JPH0817196B2 - Electron beam probe device - Google Patents
Electron beam probe deviceInfo
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- JPH0817196B2 JPH0817196B2 JP63067778A JP6777888A JPH0817196B2 JP H0817196 B2 JPH0817196 B2 JP H0817196B2 JP 63067778 A JP63067778 A JP 63067778A JP 6777888 A JP6777888 A JP 6777888A JP H0817196 B2 JPH0817196 B2 JP H0817196B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明はエネルギ分析器を用いた電子ビームプローブ
装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to an electron beam probe apparatus using an energy analyzer.
（従来の技術） 半導体ウエハはプローブ装置で検査されている。この
プローブ装置には半導体ウエハにプローブ針を接触させ
る方式のものと、半導体ウエハに電子ビームを照射させ
る、いわゆる非接触の方式のものとがある。(Prior Art) A semiconductor wafer is inspected by a probe device. This probe device is classified into a type in which a probe needle is brought into contact with a semiconductor wafer and a type in which a semiconductor wafer is irradiated with an electron beam, a so-called non-contact type.
この非接触で検査するものとして、電子ビームプロー
ブ装置が一般的に使用されている。この電子ビームプロ
ーブ装置は電子ビームプローブのプローブ点から放出さ
れる二次電子のエネルギ分布を求め、ピーク位置からプ
ローブ点の電圧測定を行うものが知られている。An electron beam probe device is generally used as the non-contact inspection device. It is known that this electron beam probe apparatus obtains the energy distribution of secondary electrons emitted from the probe point of the electron beam probe and measures the voltage at the probe point from the peak position.
例えば特開昭56−112738号公報に記載された電子ビー
ムプローブ装置のものが一般的に用いられている。For example, the electron beam probe device described in JP-A-56-112738 is generally used.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、従来の電子ビームプローブ装置では、
半導体ウエハに電子ビームを照射し、照射点から放出さ
れた二次電子を所望の閾値以上のエネルギをもった二次
電子を捕集器に誘導する際に、この閾値の電圧を印加さ
せるに従って、上記半導体ウエハに照射している電子ビ
ーム照射位置を設定の位置からズラしてしまうという欠
点があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the conventional electron beam probe apparatus,
When a semiconductor wafer is irradiated with an electron beam and the secondary electrons emitted from the irradiation point are guided to a collector with secondary electrons having an energy of a desired threshold value or more, according to the application of a voltage of this threshold value, There is a drawback that the electron beam irradiation position on the semiconductor wafer is displaced from the set position.
例えば、照射点から放出された二次電子は放射状に散
乱することになる。この散乱した二次電子の中でも、電
子ビーム近傍に散乱した二次電子を捕集器（DETECTOR）
に誘導するように設けられたフィルタは電子ビームが通
過する光軸を中心として設けられた構造のものである。For example, the secondary electrons emitted from the irradiation point will be scattered radially. Among these scattered secondary electrons, the secondary electrons scattered near the electron beam are collected (DETECTOR)
The filter provided so as to guide the electron beam has a structure provided around the optical axis through which the electron beam passes.
このような構造の電子ビームプローブ装置では第２図
に示すように、電子銃（１）で発生した電子ビーム
（２）はビームチョッパ（３）によりパルス化される。In the electron beam probe device having such a structure, as shown in FIG. 2, the electron beam (2) generated by the electron gun (1) is pulsed by the beam chopper (3).
このパルス化された電子ビーム（２）は偏向ドライバ
（５）によって駆動されるＸ偏向器（６）及びＹ偏向器
（７）によって試料を走査している。このとき試料体
（８）から二次電子（23）が放出し、所望のエネルギを
保有する二次電子をフィルタ（10）で誘導して捕集器
（11）に捕捉してその対応した信号が得られる。The pulsed electron beam (2) scans the sample by an X deflector (6) and a Y deflector (7) driven by a deflection driver (5). At this time, secondary electrons (23) are emitted from the sample body (8), the secondary electrons having a desired energy are guided by the filter (10) and captured by the collector (11), and the corresponding signal is obtained. Is obtained.
この場合において、試料体（８）に照射する電子ビー
ム（２）がフィルタ（10）の中心を通過させることは困
難である。In this case, it is difficult for the electron beam (2) irradiating the sample body (8) to pass through the center of the filter (10).
従って、電子ビーム（２）偏向中心（22）と偏芯した
フィルタ電極（10）の中心に電圧を印加すると上述した
Ｘ偏向器（６）及びＹ偏向器（７）の印加電圧に影響を
与えて、試料体（８）の照射位置を所定の位置からズレ
てしまうという不具合があった。Therefore, if a voltage is applied to the center of the electron beam (2) deflection center (22) and the center of the filter electrode (10) that is eccentric, the voltage applied to the X-deflector (6) and the Y-deflector (7) will be affected. Then, there was a problem that the irradiation position of the sample body (8) was deviated from a predetermined position.
本発明の目的とするとことろは、従来の欠点に鑑みて
なされたもので所望のエネルギをもった二次電子を捕集
器に誘導するフィルタに電圧を印加しても、電子ビーム
を所定の位置からズレないように調整可能な電子ビーム
プローブ装置を提供することを目的としている。The purpose of the present invention is to achieve a predetermined electron beam even if a voltage is applied to a filter for inducing secondary electrons having a desired energy to a collector. It is an object of the present invention to provide an electron beam probe device that can be adjusted so as not to shift from its position.
（課題を解決するための手段） 本発明の電子ビームプローブ装置は、偏向制御された
一次電子ビームを試料上で走査し、この走査により発生
する二次電子ビームのうち予め定めた閾値以上のエネル
ギを保有する二次電子ビームを選択するフィルタ電極を
上記一次電子ビームの行路に設けたプローブ装置におい
て、上記フィルタ電極を少なくとも３分割し、分割され
た各フィルタ部に印加電圧制御可能な電圧印加手段を設
け、各電圧印加手段により各フィルタ部の印加電圧を制
御して一次電子ビームの偏向中心をフィルタ中心と一致
させることを特徴とするものである。(Means for Solving the Problem) An electron beam probe apparatus of the present invention scans a deflection-controlled primary electron beam on a sample, and energies of a predetermined threshold value or more among secondary electron beams generated by this scanning. In a probe device in which a filter electrode for selecting a secondary electron beam that holds an electron beam is provided in the path of the primary electron beam, the filter electrode is divided into at least three, and a voltage applying means capable of controlling an applied voltage to each of the divided filter parts. Is provided, and the voltage applied to each filter unit is controlled by each voltage application unit so that the deflection center of the primary electron beam coincides with the filter center.
（作 用） 本発明では、従来のようにフィルタ中心と偏向中心と
の同軸調整を行わず測定するのではなく、上記一次電子
ビームの偏向中心をズラさないようにして、上記フィル
タ中心を上記偏向中心に合わせて測定するようにしてい
る。例えば、フィルタのフィルタ電極を少なくとも３分
割に独立させて、各フィルタ部分が独立した電圧を印加
可能に設けられている。(Operation) In the present invention, the center of deflection of the primary electron beam is prevented from shifting and the center of the filter is set to The measurement is made according to the center of deflection. For example, the filter electrode of the filter is divided into at least three parts, and each filter part is provided so that an independent voltage can be applied.
このように少なくとも３分割に独立させたので一次電
子ビームの偏向中心に対するフィルタの偏芯が生じて
も、各フィルタ部分に印加する電圧を調整することがで
きる。In this way, since at least three divisions are made independent, even if the filter is decentered with respect to the deflection center of the primary electron beam, the voltage applied to each filter portion can be adjusted.
この調整は上記フィルタの偏芯量に従って、各フィル
タ部分の電極値を設定することができる。This adjustment can set the electrode value of each filter portion according to the eccentricity amount of the filter.
しかも、上記フィルタの偏芯量に対する各電極の印加
電圧値を初期設定すれば、上記フィルタの閾値電圧の可
変にともなって、各電極の印加電圧値を調整することな
く、初期設定に比例して印加電圧値が自動的に増減する
ので、試料体に対する電子ビームの照射位置をズラすこ
となく測定することができる。Moreover, if the applied voltage value of each electrode with respect to the eccentricity of the filter is initially set, the applied voltage value of each electrode is adjusted in proportion to the initial setting along with the change of the threshold voltage of the filter. Since the applied voltage value automatically increases or decreases, the irradiation position of the electron beam on the sample body can be measured without shifting.
（実施例） 以下、本発明電子ビームプローブ装置を電子ビームプ
ローバに適用した一実施例を、図面を参照して説明す
る。(Example) An example in which the electron beam probe apparatus of the present invention is applied to an electron beam prober will be described below with reference to the drawings.
先ず、本実施例電子ビームプローバの概略構成につい
て、第２図を参照して説明する。First, the schematic configuration of the electron beam prober of this embodiment will be described with reference to FIG.
従来部品と同一部品は同符号を用いて説明する。 The same parts as the conventional parts will be described using the same reference numerals.
上記電子ビームプローバ（12）は電子鏡筒（16）内に
電子ビーム（２）を発生する電子銃（１）と、電子ビー
ムを走査させるＸ−Ｙ偏向器（6,7）と、二次電子（2
3）を捕捉する捕集器（DETECTOR）（11）と、予め定め
た閾値以上のエネルギを保有する二次電子を選択するフ
ィルタ電極（10）と、試料からフィルタ電極（10）に二
次電子を導びく引出し電極（14）及び試料をＸ−Ｙ方向
に駆動させるステージ等が設けられている。The electron beam prober (12) includes an electron gun (1) for generating an electron beam (2) in an electron lens barrel (16), an XY deflector (6, 7) for scanning the electron beam, and a secondary Electronic (2
A collector (DETECTOR) (11) that captures 3), a filter electrode (10) that selects secondary electrons that have energy above a predetermined threshold, and a secondary electron from the sample to the filter electrode (10). There are provided an extraction electrode (14) for guiding the sample, a stage for driving the sample in the XY directions, and the like.
上記電子ビームプローバ（12）の電子銃（１）で発生
した電子ビーム（２）がビームチョッパ（３）と、これ
を制御するビームチョッパ制御器（４）とによりパルス
化される。このパルス化された電子ビーム（２）は偏向
ドライバ（５）によって駆動されるＸ偏向器（６）及び
Ｙ偏向器（７）によって試料体（８）、例えば半導体ウ
エハの表面を走査するようになっている。この時、この
試料体（８）から二次電子（23）が放出される。この放
出された二次電子（23）は引出し電極（14）により二次
電子を加速し、フィルタ電極（10）を介して捕集器（1
1）で捕捉されるようになっている。An electron beam (2) generated by the electron gun (1) of the electron beam prober (12) is pulsed by a beam chopper (3) and a beam chopper controller (4) that controls the beam. The pulsed electron beam (2) scans the surface of a sample body (8), for example, a semiconductor wafer, by an X deflector (6) and a Y deflector (7) driven by a deflection driver (5). Has become. At this time, secondary electrons (23) are emitted from the sample body (8). The emitted secondary electrons (23) accelerate the secondary electrons by the extraction electrode (14) and pass through the filter electrode (10) to the collector (1
It is supposed to be captured in 1).
この補集器（11）で捕捉した二次電子（23）の電流増
幅器（29）で増幅したあと、各種の信号処理を施して試
料状態の測定及び表示を行っている。この測定表示の具
体的信号処理は当業者において周知である。After the secondary electrons (23) captured by the collector (11) are amplified by the current amplifier (29), various signal processing is performed to measure and display the sample state. The specific signal processing of this measurement display is well known to those skilled in the art.
上記電子ビーム（２）を試料体（８）に照射中、この
試料体（８）は測定パターンジェネレータ（17）から駆
動信号を入力して駆動制御する。この測定パターンジェ
ネレータ（17）の測定信号に対して、ビームチョッパ
（３）でパルス化された電子ビーム（２）が、定まった
位相で試料体（８）に照射されるように同期制御器（1
8）がビームチョッパ制御器（４）の位相を調整するよ
うになっている。During irradiation of the sample body (8) with the electron beam (2), the sample body (8) is drive-controlled by inputting a drive signal from the measurement pattern generator (17). In response to the measurement signal of this measurement pattern generator (17), the electron beam (2) pulsed by the beam chopper (3) irradiates the sample body (8) with a fixed phase (synchronization controller ( 1
8) adjusts the phase of the beam chopper controller (4).
この試料体（８）を載置したステージ（15）の制御部
（19）は駆動モータ（20）を制御してステージ（15）を
Ｘ・Ｙ方向に移動させるようになっている。即ち、試料
体（８）の測定位置が変えられるようになっている。こ
のステージ（15）の制御部（19）は予め記憶されたプロ
グラムに従って駆動されるように設けられている。The control unit (19) of the stage (15) on which the sample body (8) is placed controls the drive motor (20) to move the stage (15) in the X and Y directions. That is, the measurement position of the sample body (8) can be changed. The control section (19) of the stage (15) is provided so as to be driven according to a program stored in advance.
このプログラムは、入力手段、例えばキーボード（図
示せず）の操作入力によって行なわれている。This program is carried out by operating the input means such as a keyboard (not shown).
次に上述したフィルタ電極（10）について第１図を参
照して具体的に説明する。Next, the filter electrode (10) described above will be specifically described with reference to FIG.
このフィルタ電極（10）は、板状電極例えば円筒形状
の筒電極である。このフィルタ電極（10）の中心には、
電子ビーム（２）が通過する孔（21）が穿設されてい
る。この孔（21）は電子ビーム（２）の偏向中心軸（2
2）部に設けられている。The filter electrode (10) is a plate-shaped electrode, for example, a cylindrical cylindrical electrode. At the center of this filter electrode (10),
A hole (21) through which the electron beam (2) passes is formed. This hole (21) is the deflection center axis (2) of the electron beam (2).
It is provided in section 2).
さらに、上記フィルタ電極（10）は一次電子ビーム
（２）に対してＸ−Ｙ方向の位置制御が可能な如く夫々
４分割し、各々絶縁して設けられている。上記フィルタ
電極（10）は、上記引出し電極（14）と平行して設けら
れている。Further, the filter electrode (10) is divided into four parts so as to be able to control the position in the X-Y directions with respect to the primary electron beam (2), and they are provided so as to be insulated from each other. The filter electrode (10) is provided in parallel with the extraction electrode (14).
上記フィルタ電極（10）は試料体（８）から散乱した
二次電子（23）を捕集器（11）に誘導する如く設けられ
ている。この捕集器（11）は、フィルタ電極（10）に設
けられている孔（21）と同軸に設けられており、このフ
ィルタ電極（10）で誘導された二次電子（23）を捕捉す
るものである。即ち、半導体ウエハの試料体（８）に照
射された位置、例えば電子ビームプローブ点（24）より
放出される二次電子（23）を効果的に引出すための電圧
（０−5kV）が引出し電極（14）に印加されている。The filter electrode (10) is provided so as to guide the secondary electrons (23) scattered from the sample body (8) to the collector (11). The collector (11) is provided coaxially with the hole (21) provided in the filter electrode (10) and captures the secondary electrons (23) induced by the filter electrode (10). It is a thing. That is, the voltage (0-5 kV) for effectively extracting the secondary electrons (23) emitted from the electron beam probe point (24) irradiated to the sample body (8) of the semiconductor wafer is the extraction electrode. It is applied to (14).
上記フィルタ電極（10）には、エネルギ分析を行うた
めの電圧が印加されている。即ち、フィルタ（10）に−
V1ボルトの電圧が印加されるとエネルギ分析器からは、
電子ビームプローブ点（24）より放出される二次電子
（23）のうち、V1電子ボルト以上のエネルギを保有した
二次電子（23）だけが取り出され捕集器（11）により、
その量に対応した信号としてVaiが得られる。A voltage for energy analysis is applied to the filter electrode (10). That is, in the filter (10)-
From the energy analyzer when a voltage of V 1 volt is applied,
Of the secondary electrons (23) emitted from the electron beam probe point (24), only secondary electrons (23) having an energy of V 1 electron volt or more are extracted and collected by the collector (11).
Vai is obtained as a signal corresponding to the amount.
上述したフィルタ電極（10）は電子ビーム（２）が通
過する偏向中心軸（22）部をフィルタ電極中心軸（10
a）になるように、フィルタ電極（10）に印加する電圧
を制御して一次電子ビームを制御する。即ち、このフィ
ルタ電極（10）を第１の電極（25a）、第２の電極（25
b）、第３の電極（25c）、第４の電極（25d）とに分割
して夫々を絶縁部材（26）を介し絶縁し、円筒形状に形
成される。In the filter electrode (10) described above, the deflection center axis (22) through which the electron beam (2) passes is connected to the filter electrode center axis (10).
The primary electron beam is controlled by controlling the voltage applied to the filter electrode (10) so as to become a). That is, the filter electrode (10) is used as the first electrode (25a) and the second electrode (25a).
b), divided into a third electrode (25c) and a fourth electrode (25d) and insulated from each other via an insulating member (26) to form a cylindrical shape.
このように、構成した各電極への電圧印加部（）は各
電極（25a,25b,25c,25d）について、対向する電極間、
例えば第１電極（25a）と、第３電極（25c）間の相対電
圧を調整可能な如く回路が構成されている。同様にし
て、他方の第２電極（25b）と第４電極（25d）間の相対
電圧調整も可能になっている。In this way, the voltage applying section () for each of the electrodes thus configured is arranged between the opposing electrodes for each electrode (25a, 25b, 25c, 25d),
For example, the circuit is configured so that the relative voltage between the first electrode (25a) and the third electrode (25c) can be adjusted. Similarly, the relative voltage between the other second electrode (25b) and the other fourth electrode (25d) can be adjusted.
次に動作について説明する。 Next, the operation will be described.
電子鏡筒（16）内のステージ（15）に仮固定した試料
体（８）、例えば半導体ウエハをこの電子鏡筒（16）内
に搬送する。そして、キーボードで測定条件を操作入力
されたプログラムに従って、半導体ウエハ（以下ウエハ
という）を設定位置に設定駆動する。A sample body (8) temporarily fixed to the stage (15) in the electron lens barrel (16), for example, a semiconductor wafer is transferred into the electron lens barrel (16). Then, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) is set and driven at a set position according to a program in which measurement conditions are input by operating the keyboard.
この設定位置に到達したウエハ（８）に対して、電子
銃（１）で発生した１次電子ビーム（２）を照射させ
る。この電子ビーム（２）は偏向器（6,7）でＸ・Ｙ方
向に偏向されたのち、フィルタ電極（10）で偏向中心
（22）とフィルタ中心（10a）の位置合わせをされ、上
記ウエハ（８）表面を走査する。この時試料体（８）か
ら二次電子（23）が放射状に放出する。この放出した二
次電子（23）の引出し電極（14）の近傍の二次電子（2
3）が、この引出し電極（14）の影響によってフィルタ
電極（10）方向に誘導させる。この誘導された特定の二
次電子（23）は、予めキーボードで入力された情報の閾
値エネルギ以上のものがフィルタ電極（10）の孔（21）
を通過する。この通過された二次電子（23）が捕集器
（11）で捕捉することになる。The wafer (8) reaching this set position is irradiated with the primary electron beam (2) generated by the electron gun (1). The electron beam (2) is deflected in the X and Y directions by the deflector (6, 7), and then the deflection center (22) and the filter center (10a) are aligned by the filter electrode (10). (8) Scan the surface. At this time, secondary electrons (23) are radially emitted from the sample body (8). Secondary electrons (2) near the extraction electrode (14) for the emitted secondary electrons (23)
3) is guided by the extraction electrode (14) toward the filter electrode (10). The specific secondary electrons (23) thus induced are those having a threshold energy equal to or higher than the threshold energy of the information previously inputted by the keyboard, the hole (21) of the filter electrode (10).
Pass through. The passed secondary electrons (23) are captured by the collector (11).
次に本実施例の特徴的な作用について説明する。 Next, the characteristic operation of this embodiment will be described.
電子ビーム（２）の照射位置（24a）をテレビ表示画
像を見て、一次電子ビーム（２）の偏向中心（22）位置
と、フィルタ（10）中心の位置が同芯であれば、その状
態で測定を実行する。When the irradiation position (24a) of the electron beam (2) is viewed on the television display image and the deflection center (22) position of the primary electron beam (2) and the filter (10) center position are concentric, that state To measure.
また、テレビ表示画像で、一次電子ビーム（２）の偏
向中心（22）位置とフィルタ電極中心（10a）とが偏芯
した場合は、次のような調整を行う。例えば、偏向中心
（22）に対して、フィルタ電極中心（10a）が第１電極
（25a）側に2mmズレて偏芯していると、この第１電極
（25a）と第３電極部（25c）とが連動した可変抵抗器
（27）を調整する。即ち、第１電極（25a）には−4V印
加し、また第３電極（25a）には、−6V印加することに
なる。さらに第２電極（25b）と第４電極（25d）とは両
方共に−5V印加して合計−10Vにすれば、電子ビーム
（２）の偏向中心（22）はフィルタ電極（10）の印加電
圧によって曲げられる等の影響が無くなる。このように
一次電子ビームについて、偏向中心（22）とフィルタ中
心（10a）を一致させることにより、一次電子ビーム
（２）が振られて予め定められた測定ポイントからズレ
て採取電圧が不安定になることが改善できる。If the deflection center (22) position of the primary electron beam (2) and the filter electrode center (10a) are eccentric in the television display image, the following adjustment is performed. For example, when the center (10a) of the filter electrode is deviated from the center of deflection (22) by 2 mm toward the first electrode (25a) side, the first electrode (25a) and the third electrode portion (25c) are decentered. ) Adjust the variable resistor (27) which is linked with. That is, -4V is applied to the first electrode (25a), and -6V is applied to the third electrode (25a). Further, if −5V is applied to both the second electrode (25b) and the fourth electrode (25d) to make a total of −10V, the deflection center (22) of the electron beam (2) is applied to the filter electrode (10). The effect of being bent by is eliminated. In this way, by making the deflection center (22) and the filter center (10a) of the primary electron beam coincide with each other, the primary electron beam (2) is swung and deviated from a predetermined measurement point, and the sampling voltage becomes unstable. Can be improved.
上記実施例のフィルタ電極（10）に−5Vの印加電圧を
用いて説明したが、このフィルタ電極（10）の印加電圧
は−25V乃至＋25Vまでの領域範囲を可能にしているの
で、この領域範囲での閾値以上のエネルギを保有する二
次電子を捕捉することができる。Although the applied voltage of -5V is used for the filter electrode (10) in the above-described embodiment, the applied voltage of the filter electrode (10) enables the range of -25V to + 25V. It is possible to capture the secondary electrons having an energy equal to or higher than the threshold value in.
上記実施例のフィルタ電極（10）を４分割で示した
が、このフィルタ電極（10）を３分割にしても良いが制
御系が難かしく製造困難になるだけである。この４分割
が最も制御系が容易で、製造費も安価にすることができ
る。また調整作業も容易である。Although the filter electrode (10) of the above embodiment is shown as being divided into four parts, this filter electrode (10) may be divided into three parts, but it is difficult to manufacture because the control system is difficult. The control system is the easiest to divide into four, and the manufacturing cost can be reduced. Moreover, adjustment work is easy.
上記フィルタ電極（10）の各印加部（25a,25b,25c,25
d）を円筒形状に接続固定する絶縁部材（26）は収縮率
のもっとも小さいものを用いて固定することが良いこと
は言うまでもないことである。Each application part (25a, 25b, 25c, 25 of the filter electrode (10)
It goes without saying that the insulating member (26) for connecting and fixing d) in a cylindrical shape should be fixed by using one having the smallest shrinkage rate.
上記フィルタ電極（10）と上記捕集器（11）との関係
は、この捕集器（11）で取出された所定エネルギを保有
した二次電子は光ファイバ（28）を導光して増幅器（2
9）に入力されるようになっている。この増幅器（29）
は入力された量に対応した信号としてVaiが得られる。
このVaiの信号にAMP（30）を介して、上記フィルタ電極
（10）にフィードバックされている。The relationship between the filter electrode (10) and the collector (11) is that the secondary electrons having a predetermined energy extracted by the collector (11) are guided through an optical fiber (28) to be amplified. (2
9) is to be entered. This amplifier (29)
Vai is obtained as a signal corresponding to the input amount.
This Vai signal is fed back to the filter electrode (10) via the AMP (30).
ここで、フィードバックは、上記増幅器（29）と上記
AMP（30）と結合する点（Ｐ）で電流が一定になるよう
にフィードバックを実行している。Here, the feedback is the above amplifier (29) and the above
Feedback is performed so that the current becomes constant at the point (P) where it is coupled to the AMP (30).
本実施例の効果 本実施例の特徴的構成のフィルタ電極（10）を４分割
にしたので、Ｘ軸方向・Ｙ軸方向に夫々偏芯量成分に分
けて補正することができる。Effects of this Embodiment Since the filter electrode (10) having the characteristic structure of this embodiment is divided into four parts, it is possible to separately correct the eccentricity amount components in the X-axis direction and the Y-axis direction.
本実施例電子ビームプローバ（12）は電子ビームの偏
向中心（22）とフィルタ電極中心（10a）とが偏芯した
状態であっても、電気的に補正することができるので、
操作が容易で、かつ正確な補正ができ、より微少な測定
が可能になる。Since the electron beam prober (12) of this embodiment can electrically correct even if the deflection center (22) of the electron beam and the filter electrode center (10a) are eccentric,
It is easy to operate, can be corrected accurately, and enables finer measurements.
本発明によれば、フィルタ電極を少なくとも３分割
し、分割された各フィルタ部に印加電圧制御可能な電圧
印加手段を設け、各電圧印加手段により各フィルタ部の
印加電圧を制御して一次電子ビームの偏向中心をフィル
タ中心と一致させるようにしたため、所望のエネルギを
もった二次電子ビームを捕集器に誘導するフィルタ電極
に電圧を印加しても、電子ビームを所定の位置からズレ
ないように正確に位置制御でき、これにより予め定めら
れた測定ポイントに一次電子ビームを正確に照射して安
定した測定を行なうことができる電子ビームプローブ装
置を提供することができる。According to the present invention, the filter electrode is divided into at least three parts, each divided filter part is provided with a voltage applying means capable of controlling an applied voltage, and the applied voltage of each filter part is controlled by each voltage applying means so as to control the primary electron beam. Since the deflection center of the filter is made to coincide with the filter center, even if a voltage is applied to the filter electrode that guides the secondary electron beam with desired energy to the collector, the electron beam will not be displaced from the predetermined position. Therefore, it is possible to provide an electron beam probe apparatus capable of performing accurate position control, and thereby accurately irradiating a predetermined measurement point with a primary electron beam to perform stable measurement.
第１図は本発明実施例の電子ビームプローブ装置の特徴
的構成を説明するための説明図、第２図は第１図の電子
ビームプローブ装置を電子ビームプローバに適用した一
実施例であり、その概略構成を説明するための構成説明
図である。 １……電子銃、２……電子ビーム ３……ビームチョッパ、５……偏向ドライバ ８……試料（半導体ウエハ） 10……フィルタ電極、10a……フィルタ電極中心 11……捕集器（DETECTOR） 12……電子ビームプローバ 14……引出し電極、15……ステージ 16……電子鏡筒、21……孔 22……偏向中心、23……二次電子 24……電子ビームプローバ点 25a……第１電極、25b……第２電極 25c……第３電極、25d……第４電極 26……絶縁部材、27……可変抵抗器FIG. 1 is an explanatory view for explaining a characteristic configuration of an electron beam probe apparatus of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an embodiment in which the electron beam probe apparatus of FIG. 1 is applied to an electron beam prober, It is a structure explanatory view for explaining the schematic structure. 1 ... Electron gun, 2 ... Electron beam 3 ... Beam chopper, 5 ... Deflection driver 8 ... Sample (semiconductor wafer) 10 ... Filter electrode, 10a ... Filter electrode center 11 ... Collector (DETECTOR) ) 12 …… electron beam prober 14 …… extraction electrode, 15 …… stage 16 …… electron lens barrel, 21 …… hole 22 …… deflection center, 23 …… secondary electron 24 …… electron beam prober point 25a …… First electrode 25b Second electrode 25c Third electrode 25d Fourth electrode 26 Insulation member 27 Variable resistor
Claims (1)
走査し、この走査により発生する二次電子ビームのうち
予め定めた閾値以上のエネルギを保有する二次電子ビー
ムを選択するフィルタ電極を上記一次電子ビームの行路
に設けたプローブ装置において、上記フィルタ電極を少
なくとも３分割し、分割された各フィルタ部に印加電圧
制御可能な電圧印加手段を設け、各電圧印加手段により
各フィルタ部の印加電圧を制御して一次電子ビームの偏
向中心をフィルタ中心と一致させることを特徴とする電
子ビームプローブ装置。1. A filter electrode which scans a deflection-controlled primary electron beam on a sample, and selects a secondary electron beam having an energy of a predetermined threshold value or more among secondary electron beams generated by this scanning. In the probe device provided in the path of the primary electron beam, the filter electrode is divided into at least three, each divided filter unit is provided with a voltage applying unit capable of controlling an applied voltage, and each voltage applying unit applies each filter unit. An electron beam probe device characterized in that a deflection center of a primary electron beam is made to coincide with a filter center by controlling a voltage.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067778A JPH0817196B2 (en) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | Electron beam probe device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067778A JPH0817196B2 (en) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | Electron beam probe device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239949A JPH01239949A (en) | 1989-09-25 |
| JPH0817196B2 true JPH0817196B2 (en) | 1996-02-21 |
Family
ID=13354753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63067778A Expired - Lifetime JPH0817196B2 (en) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | Electron beam probe device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817196B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166971U (en) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10253717B4 (en) * | 2002-11-18 | 2011-05-19 | Applied Materials Gmbh | Device for contacting for the test of at least one test object, test system and method for testing test objects |
| US6833717B1 (en) * | 2004-02-12 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Electron beam test system with integrated substrate transfer module |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61156627A (en) * | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | Sample voltage measuring apparatus |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP63067778A patent/JPH0817196B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166971U (en) * | 1987-04-20 | 1988-10-31 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01239949A (en) | 1989-09-25 |
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