JPH0815149B2 - Plasma reaction processor - Google Patents
Plasma reaction processorInfo
- Publication number
- JPH0815149B2 JPH0815149B2 JP61221595A JP22159586A JPH0815149B2 JP H0815149 B2 JPH0815149 B2 JP H0815149B2 JP 61221595 A JP61221595 A JP 61221595A JP 22159586 A JP22159586 A JP 22159586A JP H0815149 B2 JPH0815149 B2 JP H0815149B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- chamber
- wafer
- electrode
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体ウェハーのエッチング、ウェハー表面
に形成した有機膜の除去等に用いるプラズマ反応処理装
置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a plasma reaction processing apparatus used for etching a semiconductor wafer, removing an organic film formed on the wafer surface, and the like.
（従来の技術） 半導体素子の製造に当たり、被処理体であるウェハー
（半導体基板）の上に形成した有機膜（ホトレジスト）
の剥離あるいはウェハーをエッチングする工程は不可欠
な工程である。斯る工程は通常化学製品を使用して湿式
に行うやり方とプラズマを使用して乾式に行うやり方の
２種類がある。ところで、現在ではその作業の仕方、安
全性等の点から後者のやり方が主流を占めている。この
プラズマを使用した乾式のやり方は、作用ガスを高周波
放電などにより励起し、これにより発生したプラズマに
ウェハーを曝し、プラズマ中のラジカルとの化学反応に
よりウェハーの所要部をガス状反応物質にして処理する
ようにしたものであるが、このような処理をする装置と
して、チャンバー内に平板状の上部電極と下部電極とを
平行に近接して配置した装置（特開昭52−113164号）及
びチャンバーの上部に高周波電源に接続される電極とア
ースされた電極とを対向配置した装置（特公昭54−3274
0号）がある。そして、前者の装置にあっては上下の電
極間がプラズマ発生部となり、このプラズマ発生部にお
いてウェハーを処理し、後者の装置にあっては一対の電
極によって囲まれたチャンバ上部がプラズマ発生部とな
り、チャンバー下部はプラズマ発生部からのラジカルに
よってウェハーを処理する反応処理部となっている。(Prior Art) An organic film (photoresist) formed on a wafer (semiconductor substrate) that is an object to be processed in manufacturing a semiconductor element
The process of peeling off or etching the wafer is an indispensable process. There are two types of such processes, a wet process using a chemical product and a dry process using plasma. By the way, at present, the latter method is predominant in terms of work method and safety. In the dry method using this plasma, the working gas is excited by high-frequency discharge or the like, the wafer is exposed to the plasma generated by this, and the required parts of the wafer are made into gaseous reactants by the chemical reaction with the radicals in the plasma. As a device for such treatment, a device in which a flat plate-shaped upper electrode and a lower electrode are arranged in parallel and close to each other in a chamber (Japanese Patent Laid-Open No. 52-113164) and A device in which an electrode connected to a high frequency power source and a grounded electrode are placed opposite to each other in the upper part of the chamber (Japanese Patent Publication No. 54-3274).
No. 0) In the former device, the space between the upper and lower electrodes serves as a plasma generation unit, and the wafer is processed in this plasma generation unit, and in the latter device, the upper chamber surrounded by the pair of electrodes serves as the plasma generation unit. The lower part of the chamber is a reaction processing part that processes the wafer by radicals from the plasma generating part.
（発明が解決しようとする問題点） 上述した装置のうち、ウェハーをプラズマ発生部内に
載置して処理するものにあっては、プラズマ中に存在す
るイオンや荷電粒子によってウェハーがダメージを受け
る。(Problems to be Solved by the Invention) Among the above-mentioned apparatuses, in the apparatus in which the wafer is placed in the plasma generation unit for processing, the wafer is damaged by the ions and charged particles existing in the plasma.
また、チャンバー内をプラズマ発生部と反応処理部と
に分離した装置にあっては、ウェハー表面に到達するラ
ジカルの量が少なく、例えばハイカレント、ハイドーズ
等のイオン注入の際にマスキングとして用いた有機膜を
除去できない。Further, in an apparatus in which the inside of the chamber is separated into a plasma generating section and a reaction processing section, the amount of radicals reaching the wafer surface is small, and, for example, an organic material used as masking during ion implantation such as high current or high dose. The film cannot be removed.
またいずれの装置においても、ウェハー載置台の温度
を制御する手段を有しない場合は、ウェハーの反応処理
温度が100℃〜200℃の範囲を超え、不良品を生じること
がある。In addition, in any of the apparatuses, if there is no means for controlling the temperature of the wafer mounting table, the reaction processing temperature of the wafer may exceed the range of 100 ° C. to 200 ° C., resulting in defective products.
（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決すべく本発明は、チャンバーの上部
に屈曲部を設け、この屈曲部の外周に高周波が印加され
る筒状上部電極を配設してチャンバー内上部をプラズマ
の主発生領域とし、前記上部電極と離間したチャンバー
底部にアースされた下部電極と排気口を設け、この排気
口によって前記プラズマの主発生領域によって発生した
プラズマを下方に吸引することでチャンバー下部を被処
理体の反応処理領域とした。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a bent portion on the upper part of the chamber, and arranges a cylindrical upper electrode to which a high frequency is applied on the outer circumference of the bent portion. The upper part of the chamber is used as a main plasma generation region, a grounded lower electrode and an exhaust port are provided at the bottom of the chamber separated from the upper electrode, and the plasma generated by the main plasma generation region is sucked downward by the exhaust port. As a result, the lower part of the chamber was used as a reaction processing region of the object to be processed.
（作用） 被処理体はプラズマが主に発生する領域から外れた位
置において処理されるため、イオン或いは荷電粒子によ
るダメージが少なく、また反応処理領域は上部電極と下
部電極との間の空間であるため反応に関与するラジカル
は被処理体に十分に到達する。(Function) Since the object to be processed is processed at a position outside the area where plasma is mainly generated, damage by ions or charged particles is small, and the reaction processing area is a space between the upper electrode and the lower electrode. Therefore, the radicals involved in the reaction reach the object to be treated sufficiently.
この際、チャンバーの上部に屈曲部を設け、この屈曲
部の外周にプラズマを発生させ上部電極を設けことで、
プラズマの主発生領域を反応処理領域から容易に分離さ
せることができ、しかもチャンバーの形状が一方向に長
くならないためスペース的にも有利である。At this time, a bent portion is provided on the upper part of the chamber, plasma is generated around the bent portion, and an upper electrode is provided,
The main plasma generation region can be easily separated from the reaction treatment region, and the shape of the chamber does not become long in one direction, which is advantageous in terms of space.
（実施例） 以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明す
る。(Example) Below, the Example of this invention is described based on an accompanying drawing.
第１図は本発明に係るプラズマ反応処理装置を適用し
た処理装置の全体縦断面図、第２図は同処理装置の平断
面図であり、ボックス状をなす装置（１）の上面には本
発明に係るプラズマ反応処理装置（２）が配設されてい
る。このプラズマ反応処理装置（２）はベルジャー型
（釣鐘型）チャンバー（３）の上部を屈曲部（４）と
し、この屈曲部（４）の周囲には、高周波発振器（５）
につながり導電体から成る筒状上部電極（６）が巻回さ
れ、屈曲部（４）内をプラズマの主発生領域（７）とし
ている。FIG. 1 is an overall vertical cross-sectional view of a processing apparatus to which a plasma reaction processing apparatus according to the present invention is applied, and FIG. 2 is a plan sectional view of the processing apparatus, in which a box-shaped apparatus (1) has a book on the upper surface. A plasma reaction processing device (2) according to the invention is provided. In this plasma reaction processing device (2), a bell jar (bell-shaped) chamber (3) has an upper part as a bent part (4), and a high frequency oscillator (5) is provided around the bent part (4).
A cylindrical upper electrode (6) made of a conductive material is wound around, and the inside of the bent portion (4) serves as a main plasma generation region (7).
一方、装置本体（１）内の支持板（８）上には、上下
方向のシリンダユニット（９）、（10）が固着され、シ
リンダユニット（９）のロッド上端にはアースされた下
部電極（11）が取りつけられ、また下部電極（11）の中
央を貫通するシリンダユニット（10）の上端にはサブテ
ーブル（12）が取付けられ、これら下部電極（11）及び
サブテーブル（12）内には冷却水通路（11a）、（12a）
が穿設されている。而して、シリンダユニット（９）、
（10）を作動することで下部電極（11）及びサブテーブ
ル（12）は独立して昇降動をなし、下部電極（11）が下
降した場合には本体（１）内に配設した搬送ベルト（1
3）よりも下方に位置し、上昇した本体（１）に形成し
た開口（14）を閉じ、チャンバー（３）底部を気密に閉
塞する。そして下部電極（11）によって開口（14）を閉
じた状態でチャンバー（３）下部に前記プラズマの主発
生領域からのプラズマ（ラジカル）が流れ込む反応処理
領域（15）が形成される。On the other hand, vertical cylinder units (9) and (10) are fixed on the support plate (8) in the apparatus body (1), and the lower electrode (grounded) is connected to the upper end of the rod of the cylinder unit (9). 11) is attached, and a sub-table (12) is attached to the upper end of the cylinder unit (10) penetrating the center of the lower electrode (11). Inside the lower electrode (11) and sub-table (12) Cooling water passages (11a), (12a)
Has been drilled. Then, the cylinder unit (9),
The lower electrode (11) and the sub-table (12) move up and down independently by operating the (10), and when the lower electrode (11) descends, the conveyor belt arranged in the main body (1). (1
The opening (14) formed in the main body (1), which is located below 3) and is raised, is closed to hermetically close the bottom of the chamber (3). Then, a reaction treatment region (15) into which plasma (radicals) from the plasma main generation region flows is formed in the lower portion of the chamber (3) with the lower electrode (11) closing the opening (14).
また、本体（１）の両側には昇降部材（16）、（17）
を配置している。これら昇降部材（16）、（17）は４本
の支柱からなり、これら支柱間に複数のウェハー（Ｗ）
を保持したカセット（18）、（19）を取りつけ可能とし
ている。カセット（18）、（19）は一体の板体の対向面
にスリットを形成し、このスリットにウェハー（Ｗ）の
エッジを挿入することで、複数のウェハー（Ｗ）を上下
方向に離間して保持するようにしている。In addition, lifting members (16), (17) are provided on both sides of the main body (1).
Has been arranged. These lifting members (16) and (17) are composed of four columns, and a plurality of wafers (W) are placed between these columns.
The cassettes (18) and (19) holding the can be installed. The cassettes (18) and (19) are formed with slits on the opposing surfaces of the integrated plate body, and the edges of the wafer (W) are inserted into the slits to separate the plurality of wafers (W) in the vertical direction. I try to hold it.
さらに、装置本体（１）の両側で前記搬送ベルト（1
3）と同一高さ位置には搬送ベルト（20）、（21）を配
置し、カセット（18）内のウェハー（Ｗ）を開口（22）
を介して搬送ベルト（13）上に、また、搬送ベルト（1
3）上のウェハー（Ｗ）を開口（23）を介してカセット
（19）内に受け渡すようにしている。Further, the conveyor belt (1
Conveyor belts (20) and (21) are placed at the same height as 3) and the wafer (W) in the cassette (18) is opened (22).
On the conveyor belt (13) and also through the conveyor belt (1
3) The upper wafer (W) is transferred into the cassette (19) through the opening (23).
以上のごとき構成からなるプラズマ反応処理装置を用
いて、ウェハー（Ｗ）表面に形成された有機膜等をアッ
シング除去する工程について以下に述べる。A process of ashing and removing the organic film and the like formed on the surface of the wafer (W) using the plasma reaction processing apparatus having the above-described configuration will be described below.
まず、第３図に示すように昇降部材（16）を下降さ
せ、下部電極（11）を搬送ベルト（13）よりも下方に位
置させた状態で、カセット（18）内の最下段のウェハー
（Ｗ）を搬送ベルト（20）によって搬送ベルト（13）上
に受け渡し、搬送ベルト（13）の駆動で、ウェハー
（Ｗ）をサブテーブル（12）上まで搬送する。ついでシ
リンダユニット（10）を作動させてサブテーブル（12）
を上昇せしめ、搬送ベルト（13）上のウェハー（Ｗ）を
受け取り、続いて下部電極（11）が昇降動できる程度に
搬送ベルト（13）を相互に離反して開き、シリンダユニ
ット（９）を作動させて下部電極（11）を上昇せしめ、
開口（14）に嵌合気密とし、チャンバー（３）内の反応
処理領域（15）内に下部電極（11）を臨ませる。First, as shown in FIG. 3, the elevating member (16) is lowered and the lower electrode (11) is positioned below the conveyor belt (13), and the lowermost wafer () in the cassette (18) ( W) is transferred onto the transfer belt (13) by the transfer belt (20), and the wafer (W) is transferred onto the sub table (12) by driving the transfer belt (13). Then, activate the cylinder unit (10) to move the sub table (12).
To receive the wafer (W) on the transfer belt (13), and then open the transfer belt (13) away from each other so that the lower electrode (11) can move up and down, and open the cylinder unit (9). Operate to raise the lower electrode (11),
The lower electrode (11) is made to face the inside of the reaction treatment region (15) in the chamber (3) by fitting into the opening (14) and making it airtight.
この後、プラズマの主発生領域（７）内にC2F6を５容
量％、O2を残部とした混合ガスをガス導入口（24）から
導入するとともに、図示しない真空ポンプにつながる排
気口（25）より減圧にして、チャンバー（３）内を1Tor
rとし250Wの高周波を上部電極（６）に印加して導入し
たガスをプラズマ化し、排気口（25）に向かってダウン
フロウする。すると、ウェハー（Ｗ）表面に形成された
有機膜は活性化した反応ガス（混合ガス）との反応によ
り科学的に除去される。After that, a mixed gas containing 5% by volume of C 2 F 6 and the balance of O 2 is introduced into the main plasma generation region (7) through the gas introduction port (24) and an exhaust port connected to a vacuum pump (not shown). Reduce the pressure from (25) to 1 Torr in chamber (3).
A high frequency of 250 W is applied to the upper electrode (6) as r to turn the introduced gas into plasma and downflow toward the exhaust port (25). Then, the organic film formed on the surface of the wafer (W) is chemically removed by the reaction with the activated reaction gas (mixed gas).
しかるのち、前記と逆の駆動で下部電極（11）を搬送
ベルド（13）よりも下方に位置せしめてからサグテーブ
ル（12）を下降させ、有機膜を除去したウェハー（Ｗ）
を搬送ベルト（13）上に移し、搬送ベルト（13）の駆動
でウェハー（Ｗ）を搬送ベルト（21）上に受け渡し、搬
送ベルト（21）の駆動でウェハー（Ｗ）をカセット（1
9）内に収納する。そしてこの工程を繰り返すことによ
り、一方のカセット（18）内のウェハー（Ｗ）を全て処
理し、他方のカセット（19）内に収納する。Then, the lower electrode (11) is positioned lower than the transport belt (13) by driving in the opposite manner to the above, and then the sag table (12) is lowered to remove the organic film on the wafer (W).
Are transferred onto the transfer belt (13), the wafer (W) is transferred onto the transfer belt (21) by driving the transfer belt (13), and the wafer (W) is transferred onto the cassette (1) by driving the transfer belt (21).
9) Store inside. Then, by repeating this process, all the wafers (W) in one cassette (18) are processed and accommodated in the other cassette (19).
（発明の効果） 以上に説明した如く本発明によれば、チャンバー上部
に屈曲部を設け、この屈曲部の外周に上部電極を設ける
とともに、上部電極と離間したチャンバー底部に下部電
極を配置したので、チャンバー内上部をプラズマの主発
生領域とすることができ、したがって従来装置のうち、
上下の電極を平板状とし、これら電極を近接して平行に
配設したものに比べ、被処理体がイオンや荷電粒子によ
って損傷することがなく、またプラズマの主発生領域に
て発生したプラズマは下方の反応処理領域にそのまま吸
引されるため、従来装置のうち、チャンバー上部に一対
の電極を設け、プラズマの発生部と反応処理部とを明確
に分離したものに比べ、反応速度が速く且つ変質した有
機膜の除去も可能となる。しかも、チャンバー上部の屈
曲部によって装置のコンパクト化も可能である。(Effects of the Invention) According to the present invention as described above, the bent portion is provided on the upper portion of the chamber, the upper electrode is provided on the outer periphery of the bent portion, and the lower electrode is placed on the bottom portion of the chamber separated from the upper electrode. , The upper part of the chamber can be the main plasma generation area, and
Compared to the case where the upper and lower electrodes are flat and the electrodes are arranged close to each other in parallel, the object to be processed is not damaged by ions and charged particles, and the plasma generated in the main plasma generation region is Since it is sucked into the lower reaction processing area as it is, the reaction speed is faster and the quality is higher than that of the conventional apparatus in which a pair of electrodes is provided on the upper part of the chamber and the plasma generation part and the reaction processing part are clearly separated. The removed organic film can also be removed. In addition, the bent portion in the upper part of the chamber can make the device compact.
第１図は本発明に係るプラズマ反応処理装置の縦断面
図、第２図は同装置の平断面図、第３図は同装置の作用
を説明した第１図と同様の縦断面図である。 なお、図面中（１）は装置本体、（２）はプラズマ処理
装置、（３）はチャンバー、（６）は上部電極、（７）
はプラズマの主発生領域、（11）は下部電極、（９）、
（10）はシリンダユニット、（13）、（20）、（21）は
搬送ベルト、（15）は反応処理領域、（25）は排気口、
（Ｗ）はウェハーである。1 is a vertical sectional view of a plasma reaction processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a horizontal sectional view of the apparatus, and FIG. 3 is a vertical sectional view similar to FIG. 1 for explaining the operation of the apparatus. . In the drawings, (1) is an apparatus main body, (2) is a plasma processing apparatus, (3) is a chamber, (6) is an upper electrode, and (7).
Is the main plasma generation region, (11) is the lower electrode, (9),
(10) is a cylinder unit, (13), (20), (21) is a conveyor belt, (15) is a reaction processing area, (25) is an exhaust port,
(W) is a wafer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−4571（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−65420（ＪＰ，Ａ) 特公 昭57−27183（ＪＰ，Ｂ２) 菅野卓雄編著「半導体プラズマプロセス 技術」（昭和55−７−10）産業図書Ｐ. 198−199 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-54-4571 (JP, A) JP-A-61-65420 (JP, A) JP-B-57-27183 (JP, B2) Edited by Takuo Sugano "Semiconductor Plasma Process Technology "(Showa 55-7-10) Industrial Books P. 198-199
Claims (2)
設け、この屈曲部の外周に高周波が印加される筒状上部
電極を配設してチャンバー内上部をプラズマの主発生領
域とし、また前記上部電極と離間したチャンバー底部に
アースされた下部電極と排気口を設け、この排気口によ
って前記プラズマの主発生領域で発生したプラズマを下
方に吸引することでチャンバー下部を被処理体の反応処
理領域としたことを特徴とするプラズマ反応処理装置。1. A bell jar type chamber is provided with a bent portion on the upper side thereof, and a cylindrical upper electrode to which a high frequency is applied is arranged on the outer circumference of the bent portion so that the upper portion of the chamber serves as a main plasma generation region. A grounded lower electrode and an exhaust port are provided on the bottom of the chamber separated from the electrode, and the exhaust port sucks down the plasma generated in the main generation region of the plasma to make the lower part of the chamber a reaction treatment region of the object to be treated. A plasma reaction processing apparatus characterized by the above.
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
プラズマ反応処理装置。2. The plasma reaction processing apparatus according to claim 1, wherein a passage for a cooling medium is formed in the lower electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221595A JPH0815149B2 (en) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | Plasma reaction processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221595A JPH0815149B2 (en) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | Plasma reaction processor |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7188748A Division JP2920874B2 (en) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | Plasma reaction processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63260031A JPS63260031A (en) | 1988-10-27 |
| JPH0815149B2 true JPH0815149B2 (en) | 1996-02-14 |
Family
ID=16769218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221595A Expired - Lifetime JPH0815149B2 (en) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | Plasma reaction processor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815149B2 (en) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544571A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Nec Corp | Plasma treating apparatus |
| JPS56131931A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-15 | Hitachi Ltd | Controlling device of wafer temperature |
| JPS6033555B2 (en) * | 1980-07-24 | 1985-08-03 | 井関農機株式会社 | Rough selection device |
| JPS5961930A (en) * | 1982-10-01 | 1984-04-09 | Hitachi Ltd | Wafer processing apparatus |
| JPS6165420A (en) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Anelva Corp | High-frequency discharge device and discharge reaction device utilizing it |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61221595A patent/JPH0815149B2/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 菅野卓雄編著「半導体プラズマプロセス技術」（昭和５５−７−１０）産業図書Ｐ．１９８−１９９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63260031A (en) | 1988-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100238629B1 (en) | Mounting table with electrostatic chuck and plasma processing apparatus using the same | |
| KR102116474B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JPH03183128A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method for removal of deposit | |
| JP2001093884A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JPH09120988A (en) | Plasma processing method | |
| JP2004288704A (en) | Plasma processing equipment | |
| JP3208008B2 (en) | Processing equipment | |
| TW200929352A (en) | Vacuum processing apparatus | |
| JPH088234A (en) | Plasma treatment device | |
| JPH05175162A (en) | Dry etching equipment | |
| EP0909837A2 (en) | Chemical vapor deposition apparatus and cleaning method thereof | |
| JPH0815149B2 (en) | Plasma reaction processor | |
| KR20050119789A (en) | Plasma etcher | |
| KR100439940B1 (en) | Etching process module for edge of wafer | |
| JP3118497B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP3884561B2 (en) | Plasma cleaning device | |
| KR102265339B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JPH05243190A (en) | Plasma device | |
| JPH09129611A (en) | Etching method | |
| JPWO2005055298A1 (en) | Plasma processing apparatus and multi-chamber system | |
| TW202320591A (en) | Upper electrode unit and substrate processing apparatus including same | |
| JP3525039B2 (en) | Decompression processing equipment | |
| KR20230032622A (en) | Apparatus for treating substrate and method for aligning dielectric plate using the same | |
| JPH11144891A (en) | Plasma processing equipment | |
| KR100323598B1 (en) | Plasma etching method |