JPH081504B2 - １．３μｍ帯光増幅器 - Google Patents
１．３μｍ帯光増幅器Info
- Publication number
- JPH081504B2 JPH081504B2 JP2417039A JP41703990A JPH081504B2 JP H081504 B2 JPH081504 B2 JP H081504B2 JP 2417039 A JP2417039 A JP 2417039A JP 41703990 A JP41703990 A JP 41703990A JP H081504 B2 JPH081504 B2 JP H081504B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- doped
- wavelength
- optical amplifier
- band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバ型の1.３μｍ
帯光増幅器に関する。
帯光増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、1.３μｍ帯光通信分野への応用の
ため、希土類元素であるネオジミウム（Ｎｄ）を添加し
た光ファイバを用いて、ファイバ増幅器やファイバレー
ザ等の機能性ファイバの研究がなされている。例えば、
燐酸塩系の多成分ガラスにネオジミウムイオン（Ｎ
ｄ3+）を添加したガラスを準備し、このガラスから形成
した光ファイバの光増幅特性について評価した報告（ニ
ュウガラスフォーラム、１９９０年１月発表）等がなさ
れている。そして、この報告では、光ファイバの特性に
関して蛍光ピーク波長が1.３２３μｍ、ＥＳＡ(Excitin
g State Absorption) ピーク波長が1.３１０μｍ、増幅
ピーク波長が1.３６０μｍという結果が得られている。
また、文献「Electronics Letters,1990,Vol.26,pp 194
〜195 」には、波長1.３３μｍにおいて微小シグナルに
対して１０ｄＢの増幅利得が得られたことが報告されて
いる。
ため、希土類元素であるネオジミウム（Ｎｄ）を添加し
た光ファイバを用いて、ファイバ増幅器やファイバレー
ザ等の機能性ファイバの研究がなされている。例えば、
燐酸塩系の多成分ガラスにネオジミウムイオン（Ｎ
ｄ3+）を添加したガラスを準備し、このガラスから形成
した光ファイバの光増幅特性について評価した報告（ニ
ュウガラスフォーラム、１９９０年１月発表）等がなさ
れている。そして、この報告では、光ファイバの特性に
関して蛍光ピーク波長が1.３２３μｍ、ＥＳＡ(Excitin
g State Absorption) ピーク波長が1.３１０μｍ、増幅
ピーク波長が1.３６０μｍという結果が得られている。
また、文献「Electronics Letters,1990,Vol.26,pp 194
〜195 」には、波長1.３３μｍにおいて微小シグナルに
対して１０ｄＢの増幅利得が得られたことが報告されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した報告
によると、増幅利得が得られる波長範囲は図４に示す通
り、1.３１〜1.３６μｍであり、1.３１μｍよりも短い
波長域では負の利得となる。これは、ＥＳＡ遷移による
シグナルの吸収が生じることによると考えられる。
によると、増幅利得が得られる波長範囲は図４に示す通
り、1.３１〜1.３６μｍであり、1.３１μｍよりも短い
波長域では負の利得となる。これは、ＥＳＡ遷移による
シグナルの吸収が生じることによると考えられる。
【０００４】したがって、上記問題を解決するために
は、1.３μｍ帯に蛍光特性を有し、且つＥＳＡ遷移が生
じにくい他の希土類元素を添加した光ファイバを増幅媒
体として用いる必要がある。そして、本発明者らはかか
る希土類としてプラセオジウムが有望であるとの結論を
得た。しかしながら、プラセオジウムの吸収特性を検討
すると図５に示す通りである。すなわち、励起用レーザ
として1.０μｍ付近、0.６μｍ付近、あるいは0.５μｍ
付近の波長のものしか使用できず、また、これらは何れ
も現在未開発の波長領域である。
は、1.３μｍ帯に蛍光特性を有し、且つＥＳＡ遷移が生
じにくい他の希土類元素を添加した光ファイバを増幅媒
体として用いる必要がある。そして、本発明者らはかか
る希土類としてプラセオジウムが有望であるとの結論を
得た。しかしながら、プラセオジウムの吸収特性を検討
すると図５に示す通りである。すなわち、励起用レーザ
として1.０μｍ付近、0.６μｍ付近、あるいは0.５μｍ
付近の波長のものしか使用できず、また、これらは何れ
も現在未開発の波長領域である。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑み、1.３μｍ
帯の通信で用いられる全波長域で増幅できる1.３μｍ帯
光増幅器を提供することを目的とする。
帯の通信で用いられる全波長域で増幅できる1.３μｍ帯
光増幅器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明に係る1.３μｍ帯光増幅器は、少なくともコアに希土
類元素のプラセオジウムを添加した光ファイバを増幅用
媒体に用い且つ該光ファイバに波長1.３μｍ付近の信号
光と共に励起用光を入射させ、プラセオジウムの光励起
と信号光とによる誘導放出効果を利用して光直接増幅を
行なう光増幅器であって、励起光源がネオジミウムを添
加した光ファイバにより構成されることを特徴とする。
明に係る1.３μｍ帯光増幅器は、少なくともコアに希土
類元素のプラセオジウムを添加した光ファイバを増幅用
媒体に用い且つ該光ファイバに波長1.３μｍ付近の信号
光と共に励起用光を入射させ、プラセオジウムの光励起
と信号光とによる誘導放出効果を利用して光直接増幅を
行なう光増幅器であって、励起光源がネオジミウムを添
加した光ファイバにより構成されることを特徴とする。
【０００７】
【作用】励起光源として用いているネオジミウムを添加
した光ファイバは、例えば両端面に反射膜をコートした
ものであり、例えば0.８μｍ帯光を導入すると1.０５μ
ｍのレーザ発振光が得られるものであり、従来にはない
ものである。この1.０５μｍの光は、プラセオジウムの
１μｍ帯の吸収波長域と一致しており、少なくともコア
にプラセオジウムを添加した光ファイバの励起光源とし
て用いることができる。したがって、プラセオジウムを
添加した光ファイバに1.３μｍ付近の信号光と共に上述
したレーザ発振光を励起光として導入すると、誘電放出
効果により信号光が励起される。すなわち、上述した光
ファイバを励起光源として用いることにより、プラセオ
ジウムを添加した光ファイバが、0.８μｍの半導体レー
ザで励起されたことになる。
した光ファイバは、例えば両端面に反射膜をコートした
ものであり、例えば0.８μｍ帯光を導入すると1.０５μ
ｍのレーザ発振光が得られるものであり、従来にはない
ものである。この1.０５μｍの光は、プラセオジウムの
１μｍ帯の吸収波長域と一致しており、少なくともコア
にプラセオジウムを添加した光ファイバの励起光源とし
て用いることができる。したがって、プラセオジウムを
添加した光ファイバに1.３μｍ付近の信号光と共に上述
したレーザ発振光を励起光として導入すると、誘電放出
効果により信号光が励起される。すなわち、上述した光
ファイバを励起光源として用いることにより、プラセオ
ジウムを添加した光ファイバが、0.８μｍの半導体レー
ザで励起されたことになる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【０００９】図１には一実施例に係る1.３μｍ帯光増幅
器の構成を概念的に示してある。図中、１はネオジミウ
ム（Ｎｄ）添加光ファイバであり、該Ｎｄ添加光ファイ
バ１の両端にはミラー２Ａ，２Ｂが光軸と直交するよう
に突き合せてある。そして、ミラー２Ａ，２Ｂの反対側
には、0.８μｍ帯の半導体レーザ３及びダイクロイック
ミラー４がそれぞれレンズ５Ａ，５Ｂを介してＮｄ添加
光ファイバ１に光学的に結合するように配されている。
器の構成を概念的に示してある。図中、１はネオジミウ
ム（Ｎｄ）添加光ファイバであり、該Ｎｄ添加光ファイ
バ１の両端にはミラー２Ａ，２Ｂが光軸と直交するよう
に突き合せてある。そして、ミラー２Ａ，２Ｂの反対側
には、0.８μｍ帯の半導体レーザ３及びダイクロイック
ミラー４がそれぞれレンズ５Ａ，５Ｂを介してＮｄ添加
光ファイバ１に光学的に結合するように配されている。
【００１０】一方、図１中６は、プラセオジウム（Ｐ
ｒ）添加ファイバであり、レンズ５Ｃを介してダイクロ
イックミラー４のＮｄ添加光ファイバ１とは反対側に光
学的に結合されるように配されている。また、ダイクロ
イックミラー４のＮｄ添加光ファイバ１とは反対側でＰ
ｒ添加光ファイバ６に対する反対側には、レンズ５Ｄを
介して信号光源７が光学的に結合されている。
ｒ）添加ファイバであり、レンズ５Ｃを介してダイクロ
イックミラー４のＮｄ添加光ファイバ１とは反対側に光
学的に結合されるように配されている。また、ダイクロ
イックミラー４のＮｄ添加光ファイバ１とは反対側でＰ
ｒ添加光ファイバ６に対する反対側には、レンズ５Ｄを
介して信号光源７が光学的に結合されている。
【００１１】ここで、半導体レーザ３側のミラー２Ａ
は、波長1.０６μｍでの反射率が１００％、波長0.８μ
ｍでの透過率が１００％となっており、一方、反対側の
ミラー２Ｂは、波長1.０６μｍでの反射率が９０％、波
長0.８μｍでの透過率が１００％となっている。したが
って、かかる構成では、0.８μｍ帯の半導体レーザ３か
らの出力光はレンズ５Ａで集光された後ミラー２Ａを透
過してＮｄ添加光ファイバ１に入射し、これにより、Ｎ
ｄ添加光ファイバ１は波長1.０６μｍでレーザ発振す
る。本実施例では、Ｎｄ添加光ファイバ１の長さを１
ｍ、ネオジミウムの添加量を２０００ppm とした。ま
た、半導体レーザ３の出力は、0.８０５μｍで最大１０
０ｍＷである。このとき、Ｎｄ添加光ファイバ１への入
力パワーは５５ｍＷであり、1.０６μｍの出力パワー
は、３５ｍＷであった。
は、波長1.０６μｍでの反射率が１００％、波長0.８μ
ｍでの透過率が１００％となっており、一方、反対側の
ミラー２Ｂは、波長1.０６μｍでの反射率が９０％、波
長0.８μｍでの透過率が１００％となっている。したが
って、かかる構成では、0.８μｍ帯の半導体レーザ３か
らの出力光はレンズ５Ａで集光された後ミラー２Ａを透
過してＮｄ添加光ファイバ１に入射し、これにより、Ｎ
ｄ添加光ファイバ１は波長1.０６μｍでレーザ発振す
る。本実施例では、Ｎｄ添加光ファイバ１の長さを１
ｍ、ネオジミウムの添加量を２０００ppm とした。ま
た、半導体レーザ３の出力は、0.８０５μｍで最大１０
０ｍＷである。このとき、Ｎｄ添加光ファイバ１への入
力パワーは５５ｍＷであり、1.０６μｍの出力パワー
は、３５ｍＷであった。
【００１２】このようにして得られた1.０６μｍの出力
は、レンズ５Ｂ、ダイクロイックミラー４及びレンズ５
Ｃを透過してＰｒ添加光ファイバ６に励起光として入射
するようになっている。かかる励起光と信号光源７から
の1.３μｍ付近の信号光とをダイクロイックミラー４で
合波してＰｒ添加光ファイバ６に入射すると、Ｐｒ添加
光ファイバ６中では、1.０６μｍの励起光によりプラセ
オジウムイオンが励起状態となる。そして、これに1.３
μｍの信号光のフォトンが作用すると、誘導放出により
下位レベルへの遷移が生じ、1.３μｍの信号光は増幅さ
れる。
は、レンズ５Ｂ、ダイクロイックミラー４及びレンズ５
Ｃを透過してＰｒ添加光ファイバ６に励起光として入射
するようになっている。かかる励起光と信号光源７から
の1.３μｍ付近の信号光とをダイクロイックミラー４で
合波してＰｒ添加光ファイバ６に入射すると、Ｐｒ添加
光ファイバ６中では、1.０６μｍの励起光によりプラセ
オジウムイオンが励起状態となる。そして、これに1.３
μｍの信号光のフォトンが作用すると、誘導放出により
下位レベルへの遷移が生じ、1.３μｍの信号光は増幅さ
れる。
【００１３】図２には他の実施例に係る1.３μｍ帯光増
幅器の構成を概念的に示してあり、図１と同様な作用を
示す部材には同一符号を付して重複する説明は省略す
る。本実施例では、Ｎｄ添加光ファイバ１の両端を光軸
に直交する面で研磨し、この両端面に直接、誘導体薄膜
を多層にコートして誘導体多層膜８Ａ，８Ｂを形成する
ことにより、上述した実施例のミラー２Ａ，２Ｂと同一
の作用を得ている。そして、Ｎｄ添加光ファイバ１の誘
導体多層膜８Ａ側には、レンズ５Ａを介して半導体レー
ザ３が結合されており、一方、反対側の誘導体多層膜８
Ｂ側には、コネクタ９を介してファイバカプラ１０が結
合されている。
幅器の構成を概念的に示してあり、図１と同様な作用を
示す部材には同一符号を付して重複する説明は省略す
る。本実施例では、Ｎｄ添加光ファイバ１の両端を光軸
に直交する面で研磨し、この両端面に直接、誘導体薄膜
を多層にコートして誘導体多層膜８Ａ，８Ｂを形成する
ことにより、上述した実施例のミラー２Ａ，２Ｂと同一
の作用を得ている。そして、Ｎｄ添加光ファイバ１の誘
導体多層膜８Ａ側には、レンズ５Ａを介して半導体レー
ザ３が結合されており、一方、反対側の誘導体多層膜８
Ｂ側には、コネクタ９を介してファイバカプラ１０が結
合されている。
【００１４】ここで、ファイバカプラ１０は上述したダ
イクロイックミラー４の代りに用いられているもので、
同様な波長依存性を有している。すなわち、このファイ
バカプラ１０は、1.０６μｍの励起波長の光は直進さ
せ、1.３μｍの信号光は反対ポートへ移行する特性を有
している。そして、ファイバカプラ１０のＮｄ添加光フ
ァイバ１と同じ入射側の他のポートには信号光源７が結
合され、また、Ｎｄ添加光ファイバ１が結合された入射
ポート側の出射ポートにはＰｒ添加光ファイバ６が結合
されている。これにより、Ｎｄ添加光ファイバ１からの
励起光と信号光源７の信号光とは、ファイバカプラ１０
により合波されてＰｒ添加光ファイバ６に導入され、上
記実施例と同様に1.３μｍの信号光が増幅される。
イクロイックミラー４の代りに用いられているもので、
同様な波長依存性を有している。すなわち、このファイ
バカプラ１０は、1.０６μｍの励起波長の光は直進さ
せ、1.３μｍの信号光は反対ポートへ移行する特性を有
している。そして、ファイバカプラ１０のＮｄ添加光フ
ァイバ１と同じ入射側の他のポートには信号光源７が結
合され、また、Ｎｄ添加光ファイバ１が結合された入射
ポート側の出射ポートにはＰｒ添加光ファイバ６が結合
されている。これにより、Ｎｄ添加光ファイバ１からの
励起光と信号光源７の信号光とは、ファイバカプラ１０
により合波されてＰｒ添加光ファイバ６に導入され、上
記実施例と同様に1.３μｍの信号光が増幅される。
【００１５】ここで、プラセオジウム（Ｐｒ）の特性に
ついて説明する。Ｐｒの吸収特性は図５に示した通りで
あり、図３にはエネルギー準位図を示す。1.３μｍの増
幅特性は、 1Ｇ4 から 3Ｈ5 の遷移により生じる。そし
て、 1Ｇ4 のエネルギーレベルは、波長1.０６μｍ帯の
フォトンエネルギーと等価であるので、この波長での励
起が可能となる。
ついて説明する。Ｐｒの吸収特性は図５に示した通りで
あり、図３にはエネルギー準位図を示す。1.３μｍの増
幅特性は、 1Ｇ4 から 3Ｈ5 の遷移により生じる。そし
て、 1Ｇ4 のエネルギーレベルは、波長1.０６μｍ帯の
フォトンエネルギーと等価であるので、この波長での励
起が可能となる。
【００１６】本発明の光増幅器の増幅特性は、増幅用フ
ァイバとしてＰｒ２０００ppm を添加したフッ化物光フ
ァイバ（コア径：６μｍ、クラッド径：１２５μｍ、比
屈折率差：0.５％）を用いたとき、励起パワー３５ｍＷ
にて最大利得４ｄＢであった。また、この利得が得られ
た範囲は1.２９μｍから1.３４μｍであり、Ｎｄ添加光
ファイバで見られたＥＳＡの影響は明らかに認められな
かった。
ァイバとしてＰｒ２０００ppm を添加したフッ化物光フ
ァイバ（コア径：６μｍ、クラッド径：１２５μｍ、比
屈折率差：0.５％）を用いたとき、励起パワー３５ｍＷ
にて最大利得４ｄＢであった。また、この利得が得られ
た範囲は1.２９μｍから1.３４μｍであり、Ｎｄ添加光
ファイバで見られたＥＳＡの影響は明らかに認められな
かった。
【００１７】なお、上記実施例に用いたＮｄ添加光ファ
イバ１およびＰｒ添加光ファイバ６において、ＮｄやＰ
ｒは少なくともコアに添加されていればよいが、該コア
の周囲のクラッド、つまり導波される光がしみ出す部分
にもＮｄやＰｒを添加すればさらに効果を向上すること
ができる。
イバ１およびＰｒ添加光ファイバ６において、ＮｄやＰ
ｒは少なくともコアに添加されていればよいが、該コア
の周囲のクラッド、つまり導波される光がしみ出す部分
にもＮｄやＰｒを添加すればさらに効果を向上すること
ができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光増
幅器は、増幅用媒体にプラセオジウム添加光ファイバを
用いると共に励起光源にネオジミウム添加光ファイバを
用いているので、波長範囲1.２９μｍ〜1.３４μｍにお
いて増幅が可能である。つまり、ネオジミウム添加光フ
ァイバで問題となるＥＳＡによる増幅波長域の制限が生
じず、1.３μｍ帯の通信で用いられる全波長域で増幅さ
れる。また、励起用光源にネオジミウム添加光ファイバ
レーザを用いるので、その励起は0.８μｍ帯半導体レー
ザで可能であり、この波長域の半導体レーザは低コスト
であるので、アンプの価格も低くなるという効果も奏す
る。
幅器は、増幅用媒体にプラセオジウム添加光ファイバを
用いると共に励起光源にネオジミウム添加光ファイバを
用いているので、波長範囲1.２９μｍ〜1.３４μｍにお
いて増幅が可能である。つまり、ネオジミウム添加光フ
ァイバで問題となるＥＳＡによる増幅波長域の制限が生
じず、1.３μｍ帯の通信で用いられる全波長域で増幅さ
れる。また、励起用光源にネオジミウム添加光ファイバ
レーザを用いるので、その励起は0.８μｍ帯半導体レー
ザで可能であり、この波長域の半導体レーザは低コスト
であるので、アンプの価格も低くなるという効果も奏す
る。
【図１】本発明の一実施例に係る1.３μｍ光増幅器の概
念図である。
念図である。
【図２】他の実施例に係る1.３μｍ光増幅器の概念図で
ある。
ある。
【図３】プラセオジウムのエネルギー準位図である。
【図４】ネオジミウム添加光ファイバの増幅利得の波長
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図５】プラセオジウム添加ファイバの吸収特性図であ
る。
る。
１ Ｎｄ添加光ファイバ ２Ａ，２Ｂ ミラー ３ 0.８μｍ帯半導体レーザ ４ ダイクロイックミラー ６ Ｐｒ添加光ファイバ ７ 信号光源 ８Ａ，８Ｂ 誘電体多層膜 １０ ファイバカプラ
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくともコアに希土類元素のプラセオ
ジウムを添加した光ファイバを増幅用媒体に用い且つ該
光ファイバに波長1.３μｍ付近の信号光と共に励起用光
を入射させ、プラセオジウムの光励起と信号光とによる
誘導放出効果を利用して光直接増幅を行なう光増幅器で
あって、励起光源がネオジミウムを添加した光ファイバ
により構成されることを特徴とする1.３μｍ帯光増幅
器。 - 【請求項２】 請求項１において、励起光源が、少なく
ともコアにネオジミウムを添加した光ファイバの両端に
波長依存性のある反射体を有すると共にその一端側に光
源が光学的に結合されており、一端側から入射された光
がレーザ発振されて他端側から出射する構成を有してい
ることを特徴とする1.３μｍ帯光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2417039A JPH081504B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | １．３μｍ帯光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2417039A JPH081504B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | １．３μｍ帯光増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04234021A JPH04234021A (ja) | 1992-08-21 |
| JPH081504B2 true JPH081504B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=18525195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2417039A Expired - Fee Related JPH081504B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | １．３μｍ帯光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081504B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2718845B2 (ja) * | 1991-09-12 | 1998-02-25 | 富士通株式会社 | １．３μｍ帯光ファイバ増幅器 |
| GB9402472D0 (en) * | 1994-02-09 | 1994-03-30 | Univ Brunel | Infrared transmitting optical fibre materials |
| WO1997007068A1 (en) * | 1995-08-15 | 1997-02-27 | British Technology Group Ltd. | Infrared transmitting optical fibre materials |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2417039A patent/JPH081504B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04234021A (ja) | 1992-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6370180B2 (en) | Semiconductor-solid state laser optical waveguide pump | |
| JP3292729B2 (ja) | 光ファイバ形光増幅装置 | |
| US5084880A (en) | Erbium-doped fluorozirconate fiber laser pumped by a diode laser source | |
| JP2005303166A (ja) | 光ファイバ端面構造、光ファイバレーザ及びレーザ加工装置 | |
| CN101420099A (zh) | 激光波长为1.7～2.1μm的锗酸盐玻璃光纤激光器 | |
| JPH06503921A (ja) | 光ファイバ増幅器およびレーザ | |
| JP3461358B2 (ja) | ドープされた活性光ファイバを有する光増幅器 | |
| JP3181663B2 (ja) | １．３μｍ帯光増幅器 | |
| JP2753539B2 (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| JP3228451B2 (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| JP3277494B2 (ja) | 増幅用光ファイバ及びこれを用いた１．３μｍ帯用光ファイバ増幅器 | |
| JPH081504B2 (ja) | １．３μｍ帯光増幅器 | |
| CN116544760B (zh) | 一种基于异质熔接界面反馈的中红外全光纤激光器 | |
| JP2937285B2 (ja) | 光増幅器 | |
| JP2744805B2 (ja) | 機能性光導波媒体 | |
| JP2005019540A (ja) | 光ファイバレーザ | |
| JP2857218B2 (ja) | ファイバレーザ媒質およびこれを用いた光増幅器 | |
| JP3029303B2 (ja) | マルチファイバ光増幅器およびそれを用いた多心光ファイバの接続構造 | |
| JP3317321B2 (ja) | 光ファイバ増幅器及びその使用方法 | |
| JP3635065B2 (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| JP3209226B2 (ja) | 光増幅器 | |
| JPH11317560A (ja) | 光増幅器およびレーザ発振器 | |
| JP2772348B2 (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| JP2675687B2 (ja) | 光増幅用媒体および光増幅器 | |
| JPH05152654A (ja) | 光フアイバ増幅器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960625 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |