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JPH0813863B2 - Ether-imide composition and use - Google Patents
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JPH0813863B2 - Ether-imide composition and use - Google Patents

Ether-imide composition and use

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Publication number
JPH0813863B2
JPH0813863B2 JP27926488A JP27926488A JPH0813863B2 JP H0813863 B2 JPH0813863 B2 JP H0813863B2 JP 27926488 A JP27926488 A JP 27926488A JP 27926488 A JP27926488 A JP 27926488A JP H0813863 B2 JPH0813863 B2 JP H0813863B2
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JP
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represented
general formula
ether
fluorine
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昭夫 西川
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Hitachi Ltd
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、耐熱性可とう性にすぐれ、吸水率,透湿率
の小さいエーテル不飽和イミド系化合物を含む組成物、
この組成物から成る半導体装置用封止剤、及び、その組
成物からなる積層板用材料に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention relates to a composition containing an ether unsaturated imide compound having excellent heat resistance and flexibility, and having low water absorption and moisture permeability,
The present invention relates to a semiconductor device encapsulant comprising the composition, and a laminated plate material comprising the composition.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、樹脂封止型半導体装置の封止用樹脂組成物は、
ノボラツク型フエノール樹脂を硬化剤としたエポキシ系
材料が主流となつている。しかし、半導体装置の高集積
度化、及び、樹脂封止型半導体装置の用途拡大に伴い、
封止用樹脂組成物には、更に、耐熱性,可とう性,耐湿
性,接着性にすぐれ、しかも、低誘電率化,低応力化の
可能な樹脂組成物の開発が強く望まれている。
Conventionally, a sealing resin composition for a resin-encapsulated semiconductor device has been
Epoxy materials using a novolak type phenol resin as a curing agent have become mainstream. However, with the increase in the degree of integration of semiconductor devices and the expanded use of resin-encapsulated semiconductor devices,
Further, it is strongly desired to develop a resin composition for encapsulation, which has excellent heat resistance, flexibility, moisture resistance, and adhesiveness, and can have a low dielectric constant and a low stress. .

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

しかし、フエノールノボラツク樹脂硬化エポキシ系組
成物は、耐熱性、特に、ガラス転移点の向上に限界があ
ることや、吸水率,透湿率が比較的大きく、硬化物バル
クからの水のパツケージ内への侵入を防ぐには本質的な
問題があつた。この対処策としては、シロキサン系やフ
ルオロ系の表面処理剤などを添加して改質する試みがな
されてきたが、この場合には、成形時に金型汚れや成形
品の外観に改善すべき問題がある。
However, the phenol novolak resin-cured epoxy composition has a limit in improving the heat resistance, particularly the glass transition point, and has a relatively large water absorption rate and moisture permeability, and therefore, it cannot be contained in a package of water from the cured product bulk. There was an essential problem in preventing intrusion. As a countermeasure against this, attempts have been made to modify by adding a siloxane-based or fluoro-based surface treatment agent, but in this case, problems such as mold stains and appearance of molded products should be improved during molding. There is.

本発明の目的は、耐熱性,可とう性にすぐれ、吸水
率,透湿率の小さい、低誘電率の可能な組成物、この組
成物から成る半導体装置用封止剤、及びこの組成物から
成る積層板用材料を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a composition having excellent heat resistance and flexibility, a low water absorption rate and a low moisture permeability, and a low dielectric constant, a sealant for a semiconductor device including the composition, and the composition. It is to provide a material for a laminated plate.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記目的は、以下の事項を採用することで、達成され
る。その要旨は、 (1)一般式〔I〕 〔式中、R1〜R4はH,低級アルキル基,フルオロアルキル
基,ハロゲン原子のいずれかである。また、R5及びR6
CH3,CF3,H, のいずれかである。また、Dはエチレン性不飽和二重結
合の二価の有機基である。〕で表わされるエーテル不飽
和ビスイミド系化合物と、 一般式〔II〕 X−O−Z−N=Y 〔II〕 〔式中、Zは (R7は、−CH2−, −S−,−SO2−の中のいずれかである。)のいずれか
である。また、Xは (R′,R″,RはF,CF3,C2F5,C3F7の中のいずれかであ
り、互いに同じであっても異なっていてもよい。)、及
(mは1〜40である。)のいずれかである。また、 Yは (Dはエチレン性不飽和二重結合を持つ二価の有機基で
ある。)、及び のいずれかである。〕で表わされる含弗素アミノ誘導体
とを、含むことを特徴とするエーテルイミド系組成物。
The above object is achieved by adopting the following items. The gist is as follows: (1) General formula [I] [In the formula, R 1 to R 4 are any of H, a lower alkyl group, a fluoroalkyl group, and a halogen atom. R 5 and R 6 are
CH 3 , CF 3 , H, Is one of. D is a divalent organic group having an ethylenically unsaturated double bond. ] And an ether unsaturated bisimide compound represented by the general formula [II] X-O-Z-N = Y [II] [wherein Z is (R 7 is -CH 2- , -S -, - SO 2 - is either in the. ) Is either. Also, X is (R ', R ", R is F, CF 3, C 2 F 5, C 3 F 7 are either in, or different from each other the same as each other.), And (M is 1 to 40.). Also, Y is (D is a divalent organic group having an ethylenically unsaturated double bond.), And Is one of. ] The fluorine-containing amino derivative represented by these, The ether imide type composition characterized by the above-mentioned.

(2)一般式〔II〕が、次式〔III〕 〔式中、R′,R″,Rは前記と同じである。〕で表わさ
れる含弗素フエニルマレイミドであることを特徴とする
(1)に記載の組成物。
(2) The general formula [II] is the following formula [III] [Wherein R ′, R ″ and R are the same as defined above], which is a fluorine-containing phenylmaleimide.

(3)一般式〔II〕が、次式〔III〕 〔mは、前記と同じである。〕で表わされる含弗素フエ
ニルマレイミドであることを特徴とする(1)に記載の
組成物。
(3) The general formula [II] is the following formula [III] [M is the same as above. ] The composition according to (1), which is a fluorine-containing phenylmaleimide represented by the following formula.

(4)一般式〔II〕が次式〔V〕 〔式中、R′,R″,R及びDは前記と同じである。ま
た、R8及びR9はH,CH3,CF3の中のいずれかであり、互い
に同じであつても異なつていてもよい。〕で表わされる
含弗素不飽和イミド系化合物であることを特徴とする
(1)に記載の組成物。
(4) The general formula [II] is the following formula [V] [In the formula, R ′, R ″, R and D are the same as above. Further, R 8 and R 9 are any of H, CH 3 and CF 3 , and are the same or different. The composition according to (1), which is a fluorine-containing unsaturated imide compound represented by the formula [1].

(5)一般式〔II〕が、次式〔VI〕 〔式中、D,R8,R9、及びmは前記と同じである。〕で表
わされる含弗素不飽和イミド系化合物であることを特徴
とする(1)に記載の組成物。
(5) The general formula [II] is the following formula [VI] [In the formula, D, R 8 , R 9 , and m are the same as defined above. ] The composition according to (1), which is a fluorine-containing unsaturated imide compound represented by

である。Is.

〔作用〕[Action]

本発明の組成物から得られる硬化成形物は、耐熱性,
可とう性にすぐれた、吸水率,透湿率が小さくなるの
は、次のように理由によるものと考えられる。すなわ
ち、本発明に於いて、一般式〔I〕で表わされるエーテ
ル不飽和ビスイミド系化合物は、耐熱性,可とう性付与
効果を発揮するのに有効であり、一般式〔II〕で表わさ
れる含弗素アミノ誘導体は、耐熱性と耐湿性(低吸水率
化,低透湿率化)付与効果を発揮することにより、両者
の相乗効果で前述の本発明の効果を得るに至つたものと
推察される。
The cured molded article obtained from the composition of the present invention has heat resistance,
The reason why the water absorption rate and the moisture permeability are excellent, which are excellent in flexibility, is considered as follows. That is, in the present invention, the ether-unsaturated bisimide compound represented by the general formula [I] is effective in exerting heat resistance and flexibility-imparting effect, and is represented by the general formula [II]. It is speculated that the fluorine amino derivative exerts the effects of imparting heat resistance and moisture resistance (reduction of water absorption rate, reduction of moisture permeability), and the synergistic effect of the two results in obtaining the above-described effects of the present invention. It

更に云えば、本発明の組成物に於いて、一般式〔I〕
で表わされる化合物に対して、一般式〔II〕で表わされ
る化合物の組合割合を相対的に増すことにより、硬化物
の耐湿性の一層の向上が達成され、低誘電率化の効果が
得られる。このような相乗効果のために、従来極めて困
難とされてきた、耐熱性,可とう性,耐湿性,低誘電率
化のバランスを図り易い組成物となつていることが特徴
である。
Further, in the composition of the present invention, the compound represented by the general formula [I]
By relatively increasing the combination ratio of the compound represented by the general formula [II] with respect to the compound represented by, the moisture resistance of the cured product is further improved and the effect of lowering the dielectric constant is obtained. . Due to such a synergistic effect, the composition is characterized in that it is easy to achieve a balance among heat resistance, flexibility, moisture resistance, and low dielectric constant, which have hitherto been extremely difficult.

このため、本発明の組成物を用いた各種用途材料は、
適用製品の高性能化,高信頼度化に大きな寄与をする。
Therefore, various application materials using the composition of the present invention,
It greatly contributes to high performance and high reliability of applied products.

例えば、コンピユータ用の多層配線板用材料に用いる
ことにより、本発明の特徴がいかんなく発揮される。特
に、低誘電率化の付与によるコンピユータの計算速度の
向上に大きな寄与がある。また、メモリLSIなどの層間
絶縁膜,被覆材,封止材などに適用することにより、耐
湿信頼性,耐冷熱サイクル性の大巾な向上を可能とす
る。また、磁気デイスク材料として適用することによ
り、摺動部(ヘツド浮上対象部)の特性向上に極めて有
効となる。その他、車輌用絶縁ワニス,液晶配向膜,シ
ール材,構造用接着材,塗料、その他広い用途におい
て、本発明の効果が発揮できる。
For example, by using it as a material for a multilayer wiring board for a computer, the characteristics of the present invention can be fully exhibited. In particular, the low dielectric constant is greatly contributed to the improvement of the computer calculation speed. Further, by applying it to an interlayer insulating film such as a memory LSI, a covering material, a sealing material, etc., it is possible to greatly improve the moisture resistance reliability and the cold / heat cycle resistance. Further, when applied as a magnetic disk material, it is extremely effective in improving the characteristics of the sliding portion (head floating portion). In addition, the effects of the present invention can be exhibited in a wide variety of applications such as vehicle insulating varnishes, liquid crystal alignment films, sealing materials, structural adhesives, paints and the like.

本発明に於いて、前記一般式〔I〕 〔式中、R1〜R4はH,低級アルキル基,フルオロアルキル
基,ハロゲン原子のいずれかである。また、R5及びR6
CH3,CF3,H, のいずれかである。また、Dはエチレン性不飽和二重結
合を持つ二価の有機基である。〕で表わされるエーテル
不飽和ビスイミド系化合物とは、例えば以下のようなも
のがある。すなわち、2,2−ビス〔4−(4−マレイミ
ドフエノキシ)フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−
メチル−4−(4−マレイミドフエノキシ)フエニル〕
プロパン、2,2−ビス〔3−クロロ−4−(4−マレイ
ミドフエノキシ)フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔3
−ブロモ−4−(4−マレイミドフエノキシ)フエニ
ル〕プロパン、2,2−ビス〔3−エチル−4−(マレイ
ミドフエノキシ)フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔3
−プロピル−4−(4−マレイミドフエノキシ)フエニ
ル〕プロパン、2,2−ビス〔3−イソプロピル−4−
(4−マレイミドフエノキシ)フエニル〕プロパン、2,
2−ビス〔3−ブチル−4−(4−マレイミドフエノキ
シ)フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−sec−ブチル
−4−(4−マレイミドフエノキシ)フエニル〕プロパ
ン、2,2−ビス〔3−メトキシ−4−(4−マレイミド
フエノキシ)フエニル〕プロパン、1,1−ビス〔4−
(4−マレイミドフエノキシ)フエニル〕エタン、1,1
−ビス〔3−メチル−4−(4−マレイミドフエノキ
シ)フエニル〕エタン、1,1−ビス〔3−クロロ−4−
(4−マレイミドフエノキシ)フエニル〕エタン、1,1
−ビス〔3−ブロモ−4−(4−マレイミドフエノキ
シ)フエニル〕エタン、ビス〔4−(4−マレイミドフ
エノキシ)フエニル〕メタン、ビス〔3−メチル−4−
(4−マレイミドフエノキシ)フエニル〕メタン、ビス
〔3−クロロ−4−(4−マレイミドフエノキシ)フエ
ニル〕メタン、ビス〔3−ブロモ−4−(4−マレイミ
ドフエノキシ)フエニル〕メタン、1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロ−2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフエノ
キシ)フエニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサクロ
ロ−2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフエノキシ)フ
エニル〕プロパン、3,3−ビス〔4−(4−マレイミド
フエノキシ)フエニル〕ペンタン、1,1−ビス〔4−
(4−マレイミドフエノキシ)フエニル〕プロパン、1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔3,5−ジブロ
モ−4(4−マレイミドフエノキシ)フエニル〕プロパ
ン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔3−メ
チル−4(4−マレイミドフエノキシ)フエニル〕プロ
パン、2,2−ビス〔4−(3−マレイミドフエノキシ)
フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(3−マレイミ
ドフエノキシ)フエニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス〔4−(3−シトラコンイミドフエノキシ)フ
エニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(3−エンドメチ
レンフタルイミドフエノキシ)フエニル〕プロパン、2,
2−ビス〔4−(3−イタコンイミドフエノキシ)フエ
ニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−(4−シトラコンイ
ミドフエノキシ)フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔4
−(4−シトラコンイミドフエノキシ)フエニル〕ヘキ
サフルオロプロパンなどがある。
In the present invention, the above general formula [I] [In the formula, R 1 to R 4 are any of H, a lower alkyl group, a fluoroalkyl group, and a halogen atom. R 5 and R 6 are
CH 3 , CF 3 , H, Is one of. D is a divalent organic group having an ethylenically unsaturated double bond. Examples of the ether unsaturated bisimide compound represented by the following are as follows. That is, 2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-
Methyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl]
Propane, 2,2-bis [3-chloro-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3
-Bromo-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-ethyl-4- (maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3
-Propyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-isopropyl-4-
(4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,
2-bis [3-butyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3-sec-butyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2, 2-bis [3-methoxy-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 1,1-bis [4-
(4-maleimidophenoxy) phenyl] ethane, 1,1
-Bis [3-methyl-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] ethane, 1,1-bis [3-chloro-4-
(4-maleimidophenoxy) phenyl] ethane, 1,1
-Bis [3-bromo-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] ethane, bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] methane, bis [3-methyl-4-
(4-maleimidophenyloxy) phenyl] methane, bis [3-chloro-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] methane, bis [3-bromo-4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] Methane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 1,1,1,3,3,3-hexachloro -2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 3,3-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] pentane, 1,1-bis [4-
(4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 1,
1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis [3,5-dibromo-4 (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 1,1,1,3,3,3- Hexafluoro-2,2-bis [3-methyl-4 (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-maleimidophenoxy)
Phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,
2-bis [4- (3-citraconimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-endomethylenephthalimidophenoxy) phenyl] propane, 2,
2-bis [4- (3-itaconimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-citraconimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4
-(4-Citraconimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane and the like.

また、本発明に於いて、前記一般式(II〕で表わされ
る含弗素アミノ誘導体とは、例えば、以下に示すものが
ある。
In the present invention, examples of the fluorine-containing amino derivative represented by the general formula (II) include those shown below.

本発明の含弗素不飽和イミド系化合物は、例えば、一
般式〔VII〕 および/または、一般式〔VIII〕 式中、R10,R11は水素,低級アルキル基,ハロゲン原
子,パーフルオロアルキル基である。また、R8及びR9
水素,低級アルキル基,パーフルオロアルキル基であ
る。〕で表わされるヒドロキシル基を持つ不飽和イミド
系化合物と、次式 〔式中、mは1〜40である。〕で表わされるペルフルオ
ロアルキルエーテル系化合物との反応により得ることが
できる。また、別の製造方法としては、アミノフエノー
ル系化合物と、上述のペルフルオロアルキルエーテル系
化合物を、先ず、反応させて、含弗素アミノ系化合物と
した後、エチレン性二重結合を持つジカルボン酸無水物
を反応させ、含弗素不飽和イミド系化合物を得る方法も
ある。
The fluorine-containing unsaturated imide compound of the present invention has, for example, the general formula [VII] And / or the general formula [VIII] In the formula, R 10 and R 11 are hydrogen, a lower alkyl group, a halogen atom, and a perfluoroalkyl group. R 8 and R 9 are hydrogen, a lower alkyl group and a perfluoroalkyl group. ] An unsaturated imide compound having a hydroxyl group represented by the following formula [In the formula, m is 1 to 40. ] It can be obtained by a reaction with a perfluoroalkyl ether compound represented by Further, as another production method, an aminophenol compound and the above-mentioned perfluoroalkyl ether compound are first reacted to form a fluorine-containing amino compound, and then a dicarboxylic acid anhydride having an ethylenic double bond. There is also a method of obtaining a fluorine-containing unsaturated imide compound by reacting

〔式中、nは1〜40である。〕で表わされるペルフルオ
ロアルキルエーテル系化合物には、例えば、 などがある。これらは、いずれも、室温で液状である。
[In formula, n is 1-40. ] The perfluoroalkyl ether compound represented by, for example, and so on. All of these are liquid at room temperature.

前記を具体的な製造合成過程で示すと、次の通りであ
る。
The above is shown in the following specific manufacturing synthesis process.

また、前記一般式〔VII〕および/または一般式〔VII
I〕で表わされるヒドロキシル基を持つ不飽和イミド系
化合物と、式 〔式中、R′,R″,Rは前記と同じである。〕で表わさ
れる弗素系化合物とを、塩基性触媒の存在下に、加熱反
応させて得られる。この反応の詳細な説明は、日本化学
会誌,1978年,253ページに記されている方法などを参考
にすればよい。
In addition, the general formula [VII] and / or the general formula [VII]
An unsaturated imide compound having a hydroxyl group represented by the formula [I] [Wherein R ', R ", and R are the same as those described above] in the presence of a basic catalyst by heating to obtain a compound. , Pp. 253, 1978, Journal of the Chemical Society of Japan.

〔式中、RはF、又はCF3であり、R′,R″及びRは
F,CF3,C2F5,C3F7の中のいずれかであり、同じであつて
も異なつていてもよい。〕で表わされる弗素系化合物と
しては、たとえば、ヘキサフルオロピレンおよび/また
はヘキサフルオロピレンオリゴマがあり、具体的には、 などがあり、ICI Mond Divisionなどより市販されてい
る。これらの化合物の中でも、本発明の効果を発揮する
上で、 あるいは、D−2,T−1が好ましい。
formula [Wherein R is F or CF 3 , and R ′, R ″ and R are
Any one of F, CF 3 , C 2 F 5 , and C 3 F 7 , which may be the same or different. Examples of the fluorine-based compound represented by] include hexafluoropyrene and / or hexafluoropyrene oligomer, and specifically, Etc., and is marketed by ICI Mond Division and others. Among these compounds, in exerting the effect of the present invention, Alternatively, D-2, T-1 is preferred.

本発明の組成物には、従来公知の不飽和N−置換イミ
ド系化合物を併用できる。特に、式〔IX〕 〔式中、D1,D2はエチレン性不飽和二重結合をもつジカ
ルボン酸残基である。また、Z0はアルキレン基,アリレ
ン基、または、それらの置換された二価の有機基を示
す。〕で表わされるN,N′−置換ビス不飽和イミド系化
合物が有用であり、このようなものとしては、例えば、
N,N′−エチレンビスマレイミド、N,N′−ヘキサメチレ
ンビスマレイミド、N,N′−ドデカメチレンビスマレイ
ミド、N,N′−m−フエニレンビスマレイミド、N,N′−
p−フエニレンビスマレイミド、N,N′−p−フエニレ
ンビスシトラコンイミド、N,N′−p−フエニレンビス
イタコンイミド、N,N′−p−フエニレンビスピロシコ
ンイミド、N,N′−p−フエニレン−エンドメチレンテ
トラヒドロフタルイミド、N,N′−4,4′−ジフエニルメ
タンビスマレイミド、N,N′−4,4′−ジシクロヘキシル
メタンビスマレイミド、N,N′−m−キシレンビスマレ
イミド、N,N′−ジフエニルシクロヘキサンビスマレイ
ミド、4,4′−ビスマレイミドシンナムアニリド、6,6′
−ビスマレイミド−2,2′−ビピリジン、あるいは、 などがある。また、 などがある。
A conventionally known unsaturated N-substituted imide compound can be used in combination with the composition of the present invention. In particular, the formula [IX] [In the formula, D 1 and D 2 are dicarboxylic acid residues having an ethylenically unsaturated double bond. Z 0 represents an alkylene group, an arylene group, or a substituted divalent organic group thereof. ] N, N'-substituted bis unsaturated imide compounds represented by the following are useful, such as, for example,
N, N'-ethylene bismaleimide, N, N'-hexamethylene bismaleimide, N, N'-dodecamethylene bismaleimide, N, N'-m-phenylene bismaleimide, N, N'-
p-phenylene bismaleimide, N, N'-p-phenylene biscitracone imide, N, N'-p-phenylene bisitaconimide, N, N'-p-phenylene bispyroconic imide, N, N '-P-phenylene-endomethylene tetrahydrophthalimide, N, N'-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, N, N'-4,4'-dicyclohexylmethane bismaleimide, N, N'-m-xylene Bismaleimide, N, N'-diphenylcyclohexane bismaleimide, 4,4'-bismaleimide cinnamanilide, 6,6 '
-Bismaleimide-2,2'-bipyridine, or and so on. Also, and so on.

また、難燃性付与の目的の場合には、次の含隣不飽和
イミド系化合物の添加が有効である。
Further, for the purpose of imparting flame retardancy, the addition of the next-mentioned unsaturated imide compound containing a neighboring compound is effective.

また、本発明の組成物には、従来公知の含弗素系化合
物を併用することもできる。このようなものとしては、
例えば また、本発明の組成物には、従来公知の含弗素系化合
物を併用することもできる。このようなものとしては、
例えば などがある。
Further, conventionally known fluorine-containing compounds can be used in combination with the composition of the present invention. As such,
For example Further, conventionally known fluorine-containing compounds can be used in combination with the composition of the present invention. As such,
For example and so on.

また、次の一般式〔X〕 〔式中、X1及びX2は、−O−, −S−,−SO2−の中のいずれかである。また、Z1は直
接結合、−CH2−, (R5,R6は低級アルキル基,フルオロアルキル基,アル
キレンの中のいずれかである。)、−O−, −S−,−SO2−の中のいずれかである。〕で表わされ
るフタロニトリル系化合物の添加も有効である。具体的
には、一般式〔 〕が、次式 で表わされるフタロニトリル系化合物であり、例えば、
以下の などを併用することも、本発明の効果を妨げるものでは
ない。
In addition, the following general formula [X] [In the formula, X 1 and X 2 are —O—, -S -, - SO 2 - is either in the. Z 1 is a direct bond, -CH 2- , (R 5 and R 6 are any of a lower alkyl group, a fluoroalkyl group and alkylene.), —O—, -S -, - SO 2 - is either in the. ] It is also effective to add a phthalonitrile compound represented by Specifically, the general formula [] is Is a phthalonitrile compound represented by, for example,
below The combined use of the above does not impede the effects of the present invention.

本発明に於いて、多官能エポキシ化合物を併用しても
よい。例えば、ビスフエノールAのジグリシジルエーテ
ル、ブタジエンジエポキサイド、3,4−エポキシシクロ
ヘキシルメチル−(3,4−エポキシ)シクロヘキサンカ
ルボキシレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、4,
4′−ジ(1,2−エポキシエチル)ジビフエニルエーテ
ル、4,4′−(1,2−エポキシエチル)ビフエニル、2,2
−ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロパン、レ
ゾルシンのジグリシジルエーテル、フロログルシンのジ
グリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシ
ジルエーテル、ビス−(2,3−エポキシシクロペンチ
ル)エーテル、2−(3,4−エポキシ)シクロヘキサン
−5,5−スピロ(3,4−エポキシ)シクロヘキサン−m−
ジオキサン、ビス−(3,4−エポキシ−6−メチルシク
ロヘキシル)アジペート、N,N′−m−フエニレンビス
(4,5−エポキシ−1,2−シクロヘキサン)ジカルボキシ
イミドなどの二官能のエポキシ化合物、パラアミノフエ
ノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジ
ルエーテル、1,3,5−トリ(1,2−エポキシエチル)ベン
ゼン、2,2′,4,4′−テトラグリシドキシベンゾフエノ
ン、テトラグリシドキシテトラフエニルエタン、フエノ
ールホルムアルデヒドノボラツクのポリグリシジルエー
テル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチ
ロールプロパンのトリグリシジルエーテル、あるいは、
次式 (R12,R13はH,低級アルキル基、フルオロアルキル基、 の中のいずれかである。)で表わされる三官能以上のエ
ポキシ化合物などがある。
In the present invention, a polyfunctional epoxy compound may be used in combination. For example, diglycidyl ether of bisphenol A, butadiene diepoxide, 3,4-epoxycyclohexylmethyl- (3,4-epoxy) cyclohexanecarboxylate, vinylcyclohexane dioxide, 4,
4'-di (1,2-epoxyethyl) dibiphenyl ether, 4,4 '-(1,2-epoxyethyl) biphenyl, 2,2
-Bis (3,4-epoxycyclohexyl) propane, resorcin diglycidyl ether, phloroglucin diglycidyl ether, methyl phloroglucin diglycidyl ether, bis- (2,3-epoxycyclopentyl) ether, 2- (3, 4-epoxy) cyclohexane-5,5-spiro (3,4-epoxy) cyclohexane-m-
Difunctional epoxy compounds such as dioxane, bis- (3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl) adipate, N, N'-m-phenylene bis (4,5-epoxy-1,2-cyclohexane) dicarboximide, Para-aminophenol triglycidyl ether, polyallyl glycidyl ether, 1,3,5-tri (1,2-epoxyethyl) benzene, 2,2 ', 4,4'-tetraglycidoxybenzophenone, tetraglycidyl ether Citetraphenylethane, phenol formaldehyde novolac polyglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, or
The following formula (R 12 and R 13 are H, a lower alkyl group, a fluoroalkyl group, Is one of the ) Trifunctional or higher functional epoxy compounds.

また、次に示すエポキシ化合物は、溶融状態で液晶配
向性をもつ。硬化物の耐熱性付与,機械強度、接着性向
上,電気特性の改良などに効果が大きい。
Further, the epoxy compound shown below has liquid crystal alignment in a molten state. It is very effective in imparting heat resistance to cured products, improving mechanical strength, adhesion, and improving electrical properties.

このような化合物には、例えば、 などがある。Such compounds include, for example, and so on.

また、一分子中に少なくとも一つの末端ビニル基、ま
たは、末端アリル基と、少なくとも一つの末端エポキシ
基(エチレンオキサイド基)をもつエポキシ化合物も有
用である。例えば、一般式 (式中、R14はHまたはCH3)の構造をもつ単量体であ
り、グリシジルアクリレト,グリシジルメタアクリレー
ト,β−メチルグリシジルアクリレート、及び、β−メ
チルグリシジルメタアクリレートなどが代表例としてあ
る。また、一般式 (式中、R15,R16はHまたはCH3)の構造の単量体であ
り、(メチル)グリシジル(メタ)アクリルエーテルな
どが代表例としてある。また、一般式 (式中、R17,R18はHまたはCH3を表わし、R12 または直接結合を表わす)の炭素原子数6〜12のエチレ
ン性不飽和エポキシモノマ、また、オレフイン性不飽和
のモノエポキサイドなどがある。また、一般式 (式中、R19がH、または、炭素数1〜4ケの低級アル
キル基、あるいは、CH2Clであり、xが1〜9の整数で
あり、yが0〜10の整数である)の化合物、例えば、ア
リルグリシジルエーテル、(2−アリルオキシ)エチレ
ングリシジルエーテル、4−ブテニルグリシジルエーテ
ルなどがある。また、 あるいは、一般式 (式中、R20〜R25の一つは水素原子,メチルまたはアリ
ル基を示し、他のRは水素原子を示す)で示されるもの
がある。
Further, an epoxy compound having at least one terminal vinyl group or terminal allyl group and at least one terminal epoxy group (ethylene oxide group) in one molecule is also useful. For example, the general formula (Wherein R 14 is H or CH 3 ) is a monomer having a structure of glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, β-methylglycidyl acrylate, and β-methylglycidyl methacrylate. . Also, the general formula (In the formula, R 15 and R 16 are H or CH 3 ), and (methyl) glycidyl (meth) acryl ether is a typical example. Also, the general formula (In the formula, R 17 and R 18 represent H or CH 3 , and R 12 is Or a direct bond) having 6 to 12 carbon atoms, such as an ethylenically unsaturated epoxy monomer, and an olefinically unsaturated monoepoxide. Also, the general formula (In the formula, R 19 is H, or a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or CH 2 Cl, x is an integer of 1 to 9, and y is an integer of 0 to 10.) Compounds such as allyl glycidyl ether, (2-allyloxy) ethylene glycidyl ether, and 4-butenyl glycidyl ether. Also, Alternatively, the general formula (In the formula, one of R 20 to R 25 represents a hydrogen atom, a methyl or allyl group, and the other R represents a hydrogen atom).

また、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド,フルフ
リルアルコールのグリシジルエーテルあるいは などがある。これらは少なくとも一種が用いられる。
In addition, vinylcyclohexene monooxide, furfuryl alcohol glycidyl ether or and so on. At least one of these is used.

本発明において、一般式〔I〕で表わされるエーテル
イミド系化合物と、一分子中に少なくとも一つの含弗素
基を持つアミノ誘導体との配合割合については、前者10
0重量部に対して、後者を10〜1000重量部の範囲が一般
的である。後者の割合が少なくなると耐熱性は高くなる
反面、誘電率が大きくなり、また、その割合を多くする
につれてその逆の傾向を示す。
In the present invention, the blending ratio of the ether imide compound represented by the general formula [I] and the amino derivative having at least one fluorine-containing group in one molecule is 10
The latter is generally in the range of 10 to 1000 parts by weight with respect to 0 parts by weight. When the latter ratio is low, the heat resistance is high, but the dielectric constant is high, and as the ratio is high, the opposite tendency is exhibited.

また、本発明の樹脂組成物の硬化方法は、特に限定す
るものではないが、100〜250℃,1〜30分間加熱すること
により容易に硬化することができる。それにより得られ
る硬化物は、例えば、ガラス転移点180℃以上をもち、1
80℃に於ける曲げ強度が150kg/cm2以上、200℃三十日放
置後の強度保持率が80%以上の硬化物を得ることもでき
る。また、曲げ強度の弾性率は、1.30×103kg/mm2以下
で、金属インサート(70φ×厚さ4mmのC字ワツシヤ)
をモールドした場合の耐クラツク性も、40℃/二時間〜
常温/二時間〜140℃二時間のヒートサイクル下でも20 以上経過後もクラツクの発生がない。
The method for curing the resin composition of the present invention is not particularly limited, but it can be easily cured by heating at 100 to 250 ° C for 1 to 30 minutes. The cured product thus obtained has, for example, a glass transition point of 180 ° C. or higher, and
It is also possible to obtain a cured product having a bending strength at 80 ° C of 150 kg / cm 2 or more and a strength retention rate after standing at 200 ° C for 30 days of 80% or more. In addition, the elastic modulus of bending strength is 1.30 × 10 3 kg / mm 2 or less, and metal insert (70φ × 4 mm thick C-shaped washer)
The crack resistance when molded is 40 ° C / 2 hours ~
Room temperature / 2 hours ~ 140 ℃ 20 even under heat cycle of 2 hours No crack is generated after the above period.

また、本発明の樹脂組成物には、目的,用途に応じ
て、ビニル,アリルおよびアクリル型でありうる少なく
とも一種の重合可能なCH2=C基を含有する単量体を
加えることにより変性できる。ここで、単量体は、例え
ば、スチレン,ビニルトルエン,α−メチルスチレン,
ジビニルベンゼン,ジアリルフタレート、ジアリルフタ
レートプレポリマ,クロルスチレン,ジクロルスチレ
ン,ブロムスチレン,ジブロムスチレン,ジアリルベン
ゼンホスホネート,ジアリルアリールホスフイル酸エス
テル,アクリル酸,メタアクリル酸エステル,トリアリ
ルシアヌレート,トリアリルシアヌレートプレポリマ,
トリブロモフエノールアリルエーテル、または、従来公
知のN,N′−置換ビスマレイミド系化合物などがあり、
これらの一種または二種を併用して使用できる。
In addition, the resin composition of the present invention can be modified by adding at least one monomer containing a polymerizable CH 2 ═C group, which can be vinyl, allyl or acrylic type, depending on the purpose and application. . Here, the monomer is, for example, styrene, vinyltoluene, α-methylstyrene,
Divinylbenzene, diallyl phthalate, diallyl phthalate prepolymer, chlorostyrene, dichlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, diallylbenzenephosphonate, diallylarylphosphyl acid ester, acrylic acid, methacrylic acid ester, triallyl cyanurate, triallyl Allyl cyanurate prepolymer,
Tribromophenol allyl ether, or conventionally known N, N'- substituted bismaleimide compounds and the like,
These can be used alone or in combination of two.

本発明の樹脂組成物には、短時間の加熱によつてその
硬化を完了させる目的で、重合開始剤を添加することが
望ましい。そのような重合開始剤は、ベンゾイルパーオ
キシド、p−クロロ−ベンゾイルパーオキシド、2・4
−ジクロロベンゾイルパーオキシド、オプリリルパーオ
キシド、ラウロイルパーオキシド、アセチルパーオキシ
ド、メチルエチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノ
ンパーオキシド、ビス(1−ヒドロキシシクロヘキシル
パーオキシド)、ヒドロキシヘプチルパーオキシド、t
−ブチルハイドロパーオキシド、p−メンタンハイドロ
パーオキシド、t−ブチルパーベンゾエート、t−ブチ
ルパーアセテート、t−ブチルパーオクトエート、t−
ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−t−ブチルジパ
ーフタレートなどの有機過酸化物が有用であり、その一
種または複数種を用いることができる。
It is desirable to add a polymerization initiator to the resin composition of the present invention for the purpose of completing the curing by heating for a short time. Such polymerization initiators include benzoyl peroxide, p-chloro-benzoyl peroxide, 2.4
-Dichlorobenzoyl peroxide, oprylyl peroxide, lauroyl peroxide, acetyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide, bis (1-hydroxycyclohexyl peroxide), hydroxyheptyl peroxide, t
-Butyl hydroperoxide, p-menthane hydroperoxide, t-butyl perbenzoate, t-butyl peracetate, t-butyl peroctoate, t-
Organic peroxides such as butyl peroxyisobutyrate and di-t-butyl diperphthalate are useful, and one or more of them can be used.

また、トリエチルアミン,テトラメチルブタンジアミ
ン,テトラメチルペンタンジアミン,テトラメチルヘキ
サンジアミン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリ
ンなどの三級アミン,ジメチルアミノエタノール,ジメ
チルアミノペンタノールなどのオキシアルキルアミンや
トリス(ジメチルアミノメチル)フエノール,N−メチル
モルホリンなどのアミン類、また、セチルトリメチルア
ンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウム
クロライド、ドテシルトリメチルアンモニウムアイオダ
イド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、ベ
ンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドテシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド、ベンジル
ジメチルテトラデシルアンモニウムアセテートなど第四
級アンモニウム塩、さらに、2−メチルイミダゾール、
2−エチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾー
ル、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチル−4−
エチルイミダゾール、1−ブチルイミダゾール、1−プ
ロピル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−
メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイ
ミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダ
ゾール、1−シアノエチル−2−フエニルイミダゾー
ル、1−アジン−2−メチルイミダゾール、1−アジン
−2−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類、
トリフエニルホスフインテトラフエニルボレート、トリ
エチルアミンテトラフエニルボレート、N−メチルモル
ホリンテトラフエニルボレート、ピリジンテトラフエニ
ルボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾールテト
ラフエニルボレート、2−エチル−1,4−ジメチルイミ
ダゾールテトラフエニルボレートなどのカリボール塩が
有用である。これら触媒の少なくとも一種を前述の配合
組成物に対し0.01〜10重量%の範囲で使用するのが良
い。また、これらの触媒と、前述の過酸化物触媒を併用
して用いることも出来る。
Also, tertiary amines such as triethylamine, tetramethylbutanediamine, tetramethylpentanediamine, tetramethylhexanediamine, triethylenediamine, and dimethylaniline; oxyalkylamines such as dimethylaminoethanol and dimethylaminopentanol; and tris (dimethylaminomethyl). Amines such as phenol and N-methylmorpholine, also cetyltrimethylammonium bromide, cetyltrimethylammonium chloride, dodecyltrimethylammonium iodide, trimethyldodecylammonium chloride, benzyldimethyltetradecylammonium chloride,
Benzyl dimethyl palmityl ammonium chloride,
Quaternary ammonium salts such as allyl dodecyl trimethyl ammonium bromide, benzyl dimethyl stearyl ammonium bromide, stearyl trimethyl ammonium chloride, benzyl dimethyl tetradecyl ammonium acetate, and further 2-methyl imidazole,
2-ethylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methyl-4-
Ethyl imidazole, 1-butyl imidazole, 1-propyl-2-methyl imidazole, 1-benzyl-2-
Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-azine-2-methylimidazole, 1-azine-2-undecylimidazole Imidazoles, such as
Triphenylphosphine tetraphenylborate, triethylamine tetraphenylborate, N-methylmorpholine tetraphenylborate, pyridine tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate, 2-ethyl-1,4- Calibor salts such as dimethylimidazole tetraphenylborate are useful. At least one of these catalysts is preferably used in the range of 0.01 to 10% by weight based on the above-mentioned compounded composition. Further, these catalysts may be used in combination with the above-mentioned peroxide catalyst.

本発明では、上述の重合触媒に、例えばメルカプタン
類,サルフアイト類,β−ジケトン類,金属キレート
類,金属石酸など公知の促進剤を併用することも可能で
ある。また、樹脂組成物の室温における貯蔵安定性を良
好にするために、例えば、p−ベンゾキノン、ナフトキ
ノン、フエナントラキノンなどのキノン類、ハイドロキ
ノン、p−t−ブチルカテコール、2,5−ジ−t−ブチ
ルハイドロキノンなどのフエノール類や、ニトロ化合
物,金属塩類など公知の重合防止剤を、用途に応じて使
用することができる。
In the present invention, the above-mentioned polymerization catalyst may be used in combination with known accelerators such as mercaptans, sulfites, β-diketones, metal chelates, and metal tartaric acid. Further, in order to improve the storage stability of the resin composition at room temperature, for example, quinones such as p-benzoquinone, naphthoquinone, and phenanthraquinone, hydroquinone, pt-butylcatechol, 2,5-di- Known polymerization inhibitors such as phenols such as t-butylhydroquinone, nitro compounds and metal salts can be used depending on the application.

さらに、本発明の樹脂組成物には、その用途に応じ
て、種々の素材を配合することができる。
Furthermore, the resin composition of the present invention can be blended with various materials depending on its use.

すなわち、例えば、成形材料としての用途には、ジル
コン,シルカ,アルミナ,水酸化アルミニウム,チタニ
ア,亜鉛華,炭酸カルシウム,マグネサイト,クレー,
カオリン,タルク,珪砂,ガラス,溶融石英ガラス,ア
スベスト,マイカ、各種ウイスカー,カーボンブラツ
ク、黒鉛,二硫化モリブデンなどの無機質充填剤,高級
脂肪酸やワツクスなどの離型剤、エポキシシラン,ビニ
ルシラン,ボランやアルコキシチタネート系化合物など
のカツプリング剤などの少なくとも一種を配合すること
ができる。また必要に応じて、含ハロゲン化合物,酸化
アンチモンや燐化合物などの難燃性付与剤などを用いる
ことができる。
That is, for example, for use as a molding material, zircon, silca, alumina, aluminum hydroxide, titania, zinc white, calcium carbonate, magnesite, clay,
Kaolin, talc, silica sand, glass, fused silica glass, asbestos, mica, various whiskers, carbon black, graphite, inorganic fillers such as molybdenum disulfide, mold release agents such as higher fatty acids and waxes, epoxysilane, vinylsilane, borane, etc. At least one coupling agent such as an alkoxy titanate compound can be blended. If necessary, a halogen-containing compound, a flame retardant imparting agent such as antimony oxide or a phosphorus compound, and the like can be used.

また、ワニスなどのように、溶液として使用すること
もできる。その際に用いられる溶剤は、N−メチル−2
−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメ
チルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、ジメチル
スルホオキシド、N,N−ジエチルアセトアミド、N,N−ジ
メチルメトキシアセトアミド、ヘキサメチルフオスホル
アミド、ピリジン、ジメチルスルホン、テトラメチルス
ルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン等があり、ま
た、フエノール系溶剤群は、フエノール,クレゾール,
キシレノールなどがある。
It can also be used as a solution, such as a varnish. The solvent used at that time is N-methyl-2.
-Pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformamide, dimethyl sulfoxide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide, hexamethylphosformamide, pyridine, dimethyl There are sulfone, tetramethyl sulfone, dimethyl tetramethylene sulfone, etc., and the phenolic solvent group includes phenol, cresol,
There is xylenol.

以上のものについては、単独または二種以上の混合で
使用することができる。
The above can be used singly or as a mixture of two or more kinds.

ところで、本発明の組成物は、半導体装置の多層配線
構造に於ける層間絶縁膜,δ線遮蔽膜などの素子被覆
膜,コンピユータ用多層配線板の積層材,LSI封止材,接
着剤,液晶配向膜、及び、表示装置のシール材、各種用
途の塗料,磁気記録デイスクの摺動材(表面被覆材)な
ど広い適用分野がある。
By the way, the composition of the present invention is used for an interlayer insulating film in a multilayer wiring structure of a semiconductor device, an element coating film such as a δ-ray shielding film, a laminated material of a multilayer wiring board for a computer, an LSI sealing material, an adhesive, There are a wide range of fields of application such as liquid crystal alignment films, sealing materials for display devices, paints for various purposes, and sliding materials (surface coating materials) for magnetic recording disks.

例えば、半導体装置へ適用する場合には、本発明の一
般式〔I〕及び一般式〔II〕で表わされる化合物を含む
溶液として半導体素子などの表面に適用されることが望
ましく、溶媒は、例えば、ベンゼン,トルエン,キシレ
ンなどの芳香族炭化水素、メタノール,エタノール,2−
プロパノールなどのアルコール類のほか、メチルエチル
ケトン,アセトンなどのケトン類、エチルセロソルブを
はじめとするセロソルブアセテート類、塩化炭化水素、
あるいは、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、N−メチル−2−ピロリドンなどの極性溶剤が挙げ
られる。
For example, when applied to a semiconductor device, it is desirable that the solution containing the compound represented by the general formula [I] and the general formula [II] of the present invention is applied to the surface of a semiconductor element or the like, and the solvent is, for example, , Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, methanol, ethanol, 2-
In addition to alcohols such as propanol, ketones such as methyl ethyl ketone and acetone, cellosolve acetates such as ethyl cellosolve, chlorinated hydrocarbons,
Alternatively, polar solvents such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone and the like can be mentioned.

それらの化合物の溶液は、半導体素子やリード線など
の表面に塗布される。塗布方法は、溶液中への素子、お
よび、リード線の浸漬,素子、および、リード線上への
溶液の滴下、あるいは、スプレー,スピンナ塗布などの
方法がある。
Solutions of these compounds are applied to the surface of semiconductor devices, lead wires, and the like. Examples of the coating method include dipping the element and the lead wire in a solution, dropping the solution on the element and the lead wire, spraying, and spinner coating.

このような方法により、化合物溶液を塗布された半導
体素子やリード線は、次に、少なくとも100℃以上、特
に好ましくは120〜250℃で加熱焼付け処理される。この
処理によつて、化合物はより高分子量化,架橋されて保
護被覆層を形成する。被覆層の厚さについては、特に制
限を設けるものではない。その目的と用途に応じて、適
宜,効果のすぐれたものが用いられる。
By such a method, the semiconductor element or the lead wire coated with the compound solution is then heat-baked at least at 100 ° C. or higher, particularly preferably at 120 to 250 ° C. By this treatment, the compound has a higher molecular weight and is crosslinked to form a protective coating layer. The thickness of the coating layer is not particularly limited. A material having an excellent effect is appropriately used according to the purpose and application.

例えば、多層配線型LSIの層間絶縁膜は、500Å〜数μ
mの膜厚が、また、δ線遮蔽膜は10〜200μmの膜厚
が、目的を達成する上で有効である。(第1図,第2図
および第3図) 〔実施例〕 <実施例1〜20> 第1表,第2表に示した二十種類の配合組成物を作製
した。
For example, the interlayer insulation film of multi-layer wiring type LSI is 500Å to several μ
A film thickness of m and a film thickness of the δ-ray shielding film of 10 to 200 μm are effective in achieving the purpose. (FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 3) [Examples] <Examples 1 to 20> Twenty kinds of blended compositions shown in Tables 1 and 2 were prepared.

各配合組成物は、50〜70℃,十分間混練したのち、冷
却して目的の耐熱性樹脂組成物を得た。
Each compounded composition was kneaded at 50 to 70 ° C. for 10 minutes and then cooled to obtain the desired heat resistant resin composition.

各組成物を、170℃,70kg/cm2,5分間の条件でトランス
フア成形して、各種特性測定用試片を作製した。第1
表,第2表に、ガラス転移点、180℃に於ける曲げ強
さ,曲げ弾性率,200℃,三十日放置後の加熱劣化特性,
材料の貯蔵安定性を示した。
Each composition was transfer-molded under the conditions of 170 ° C., 70 kg / cm 2 , and 5 minutes to prepare test pieces for measuring various characteristics. First
Table 2 and Table 2 show the glass transition point, bending strength at 180 ℃, flexural modulus, 200 ℃, and heat deterioration characteristics after standing for 30 days.
The storage stability of the material was demonstrated.

いずれの硬化物も、ガラス転移点180℃以上,180℃の
曲げ強さ,450kg/cm2以上,200℃,三十日放置後の強度保
持率80%以上,曲げ弾性率1.30×103kg/mm2以上の耐熱
性,可撓性にすぐれた特性をもつている。
All of the cured products have a glass transition point of 180 ° C or higher, a bending strength of 180 ° C, 450 kg / cm 2 or higher, 200 ° C, a strength retention rate of 80% or more after being left for 30 days, and a bending elastic modulus of 1.30 × 10 3 kg. It has excellent heat resistance and flexibility of / mm 2 or more.

本発明の必須成分である含弗素アミノ誘導体として、
次のもの(A)〜(F)を用いて、以下検討した。
As a fluorine-containing amino derivative which is an essential component of the present invention,
The following studies were performed using the following (A) to (F).

<実施例21〜28> 前述の含弗素アミノ誘導体(A)〜(E)の五種類を
採り上げた。これらに更に、ビスフエノールA型エポキ
シDER332(ダウ・ケミカル社製)、オルトジアリルビス
フエノールF、2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフエ
ノキシ)フエニル〕ヘキサフルオロプロパン(略して、
DAPP-FMI)、トリアリルイソシアヌレート(TAIC)を、
それぞれ別個に第3表に示した所定量(重量部)を配合
して、八種類の配合物を作つた。
<Examples 21 to 28> Five kinds of the above-mentioned fluorine-containing amino derivatives (A) to (E) were selected. In addition to these, bisphenol A type epoxy DER332 (manufactured by Dow Chemical Co., Ltd.), orthodiallyl bisphenol F, 2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane (abbreviated as:
DAPP-FMI), triallyl isocyanurate (TAIC),
Eight kinds of compounds were prepared by separately mixing the predetermined amounts (parts by weight) shown in Table 3 with each other.

これらの配合物には、それぞれ硬化促進剤として、ジ
シアンジアミド,ベンゾグアナミン、及び、ジクミルパ
ーオキサイド(DCPO)を、また、カツプリング剤として
エポキシシランKBM403(信越化学社製)を所定量添加し
た。
To these compounds, dicyandiamide, benzoguanamine, and dicumyl peroxide (DCPO) were added as curing accelerators, and epoxysilane KBM403 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added as a coupling agent in predetermined amounts.

次いで、これらの配合組成物は、N−メチル−2−ピ
ロリドン(NMP)とメチルエチルケトン(MEK)の等量混
合液に溶解して、45〜48重量%の固形分を含むワニスと
した。
Next, these compounded compositions were dissolved in an equal amount mixed solution of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and methyl ethyl ketone (MEK) to obtain a varnish containing 45 to 48% by weight of solid content.

このワニス溶液を用いて、ガラス布(日東紡社製WE-1
16P,BY-54)に、樹脂含浸塗布し、160℃,15分間乾燥さ
せ、樹脂含有量45〜48重量%の塗工布を作成した。
Using this varnish solution, a glass cloth (WE-1 manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd.
16P, BY-54) was impregnated with a resin and dried at 160 ° C for 15 minutes to prepare a coated cloth having a resin content of 45 to 48% by weight.

次いで、この塗工布八枚を用い、その上・下に35μm
厚のTAI処理銅箔(古河電工−CFC社製)を重ね、170〜1
85℃,40kg・f/cm2の条件下で80分積層接着し、厚さ約1.
6mmの両面銅張り積層板を作成した。
Next, use 8 sheets of this coated cloth, 35μm above and below
Overlaid with thick TAI-treated copper foil (Furukawa Electric-CFC), 170-1
Laminated and bonded for 80 minutes under the conditions of 85 ℃, 40kgf / cm 2 and thickness of about 1.
A 6 mm double-sided copper clad laminate was created.

上記の銅張り積層板を、更に、200℃,四時間後硬化
を行なつた。得られた銅張り積層板八種類の諸特性を第
3表に示した。
The copper-clad laminate was further post-cured at 200 ° C. for 4 hours. Table 3 shows various characteristics of the obtained eight kinds of copper-clad laminates.

なお、各特性の測定方法は次の通りである。 The measuring method of each characteristic is as follows.

(a)銅箔引き剥し強度 銅張り積層板より25mm×100mmの大きさに試験片を切
り取つた後、中央部に巾10mmに銅箔を残し、他の銅箔は
エツチング除去した。次に、中央部の銅箔を垂直方向に
5mm/minの速度で引き剥し、その強度を測定した。
(A) Copper foil peeling strength After cutting a test piece into a size of 25 mm x 100 mm from a copper-clad laminate, a copper foil having a width of 10 mm was left in the central portion and other copper foils were removed by etching. Next, move the copper foil in the center vertically
It was peeled off at a speed of 5 mm / min, and its strength was measured.

(b)半田耐熱性 銅張り積層板より25mm角に切り取つたものを試験片と
した。この試験片を300℃に加熱した半田浴に浮かべ、
ふくれなどの異常の発生する時間を測定した。
(B) Solder heat resistance A test piece was a 25 mm square piece cut from a copper clad laminate. Float this test piece in a solder bath heated to 300 ℃,
The time at which abnormalities such as blistering occur was measured.

(c)消炎性 UL-94垂直法に従つて測定した。上記の銅張り積層板
から巾12mm,長さ125mmに切り取り、銅箔をエツチングし
たものを試験片とした。試験片は各々十個ずつ測定し、
平均消炎時間で表した。
(C) Inflammability Measured according to the UL-94 vertical method. A test piece was obtained by cutting the above copper-clad laminate to a width of 12 mm and a length of 125 mm and etching a copper foil. Ten test pieces are measured,
It was represented by the average extinction time.

なお、平均消炎時間5秒以内,最長消炎時間10秒以内
がUL-94,V−0、平均消炎時間25秒以内,最長消炎時間3
0秒以内がUL-94,V−1である。
The average extinction time is within 5 seconds, the maximum extinction time within 10 seconds is UL-94, V-0, the average extinction time is within 25 seconds, and the maximum extinction time is 3 seconds.
UL-94, V-1 is within 0 seconds.

<実施例29〜39,比較例> 多官能エポキシ化合物として、オルトクレゾールノボ
ラツク型エポキシ樹脂EOCN-102S(日本化薬社製,エポ
キシ当量211,軟化点66.4℃)、100重量部に対して、含
弗素アミノ誘導体(A)及び(B)の所定量、また、ノ
ボラツク型フエノール樹脂HP-607N(日立化成社製,軟
化点78〜82℃)、p−ヒドロキシ集合体Mレジン(丸善
石油社製,数平均分子量4800)、N,N′−ビスマレイミ
ドジフエニルメタン(DOMビスマレイミド)を採り上
げ、第4表に示した所定量を配合した。
<Examples 29 to 39, Comparative Example> As a polyfunctional epoxy compound, orthocresol novolak type epoxy resin EOCN-102S (manufactured by Nippon Kayaku Co., epoxy equivalent 211, softening point 66.4 ° C), relative to 100 parts by weight, Predetermined amount of fluorine-containing amino derivative (A) and (B), novolak type phenol resin HP-607N (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., softening point 78-82 ° C), p-hydroxy aggregate M resin (manufactured by Maruzen Oil Co., Ltd.) , Number average molecular weight 4800) and N, N′-bismaleimide diphenylmethane (DOM bismaleimide) were taken, and the predetermined amounts shown in Table 4 were blended.

これらの配合物に、硬化促進剤として、トリフエニル
ホスフイン2.0重量部、カツプリング剤として、エポキ
シシランKBM303(信越化学社製)2.0重量部と、アシレ
ート型チタネート系化合物0.8重量部、離型剤としてス
テアリン酸カルシウム1.0重量部とヘキストワツクスE
(ヘキストジヤパン社製)1.0重量部、難燃剤として付
加型イミドコート赤燐5重量部、充填材として平均粒径
1μmの球状アルミナ50重量パーセント(配合組成物全
体に対して)と、10〜44μm平均粒径の溶融石英ガラス
粉30重量パーセント(配合組成物全体に対して)、着色
剤としてカーボンブラツク(キヤボツト社製)2.0重量
部を、それぞれ別個に添加して、十二種類の配合組成物
を作成した。
In these compounds, 2.0 parts by weight of triphenylphosphine as a curing accelerator, 2.0 parts by weight of an epoxysilane KBM303 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a coupling agent, 0.8 parts by weight of an acylate-type titanate compound, and a release agent 1.0 parts by weight of calcium stearate and Hoechstwax E
1.0 part by weight (Hoechst Japan Co., Ltd.), 5 parts by weight of addition type imide-coated red phosphorus as a flame retardant, 50% by weight of spherical alumina having an average particle size of 1 μm as a filler (based on the total composition), and 10 to 44 μm. 30 weight percent fused silica glass powder with an average particle size (based on the total composition) and 2.0 parts by weight of carbon black (manufactured by KYABOT) as a colorant were added separately to obtain 12 kinds of composition compositions. It was created.

次いで、これら配合物は、75〜85℃に加熱された8イ
ンチ径の二本ロールで約八分間加熱混練した後、冷却
し、粗粉砕して、半導体封止用成形材料組成物を得た。
Next, these blends were kneaded by heating for 8 minutes with a two-roll roll of 8 inch diameter heated to 75 to 85 ° C., then cooled and coarsely pulverized to obtain a molding material composition for semiconductor encapsulation. .

これら組成物を用いて、1MビツトD-RAMLSI、五十個
を、トランスフア成形機を用いて、180℃,70kg・f/c
m2、二分間の条件で封止成形を行ない、樹脂封止型半導
体装置を得た。
Using these compositions, 1M bit D-RAM LSI, fifty pieces, using a transfer molding machine, 180 ° C, 70 kgf / c
Sealing molding was performed under the condition of m 2 for 2 minutes to obtain a resin-sealed semiconductor device.

得られた樹脂封止型半導体装置は、121℃,2気圧の過
飽和水蒸気釜(プレツヤ・クツカ釜)に、所定時間投入
した後、取り出し、半導体装置が電気的に正常に動作す
るか否かをチエツクし、不良動作(断線不良)を示すも
のは、破壊検査により、素子上の配線が腐食により断線
故障したものであることを確認した。不良の発生状況を
第4表に示した。
The obtained resin-encapsulated semiconductor device was put into a supersaturated steam kettle (pre-tucker / cuter kettle) at 121 ° C and 2 atm for a predetermined time and then taken out to check whether the semiconductor device operates electrically normally. For those that checked and showed a defective operation (defective disconnection), it was confirmed by destructive inspection that the wiring on the element had a disconnection failure due to corrosion. Table 4 shows the occurrence of defects.

第1図は本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第
2図,第3図は本発明の半導体装置の素子の部分断面図
である。図中、1はリード線、2は半導体素子、3は保
護被覆樹脂、4は配線、5はポリイミド系樹脂、6はモ
ールド樹脂、7は熱酸化膜である。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are partial sectional views of elements of the semiconductor device of the present invention. In the figure, 1 is a lead wire, 2 is a semiconductor element, 3 is a protective coating resin, 4 is wiring, 5 is a polyimide resin, 6 is a molding resin, and 7 is a thermal oxide film.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明のエーテルイミド系組成物は、耐熱性,可とう
性,耐湿性,低誘電率化の付与に効果が大きい。
The ether imide composition of the present invention is highly effective in imparting heat resistance, flexibility, moisture resistance and low dielectric constant.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第
2図,第3図は、本発明の半導体装置の素子の部分断面
図である。 1……リード線、2……半導体素子、3……保護被覆樹
脂、3−I……第一層保護被覆樹脂、3−II……第二層
保護被覆樹脂、4−I……第一層配線、4−II……第二
層配線、5……ポリイミド系樹脂、6……モールド樹
脂、7……熱酸化膜。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are partial sectional views of elements of the semiconductor device of the present invention. 1 ... Lead wire, 2 ... Semiconductor element, 3 ... Protective coating resin, 3-I ... First layer protective coating resin, 3-II ... Second layer protective coating resin, 4-I ... First Layer wiring, 4-II. Second layer wiring, 5 ... Polyimide resin, 6 ... Mold resin, 7 ... Thermal oxide film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/29 23/31 H05K 1/03 D 7511−4E ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 23/29 23/31 H05K 1/03 D 7511-4E

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一般式〔I〕 〔式中、R1〜R4はH,低級アルキル基,フルオロアルキル
基,ハロゲン原子のいずれかである。また、R5及びR6
CH3,CF3,H, のいずれかである。また、D1,D2はエチレン性不飽和二
重結合を持つ二価の有機基である。〕で表わされるエー
テル不飽和ビスイミド系化合物と、 一般式〔II〕 X−O−Z−N=Y 〔II〕 〔式中、Zは (R7は、−CH2−, −S−,−SO2−の中のいずれかである。)のいずれか
である。また、Xは (R′,R″,RはF,CF3,C2F5,C3F7の中のいずれかであ
り、互いに同じであっても異なっていてもよい。)、及
(mは1〜40である。)のいずれかである。また、 Yは (Dはエチレン性不飽和二重結合を持つ二価の有機基で
ある。)、及び のいずれかである。〕で表わされる含弗素アミノ誘導体
とを、含むことを特徴とするエーテルイミド系組成物。
1. A general formula [I] [In the formula, R 1 to R 4 are any of H, a lower alkyl group, a fluoroalkyl group, and a halogen atom. R 5 and R 6 are
CH 3 , CF 3 , H, Is one of. D 1 and D 2 are divalent organic groups having an ethylenically unsaturated double bond. ] And an ether unsaturated bisimide compound represented by the general formula [II] X-O-Z-N = Y [II] [wherein Z is (R 7 is -CH 2- , -S -, - SO 2 - is either in the. ) Is either. Also, X is (R ', R ", R is F, CF 3, C 2 F 5, C 3 F 7 are either in, or different from each other the same as each other.), And (M is 1 to 40.). Also, Y is (D is a divalent organic group having an ethylenically unsaturated double bond.), And Is one of. ] The fluorine-containing amino derivative represented by these, The ether imide type composition characterized by the above-mentioned.
【請求項2】一般式〔II〕が、次式〔III〕 〔式中、R′,R″,Rは前記と同じである。〕で表わさ
れる含弗素フェニルマレイミドであることを特徴とする
特許請求項第1項記載のエーテルイミド系組成物。
2. The general formula [II] is represented by the following formula [III] The ether imide composition according to claim 1, which is a fluorine-containing phenylmaleimide represented by the formula: wherein R ′, R ″ and R are the same as above.
【請求項3】一般式〔II〕が、次式〔IV〕 〔mは前記と同じである。〕で表わされる含弗素フェニ
ルマレイミドであることを特徴とする特許請求項1項記
載のエーテルイミド系組成物。
3. The general formula [II] is represented by the following formula [IV] [M is the same as above. ] The ether imide composition according to claim 1, which is a fluorine-containing phenylmaleimide represented by the following formula.
【請求項4】一般式〔II〕が、次式〔V〕 〔式中、R′,R″,R及びDは前記と同じである。ま
た、R8及びR9はH,CH3,CF3の中のいずれかであり、互い
に同じであっても異なっていてもよい。〕で表わされる
含弗素不飽和イミド系化合物であることを特徴とする特
許請求項第1項記載のエーテルイミド系組成物。
4. The general formula [II] is represented by the following formula [V] [In the formula, R ′, R ″, R and D are the same as above. Further, R 8 and R 9 are any of H, CH 3 and CF 3 , and are the same or different. The ether imide composition according to claim 1, which is a fluorine-containing unsaturated imide compound represented by the formula:
【請求項5】一般式〔II〕が、次式〔VI〕 〔式中、D,R8,R9及びmは前記と同じである。〕で表わ
される含弗素不飽和イミド系化合物であることを特徴と
する特許請求項第1項記載のエーテルイミド系組成物。
5. The general formula [II] is represented by the following formula [VI]: [In the formula, D, R 8 , R 9 and m are the same as above. ] The ether imide composition according to claim 1, which is a fluorine-containing unsaturated imide compound represented by the following formula.
【請求項6】特許請求項第1項記載のエーテルイミド系
組成物からなる半導体封止用成形材料。
6. A molding material for semiconductor encapsulation, comprising the etherimide composition according to claim 1.
【請求項7】特許請求項第1項記載のエーテルイミド系
組成物で、被覆および/または封止成形したことを特徴
とする半導体装置。
7. A semiconductor device characterized by being covered and / or encapsulated with the etherimide composition according to claim 1.
【請求項8】特許請求項第1項記載のエーテルイミド系
組成物を構成成分とする積層板用材料。
8. A laminated plate material comprising the etherimide composition according to claim 1 as a constituent component.
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