JPH0815393B2 - AC switching circuit - Google Patents
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- JPH0815393B2 JPH0815393B2 JP60043781A JP4378185A JPH0815393B2 JP H0815393 B2 JPH0815393 B2 JP H0815393B2 JP 60043781 A JP60043781 A JP 60043781A JP 4378185 A JP4378185 A JP 4378185A JP H0815393 B2 JPH0815393 B2 JP H0815393B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、負荷に供給する交流を、交流電源よりも高
速でスイッチングしてその通流率を変化させる交流スイ
ッチング回路に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an alternating current switching circuit that switches alternating current supplied to a load at a speed higher than that of an alternating current power supply to change its conduction ratio.
(発明の背景) 負荷と、主スイッチング回路と、交流電源とを直列接
続して主回路を形成する一方、前記負荷にフライホイー
ル用スイッチング回路を並列接続し、これら主スイッチ
ング回路およびフライホイール用スイッチング回路を前
記交流電源より高い周波数で交互にスイッチングするよ
うにした交流スイッチング回路が考えられている。(Background of the Invention) A load, a main switching circuit, and an AC power supply are connected in series to form a main circuit, while a flywheel switching circuit is connected in parallel to the load, and these main switching circuit and flywheel switching are performed. An AC switching circuit has been considered in which the circuit is alternately switched at a frequency higher than that of the AC power supply.
第8図は従来のこの種の回路を示す図であり、同図
(A)の回路では、負荷1と主スイッチング回路2と交
流電源3とで閉じた主回路が形成される一方、負荷1に
はフライホイール用スイッチング回路4が並列に接続さ
れている。ここに主スイッチング回路2およびフライホ
イール用スイッチング回路4はダイオードDとトランジ
スタTRからなるブリッジで形成されている。また同図
(B)の回路では、主スイッチング回路2Aおよびフライ
ホイール用回路4Aが、ダイオードDとトランジスタTRの
直列回路を逆並列接続して形成されている。FIG. 8 is a diagram showing a conventional circuit of this type. In the circuit of FIG. 8A, a closed main circuit is formed by a load 1, a main switching circuit 2 and an AC power supply 3, while a load 1 is formed. A flywheel switching circuit 4 is connected in parallel with the. Here, the main switching circuit 2 and the flywheel switching circuit 4 are formed by a bridge composed of a diode D and a transistor TR. Further, in the circuit of FIG. 3B, the main switching circuit 2A and the flywheel circuit 4A are formed by connecting a series circuit of a diode D and a transistor TR in antiparallel.
このような従来のスイッチング回路2,2A,4,4Aの場
合、主スイッチング回路2,2Aとフライホイール用スイッ
チング回路に用いられているトランジスタTRの電位が異
なるため、すなわちトランジスタTRを制御する電圧の基
準電位が異なるため、これらの各トランジスタTRを制御
するための制御回路が複雑になるという問題があった。In the case of such a conventional switching circuit 2,2A, 4,4A, since the potentials of the transistor TR used in the main switching circuit 2,2A and the flywheel switching circuit are different, that is, the voltage for controlling the transistor TR Since the reference potentials are different, there is a problem that the control circuit for controlling each of these transistors TR becomes complicated.
(発明の目的) 本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、
主スイッチング回路およびフライホイール用スイッチン
グ回路の制御回路を非常に簡単に構成できるようにした
交流スイッチング回路を提供することを目的とする。(Object of the Invention) The present invention has been made in view of such circumstances,
An object of the present invention is to provide an AC switching circuit in which a control circuit for a main switching circuit and a switching circuit for a flywheel can be constructed very easily.
(発明の構成) 本発明によればこの目的は、負荷と、主スイッチング
回路と、交流電源とを直列接続して主回路を形成する一
方、前記負荷にフライホイール用スイッチング回路を並
列接続し、前記主スイッチング回路およびフライホイー
ル用スイッチング回路を前記交流電源より高い周波数で
交互にスイッチングするようにした交流スイッチング回
路において、前記主スイッチング回路およびフライホイ
ール用スイッチング回路は半導体スイッチング素子の一
端を外部基準電位側端子とする交流3端子高速スイッチ
ング回路で形成され、各交流3端子高速スイッチング回
路の基準電位側端子が互いに接続され、前記交流電源よ
りも高い周波数の制御信号とその反転信号とが前記各交
流3端子高速スイッチング回路の外部制御端子にそれぞ
れ接続されていることを特徴とする交流スイッチング回
路、により達成される。(Structure of the Invention) According to the present invention, the object is to connect a load, a main switching circuit, and an AC power supply in series to form a main circuit, while connecting a flywheel switching circuit in parallel to the load, In the AC switching circuit, wherein the main switching circuit and the flywheel switching circuit are alternately switched at a frequency higher than the AC power supply, the main switching circuit and the flywheel switching circuit have one end of a semiconductor switching element as an external reference potential. It is formed by an AC 3-terminal high-speed switching circuit serving as a side terminal, the reference potential side terminals of each AC 3-terminal high-speed switching circuit are connected to each other, and a control signal having a frequency higher than that of the AC power supply and its inverted signal are supplied to each AC. Connect to each external control terminal of 3-terminal high-speed switching circuit AC switching circuit characterized by being continued.
ここに交流3端子高速スイッチング回路は、入力端が
互いに接続された2組の逆導通半導体スイッチング素子
と、一方の前記逆導通半導体スイッチング素子の出力端
を基準電位として外部制御端子から入力される制御信号
により前記2組の逆導通半導体スイッチング素子を共に
オンにする制御部とを備え、前記2組の逆導通半導体ス
イッチング素子の各出力端を前記主回路に接続すること
により構成することができる。Here, the AC three-terminal high-speed switching circuit has two sets of reverse conducting semiconductor switching elements whose input terminals are connected to each other, and a control input from an external control terminal using the output terminal of one of the reverse conducting semiconductor switching elements as a reference potential. A control unit for turning on both of the two sets of reverse conducting semiconductor switching elements by a signal, and connecting the respective output terminals of the two sets of reverse conducting semiconductor switching elements to the main circuit.
また交流3端子高速スイッチング回路は、主回路に接
続されて交流電圧が印加される2つの端子間に逆並列接
続されそれぞれがダイオードおよび逆阻止トランジスタ
からなる2組の直列回路と、前記外部入出力端子の一方
を基準電位として外部制御端子から入力される制御信号
に基いて2つの前記逆阻止トランジスタを共にオンまた
はオフにする制御部とを備えることによって構成でき
る。The AC three-terminal high-speed switching circuit is connected to the main circuit and is connected in anti-parallel between two terminals to which an AC voltage is applied, and includes two sets of series circuits each including a diode and a reverse blocking transistor, and the external input / output. It can be configured by including a control unit that turns on or off both of the two reverse blocking transistors based on a control signal input from an external control terminal with one of the terminals as a reference potential.
さらに交流3端子高速スイチング回路は、主回路に接
続されて交流電圧が印加される2つの外部入出力端子間
に直列接続されたダイオードおよび逆阻止トランジスタ
と、この逆阻止トランジスタのベースと一方の端子との
間に介在する制御用トランジスタとを備え、前記逆阻止
トランジスタのベースを他方の基準電位となる端子に接
続することによっても構成できる。Further, the AC three-terminal high-speed switching circuit includes a diode and a reverse blocking transistor connected in series between two external input / output terminals connected to the main circuit and to which an AC voltage is applied, a base of the reverse blocking transistor, and one terminal. And a control transistor interposed between and, and the base of the reverse blocking transistor is connected to the other terminal of the reference potential.
(実施例) 第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。この
図で主スイッチング回路Aおよびフライホイール用スイ
ッチング回路Bは交流3端子高速スイッチング回路で構
成され、その基準電位側の端子bが互いに接続されてい
る。Cは制御回路であり、基準電位側の外部入出力端子
bの電位を基準として所定電位の制御信号を主スイッチ
ング回路Aの外部制御端子cに送出する一方、この制御
信号はNOT回路Dによって逆論理信号に変換されてフラ
イホイール用スイッチング回路Bの外部制御端子cに入
力される。この結果制御回路Cは外部入出力端子cを基
準とし、交流電源3よりも高い周波数でオン・オフ変化
する制御信号を出力するだけで、2つのスイッチング回
路A,Bは交互にオン・オフ制御される。従って制御回路
Cの構成が非常に簡単になる。(Embodiment) FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. In this figure, the main switching circuit A and the flywheel switching circuit B are composed of AC 3-terminal high-speed switching circuits, and terminals b on the reference potential side thereof are connected to each other. C is a control circuit, which sends a control signal of a predetermined potential to the external control terminal c of the main switching circuit A on the basis of the potential of the external input / output terminal b on the reference potential side, while the control signal is reversed by the NOT circuit D. It is converted into a logic signal and input to the external control terminal c of the flywheel switching circuit B. As a result, the control circuit C outputs the control signal which is turned on / off at a frequency higher than that of the AC power supply 3 with the external input / output terminal c as a reference, and the two switching circuits A and B are turned on / off alternately. To be done. Therefore, the configuration of the control circuit C becomes very simple.
次に交流3端子高速スイッチング回路の構成を説明す
る。Next, the configuration of the AC 3-terminal high-speed switching circuit will be described.
第2図はその第1実施例の回路図である。 FIG. 2 is a circuit diagram of the first embodiment.
この図で符号10,12は逆導通半導体スイッチング素子
としてのNチャンネルデプレッションMOS型電界効果ト
ランジスタ(以下FETという)である。逆導通半導体ス
イッチング素子10,12は電流が入力する入力端となるド
レインD,Dと、出力端となるソースS,Sと、電流を制御す
る制御端となるゲートG,Gを備える。このFET10,12はそ
れぞれ逆導通ダイオード10a,12aを同一半導体チップ上
に予め備えている。これらのFET10,12の入力端であるド
レインD,Dは互いに接続され、出力端であるソースS,Sは
それぞれ端子a,bに接続されている。In this figure, reference numerals 10 and 12 are N-channel depletion MOS type field effect transistors (hereinafter referred to as FETs) as reverse conducting semiconductor switching elements. The reverse conducting semiconductor switching elements 10 and 12 are provided with drains D and D which are input terminals for inputting current, sources S and S which are output terminals, and gates G and G which are control terminals for controlling current. The FETs 10 and 12 are respectively provided with reverse conducting diodes 10a and 12a on the same semiconductor chip in advance. The drains D and D that are the input ends of these FETs 10 and 12 are connected to each other, and the sources S and S that are the output ends are connected to terminals a and b, respectively.
13は制御部であり、FET10の制御端であるゲートGと
その出力端であるソースSとの間に介在する抵抗14と、
両FET10,12のゲートG,G間に接続された制御用半導体ス
イッチング素子としてのPNPトランジスタ16とを備え
る。トランジスタ16のエミッタはFET12のGに直接、ま
たそのコレクタは抵抗18およびダイオード20を介してFE
T10のゲートGにそれぞれ接続されている。またこのト
ランジスタ16のゲートは抵抗22を介して端子bに接続さ
れている。なお、この端子bは外部制御端子cに入力さ
れる制御信号の基準電位となる。この基準電位となる端
子bと、外部制御入力端子cとは抵抗24により接続され
ている。Reference numeral 13 is a control unit, and a resistor 14 interposed between a gate G which is a control end of the FET 10 and a source S which is an output end thereof,
A PNP transistor 16 as a control semiconductor switching element connected between the gates G and G of both FETs 10 and 12. The emitter of the transistor 16 is directly connected to G of the FET 12, and its collector is connected to the FE via the resistor 18 and the diode 20.
Each is connected to the gate G of T10. The gate of the transistor 16 is connected to the terminal b via the resistor 22. The terminal b serves as the reference potential of the control signal input to the external control terminal c. The terminal b serving as the reference potential and the external control input terminal c are connected by the resistor 24.
次にこの実施例の動作を説明する。まず端子aが端子
bに対して正となる交流電源の正の半周期について説明
する。この時外部制御端子cの制御信号が、端子bの電
位(基準電位)に略等しいか負であれば、FET12はオフ
となり、端子aから端子b方向へは電流は流れない。す
なわちこのスイッチング回路はオフとなる。制御信号が
端子bに対して高電位になれば、抵抗24を介してFET12
のゲート・ソース間電圧VGSが正となりFET12はオンとな
る。従って端子aから電流がダイオード10a、FET12のド
レイン・ソース間を通って端子bに流れる。すなわちス
ッチング回路はオンとなる。このように電源の正の半周
期では制御信号の電位が端子bを基準として高・低電位
に変化するのに伴って、スイッチング回路はオン・オフ
する。Next, the operation of this embodiment will be described. First, the positive half cycle of the AC power supply in which the terminal a is positive with respect to the terminal b will be described. At this time, if the control signal of the external control terminal c is substantially equal to or negative to the potential (reference potential) of the terminal b, the FET 12 is turned off and no current flows from the terminal a to the terminal b. That is, this switching circuit is turned off. If the control signal becomes high potential with respect to the terminal b, the FET 12
The gate-source voltage V GS becomes positive and FET12 turns on. Therefore, a current flows from the terminal a to the terminal b through the diode 10a and the drain / source of the FET 12. That is, the switching circuit is turned on. Thus, in the positive half cycle of the power supply, the switching circuit is turned on / off as the potential of the control signal changes to high / low potential with the terminal b as a reference.
次に端子aが端子bに対して低電位となる負の半周期
での動作を説明する。この時に制御信号が端子bに対し
て略同電位または負電位になると、FET12がオフになる
と共に、制御用トランジスタ16もオフとなるので抵抗14
に電流が流れず、FET10のゲート電圧は低くなってFET10
はオフとなる。従ってスイッチング回路がオフとなる。
制御信号が端子bに対して高電位になるとFET12はオン
となり、同時に制御用トランジスタ16もオンとなって抵
抗14には端子a方向への電流が流れる。このためFET10
もオンとなる。従って端子bからの電流は、ダイオード
12aまたはFET12およびFET10を通り端子aに流れる。す
なわちスイッチング回路はオンとなる。このように電源
の負の半周期では制御信号の電位が端子bを基準として
高・低電位に変化するのに伴って、スイッチング回路は
オン・オフする。Next, the operation in the negative half cycle in which the terminal a has a lower potential than the terminal b will be described. At this time, if the control signal becomes substantially the same potential or a negative potential with respect to the terminal b, the FET 12 is turned off and the control transistor 16 is also turned off.
Current does not flow to the gate, the gate voltage of FET10 becomes low and FET10
Turns off. Therefore, the switching circuit is turned off.
When the control signal has a high potential with respect to the terminal b, the FET 12 is turned on, and at the same time, the control transistor 16 is also turned on and a current flows through the resistor 14 in the direction of the terminal a. For this reason FET10
Is also turned on. Therefore, the current from terminal b
12a or FET12 and FET10 and flows to the terminal a. That is, the switching circuit is turned on. In this way, in the negative half cycle of the power supply, the switching circuit is turned on / off as the potential of the control signal changes to high / low potential with reference to the terminal b.
第3図はこのスイッチング回路の特性図であり、Vab
は端子a,b間電圧を、Vcbは端子c,b間電圧を、またIは
端子a,b間に流れる電流を示している。Figure 3 is a characteristic diagram of the switching circuit, V ab
Represents the voltage between terminals a and b, V cb represents the voltage between terminals c and b, and I represents the current flowing between terminals a and b.
第4図は第2の実施例の回路図であり、この実施例に
おけるFET10A,12Aは逆導通ダイオードを内蔵しないの
で、別体のダイオード30,32を並列接続して逆導通可能
なスイッチング素子をFET10A(12A)とダイオード30(3
2)とで形成したものである。また制御部13Aの半導体ス
イッチング素子としてPチャンネルデプレッションFET1
6Aを用いている。FIG. 4 is a circuit diagram of the second embodiment. Since the FETs 10A and 12A in this embodiment do not have a reverse conducting diode built therein, a switching element capable of reverse conducting by connecting separate diodes 30 and 32 in parallel. FET10A (12A) and diode 30 (3
2) Formed by and. Also, a P-channel depletion FET1 is used as a semiconductor switching element of the control unit 13A.
I am using 6A.
第5図の実施例は第3の実施例の回路図であり、この
実施例は第4図におけるFET10A,12AをNPNトランジスタ1
0B,12Bとし、制御部13Bのスイッチング素子をPNPトラン
ジスタ16としたものである。The embodiment shown in FIG. 5 is a circuit diagram of the third embodiment. This embodiment uses the FETs 10A and 12A shown in FIG.
0B and 12B, and the switching element of the control unit 13B is the PNP transistor 16.
これら第4,5図の実施例における他の構成および動作
は、前記第2図の実施例と変らないので、同一部分に同
一符号を付し、その説明は繰り返さない。Since other configurations and operations in the embodiment shown in FIGS. 4 and 5 are the same as those in the embodiment shown in FIG. 2, the same parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will not be repeated.
第6図は交流3端子高速スイッチング回路のさらに他
の実施例の回路図である。この図で符号100,200はそれ
ぞれダイオード120,220とNPNトランジスタ140,240とか
らなる直列回路である。これらの直列回路100,200は端
子a,b間に逆並列に接続されている。なお、端子a,bには
外部より交流が入力される。なお、端子bは基準電位と
される。FIG. 6 is a circuit diagram of still another embodiment of the AC 3-terminal high-speed switching circuit. In this figure, reference numerals 100 and 200 are series circuits composed of diodes 120 and 220 and NPN transistors 140 and 240, respectively. These series circuits 100 and 200 are connected in antiparallel between the terminals a and b. An alternating current is input to the terminals a and b from the outside. The terminal b is set to the reference potential.
300は制御部であり、反基準電位側の端子aとこの端
子aに向って電流を流す向きに接続されたトランジスタ
240のベースとの間に介在する抵抗320と、両トランジス
タ140,240のベース間に介在する制御用PNPトランジスタ
340とを備える。なお、このトランジスタ340のエミッタ
はトランジスタ140のベースに直接接続され、コレクタ
は抵抗360、ダイオード380を介してトランジスタ240の
ベースに接続されている。また制御用トランジスタ340
のベースは抵抗400を介して基準電位側の端子bに接続
されている。外部の制御回路(図示せず)から供給され
る制御信号は外部制御端子cからトランジスタ140のベ
ースに導かれる。A control unit 300 is a transistor connected to a terminal a on the side opposite the reference potential and a direction in which a current flows toward the terminal a.
A resistor 320 interposed between the base of 240 and a control PNP transistor interposed between the bases of both transistors 140 and 240.
340 and. The emitter of the transistor 340 is directly connected to the base of the transistor 140, and the collector is connected to the base of the transistor 240 via the resistor 360 and the diode 380. Also control transistor 340
The base of is connected to a terminal b on the reference potential side via a resistor 400. A control signal supplied from an external control circuit (not shown) is led from the external control terminal c to the base of the transistor 140.
次に本実施例の動作を説明する。まず端子a,b間に入
力される交流電圧が、端子a側で高くなる正の半周期に
ついて説明する。この時制御信号が端子bの基準電位に
略等しいか低電位にあれば、トランジスタ140はオフ、
従って端子aから端子bへは電流は流れない。すなわち
このスイッチング回路はオフとなる。制御信号が高電位
になればトランジスタ140がオンとなる。すなわちスイ
ッチング回路はオンとなる。このように正の半周期では
制御信号の高・低電位の変化に対してトランジスタ140
がオン・オフする。Next, the operation of this embodiment will be described. First, a positive half cycle in which the AC voltage input between the terminals a and b increases on the terminal a side will be described. At this time, if the control signal is substantially equal to or lower than the reference potential of the terminal b, the transistor 140 is turned off,
Therefore, no current flows from the terminal a to the terminal b. That is, this switching circuit is turned off. When the control signal has a high potential, the transistor 140 is turned on. That is, the switching circuit is turned on. In this way, in the positive half cycle, the transistor 140
Turns on and off.
交流の負の半周期で、制御信号が低電位になると、制
御用トランジスタ340はオフ、従ってトランジスタ240も
オフとなるから、端子bからaへは電流は流れない。制
御信号が端子bの基準電位に比べて高電位になると、制
御用トランジスタ340はオンとなる。このため外部制御
端子cからこの制御用トランジスタ340、抵抗360、ダイ
オード380および抵抗320を通って、端子aに電流が流れ
る。従ってトランジスタ240がオンとなり、端子bから
ダイオード220、トランジスタ240を通って電流が端子a
に流れる。すなわちスイッチング回路に制御信号の高低
電位への変化に対応してオン・オフする。When the control signal has a low potential in the negative half cycle of the alternating current, the control transistor 340 is turned off and therefore the transistor 240 is also turned off, so that no current flows from the terminal b to the terminal a. When the control signal has a higher potential than the reference potential of the terminal b, the control transistor 340 is turned on. Therefore, a current flows from the external control terminal c through the control transistor 340, the resistor 360, the diode 380 and the resistor 320 to the terminal a. Therefore, the transistor 240 is turned on, and a current flows from the terminal b through the diode 220 and the transistor 240 to the terminal a.
Flows to That is, the switching circuit is turned on / off in response to the change of the control signal to the high or low potential.
第7図はさらに他の実施例の回路図である。この実施
例は第6図の実施例における一方の直列回路200を省い
たものであり、対応する部分には同一符号を付してあ
る。FIG. 7 is a circuit diagram of still another embodiment. In this embodiment, one of the series circuits 200 in the embodiment of FIG. 6 is omitted, and corresponding parts are designated by the same reference numerals.
この実施例で端子a,bに入力される交流の正の半周期
では前記第6図の場合と全く同様に、制御信号が高電位
の時だけ端子aからの電流はダイオード120,トランジス
タ140を通って端子bに流れる。In this embodiment, in the positive half cycle of the alternating current input to the terminals a and b, the current from the terminal a is supplied to the diode 120 and the transistor 140 only when the control signal is at a high potential, just as in the case of FIG. Through to the terminal b.
端子a,bに入力される交流の負の半周期では、制御信
号が端子bと略同一電位の時には制御用トランジスタ34
0はオフであるが、制御信号が高電位に変化すると制御
用トランジスタ340がオンとなり、相当大きなベース電
流が端子bから端子a方向へ流れる。すなわちこの実施
例は制御用トランジスタ340のベース電流を利用して交
流電圧の負の半周期のスイッチングを行うものである。In the negative half cycle of the alternating current input to the terminals a and b, when the control signal has substantially the same potential as the terminal b, the control transistor 34
Although 0 is off, when the control signal changes to a high potential, the control transistor 340 is turned on, and a considerably large base current flows from the terminal b to the terminal a. That is, this embodiment uses the base current of the control transistor 340 to perform the negative half cycle switching of the AC voltage.
(発明の効果) 本発明は以上のように、交流回路の主スイッチング回
路およびフライホイール用スイッチング回路にそれぞれ
交流3端子高速スイッチング回路を用い、各スイッチン
グ回路の基準電位側を互いに接続するようにしたから、
制御回路が非常に簡単になるという効果が得られる。(Effects of the Invention) As described above, the present invention uses the AC 3-terminal high-speed switching circuit for the main switching circuit of the AC circuit and the flywheel switching circuit, and connects the reference potential side of each switching circuit to each other. From
The effect is that the control circuit becomes very simple.
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2,4〜7図は交
流3端子高速スイッチング回路の実施例の回路図、第3
図は交流3端子高速スイッチング回路の特性図、また第
8図は従来の交流スイッチング回路の回路図である。 1……負荷、 3……交流電源、 A……主スイッチング回路、 B……フライホイール用スイッチング回路。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 4 to 7 are circuit diagrams of an embodiment of an AC 3-terminal high-speed switching circuit.
FIG. 8 is a characteristic diagram of an AC 3-terminal high-speed switching circuit, and FIG. 8 is a circuit diagram of a conventional AC switching circuit. 1 ... Load, 3 ... AC power supply, A ... Main switching circuit, B ... Flywheel switching circuit.
Claims (6)
とを直列接続して主回路を形成する一方、前記負荷にフ
ライホイール用スイッチング回路を並列接続し、前記主
スイッチング回路およびフライホイール用スイッチング
回路を前記交流電源より高い周波数で交互にスイッチン
グするようにした交流スイッチング回路において、 前記主スイッチング回路およびフライホイール用スイッ
チング回路は半導体スイッチング素子の一端を外部基準
電位側端子とする交流3端子高速スイッチング回路で形
成され、各交流3端子高速スイッチング回路の基準電位
側端子が互いに接続され、前記交流電源よりも高い周波
数の制御信号とその反転信号とが前記各交流3端子高速
スイッチング回路の外部制御端子にそれぞれ接続されて
いることを特徴とする交流スイッチング回路。1. A load, a main switching circuit, and an AC power supply are connected in series to form a main circuit, and a flywheel switching circuit is connected in parallel to the load, and the main switching circuit and flywheel switching are performed. In an AC switching circuit in which circuits are alternately switched at a frequency higher than the AC power supply, the main switching circuit and the flywheel switching circuit are AC 3-terminal high-speed switching in which one end of a semiconductor switching element is an external reference potential side terminal. Circuit, the terminals on the reference potential side of each AC three-terminal high-speed switching circuit are connected to each other, and a control signal having a frequency higher than that of the AC power supply and its inverted signal are external control terminals of each AC three-terminal high-speed switching circuit. Are each connected to AC switching circuit.
端が互いに接続された2組の逆導通半導体スイッチング
素子と、一方の前記逆導通半導体スイッチング素子の出
力端を基準電位として外部制御端子から入力される制御
信号により前記2組の逆導通半導体スイッチング素子を
共にオンにする制御部とを備え、前記2組の逆導通半導
体スイッチング素子の各出力端が前記主回路に接続され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の交
流スイッチング回路。2. An AC three-terminal high-speed switching circuit, wherein two sets of reverse conducting semiconductor switching elements whose input terminals are connected to each other and one output terminal of the reverse conducting semiconductor switching element are input as reference potentials from an external control terminal. A control unit for turning on both of the two sets of reverse conducting semiconductor switching elements in response to the control signal. Each output terminal of the two sets of reverse conducting semiconductor switching elements is connected to the main circuit. The AC switching circuit according to claim 1.
ジスタと、このトランジスタに並列接続されたダイオー
ドとで形成される特許請求の範囲第2項記載の交流スイ
ッチング回路。3. The AC switching circuit according to claim 2, wherein the reverse conducting semiconductor switching element is formed of a transistor and a diode connected in parallel to the transistor.
る特許請求の範囲第3項記載の記載の交流スイッチング
回路。4. The AC switching circuit according to claim 3, wherein the transistor is a field effect transistor.
路に接続されて交流電圧が印加される2つの端子間に逆
並列接続されそれぞれがダイオードおよび逆阻止トラン
ジスタからなる2組の直列回路と、前記端子の一方を基
準電位として外部制御端子から入力される制御信号に基
づいて2つの前記逆阻止トランジスタを共にオンまたは
オフにする制御部とを備えることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の交流スイッチング回路。5. An AC three-terminal high-speed switching circuit includes two sets of series circuits each connected to a main circuit and connected in antiparallel between two terminals to which an AC voltage is applied, each series circuit including a diode and a reverse blocking transistor. The control unit that turns on or off both of the two reverse blocking transistors based on a control signal input from an external control terminal using one of the terminals as a reference potential. AC switching circuit described.
路に接続されて交流電圧が印加される2つの端子間に直
列接続されたダイオードおよび逆阻止トランジスタと、
この逆阻止トランジスタのベースと一方の端子との間に
介在する制御用トランジスタとを備え、前記逆阻止トラ
ンジスタのベースを他方の基準電位となる端子に接続し
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の交流ス
イッチング回路。6. An AC three-terminal high-speed switching circuit includes a diode and a reverse blocking transistor connected in series between two terminals connected to a main circuit and receiving an AC voltage.
A control transistor provided between the base of the reverse blocking transistor and one terminal thereof, wherein the base of the reverse blocking transistor is connected to the other terminal having a reference potential. The AC switching circuit according to item 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043781A JPH0815393B2 (en) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | AC switching circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043781A JPH0815393B2 (en) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | AC switching circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203867A JPS61203867A (en) | 1986-09-09 |
| JPH0815393B2 true JPH0815393B2 (en) | 1996-02-14 |
Family
ID=12673295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043781A Expired - Lifetime JPH0815393B2 (en) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | AC switching circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815393B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103560652B (en) * | 2009-01-19 | 2016-08-17 | 大金工业株式会社 | Bidirectional switch circuit |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5331617Y2 (en) * | 1974-10-01 | 1978-08-07 | ||
| JPS522098A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-08 | Takeshi Motomura | Spray for repulsing erotic person |
| JPH0313770Y2 (en) * | 1980-03-13 | 1991-03-28 |
-
1985
- 1985-03-07 JP JP60043781A patent/JPH0815393B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61203867A (en) | 1986-09-09 |
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