ている。各吐出孔12aからは、0.5kg/cm2の圧力で純水を
吐出させた。該圧力盤12と対向するキャリヤー13は、セ
ラミック製であり、該キャリヤー13に６インチのシリコ
ンウエハ14を保持させた。圧力盤12のポリッシングベル
ト11走行方向下流側のプーリ17には、厚さ8mmの多孔質
焼結体金属のスリーブを外嵌して、ポリッシングベルト
11とともに搬送される水が該プーリ17とポリッシングベ
ルト11との間に膜を作らないようにした。(Experimental Example 1) The silicon wafer 14 was polished by the apparatus shown in FIG. In this device, each pulley 16 to 19 is made of stainless steel, and has a diameter of 100 mm and an axial length of 180 mm. The polishing belt 11 wound around these pulleys has a width of 175 mm and a thickness of 3 mm which are joined in an endless seamless shape with a circumference of 1800 mm.
A 0.8 mm thick felt-type polishing pad material (Rodale Nitta Co., Ltd., trade name "SUBA-600") was bonded endlessly to a 00 μm biaxially stretched polyester sheet with a flex-resistant adhesive. I used one. Pressure plate 12
Is made of ceramic, and its surface (upper surface) is highly accurately flat-finished. The surface of the pressure plate 12 is 180 mm x 1
It has a size of 80 mm and is located exactly 10 μm below the back surface of the polishing belt 11. The pressure plate
Within the central area of 150 mm × 150 mm on the 12 surfaces, the diameter
256 1 mm discharge holes 12a are provided at a 10 mm pitch. The discharge holes 12a communicate with each other in the pressure plate 12. Pure water was discharged from each discharge hole 12a at a pressure of 0.5 kg / cm 2 . The carrier 13 facing the pressure plate 12 is made of ceramic, and the carrier 13 holds a 6-inch silicon wafer 14. Polishing belt 11 of pressure plate 12 A pulley 17 on the downstream side in the running direction is fitted with a sleeve of porous sintered metal having a thickness of 8 mm, and the polishing belt
The water carried with 11 prevented the formation of a film between the pulley 17 and the polishing belt 11.
このような装置において、ポリッシングベルト11を走
行させるとともに、ノズル部15からポリッシングスラリ
ー（Nalco社製、コロイダルシリカ＃2350の20倍希釈
液）を30cc/分の流量で供給した。このとき、キャリヤ
ー13をポリッシングベルト11の走行方向と直交する方向
にストロークが2mmとなるように往復移動させて、シリ
コンウエハ14をポリッシングした。そして、このような
ポリッシング時において、0.75μm/分の割合で切込み送
り（圧力）を与えた。In such an apparatus, the polishing belt 11 was run, and the polishing slurry (a 20-fold diluted solution of colloidal silica # 2350 manufactured by Nalco) was supplied from the nozzle portion 15 at a flow rate of 30 cc / min. At this time, the carrier 13 was reciprocated in a direction orthogonal to the traveling direction of the polishing belt 11 so that the stroke was 2 mm, and the silicon wafer 14 was polished. Then, during such polishing, cutting feed (pressure) was applied at a rate of 0.75 μm / min.
ウエハの削り代は15μｍであり、面粗度Rmaxは20〜30
Å、平面度はTTV（Total Thickness Variation）で0.
8μｍであった。Wafer cutting allowance is 15 μm, surface roughness Rmax is 20-30
Å, flatness is 0 in TTV (Total Thickness Variation).
It was 8 μm.
ポリッシングベルト11は、洗浄液槽20内の洗浄液とス
クラバロール21により洗浄されるとともに、再生ロール
22により研削されて再生されており、該ポリッシングベ
ルト11は、200枚のウエハをポリッシングすることがで
きた。The polishing belt 11 is cleaned by the cleaning liquid in the cleaning liquid tank 20 and the scrubber roll 21, and is regenerated
It was ground and regenerated by 22 and the polishing belt 11 was able to polish 200 wafers.
（実験例２） 第３図に示す本発明装置によりシリコンウエハ14をポ
リッシングした。該装置の各プーリは直径が100mm、軸
伸方向長さが180mmのステンレス製である。巻取りリー
ル31および36の芯径は150mm、フランジ径は480mmであ
る。ポリッシングベルト11は、厚さ180μｍの二軸延伸
ポリエステルシートに200μｍの厚さの軟質ポリウレタ
ンナップ層を直接積層して、幅175mm、長さ420mに形成
したものを用いた。各巻取リリール31および36をそれぞ
れ交互に反対方向へ70m/分の速度で回転させて、ポリッ
シングベルト11を往復走行させた。(Experimental Example 2) The silicon wafer 14 was polished by the apparatus of the present invention shown in FIG. Each pulley of the device is made of stainless steel having a diameter of 100 mm and a length in the axial direction of 180 mm. The take-up reels 31 and 36 have a core diameter of 150 mm and a flange diameter of 480 mm. As the polishing belt 11, a belt having a width of 175 mm and a length of 420 m formed by directly laminating a soft polyurethane nap layer having a thickness of 200 μm on a biaxially stretched polyester sheet having a thickness of 180 μm was used. The take-up reels 31 and 36 were alternately rotated in the opposite direction at a speed of 70 m / min to cause the polishing belt 11 to reciprocate.
キャリヤー13には、実験例１で得られた粗ポリッシン
グ後のシリコンウエハ14を保持した。そして、実験例１
にて用いたポリッシングスラリーと同様のポリッシング
スラリーを、80cc/分の流量で供給した。他方、圧力盤1
2の各吐出孔12aからは、0.15kg/cm2の圧力の空気を吐出
させて、仕上げポリッシングを６分間にわたって行っ
た。得られたウエハは、取り代平均が0.5μｍであり、
面粗度Rmaxは、５Å以下となり粗ポリッシング工程後に
残っていたマイクロスクラッチ、ヘイズ等は完全に除去
され、鏡面状の平面が得られた。The carrier 13 held the silicon wafer 14 after the rough polishing obtained in Experimental Example 1. And Experimental example 1
A polishing slurry similar to the polishing slurry used in 1. was supplied at a flow rate of 80 cc / min. On the other hand, pressure plate 1
Air having a pressure of 0.15 kg / cm 2 was discharged from each of the discharge holes 12a of No. 2 and finish polishing was performed for 6 minutes. The obtained wafer has an average stock removal of 0.5 μm,
The surface roughness Rmax was 5 liters or less, and micro scratches, haze and the like remaining after the rough polishing step were completely removed, and a mirror-like flat surface was obtained.
（発明の効果） 本発明のポリッシング方法は、このように、被研磨物
とは相対的に直線方向に移動するポリッシングベルトの
背面から研磨物の研磨面全面積にわたって間に介在する
圧力液体膜により均一な圧力を付与して、該ポリッシン
グベルトを被研磨物に砥液を介在させて押圧するように
しているため、被研磨物の研磨すべき面全体を高精度で
ポリッシングし得て厳格な平面研磨を可能とし、研磨材
質部分の材質ムラの影響をもキャンセルできる。圧力液
体は緩衝材として機能するため、被研磨面全体に均一に
圧力を付与することができ、ポリッシング精度は一層向
上する。ポリッシングベルトは、圧力液体膜により被研
磨物に圧力を均一に加えているため、該ポリッシングベ
ルトに緩衝作用を付与する必要がなく、従って、ポリッ
シング後の被研磨物のエッジにダレが生じるおそれがな
く、ポリッシング精度は著しく向上する。被研磨物がIC
用シリコンウエハの場合には、要求されるTTV1μｍ以下
を容易に達成し得る。(Effects of the Invention) As described above, the polishing method of the present invention uses the pressure liquid film interposed between the back surface of the polishing belt that moves in a linear direction relative to the object to be polished and the entire polishing surface area of the object to be polished. Since a uniform pressure is applied and the polishing belt is pressed against the object to be polished with an abrasive liquid interposed therebetween, the entire surface to be polished of the object to be polished can be polished with high accuracy and a strict flat surface. Polishing is possible, and the effect of unevenness of the material of the polishing material can be canceled. Since the pressure liquid functions as a buffer material, it is possible to uniformly apply pressure to the entire surface to be polished, and polishing accuracy is further improved. Since the polishing belt applies a uniform pressure to the object to be polished by the pressure liquid film, it is not necessary to give a buffering action to the polishing belt, and therefore the edge of the object to be polished after polishing may be sagged. In addition, the polishing accuracy is significantly improved. IC to be polished
In the case of a silicon wafer for use, the required TTV of 1 μm or less can be easily achieved.
本発明のポリッシング装置は、ポリッシングベルトと
被研磨物とが相対的に直線方向へ移動されるために、被
研磨物が均一にかつ高精度にポリッシングされる。ポリ
ッシングベルトと被研磨物が直線方向に相対移動される
ため、被研磨物の大きさが変化した場合にも対応が容易
である。ポリッシングベルトと被研磨物との間隔が、ポ
リッシングベルトと圧力盤との間に介装される圧力液体
膜などの圧力流体膜により変更し得るために、その制御
が容易であり、粗ポリッシング工程、仕上げポリッシン
グ工程等への対応が容易である。In the polishing apparatus of the present invention, since the polishing belt and the object to be polished are moved relatively in the straight line direction, the object to be polished is uniformly and highly accurately polished. Since the polishing belt and the object to be polished are moved relative to each other in the linear direction, it is easy to deal with the case where the size of the object to be polished changes. Since the distance between the polishing belt and the object to be polished can be changed by a pressure fluid film such as a pressure fluid film interposed between the polishing belt and the pressure plate, its control is easy, and a rough polishing step, It is easy to handle the finishing polishing process.
しかも、従来頻繁に必要だった研磨布の洗浄、再生等
のメンテナンスをポリッシングベルトが作動している間
に行い得るため、連続的にポリッシング作業を行うこと
ができ、ポリッシングベルトの寿命までポリッシング作
業を中断する必要がない。In addition, since the polishing cloth can be cleaned and renewed, which was frequently required in the past, while the polishing belt is operating, the polishing work can be performed continuously, and the polishing work can be performed until the life of the polishing belt. No need to interrupt.
さらに、ポリッシングベルト上流側から供給された砥
液を流通させつつ研磨物とポリッシングベルトを相対的
に直線移動させるため、ウエハの大寸法化に伴う砥液の
流接不良や流接ムラを解消することができる。Further, since the polishing object and the polishing belt are moved in a relatively straight line while the polishing liquid supplied from the upstream side of the polishing belt is circulated, defective contact of the polishing liquid and uneven contact of the polishing liquid due to the size increase of the wafer can be eliminated. be able to.
さらに、圧力流体として水などの液体を用いれば、気
体よりも液体の方が圧力を確実に均一に伝達でき、より
均一な平面に研磨することができる。Furthermore, when a liquid such as water is used as the pressure fluid, the pressure of the liquid can be transmitted more reliably and uniformly than that of the gas, and a more uniform flat surface can be polished.
さらに、洗浄液槽を設けてポリッシングベルトを常に
洗浄しているので、ポリッシング効果およびポリッシン
グ精度を向上させることができる。Further, since the cleaning liquid tank is provided to constantly clean the polishing belt, the polishing effect and the polishing accuracy can be improved.
しかも、ポリッシング後のベルト表面に付着した研削
粉をブラシで清掃して洗浄液で洗浄し、さらに、清掃さ
れたポリッシングベルト表面を研削して再生することが
でき、ポリッシングベルトの表面の清掃および研削再生
を同一の洗浄層内ですることができてスペースを取らず
にポリッシング効果および精度をより向上させることが
できる。Moreover, the grinding powder adhering to the belt surface after polishing can be cleaned with a brush and washed with a cleaning liquid, and the cleaned polishing belt surface can be regenerated by grinding. Can be performed in the same cleaning layer, and the polishing effect and accuracy can be further improved without taking space.
さらに、ポリッシングベルトの移動方向に直交する方
向の往復運動により圧力盤と被研磨物との間隔を往復運
動手段で変化させることにより、より一層効果的にウエ
ハをポリッシングすることができる。Further, the wafer can be polished more effectively by changing the distance between the pressure plate and the object to be polished by the reciprocating motion of the polishing belt in the direction orthogonal to the moving direction.
第１図は本発明のポリッシング装置の一例を示す概略構
成図、第２図はその要部の断面図、第３図は本発明ポリ
ッシング装置の他の実施例の概略構成図、第４図（ａ）
は、従来のポリッシング装置の側面図、第４図（ｂ）は
そのＢ−Ｂ線における断面図である。 11……ポリッシングベルト、12……圧力盤、12a……吐
出孔、13……キャリヤー、14……ウエハ、15……ノズル
部、16,17,18,19……プーリ、20……洗浄液槽、21……
スクラバロール、22……再生ロール、31,36……巻取り
リール。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a polishing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a main part thereof, FIG. 3 is a schematic configuration diagram of another embodiment of the polishing apparatus of the present invention, and FIG. a)
FIG. 4 is a side view of a conventional polishing apparatus, and FIG. 4 (b) is a sectional view taken along the line BB. 11 ... Polishing belt, 12 ... Pressure plate, 12a ... Discharge hole, 13 ... Carrier, 14 ... Wafer, 15 ... Nozzle part, 16,17,18,19 ... Pulley, 20 ... Cleaning liquid tank ,twenty one……
Scrubber roll, 22 …… Recycle roll, 31,36 …… Take-up reel.
Claims (5)
おり、該研磨すべき平面にポリッシングベルトを対向さ
せて、該被研磨物とポリッシングベルトとの間に該ポリ
ッシングベルト上流側から供給される砥液を流通させつ
つ両者を相対的に直線移動させる際に、該ポリッシング
ベルトにその背面から圧力液体により圧力を付与すると
ともに、該ポリッシングベルトと圧力盤との間に圧力液
体による液体膜を介在させて該被研磨物の該研磨すべき
平面に均一な圧力を与え該被研磨物をポリッシングする
ことを特徴とするポリッシング方法。1. A polishing object has a flat surface to be polished, a polishing belt is opposed to the flat surface to be polished, and the polishing belt upstream side is provided between the polishing object and the polishing belt. When relatively moving linearly while circulating the polishing liquid supplied from, the pressure is applied to the polishing belt from its back surface by the pressure liquid, and the pressure liquid is applied between the polishing belt and the pressure plate. A polishing method characterized in that a uniform pressure is applied to the flat surface of the object to be polished through a liquid film to polish the object to be polished.
間隔をあけて対向配設された平板状の圧力盤と、 該圧力盤と被研磨物の研磨すべき面との間に介装されて
被研磨物とは相対的に直線方向へ移動し得るように複数
のプーリに巻掛けられているポリッシングベルトと、 該ポリッシングベルトと被研磨物との間に該ポリッシン
グベルト上流側から砥液を供給する手段と、 研磨すべき平面に対して該ポリッシングベルトと圧力盤
との間に圧力液体による液体膜を介在させる液体膜介在
手段とを具備するポリッシング装置。2. A flat plate-shaped pressure plate, which is opposed to a flat surface of the object to be polished with an appropriate interval, and between the pressure plate and the surface of the object to be polished. And a polishing belt wound around a plurality of pulleys so as to be movable in a linear direction relative to the object to be polished, and the polishing belt upstream side between the polishing belt and the object to be polished. A polishing apparatus comprising: a means for supplying a polishing liquid from the polishing means; and a liquid film interposing means for interposing a liquid film of pressure liquid between the polishing belt and the pressure plate with respect to a flat surface to be polished.
ングベルトに対向した平面に平面状に複数開設されて該
ポリッシングベルトに向けて水を吐出させる複数の液体
吐出孔を有する請求項２に記載のポリッシング装置。3. The liquid film interposing means has a plurality of liquid discharge holes, which are formed in a plane in a plane facing the polishing belt of the pressure plate and discharge water toward the polishing belt. The polishing apparatus described.
リッシングベルトが浸漬するように設けられた洗浄液槽
内に、 該洗浄液に入る該ポリッシングベルトに転接して、該ポ
リッシングベルト表面を清掃するブラシ性のスクラバロ
ールと、 該洗浄液から退出する該ポリッシングベルト表面に転接
し該ポリッシングベルト表面を研削して再生する再生ロ
ールとが配設されている請求項２に記載のポリッシング
装置。4. A brush for cleaning the surface of the polishing belt by rolling contact with the polishing belt that enters the cleaning liquid in a cleaning liquid tank in which the cleaning liquid is housed and provided so that the polishing belt is immersed in the cleaning liquid. 3. The polishing apparatus according to claim 2, wherein a scrubber roll having a good property and a regenerating roll for rolling contact with the surface of the polishing belt that exits from the cleaning liquid and grinding the surface of the polishing belt to regenerate the surface are provided.
間隔をあけて対向配設された平板状の圧力盤と、 該圧力盤と被研磨物の研磨すべき面との間に介装されて
被研磨物とは相対的に直線方向へ移動し得るように複数
のプーリに巻掛けられているポリッシングベルトと、 該ポリッシングベルトと被研磨物との間に該ポリッシン
グベルト上流側から砥液を供給する手段と、 研磨すべき平面に対して該ポリッシングベルトと圧力盤
との間に圧力液体による液体膜を介在させる液体膜介在
手段と、 該ポリッシングベルトの移動方向に直交する方向の往復
運動により該圧力盤と被研磨物との間隔を変化させる往
復運動手段とを具備するポリッシング装置。5. A flat plate-shaped pressure plate, which is opposed to the flat surface of the object to be polished with an appropriate interval, and between the pressure plate and the surface of the object to be polished. And a polishing belt wound around a plurality of pulleys so as to be movable in a linear direction relative to the object to be polished, and the polishing belt upstream side between the polishing belt and the object to be polished. Means for supplying a polishing liquid from the above, a liquid film interposing means for interposing a liquid film of pressure liquid between the polishing belt and the pressure plate with respect to a plane to be polished, and a direction orthogonal to the moving direction of the polishing belt. And a reciprocating means for changing the distance between the pressure plate and the object to be polished by the reciprocating movement of the polishing machine.
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