JPH081767B2 - Conductive thin film and manufacturing method thereof - Google Patents
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Landscapes
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、導電性薄膜およびその
製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive thin film and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来行われてきたインライン方式におけ
る薄膜の製造方法では、ライン上に基板を所定の速度で
移動させながら、たとえば、スパッタリング等によりそ
の基板上にターゲットの物質を導き、所定の薄膜を形成
した後、更に、その薄膜を一挙に最終目的の膜厚に成長
させることが行われてきた。2. Description of the Related Art In a conventional method for producing a thin film in an in-line system, a target substance is introduced onto the substrate by, for example, sputtering while moving the substrate on the line at a predetermined speed. After forming the film, the thin film has been grown all at once to a final target film thickness.
【０００３】また、得られる薄膜はターゲットの組成を
なす原子が薄膜の成長方向に切れ目を生じ、不連続に積
層されたものが形成されていた。Further, the obtained thin film was formed by discontinuously laminating atoms forming the composition of the target in the growth direction of the thin film.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来の方法では、ライン上に基板を所定の速度で移動させ
ながら成膜を行うが、そのラインに面して設けられてい
るターゲットは途中に隙間があるため、基板上に形成さ
れた薄膜は連続一様には形成されず、さらに、その後の
工程で膜を急成長させる工程では、残留内部応力が発生
し、形成された薄膜は電気的、機械的性質が劣化したも
のとなる問題があった。この対応として、たとえ、膜の
成長に長時間をかけて最終目的の膜厚に成長させたとし
ても、そのためには大面積の大型のターゲットが必要と
なり、コストの増大は避けられない。However, in the above-mentioned conventional method, the film formation is performed while moving the substrate on the line at a predetermined speed, but the target provided facing the line is not formed on the way. because there is a gap, a thin film formed on the substrate is not formed on the uniform continuity, further, in the step of rapid growth of the film in the subsequent step, a thin film of residual internal stress is generated, formed in electrical However, there was a problem that mechanical properties deteriorated. To cope with this, even if it takes a long time to grow the film to reach the final target film thickness, a large target with a large area is required for that purpose, and an increase in cost cannot be avoided.
【０００５】本発明はこれらの問題を解決するためにな
されたもので、薄膜の成長方向に境界のない連続一様な
微小構造をもち、電気的、機械的特性が向上した導電性
薄膜およびその製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve these problems, and has a continuous and uniform microstructure with no boundaries in the growth direction of the thin film, and a conductive thin film having improved electrical and mechanical properties. It is intended to provide a manufacturing method.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ために、本発明の導電性薄膜は、基板上に互いに異なる
物質からなる複数種類の極薄膜が、それぞれ膜厚１０Å
近傍の厚みで、交互に層状に形成されているとともに、
全体として上記各物質による固溶状態を形成してなるこ
とによって特徴付けられる。In order to achieve the object of the present invention, a conductive thin film of the present invention comprises a plurality of types of ultrathin films made of different substances on a substrate, each having a film thickness of 10Å.
In the vicinity of the thickness, along with being formed in layers alternately,
It is characterized by forming a solid solution state with the above substances as a whole.
【０００７】また、上記した本発明の導電性薄膜の製造
方法は、真空チャンバ内に、複数個の基板が配列された
基板ユニットと、その基板ユニットを載置する回転自在
の載置台とを備え、かつ、上記真空チャンバ内の側壁全
面に複数種類、複数個のターゲットを所定の傾斜角をな
すよう配列し、かつ、その傾斜するターゲット列毎に同
一種類のターゲットを配列するとともに、真空チャンバ
近傍に、上記載置台の速度を制御し、駆動する回転機構
部と、上記各ターゲットに印加する電圧を制御する印加
電源制御部とを設けた構成の装置を用いて薄膜を製造す
る方法であって、上記回転機構部の駆動により、上記載
置台およびその載置台上に保持されている上記基板ユニ
ットを所定の速度で回転走行させた状態で、所定の電圧
に印加された各ターゲットの組成をなす物質を上記各セ
ル上に導くことにより請求項１に記載の導電性薄膜を製
造することによって特徴付けられる。Further, in the above-described method of manufacturing a conductive thin film of the present invention , a plurality of substrates are arranged in a vacuum chamber.
A substrate unit and a rotatable mounting table on which the substrate unit is mounted are provided, and a plurality of types of targets are arranged on the entire side wall of the vacuum chamber so as to form a predetermined tilt angle , and The same for each inclined target row
While arranging one type of target, in the vicinity of the vacuum chamber, a rotation mechanism unit that controls and drives the speed of the mounting table and an applied power supply control unit that controls the voltage applied to each target are provided. A method for producing a thin film using an apparatus, wherein the rotating mechanism unit is driven to rotate the mounting table and the substrate unit held on the mounting table at a predetermined speed. In this state, a substance having a composition of each target applied to a predetermined voltage is introduced onto each of the cells to produce the conductive thin film according to claim 1.
【０００８】[0008]
【作用】１０Å程度の極薄膜が層状に形成された堆積膜
では、各層は原子の相互拡散によってＸ線結晶学的に固
溶状態を示す。本発明の導電性薄膜はこの点を利用した
もので、不連続な堆積膜とはならず、均一な膜質となっ
ている。すなわち、必要とする膜の成分それぞれからな
る複数種の極薄膜を交互に積層した構造により、全体と
しては実質的にこれらの物質が固溶状態となった必要な
材質の膜となる。In the deposited film in which an ultrathin film of about 10Å is formed in layers, each layer shows a solid solution state by X-ray crystallography due to mutual diffusion of atoms. The conductive thin film of the present invention takes advantage of this point and does not form a discontinuous deposited film but has a uniform film quality. That is, due to the structure in which a plurality of types of ultra-thin films each of which has a required film component are alternately laminated, the film as a whole is substantially made of the necessary material in a solid solution state.
【０００９】また、本発明の導電性薄膜の製造方法は、
各ターゲットを真空チャンバ内の側面全面に所定の傾斜
角をなした状態で配列し、その傾斜するターゲット列毎
に同一種類のターゲットを配列するので、回転する載置
台に保持された基板は切れ目のないターゲット面に常に
晒された状態となる。従って、スパッタ成膜は途切れず
に、連続的になされ、得られる各薄膜層は均一なものと
なり、全体として方向性をもたない均一な膜となる。Further, the method for producing a conductive thin film of the present invention is
Inclination of each target on the entire side surface in the vacuum chamber
Arranged in a corner and for each tilted target row
Since the targets of the same type are arranged on the substrate , the substrate held on the rotating mounting table is always exposed to the uninterrupted target surface. Therefore, sputter film formation is performed continuously without interruption, and each thin film layer obtained is uniform.
As a result, a uniform film having no directivity as a whole is obtained .
【００１０】ターゲットの種類、個数および配列は、可
変であり、必要に応じて適宜組み合わせ、配列すること
により、最適の組成の導電性薄膜を形成できる。そし
て、これらの各ターゲットに負荷される電力および載置
台の回転速度を制御することにより膜の成長速度を最適
に調節することができる。すなわち、図５に示すスパッ
タ電力とスパッタレートとの関係により、所望のスパッ
タレートを得るための電力を求めることができ、この電
力に基づいて、電流あるいは電圧の設定を行い、さらに
回転速度の設定する。このようにして、最適な制御のも
とで所望の膜が得られる。The type, number and arrangement of the targets are variable, and a conductive thin film having an optimum composition can be formed by appropriately combining and arranging the targets. Then, by controlling the electric power applied to each of these targets and the rotation speed of the mounting table, the growth rate of the film can be optimally adjusted. That is, the power for obtaining a desired sputter rate can be obtained from the relationship between the sputter power and the sputter rate shown in FIG. 5, and the current or voltage is set based on this power, and further the rotational speed is set. To do. In this way, the desired film is obtained under optimal control.
【００１１】[0011]
【実施例】図１（ｂ）は本発明の導電性薄膜の実施例を
示す模式的断面図である。基板Ｓ上にＴａ原子ａおよび
Ｍｏ原子ｂが、固溶状態となっており、結晶学的均質相
を形成している。１０Å程度の層状をなす薄膜は、各層
間で各々を構成する原子が、拡散あるいは置換により固
溶状態となり、結晶学的均質相を形成する。従って、図
１（ｂ）に示す薄膜は、図１（ａ）に示すように、まず
基板Ｓ上に、タンタル層Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 およびモリブ
デン層Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 を交互に堆積させ、層状をなす
薄膜を形成する。そして、その各層が１０Å程度の極薄
膜に形成し、その後のアニールにより各層の原子の相互
拡散が行われ、Ｘ線結晶学的に固溶状態の導電性薄膜が
形成される。EXAMPLE FIG. 1B is a schematic sectional view showing an example of the conductive thin film of the present invention. Ta atoms a and Mo atoms b are in a solid solution state on the substrate S and form a crystallographically homogeneous phase. In a thin film having a layered shape of about 10Å, the atoms constituting each layer become a solid solution state by diffusion or substitution, and form a crystallographically homogeneous phase. Therefore, as shown in FIG. 1A, the thin film shown in FIG. 1B has tantalum layers T 1 , T 2 , T 3 and molybdenum layers M 1 , M 2 , M 3 first on the substrate S. The layers are alternately deposited to form a layered thin film. Then, each layer is formed into an ultra-thin film of about 10 Å, and the subsequent annealing causes mutual diffusion of atoms in each layer to form a conductive thin film in a solid solution state by X-ray crystallography.
【００１２】次に、この導電性薄膜の製造方法を以下に
説明する。図２はその製造に用いられる装置の構成を示
す図であり、図３は真空チャンバを図２の上方から見た
平面模式図である。Next, a method of manufacturing this conductive thin film will be described below. FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an apparatus used for manufacturing the same, and FIG. 3 is a schematic plan view of the vacuum chamber as seen from above in FIG.
【００１３】真空チャンバ９は、いわゆるカルーセル式
に用いられる形状をなし、内側の側壁９ａ，９ｂは、そ
れぞれその外周に沿った円柱の側面と、内周に沿った円
柱の側面とによって構成されている。The vacuum chamber 9 has a shape used in a so-called carousel type, and the inner side walls 9a and 9b are constituted by side surfaces of a cylinder along the outer circumference and side surfaces of the cylinder along the inner circumference, respectively. There is.
【００１４】この側壁９ａ，９ｂに沿って全面に、ター
ゲットモジュール１ａ，１ｂが設けられており、このタ
ーゲットモジュール１ａ，１ｂには、図４に示すように
短冊型のターゲット２が、走行方向に対して傾斜角をな
して配列されている。さらに、これらのターゲット２
は、各々印加電源制御部の制御により個々に所定の電圧
が印加されるようになっている。Target modules 1a and 1b are provided on the entire surfaces along the side walls 9a and 9b. The target modules 1a and 1b are provided with strip-shaped targets 2 in the traveling direction as shown in FIG. In contrast, they are arranged at an inclination angle. In addition, these targets 2
Are individually applied with a predetermined voltage under the control of the applied power supply control unit.
【００１５】複数個の基板４が配列された基板ユニット
３は、回転自在の載置台５上に保持された状態で載置さ
れている。この載置台５は回転機構部７により、その回
転速度が制御される。The substrate unit 3 in which a plurality of substrates 4 are arranged is mounted while being held on a rotatable mounting table 5. The rotation speed of the mounting table 5 is controlled by the rotation mechanism section 7.
【００１６】なお、真空チャンバ９は、真空排気系（図
示せず）に接続されており、薄膜を形成する際に、真空
チャンバ９内は真空引きされ、また、ガス供給系６から
反応ガスが真空チャンバ９内に導かれる。本実施例では
Ａｒガスが用いられている。このＡｒガスはＮ2 ガスに
比べ、原子の並びを良くする上で効果がある。The vacuum chamber 9 is connected to a vacuum exhaust system (not shown), the inside of the vacuum chamber 9 is evacuated when a thin film is formed, and the reaction gas is supplied from the gas supply system 6. It is introduced into the vacuum chamber 9. In this embodiment, Ar gas is used. This Ar gas is effective in improving the arrangement of atoms as compared with N 2 gas.
【００１７】次に、以上の構成の装置を用いて、導電性
薄膜を形成する方法を説明する。ターゲットモジュール
１ａ，１ｂには、形成する薄膜の組成をなすターゲット
を所定数だけ基板ユニット３の走行方向に対して所定の
傾斜角をなすよう配列する。この配列に際しては、図４
に示すように、斜め１列毎に同一材料のターゲットを配
列する。本実施例では、この材料としては、モリブデン
およびタンタルを用いる。また、印加電源制御部８で
は、各々のターゲット２に印加すべき電圧の設定が行わ
れ、その電圧を印加するよう制御がなされる。Next, a method for forming a conductive thin film using the apparatus having the above-mentioned structure will be described. In the target modules 1a and 1b, a predetermined number of targets having the composition of the thin film to be formed are arranged so as to form a predetermined inclination angle with respect to the traveling direction of the substrate unit 3. This arrangement is shown in Figure 4.
As shown in, the targets made of the same material are arrayed in every diagonal row. In this embodiment, molybdenum and tantalum are used as this material. Further, the applied power supply controller 8 sets the voltage to be applied to each target 2 and controls the application of the voltage.
【００１８】すなわち、図６に示すように、比抵抗値
が、モリブデンおよびタンタルの混合比およびその堆積
速度によることから、所望の比抵抗値を有する導電性薄
膜を得るために、各種類のターゲットの数や堆積速度の
設定がなされ、この堆積速度の設定に基づいて上述した
印加すべき電圧の設定がなされる。That is, as shown in FIG. 6, since the specific resistance value depends on the mixing ratio of molybdenum and tantalum and the deposition rate thereof, in order to obtain a conductive thin film having a desired specific resistance value, various kinds of targets can be obtained. Is set and the deposition rate is set, and the voltage to be applied is set based on the setting of the deposition rate.
【００１９】また、載置台５は回転機構部７により、そ
の回転速度が制御されおり、所定の速度で回転する。こ
の載置台５に載置され基板ユニット３は、所定の速度で
回転した状態で、かつ、スッパタリングする基板４を基
板加熱装置（図示せず）を用いて最良の温度条件とした
状態でスッパタリングすることにより、図１（ａ）に示
すように、各々の基板４上には、モリブデン層Ｍ1 ，Ｍ
2 ，Ｍ3 およびタンタル層Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 が交互に層
状をなして成膜される。そして、この膜を所定の厚さに
成膜した後、アニールすることにより、各層を形成して
いるモリブデン原子およびタンタル原子は拡散されて、
結晶学的固溶相をなす合金膜が形成される。Further, the rotation speed of the mounting table 5 is controlled by the rotation mechanism section 7, and the mounting table 5 rotates at a predetermined speed. The substrate unit 3 placed on the placing table 5 is rotated at a predetermined speed, and the substrate 4 to be sputtered is sputtered under the best temperature condition using a substrate heating device (not shown). by Taringu, as shown in FIG. 1 (a), on each of the substrates 4, a molybdenum layer M 1, M
2 , M 3 and tantalum layers T 1 , T 2 , T 3 are deposited alternately in layers. Then, after forming this film to a predetermined thickness, by annealing, the molybdenum atoms and tantalum atoms forming each layer are diffused,
An alloy film forming a crystallographic solid solution phase is formed.
【００２０】なお、本実施例では、モリブデンおよびタ
ンタルの合金膜の形成を例にとったが、それらの金属に
限ることなく、Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｐｄ，Ａｌ−Ｔａ等
の合金が得られる。In this embodiment, the formation of an alloy film of molybdenum and tantalum is taken as an example, but not limited to these metals, an alloy such as Al-Cr, Al-Pd, Al-Ta can be obtained. .
【００２１】更に、本実施例では、スッパタリングを用
いたが、更に詳しく印加する電圧の種類毎のスパッタ方
式の模式的な回路図を、図７乃至図１０に示す。図７は
ＡＣスパッタの場合で、Ｔａ−Ｍｏ合金膜を形成する例
であり、先の実施例に対応する。同一チャンバ７０内
に、Ｔａターゲットからなるモジュール７１およびＭｏ
ターゲットからなるモジュール７２が、チャンバ７０の
側壁に設けられている。また、回転式装着台７６にはガ
ラス基板７３が取りつけられている。このＴａおよびＭ
ｏの混合比は定電流電源７４，７５でそれぞれの割合を
制御する。また、回転式装着台７６の回転速度を制御す
ることによって膜質を安定することができる。Further, although spattering is used in this embodiment, more detailed schematic circuit diagrams of the sputtering method for each type of voltage to be applied are shown in FIGS. 7 to 10. FIG. 7 shows an example of forming a Ta—Mo alloy film in the case of AC sputtering, which corresponds to the previous embodiment. In the same chamber 70, a Ta target module 71 and Mo
A target module 72 is provided on the side wall of the chamber 70. A glass substrate 73 is attached to the rotary mounting table 76. This Ta and M
The mixing ratio of o is controlled by the constant current power supplies 74 and 75. Further, the film quality can be stabilized by controlling the rotation speed of the rotary mounting table 76.
【００２２】図８はＤＣスパッタの場合で、各ターゲッ
ト８２ａ，８２ｂのそれぞれ定電流電源８１ａ，８１ｂ
は並列に接続されており、基板８３は接地されている。
図９はＲＦスパッタの場合で、ターゲット９２ａ，９２
ｂは、それぞれ、発振器９５からの高周波を電源とし、
位相シフタ９１、ＲＦ電力増幅器９６およびインピーダ
ンスのマッチングを行うマッチングボックス９４に順に
接続されている。また、基板９３は接地されている。こ
の高周波電源として、たとえば、100MHzが用いられてい
る。FIG. 8 shows the case of DC sputtering, in which the constant current power supplies 81a and 81b of the targets 82a and 82b, respectively.
Are connected in parallel, and the substrate 83 is grounded.
FIG. 9 shows a case of RF sputtering, in which targets 92a, 92
b is a high frequency power source from the oscillator 95,
The phase shifter 91, the RF power amplifier 96, and the matching box 94 that performs impedance matching are sequentially connected. The board 93 is grounded. As this high frequency power supply, for example, 100 MHz is used.
【００２３】そして、図１０はＲＤＣスパッタの場合
で、高周波電源１０５を用い、13.56MHz が用いられて
いる。さらに、この高周波電源１０５は分配器１０６に
接続され、さらにターゲット１０２ａ，１０２ｂのそれ
ぞれに接続するマッチングボックス１０４に接続されて
いる。また、各マッチングボックス１０４には定電流電
源１０１が直流電源として接続されている。また、基板
１０３は接地されている。FIG. 10 shows the case of RDC sputtering, which uses a high frequency power supply 105 and uses 13.56 MHz. Further, the high frequency power supply 105 is connected to a distributor 106, and further connected to a matching box 104 connected to each of the targets 102a and 102b. The constant current power supply 101 is connected to each matching box 104 as a DC power supply. The substrate 103 is grounded.
【００２４】更にまた、本実施例では、スッパタリング
を用いたが、この方式に限ることなく、反応性方法ある
いはイオンビーム法を用いても実施できることはいうま
でもない。Furthermore, in the present embodiment, spattering is used, but it goes without saying that the present invention is not limited to this method and a reactive method or an ion beam method can be used.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の導電性薄
膜によれば、基板上に互いに異なる物質からなる複数種
類の極薄膜が、それぞれ膜厚１０Å近傍の厚みで、交互
に層状に形成されているとともに、全体として上記各物
質による固溶状態を形成してなり、結晶学的に固溶状態
をなすよう形成されているので、この導電性薄膜は、連
続一様な微小構造を有し、電気的、機械的特性が向上す
る。As described above, according to the conductive thin film of the present invention, a plurality of kinds of substances different from each other are formed on the substrate.
Ultra thin films of the same class, each with a thickness of around 10Å
It is formed into a layered structure, and the above items as a whole
Will form a solid solution state by quality, because it is formed so as to form a crystallographically solid solution state, the conductive thin film has a continuous uniform microstructure, electrical, mechanical properties improves.
【００２６】一方、本発明の導電性薄膜の製造方法によ
れば、ターゲットユニットの走行方向に沿った側壁全面
にターゲットを所定の傾斜角に配列し、かつ、その傾斜
するターゲット列毎に同一種類のターゲットを配列する
ように構成したので、途切れることなく連続的に成膜を
行うことができ、各層の膜質は均一に形成され、また薄
膜層全体においても方向性をもたない均一なものとな
る。また、各ターゲットの負荷電力および載置台の回転
速度を制御することができ、基板の温度を調節すれば、
最良の条件で成膜速度を調整できる。この結果、比抵抗
値を所定値に近づける等の所望の膜質の形成が容易とな
る。さらに、任意の種類の金属を混ぜ合わせた合金や、
その酸化物、窒化物等の薄膜の形成ができる。On the other hand, according to the method for producing a conductive thin film of the present invention.
If so, the entire side wall along the traveling direction of the target unit
Arrange the targets at a predetermined tilt angleAnd its inclination
Arrange the same type of target for each target columnDo
likeBecause I configured, Continuous film formation without interruption
Can be done, The film quality of each layer is uniform and thin.
The entire film layer should be uniform with no directionality.
It Also, load power of each target and rotation of the mounting table
You can control the speed, and if you adjust the temperature of the substrate,
The film formation rate can be adjusted under the best conditions. As a result, the specific resistance
It is easy to form the desired film quality, such as bringing the value closer to the specified value.
It In addition, alloys mixed with any kind of metal,
A thin film of the oxide or nitride can be formed.
【００２７】さらにまた、合金ターゲットを形成する際
に、従来のように混ぜ合わせる金属の面積比に従って一
体型ターゲットを形成する必要がなく、単一ターゲット
を上述したように複数種類、複数個、所定の傾斜角に配
列し、所定のターゲット電力および所定の載置台の回転
速度を設定することで最適の組成の薄膜を容易に得るこ
とができる。Furthermore, when forming an alloy target, it is not necessary to form an integrated target according to the area ratio of the metal to be mixed as in the conventional case, and a plurality of types of a single target, a plurality of predetermined targets can be formed as described above. It is possible to easily obtain a thin film having an optimum composition by arranging the same at an inclination angle of, and setting a predetermined target power and a predetermined rotation speed of the mounting table.
【図１】 本発明の導電性薄膜の実施例を示す模式的断
面図FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a conductive thin film of the present invention.
【図２】 本発明の導電性薄膜の製造方法の実施例を示
す模式的構成図FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a method for producing a conductive thin film of the present invention.
【図３】 本発明の導電性薄膜の製造方法の実施例のチ
ャンバ部分を上方からみた平面図FIG. 3 is a plan view of the chamber portion of the embodiment of the method for producing a conductive thin film of the present invention, seen from above.
【図４】 本発明の導電性薄膜の製造方法の実施例のチ
ャンバ側壁に配列されたターゲットを示す図FIG. 4 is a diagram showing targets arranged on a side wall of a chamber in an embodiment of a method of manufacturing a conductive thin film of the present invention.
【図５】 スパッタ電力とスパッタレートとの関係を示
す図FIG. 5 is a diagram showing the relationship between sputtering power and sputtering rate.
【図６】 Ｍｏ／Ｔａ混合比と比抵抗との関係を示す図FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the Mo / Ta mixing ratio and the specific resistance.
【図７】 本発明の導電性薄膜の製造方法の実施例で、
Ｔａ−Ｍｏ合金膜の製造に用いる装置の模式的回路図FIG. 7 is an example of the method for producing a conductive thin film of the present invention,
Schematic circuit diagram of an apparatus used for producing a Ta-Mo alloy film
【図８】 本発明の導電性薄膜の製造方法の実施例で、
ＤＣスパッタを用いた場合の要部の模式的回路図FIG. 8 is an example of the method for producing a conductive thin film of the present invention,
Schematic circuit diagram of essential parts when DC sputtering is used
【図９】 本発明の導電性薄膜の製造方法の実施例で、
ＲＦスパッタを用いた場合の要部の模式的回路図FIG. 9 is an example of the method for producing a conductive thin film of the present invention,
Schematic circuit diagram of essential parts when RF sputtering is used
【図１０】 本発明の導電性薄膜の製造方法の実施例
で、ＲＤＣスパッタを用いた場合の要部の模式的回路図FIG. 10 is a schematic circuit diagram of a main part when RDC sputtering is used in an example of a method for producing a conductive thin film of the present invention.
１ａ，１ｂ・・・・ターゲットモジュール ２・・・・ターゲット ３・・・・基板ユニット ４・・・・基板 ５・・・・載置台 ６・・・・ガス供給系 ７・・・・回転機構部 ８・・・・印加電源制御部 ９・・・・真空チャンバ1 a, 1 b ... Target module 2 ... Target 3 ... Substrate unit 4 ... Substrate 5 ... Mounting table 6 ... Gas supply system 7 ... Rotation mechanism Part 8 ... Applied power supply control unit 9 ... Vacuum chamber
Claims (2)
種類の極薄膜が、それぞれ膜厚１０Å近傍の厚みで、交
互に層状に形成されているとともに、全体として上記各
物質による固溶状態を形成してなる導電性薄膜。1. A plurality of types of ultra- thin films made of different substances are alternately formed on a substrate in layers with a thickness of about 10 Å, and a solid solution state of the above substances is formed as a whole. Conductive thin film formed.
された基板ユニットと、その基板ユニットを載置する回
転自在の載置台とを備え、かつ、上記真空チャンバ内の
側壁全面に複数種類、複数個のターゲットを所定の傾斜
角をなすよう配列し、かつ、その傾斜するターゲット列
毎に同一種類のターゲットを配列するとともに、真空チ
ャンバ近傍に、上記載置台の速度を制御し、駆動する回
転機構部と、上記各ターゲットに印加する電圧を制御す
る印加電源制御部とを設けた構成の装置を用いて薄膜を
製造する方法であって、上記回転機構部の駆動により、
上記載置台およびその載置台上に保持されている上記基
板ユニットを所定の速度で回転走行させた状態で、所定
の電圧に印加された各ターゲットの組成をなす物質を上
記各セル上に導くことにより請求項１に記載の導電性薄
膜を製造することを特徴とする導電性薄膜の製造方法。2. A vacuum chamber is provided with a substrate unit in which a plurality of substrates are arranged, and a rotatable mounting table on which the substrate unit is mounted, and a plurality of types are provided on the entire sidewall of the vacuum chamber. , A plurality of targets arranged at a predetermined tilt angle , and the tilted target row
A target of the same type is arranged for each, and in the vicinity of the vacuum chamber, a rotation mechanism unit that controls and drives the speed of the mounting table and an applied power supply control unit that controls the voltage applied to each target are provided. A method of manufacturing a thin film using the apparatus of the configuration, by driving the rotation mechanism section,
The group held in the mounting table and its mounting on the table
The conductive thin film according to claim 1, wherein a material having a composition of each target applied with a predetermined voltage is introduced onto each of the cells while the plate unit is rotated and run at a predetermined speed. And a method for producing a conductive thin film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090635A JPH081767B2 (en) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | Conductive thin film and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090635A JPH081767B2 (en) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | Conductive thin film and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05290636A JPH05290636A (en) | 1993-11-05 |
| JPH081767B2 true JPH081767B2 (en) | 1996-01-10 |
Family
ID=14003957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4090635A Expired - Lifetime JPH081767B2 (en) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | Conductive thin film and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081767B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101794586B1 (en) * | 2011-05-23 | 2017-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Separated target apparatus for sputtering and sputtering method using the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2625841B2 (en) * | 1988-03-24 | 1997-07-02 | 旭硝子株式会社 | Method for producing transparent conductive film, target material and tablet material |
| JPH0699803B2 (en) * | 1988-05-30 | 1994-12-07 | 三容真空工業株式会社 | Equipment for manufacturing transparent conductive film by sputtering |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP4090635A patent/JPH081767B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05290636A (en) | 1993-11-05 |
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