JPH0818461B2 - 光学的記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学的記録媒体に関し、特に光ディスクや光
カード技術に用いられる記録再生特性および保存安定性
を向上させた光学的記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

一般に、光ディスクおよび光カードは、基体上の薄い
記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（例えば
約１μ）ピット（凹部）をらせん状，円形または直線上
のトラック形態にして高密度情報を記録することができ
る。

このようなディスクに情報を書き込むには、レーザ感
応層の表面に集束したレーザ光を走査し、このレーザ光
が照射された表面のみにピットを形成し、このピットを
らせん状、円形状または直線状のトラックの形態で形成
することが必要である。

レーザ感応層はレーザエネルギーを吸収して光学的に
検出可能なピットを形成できる。

たとえば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層
は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発または融解に
より小さなピットを形成できるし、また別のヒートモー
ド記録方式では、照射されたレーザエネルギーの吸収に
より、その個所に光学的に検出可能な濃度差を有するピ
ットを形成できる。

この種の光記録再生装置に用いられる光記録媒体とし
ては、基板、金属反射層および色素を含む記録層から構
成されているものが知られている。

この光記録媒体は、色素を含む記録層に入射するレー
ザ光が金属反射層に達し、そこから反射されるように反
射光を検出し易いように形成したものであって、この場
合、金属反射層は記録層のみでは不足する反射光量を補
うために設けられている。

しかしながら、金属反射層の存在は光記録媒体の構成
を複雑にするとともに高コストの原因となっている。

それに対して、反射率の高い記録層として有機色素薄
膜を用いると、前記の問題点を解決することが可能であ
る。

特に、有機色素薄膜として、レーザ光に対する光吸収
の大きいポリメチン系色素、アズレン系色素、シアニン
系色素、ピリリウム系色素等を用いると、金属光沢（反
射率10〜50％）を示す光吸収反射膜が得られ、レーザ記
録が可能で反射読み出しが可能な光学的記録媒体を得る
ことができる。

特にレーザ光源として発振波長700〜800nmの半導体レ
ーザを用いると、装置の小型化および低コスト化が可能
となる。

しかしながら、有機色素薄膜は一般に熱および光に対
して変質し易いなどの問題点があって、記録再生特性お
よび保存安定性が低下する欠点があった。

また、光学的記録媒体は上述した如く同じレーザを用
いて強いレーザパワーで記録し、さらに弱いレーザパワ
ーで再生するため、レーザパワーに対するしきい値が明
確である必要があるが、有機色素薄膜は無機薄膜に比べ
て上記のような明確なしきい値が得られにくく、再生時
において劣化し易いのが現状である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、基体上に記録層として有機色素薄膜
を設けた光学的記録媒体において、有機色素薄膜の熱お
よび光に対する安定性を改良し、長期保存性および繰り
返し再生特性を向上させた光学的記録媒体を提供するこ
とにある。

また本発明の別の目的は、有機色素薄膜が高感度とC/
N比（キャリア／ノイズ比）を有するのみならず、レー
ザパワーに対する明確なしきい値も有する、記録再生特
性の優れた光学的記録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段および作用〕

本発明は基体上に記録層を設けた光学的記録媒体にお
いて、該記録層が、下記一般式〔Ｉ〕，〔II〕または
〔III〕で表わされるジアズレニウム塩化合物１種以上
と、アミニウム塩化合物またはジイモニウム塩化合物の
１種以上とを含有することを特徴とする。

一般式〔Ｉ〕 一般式〔II〕 一般式〔III〕 一般式〔Ｉ〕，〔II〕，〔III〕において、R₁〜R₇お
よびＲ′_１〜Ｒ′_７は、水素原子、ハロゲン原子（塩素
原子、臭素原子、沃素原子）又は１価の有機残基を表わ
す。この１価の有機残基としては、広範なものから選択
することができるが、特にアルキル基（メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブ
チル、ｎ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−
エチルヘキシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基
（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、
置換もしくは未置換のアリール基（フェニル、トリル、
キシリル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキ
シフェニル、クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチ
ルアミノフェニル、α−ナフチル、β−ナフチルな
ど）、置換もしくは未置換のアラルキル基（ベンジル、
２−フェニルエチル、２−フェニル−１−メチルエチ
ル、ブロモベンジル、２−ブロモフェニルエチル、メチ
ルベンジル、メトキシベンジル、ニトロベンジル）、ア
シル基（アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレリ
ル、ベンゾイル、トリオイル、ナフトイル、フタロイ
ル、フロイルなど）、置換若しくは未置換アミノ基（ア
ミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルア
ミノ、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなど）、置換
若しくは未置換スチリル基（スチリル、ジメチルアミノ
スチリル、ジエチルアミノスチリル、ジプロピルアミノ
スチリル、メトキシスチリル、エトキシスチリル、メチ
ルスチリルなど）、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキ
シル基、シアノ基又は置換若しくは未置換アリールアゾ
基（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルア
ゾ、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルア
ゾ、ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリ
ルアゾなど）を挙げることができる。

また、R₁とR₂，R₂とR₃，R₃とR₄，R₄とR₅，R₅とR₆，R₆
とR₇およびＲ′_１とＲ′_２,R′_２とＲ′_３,R′_３とＲ′
_４,R′_４とＲ′_５,R′_５とＲ′_６,R′_６とＲ′_７の組合
せのうち少なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮
合環を形成してもよい。縮合環としては５員,6員，また
は７員環の縮合環であり、芳香族環（ベンゼン、ナフタ
レン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベンゼ
ン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベン
ゼンなど）、複素環（フラン環、ベンゾフラン環、ピロ
ール環、チオフエン環、ピリジン環、キノリン環、チア
ゾール環、など）、脂肪族環（ジメチレン、トリメチレ
ン、テトナメチレンなど）が挙げられる。Ｚ はアニオ
ン残基を表わす。

R₁〜R₇およびＲ′_１〜Ｒ′_７は、同一でも異なっても
よい。

Ａは、１価の有機残基を表わす。かかるＡを構成要素
として含むジアズレニウム塩化合物の具体的な例として
は下記一般式（１）〜（11）で表わされるものを挙げる
ことができる。ただし、式中のＱ は下記のジアズレニ
ウム塩核を示し、式中のＱ を除く右辺がＡを示してい
る。

ジアズレニウム塩核（Ｑ ） 一般式（１） 式中、R₁〜R₇およびＲ′_１〜Ｒ′_７は前記で定義した
ものと同一の定義を有する。

一般式（２） 式中R₁〜R₇およびＲ′_１〜Ｒ′_７は前記で定義したも
のと同一の定義を有する。

一般式（３） 式中、Ｒ″_１〜Ｒ″_７は前記で定義したR₁〜R₇と同様
の定義を有する。

Ｚ はアニオン残基を表わし、例えば塩化物イオン、
臭化物イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸塩イオン、硝
酸塩イオン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、Ｐ−トルエ
ンスルホン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫
酸塩イオン、プロピル硫酸塩イオン、テトラフルオロホ
ウ酸塩イオン、テトラフェニルホウ酸塩イオン、ヘキサ
フルオロリン酸塩イオン、ベンゼンスルフィン酸塩イオ
ン、酢酸塩イオン、トリフルオロ酢酸塩イオン、プロピ
オン酢酸塩イオン、安息香酸塩イオン、シユウ酸塩イオ
ン、コハク酸塩イオン、マロン酸塩イオン、オレイン酸
塩イオン、ステアリン酸塩イオン、クエン酸塩イオン、
一水素二リン酸塩イオン、二水素一リン酸塩イオン、ペ
ンタクロロスズ酸塩イオン、クロロスルホン酸塩イオ
ン、フルオロスルホン酸塩イオン、トリフルオロメタン
スルホン酸塩イオン、ヘキサフルオロヒ酸塩イオン、ヘ
キサフルオロアンチモン酸塩イオン、モリブデン酸塩イ
オン、タングステン酸塩イオン、チタン酸塩イオン、ジ
ルコン酸塩イオンなどの陰イオンを表わす。

R₈およびR₉は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シ
アノ基、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチ
ルなど）又はアリール基（フェニル、トリル、キシリル
など）を表わし、ｎは0,1または２を表わす。

一般式（４） 式中R₁〜R₇およびＲ′_１〜Ｒ′_７は前記で定義したも
のと同一の定義を有し、またＱ で示すジアズレニウム
塩核と前記式（４）における右辺のジアズレン塩核とは
対称であってもよく、または非対称であってもよい。

R₈，R₉およびＺ は前記で定義したものと同一の定義
を有し、ｎは0,1または２を表わす。

一般式（５） 一般式（６） 式中、R₁〜R₇,R′_１〜Ｒ′_７,R″_１,R″_３〜Ｒ″_７，
およびＺ は前記で定義したものと同一の定義を有す
る。また、Ｑ で示すアズレニウム塩核と前記式（６）
における右辺のジアズレン塩核とは対称であってもよ
く、または非対称であってもよい。

一般式（７） 式中、R₁〜R₇,R′_１〜Ｒ′_７，R₈およびＺ は前記で
定義したものと同一の定義を有する。また、Ｑ で示す
アズレニウム塩核と前記式（７）における右辺のジアズ
レン塩核とは対称であってもよくまたは非対称であって
もよい。

A₁は置換または未置換の５員もしくは６員環を形成す
る２価の炭化水素基（例えば-CH₂-CH₂，-CH₂-CH₂-CH
₂-， −CH＝CH−など）を表わし、これらの５員または６員の
ベンゼン環、ナフタレン環などと縮合されていてもよ
い。ｎおよびｍは、1,2または３を表わす。

一般式（８） 一般式（９） 一般式（８）（９）の中でX₁はピリジン、チアゾー
ル、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾール、オキサゾー
ル、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、イミダ
ゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、２
−キノリン、４−キノリン、イソキノリン又はインドー
ルなどの含窒素複素環を完成するに必要な非金属原子群
を表わし、かかる複素環には、ハロゲン原子（塩素原
子、臭素原子、沃素原子）、アルキル基（メチル、エチ
ル、プロピル、ブチルなど）、アリール基（フェニル、
トリル、キシリルなど）などによって置換されていても
よい。R₁₀はアルキル基（メチル、エチル、プロピル、
ブチルなど）、置換アルキル基（２−ヒドロキシエチ
ル、２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、３−ヒ
ドロキシプロピル、３−メトキシプロピル、３−エトキ
シプロピル、３−クロロプロピル、３−ブロモプロピ
ル、３−カルボキシプロピルなど）、環式アルキル基
（シクロヘキシル、シクロプロピル）、アリル、アラル
キル基（ベンジン、２−フェニルエチル、３−フェニル
プロピル、４−フェニルブチル、α−ナフチルメチル、
β−ナフチルメチル）、置換アラルキル基（メチルベン
ジル、エチルベンジル、ジメチルベンジル、トリメチル
ベンジル、クロロベンジル、ブロモベンジルなど）、ア
リール基（フェニル、トリル、キシリル、α−ナフチ
ル、β−ナフチル）又は置換アリール基（クロロフェニ
ル、ジクロロフェニル、トリクロロフェニル、エチルフ
ェニル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル、アミ
ノフェニル、ニトロフェニル、ヒドロキシフェニルな
ど）を表わす。ｍは0,1または２を表わし、R₈，R₉，
R₁₁，A₁およびＺ は前記で定義したものと同一の定義
を有する。

一般式（10） 式中、R₁₂は置換又は未置換のアリール基（フェニ
ル、トリル、キシリル、ビフェニル、α−ナフチル、β
−ナフチル、アントラリル、ピレニル、メトキシフェニ
ル、ジメトキシフェニル、トリメトキシフェニル、エト
キシフェニル、ジエトキシフェニル、クロロフェニル、
ジクロロフェニル、トリクロロフェニル、ブロモフェニ
ル、ジブロモフェニル、トリブロモフェニル、エチルフ
ェニル、ジエチルフェニル、ニトロフェニル、アミノフ
ェニル、ジメチルアミノフェニル、ジエチルアミノフェ
ニル、ジベンジルアミノフェニル、ジプロピルアミノフ
ェニル、モルホリノフェニル、ピペリジニルフェニル、
ピペラジノフェニル、ジフェニルアミノフェニル、アセ
チルアミノフェニル、ベンゾイルアミノフェニル、アセ
チルフェニル、ベンゾイルフェニル、シアノフェニルな
ど）を表わす。Ｚ は前記で定義したものと同一の定義
を有する。また、ｍは0,1または２を表わす。

一般式（11） 式中、R₁₃はフラン、チオフエン、ベンゾフラン、チ
オナフテン、ジベンゾフラン、カルバゾール、フェノチ
アジン、フェノキサジン、ピリジンなどの複素環から誘
導された１価の複素環基を表わし、Ｚ は前記で定義し
たものと同一の定義を有する。また、ｍは１または２を
表わす。

一般式（12） 式中、R₁₄はアルキル基（メチル、エチル、プロピ
ル、ブチルなど）又は置換もしくは未置換のアリール基
（フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、エチルフ
ェニル、クロロフェニル、メトキシフェニル、エトキシ
フェニル、ニトロフェニル、アミノフェニル、ジメチル
アミノフェニル、ジエチルアミノフェニル、アセチルア
ミノフェニル、α−ナフチル、β−ナフチル、アントラ
リル、ビレニルなど）を表わす。R₁₂およびＺ は、前
記で定義したものと同一の定義を有する。ｍは１または
２を表わす。

一般式（13） 式中、X₂は置換されてもよいピラン、チアピラン、セ
レナピラン、ベンゾピラン、ベンゾチアピラン、ベンゾ
セレナピラン、ナフトピラン、ナフトチアピラン又はナ
フトセレナピランを完成するに必要な原子群を示す。ｌ
は、０又は１である。Ｙは、硫黄原子、酸素原子又はセ
レン原子を表わす。R₁₄およびR₁₅は、水素原子（メチ
ル、エチレル、プロピル、ブチルなど）、アルコキシ基
（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、
置換若しくは未置換のアリール基（フェニル、トリル、
キシリル、クロロフェニル、ビフェニル、メトキシフェ
ニルなど）、置換若しくは未置換のスチリル基（スチリ
ル、ｐ−メチルスチリル、ｏ−クロロスチリル、ｐ−メ
トキシスチリルなど）、置換若しくは未置換の４−フェ
ニル1,3−ブタジエニル基（４−フェニル1,3−ブタジエ
ニル、４−（ｐ−メチルフェニル）−1,3−ブダジエニ
ルなど）又は置換若しくは未置換の複素環基（キノリ
ル、ピリジル、カルバゾリル、フリルなど）を表わす。
また、R₈，R₉,mおよびＺ は前記に定義したものと同一
の定義を有する。

以下、本発明で用いるジアズレニウム塩化合物の具体
例を列挙する。

前記一般式（１）で表わされる化合物の例 化合物No. 前記一般式（２）で表わされる化合物例 前記一般式（３）で表わされる化合物例 前記一般式（４）で表わされる化合物例 前記一般式（５）で表わされる化合物例 前記一般式（６）で表わされる化合物例 前記一般式（７）で表わされる化合物例 前記一般式（８）および（９）で表わされる化合物例 前記一般式（10）で表わされる化合物例 前記一般式（11）で表わされる化合物例 前記一般式（12）で表わされる化合物例 前記一般式（13）で表わされる化合物例 このような色素は有機溶剤に対する溶解性が良好であ
るばかりか、近赤外域に吸光係数の大きい吸収ピークを
示し、光学記録媒体用として良好な特性が得られるが、
本発明者らは前述したジアズレニウム塩化合物に加えて
アミニウム塩化合物またはジイモニウム塩化合物を記録
層中に含有させると、記録再生特性および保存安定性が
向上する事実を見出すことができた。

本発明で使用されるアミニウム塩化合物およびジイモ
ニウム塩化合物は、それぞれ下記一般式〔IV〕および一
般式〔Ｖ〕で示される。

一般式〔IV〕 一般式〔Ｖ〕 一般式〔IV〕，〔Ｖ〕において、R₁₆は水素原子、ま
たはアルキル基（たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチ
ル基、iso−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミノ基、
ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−
オクチル基およびC₉〜₁₂のアルキル基など）を示し、さ
らに他のアルキル基、例えば置換アルキル基（例えば、
２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、
４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエチル基、カ
ルボキシメチル基、２−カルボキシエチル基、３−カル
ボキシプロピル基、２−スルホエチル基、３−スルホプ
ロピル基、４−スルホブチル基、３−スルフェートプロ
ピル基、４−スルフェートブチル基、Ｎ−（メチルスル
ホニル）−カルバミルメチル基、３−（アセチルスルフ
ァミル）プロピル基、４−（アセチルスルファミル）ブ
チル基など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキシ
ル基など）、アルケニル基（ビニル基、アリル基、プロ
ペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、
ヘプテニル基、オクテニル基、ドデシニル基、プレニル
基など）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネ
チル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基
など）、置換アラルキル基（たとえばカルボキシベンジ
ル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など）
を包含する。

A₂は を示す。Ｘ は陰イオンを示す。

これらのアミニウム塩化合物およびジイモニウム塩化
合物は、USPNo.3484467および3637769などに開示される
合成法に準じて合成することができる。

次に、前記一般式〔IV〕で示されるアミニウム塩化合
物の代表例を挙げる。

次に前記一般式〔Ｖ〕で示されるジイモニウム塩化合物
の代表例を挙げる。

本発明の光学的記録媒体は例えば、第１図に示すごと
き構造とすることができる。同図の光学的記録媒体は、
基板１上に少なくとも前記ジアズレニウム塩化合物と前
記アミニウム塩化合物またはジイモニウム塩化合物を含
有させた有機薄膜である記録層２を設けることによって
形成できる。かかる記録層２は前記一般式〔Ｉ〕〔II〕
〔III〕〔IV〕および〔Ｖ〕で示される化合物を有機溶
媒中に溶解混合もしくは分散混合させた塗工液を塗布す
ることによって形成することができる。

また記録層２の形成にあたって、前記一般式〔Ｉ〕
〔II〕〔III〕〔IV〕および〔Ｖ〕で示される化合物を
２種以上組合せて用いることができ、さらに、他の染
料、例えば前記一般式〔Ｉ〕〔II〕〔III〕〔IV〕およ
び〔Ｖ〕の化合物以外のポリメチン系、アズレン系、ピ
リリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系、トリフ
ェニルメタン系、キサンテン系、アントラキノン系、シ
アニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、テトラ
ヒドロコリン系、トリフェノチアジン系、フェナンスレ
ン系、金属キレート錯体系染料など、あるいは金属およ
び金属化合物など例えば、Al,Te,Bi,Sn,In,Se,SnO,Te
O₂,As,Cdなどと混合分散あるいは積層してもよい。

また、前記一般式〔Ｉ〕〜〔Ｖ〕の化合物はバインダ
ー中に分散状態または溶解状態で含有されていてもよ
く、例えばニトロセルロース、リン酸セルロース、硫酸
セルロース、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロー
ス、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロース、パルミ
チン酸セルロース、酢酸・プロピオン酸セルロース、酢
酸、酪酸セルロースなどのセルロースエステル類、メチ
ルセルロース、エチルセルロース、プロピルセルロー
ス、ブチルセルロースなどのセルロースエーテル類、ポ
リスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹脂類、
スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリロ
ニトリルコポリマー、スチレン−ブタジエン−アクリロ
ニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマ
ーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメタクリレート、ポ
リメチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ
アクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド、
ポリアクリロニトリルなどのアクリル樹脂類、ポリエチ
レンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリ（4,
4′−イソプロピリデンジフェニレン−コ−1,4−シクロ
ヘキシレンジメチレンカーボネート）、ポリ（エチレン
ジオキシ−3,3′−フェニレンチオカーボネート）、ポ
リ（4,4′−イソプロピリデンジフェニレンカーボネー
ト−コ−テレフタレート）、ポリ（4,4′−イソプロピ
リデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（4,4′−sec
−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（4,
4′−イソプロピリデンジフェニレンカーボネート−ブ
ロック−オキシエチレン）などのポリアリレート樹脂
類、あるいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ樹
脂類、フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを
用いることができる。

また、有機薄膜である記録層２は界面活性剤、帯電防
止剤、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、可塑剤などが含
有されていてもよい。

塗工の際に使用できる有機溶剤は、分散状態とする
か、あるいは溶解状態にするかによって異なるが、一般
にメタノール、エタノール、イソプロパノール、ジアセ
トンアルコールなどのアルコール類、アセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、N,N
−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロ
ロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水
素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベン
ゼン、ジクロルベンゼン芳香族類あるいは、ｎ−ヘキサ
ン、シクロヘキサンリグロインなどの脂肪族炭化水素類
などを用いることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。

前記一般式〔IV〕のアミニウム塩化合物または一般式
〔Ｖ〕のジイモニウム塩化合物の添加量は、全固形分を
基準として記録層２に対して、１〜60重量％、好ましく
は５〜40重量％が適当である。また、記録層２の乾燥膜
厚は50Å〜100μｍ、好ましくは200Å〜１μｍが適当で
ある。

基板１としては、ポリエステル、ポリカーボネートア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることができる。

また、本発明は第２図から第４図に示すように、下引
き層３かつ／または保護層４を設けた構成にすることが
できる。

下引き層は、接着性の向上、水またはガスなどのバリ
ヤー、記録層の保存安定性の向上、反射率の向上、溶剤
からの基板の保護、プレグルーブの形成および放熱効果
などの目的として設けられる。

また、保護層はキズ、ホコリ、汚れなどからの保護、
記録層の保存安定性の向上、反射率の向上を目的として
設けられる。

さらに、本発明による光学的記録媒体の別の構成とし
ては、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録
媒体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記
録層２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層４を介して接着した
いわゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。

本発明の光学的記録媒体は、アルゴンレーザ（発振波
長488nm）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長633n
m）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長442nm）な
どのガスレーザーの照射によって記録することも可能で
ある。

また、SHG素子などを用いてレーザ光の２分の１の波
長光の照射でも記録可能であるが、好ましくは650nm以
上の波長を有するレーザ、特にガリウム−アルミニウム
−ヒ素半導体レーザ（発振波長830nm）などの近赤外あ
る赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によっ
て記録する方法が適している。また、読み出しのために
は、前述のレーザ光線を用いることができる。この際、
書込みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことがで
き、また異なる波長のレーザで行なうことができる。

以下、本発明を実施例に従ってさらに具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例１ 直径130mmφ，厚さ1.2mmのポリメチルメタクリレート
（以下「PMMA」と略記）基板上に、エポキシ−アクリレ
ート系紫外線硬化樹脂を用いて、2P法（フォト・ポリマ
ー法）で厚さ50μのプレグルーブを設け、その上に前記
ジアズレニウム塩化合物No.（17）と前記アミニウム塩
化合物No.A−９を重量比80:20で1,2−ジクロルエタンに
溶解させた液をスピナー塗工法により塗布した後、乾燥
して850Åの有機薄膜層を得た。

こうして作製した光学的記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモータで1800rpmに回転
させて、発振波長830nmの半導体レーザを用いて基板側
より、有機薄膜記録層にスポットサイズ1.5μｍφ、記
録パワー6mW、記録周波数2MHzで情報を書き込み、読み
出しパワー1.0mWで再生し、その再生波形をスペクトル
解析（スキャニングフィルター、バンド幅30kHz）してC
/N比（キャリア／ノイズ比）を測定した。

次に、同じ記録媒体を前記測定条件で記録した部分を
繰り返し10⁶回読み出し後のC/N比を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を60℃、
90％RHの条件下に2000時間放置して環境保存安定性試験
を行なった後の反射率（Ｒ（％）:830nm測定）およびC/
N比を測定した。また、同一の記録媒体に1000W/m₂（300
〜900nm）のキセノンランプ光を70時間照射して、耐光
安定性試験を行なった後の反射率（Ｒ（％）:830nm測
定）およびC/N比を測定した。その結果を表−１に示
す。

実施例２〜８ 実施例１で用いたジアズレニウム塩化合物（AZ）とア
ミニウム塩化合物（Ａ）を下記表−２の組み合せにかえ
て実施例１と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ
実施例２〜８の光学記録媒体とした。

上記実施例２〜８の光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定し、その結果を表−４に示す。

比較例1,2 実施例１および６で用いたアミニウム塩化合物それぞ
れNo.A−９およびＡ−５を除いた以外は実施例１と同様
の方法で光学記録媒体を作製し、評価した。その結果を
表−４に示す。

実施例９〜12 下記表−３に示すジアズレニウム塩化合物（AZ）とア
ミニウム塩化合物（Ａ）の組み合わせの混合物４重量部
とニトロセルロース樹脂（オーハレス・ラッカー、ダイ
セル化学（株）製）１重量部をメチルエチルケトン95重
量部に混合させた液をスピナー塗布法により、プレグル
ーブを設けた直径130mmφ、厚さ1.2mmのポリカーボネー
ト基板上に塗布し、乾燥膜厚950Åの有機薄膜記録層を
得た。

こうして作製した光学記録媒体を実施例１と同様の方
法で測定し、その結果を表−４に示す。

実施例12〜15 ウォーレットサイズの厚さ0.4mmポリカーボネート
（以下「PC」と略記）基板上に、熱プレス法によりプレ
グルーブを設け、その上に下記表−５に示すジアズレニ
ウム塩化合物およびアミニウム塩化合物をジアセトンア
ルコール中に混合させた液をバーコート法により塗布し
た後、乾燥して850Åの有機薄膜記録層に形成した。さ
らにその上にエチレン−酢ビドライフィルムを介してウ
ォーレットサイズの厚さ0.3mmPC基板と熱ロール法によ
り密着構造の光学記録媒体を作製した。

こうして作製した実施例12〜15の光学的記録媒体をＸ
−Ｙ方向に駆動するステージ上に取り付け、発振波長83
0nmの半導体レーザを用いて厚さ0.4mmのPC基板側より記
録層にスポットサイズ3.0μｍφ、記録パワー4.0mW、記
録パルス80μsecでＹ軸方向に情報を書き込み、読み出
しパワー0.4mWで再生し、そのコントラスト比 を測定した。

さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１
と同様の条件の環境保存安定性試験、および耐光安定性
試験を行ない、その後の反射率およびコントラスト比を
測定した。その結果を表−６に示す。

実施例16〜22 実施例１で用いたアミニウム塩化合物をジイモニウム
塩化合物にかえて表−７に示す組み合わせで実施例１と
同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例16〜22
の光学記録媒体とした。

上記実施例16〜22の光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定し、その結果を表−９に示す。

実施例23〜26 実施例９で用いたアミニウム塩化合物（Ａ）をジイモ
ニウム塩化合物（Ｄ）にかえて表−８に示す組み合わせ
で実施例１と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ
実施例23〜26の光学記録媒体とした。

上記実施例23〜26の光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定し、その結果を表−９に示す。

実施例27〜30 実施例12で用いたアミニウム塩化合物（Ａ）をジイモ
ニウム塩化合物（Ｉ）にかえて表−10に示す組み合わせ
で、実施例12と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞ
れ実施例27〜30の光学記録媒体とした。

上記実施例27〜30の光学記録媒体を実施例12と同様の
方法で測定し、その結果を表−11に示す。

実施例31 実施例19で作製した光学記録媒体を用いて、実施例19
の評価において、記録レーザパワーを0.5mW〜7mWまで変
化させてC/N比を測定し、しきい値を調べた。その結果
を第５図に示す。

比較例３ 実施例31において、アミニウム塩化合物を除いた以外
は、実施例31と同様の方法で光学記録媒体を作製し、測
定した。その結果を第５図に示す。

実施例31の光学記録媒体は、レーザパワー2mW以下の
低パワーでは記録されない明確なしきい値が得られた。
それに対して、比較例３は2mW以下の低パワーでも記録
されしきい値が明確でなかった。これは、繰り返し再生
時に劣化しやすいことを示している。

また実施例31は比較例３に比べて、高いC/N値が得ら
れた。

〔発明の効果〕

以上で明らかなように、本発明の光学的記録媒体は記
録層中に特定のジアズレニウム塩化合物とアミニウム塩
化合物またはジイモニウム塩化合物とを含有するため、 （イ）高い感度とC/N比を得ることができ、且つレーザ
パワーに対して明確なしきい値が得られる。

（ロ）熱および光に対する安定性が高く、長期保存性に
優れ、再生劣化も少ない。

などの顕著な効果を奏することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明のそれぞれ異なる実施例を示す
光学的記録媒体の断面図である。第５図は本発明の一実
施例と一比較例における記録再生特性を示す線図であ
る。 １……基板、２……記録層、３……下引き層、４……保
護層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−140887（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−140888（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−141537（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−141654（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−142688（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−309497（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基体上に記録層を設けた光学的記録媒体に
   おいて、該記録層が、下記一般式［Ｉ］、「II］または
   ［III］で表わされるジアズレニウム塩化合物１種以上
   と、アミニウム塩化合物またはジイモニウム塩化合物の
   １種以上とを含有することを特徴とする光学的記録媒
   体。 一般式［Ｉ］ 一般式［II］ 一般式［III］ （但し、一般式［Ｉ］、［II］および［III］におい
   て、R₁〜R₇およびR₁′〜R₇′は水素原子、ハロゲン原
   子、または１価の有機残基を表わし、R₁とR₂、R₂とR₃、
   R₃とR₄、R₄とR₅、R₅とR₆、R₆とR₇、R₁′とR₂′、R₂′と
   R₃′、R₃′とR₄′、R₄′とR₅′、R₅′とR₆′およびR₆′
   とR₇′の組み合わせのうち少なくとも１つの組み合わせ
   で置換または未置換の縮合環を形成してもよい。Ａは１
   価の有機残基を表わし、Ｚ はアニオン残基を表わ
   す。）
2. 【請求項２】前記アミニウム塩化合物が下記一般式［I
   V］で表わされる化合物である特許請求の範囲第（１）
   項記載の光学的記録媒体。 （但し、R₁₆は水素原子またはアルキル基を示し、A₂は を示す。Ｘ は陰イオンである。）
3. 【請求項３】前記ジイモニウム塩化合物が下記一般式
   ［Ｖ］で表わされる化合物である特許請求の範囲第
   （１）項の光学的記録媒体。 一般式［Ｖ］ （但し、式中R₁₆とＸ は前記と同じ）