JPH081938B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH081938B2 JPH081938B2 JP1005103A JP510389A JPH081938B2 JP H081938 B2 JPH081938 B2 JP H081938B2 JP 1005103 A JP1005103 A JP 1005103A JP 510389 A JP510389 A JP 510389A JP H081938 B2 JPH081938 B2 JP H081938B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- plate
- iron
- semiconductor element
- electrode
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に、ガラス封止型の
半導体装置の構造に関する。
半導体装置の構造に関する。
従来この種の半導体装置は、第３図に示す構造のもの
が知られている。即ち、第３図（ａ）は、従来のガラス
封止型半導体装置の縦断面図を示し、第３図（ｂ）は第
３図（ａ）のＢ部拡大詳細図を示す。鉄ニッケル合金
に、銅を被覆してなる外導部導出リード201の封止ガラ
ス206の内部の先端に、半導体素子（ダイオード素子）2
03が、銀・錫合金などからなるマウントロウ材202によ
り、固着されている。また、ダイオード素子203の銀な
どの素材からなる電極203aに、板状金属リード204が圧
接され、さらにこの板状金属リード204は、外部導出リ
ード205に、抵抗溶接等の方法で接続されている。さら
に、外部導出リード201,205,マウントロウ材202,ダイオ
ード素子203,金属リード204は、軟化点が550〜650℃程
度の封止ガラス206により、融着固定し、気密封止され
ている。
が知られている。即ち、第３図（ａ）は、従来のガラス
封止型半導体装置の縦断面図を示し、第３図（ｂ）は第
３図（ａ）のＢ部拡大詳細図を示す。鉄ニッケル合金
に、銅を被覆してなる外導部導出リード201の封止ガラ
ス206の内部の先端に、半導体素子（ダイオード素子）2
03が、銀・錫合金などからなるマウントロウ材202によ
り、固着されている。また、ダイオード素子203の銀な
どの素材からなる電極203aに、板状金属リード204が圧
接され、さらにこの板状金属リード204は、外部導出リ
ード205に、抵抗溶接等の方法で接続されている。さら
に、外部導出リード201,205,マウントロウ材202,ダイオ
ード素子203,金属リード204は、軟化点が550〜650℃程
度の封止ガラス206により、融着固定し、気密封止され
ている。
こうした従来の半導体装置における、金属リード204
は、一般に第３図（ａ）のＢ部拡大図である第３図
（ｂ）のごとく、モリブデン又は、鉄・ニッケル・コバ
ルト合金などの板状素材204aに、ニッケル又は金などの
メッキ204bが施こされていた。
は、一般に第３図（ａ）のＢ部拡大図である第３図
（ｂ）のごとく、モリブデン又は、鉄・ニッケル・コバ
ルト合金などの板状素材204aに、ニッケル又は金などの
メッキ204bが施こされていた。
上述した従来の半導体装置は、板状金属リード204に
施こしたニッケル又は、金などのメッキ204bが、封止ガ
ラス206を外部導出リーイード201,205に融着する工程で
の熱処理（通常使用するガラスの軟化点より100℃程度
高い温度）により、半導体素子の電極203aと、金属的に
接着する。
施こしたニッケル又は、金などのメッキ204bが、封止ガ
ラス206を外部導出リーイード201,205に融着する工程で
の熱処理（通常使用するガラスの軟化点より100℃程度
高い温度）により、半導体素子の電極203aと、金属的に
接着する。
そのため、封着後の冷却工程、また、半導体装置の実
装環境（半田付等）ならびに実装された半導体装置の使
用される環境下における、温度変化による封止ガラス20
6と封止内部の各部品（201〜205）との熱膨張差のため
に、応力が、最も接合強度の弱い個所であるダイオード
素子の電極203aに集中し、ダイオード素子203とダイオ
ード素子の電極203a間での電気的開放又は、半導体素子
の欠陥・クラックによる特性劣化が生じやすいといった
欠点を有していた。
装環境（半田付等）ならびに実装された半導体装置の使
用される環境下における、温度変化による封止ガラス20
6と封止内部の各部品（201〜205）との熱膨張差のため
に、応力が、最も接合強度の弱い個所であるダイオード
素子の電極203aに集中し、ダイオード素子203とダイオ
ード素子の電極203a間での電気的開放又は、半導体素子
の欠陥・クラックによる特性劣化が生じやすいといった
欠点を有していた。
なお、第３図のＣ部には、実装性（半田付性）を良く
させる目的で、一般に半田メッキが施される。
させる目的で、一般に半田メッキが施される。
すなわち、本発明によれば、半導体素子を接着固定し
てなる外部導出リードを有し、この半導体素子の少なく
とも１つの電極を電気的に外部に導出接続するために、
板状金属リードにより電気的に接続してなる半導体装置
において、この板状金属リードを、コバルトを含有する
鉄・ニッケル合金あるいば、クロムを含有する鉄又は、
鉄・ニッケル合金のいずれかの材質で構成した半導体装
置を得る。
てなる外部導出リードを有し、この半導体素子の少なく
とも１つの電極を電気的に外部に導出接続するために、
板状金属リードにより電気的に接続してなる半導体装置
において、この板状金属リードを、コバルトを含有する
鉄・ニッケル合金あるいば、クロムを含有する鉄又は、
鉄・ニッケル合金のいずれかの材質で構成した半導体装
置を得る。
次に、本発明について、図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例を示す縦断面図で
あり、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ部の拡大詳細
図を示す。鉄・ニッケル合金に銅を被覆してなる外部導
出リード101の封止ガラス106内部の先端に半導体素子
（ダイオード素子）103が、銀・錫合金などからなるマ
ウントロウ材102により、固着されている。また、ダイ
オード素子103の銀などの素材からなる電極103aに、板
状金属リード104が圧接され、さらに、この板状金属リ
ード104は、外部導出リード105に抵抗溶接等の方法で接
続されている。さらに、外部導出リード101,105,マウン
トロウ材202,ダイオード素子103,板状金属リード104
は、軟化点550〜650℃程度の封止ガラス106により融着
固定し、気密封止されている。
あり、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ部の拡大詳細
図を示す。鉄・ニッケル合金に銅を被覆してなる外部導
出リード101の封止ガラス106内部の先端に半導体素子
（ダイオード素子）103が、銀・錫合金などからなるマ
ウントロウ材102により、固着されている。また、ダイ
オード素子103の銀などの素材からなる電極103aに、板
状金属リード104が圧接され、さらに、この板状金属リ
ード104は、外部導出リード105に抵抗溶接等の方法で接
続されている。さらに、外部導出リード101,105,マウン
トロウ材202,ダイオード素子103,板状金属リード104
は、軟化点550〜650℃程度の封止ガラス106により融着
固定し、気密封止されている。
ここで、本発明の半導体装置における金属板104は、
第１図（ａ）のＡ部の拡大詳細図である。第１図（ｂ）
に示すごとく、単一の板状素材104aで構成している。こ
の板状素材（104a）の材質としては、コバルト・鉄・ニ
ッケル合金，クロム・鉄合金あるいは、クロム・鉄・ニ
ッケル合金を使用している。
第１図（ａ）のＡ部の拡大詳細図である。第１図（ｂ）
に示すごとく、単一の板状素材104aで構成している。こ
の板状素材（104a）の材質としては、コバルト・鉄・ニ
ッケル合金，クロム・鉄合金あるいは、クロム・鉄・ニ
ッケル合金を使用している。
表−１に第１図に示す、本発明の一実施例である半導
体装置（ダイオード）と、第２図に示す、従来の半導体
装置（ダイオード）とで、板状金属リードの構造を除
き、同一条件下で、作成し、次に記す３点の比較を行っ
た結果を記す。
体装置（ダイオード）と、第２図に示す、従来の半導体
装置（ダイオード）とで、板状金属リードの構造を除
き、同一条件下で、作成し、次に記す３点の比較を行っ
た結果を記す。
完成品の、ガラス破壊による金属板への半導体素子
電極への接着数。
電極への接着数。
連続振動による電気的開放発生数 IF特性（VF＝0.5V（一定）とし、特性のIF値を判定
基準とする。）の温度サイクルテスト（０℃100℃）
による不良個数。
基準とする。）の温度サイクルテスト（０℃100℃）
による不良個数。
表−１を見て明らかなように、本発明の実施例では、
板状金属リードと、半導体素子の電極との金属的結合
は、生じていないばかりでなく、耐振動性，温度サイク
ルによる熱ストレスによる電気的開放・IF特性の劣化が
生じることのない、優れた半導体装置を得ることができ
る。
板状金属リードと、半導体素子の電極との金属的結合
は、生じていないばかりでなく、耐振動性，温度サイク
ルによる熱ストレスによる電気的開放・IF特性の劣化が
生じることのない、優れた半導体装置を得ることができ
る。
第２図は、本発明の他の実施例の縦断面図である。IC
などの半導体素子303は金・錫合金あるいは、ガラスな
どからなるマウントロウ材302によって、アルミナ等か
らなるベース308に固着されている。また半導体素子303
の電極303aは、コバルト・鉄・ニッケル合金，クロム・
鉄合金あるいは、クロム・鉄・ニッケル合金の単一素材
からなる金属板304により圧接した状態で封止ガラス306
により、ベース308,金属番304,キャップ（例えば、アル
ミナ等の材質）307とを融着固定している。
などの半導体素子303は金・錫合金あるいは、ガラスな
どからなるマウントロウ材302によって、アルミナ等か
らなるベース308に固着されている。また半導体素子303
の電極303aは、コバルト・鉄・ニッケル合金，クロム・
鉄合金あるいは、クロム・鉄・ニッケル合金の単一素材
からなる金属板304により圧接した状態で封止ガラス306
により、ベース308,金属番304,キャップ（例えば、アル
ミナ等の材質）307とを融着固定している。
なお、第1,2図の各実施例では共に、外部に導出され
たリード部101,105,304（Ｃ部）には、半田付性を良く
する目的で半田メッキあるいは、錫メッキを施こすこと
は、言うまでもない。
たリード部101,105,304（Ｃ部）には、半田付性を良く
する目的で半田メッキあるいは、錫メッキを施こすこと
は、言うまでもない。
以上説明したように、本発明の半導体装置は、半導体
素子の電極と電気的に接続する板状の金属リードの材質
として、クロムまたは、コバルトを含有する鉄・ニッケ
ル合金あるいは、クロムを含有する鉄のいずれかの単一
素材で構成している。
素子の電極と電気的に接続する板状の金属リードの材質
として、クロムまたは、コバルトを含有する鉄・ニッケ
ル合金あるいは、クロムを含有する鉄のいずれかの単一
素材で構成している。
そのため、半導体装置をガラスなどで気密封止時の熱
処理においても、この板状金属リードと半導体素子の電
極との間での金属的結合は、生じず、圧接のみによる電
気的接続が得られる。
処理においても、この板状金属リードと半導体素子の電
極との間での金属的結合は、生じず、圧接のみによる電
気的接続が得られる。
すなわち、気密封止後の冷却あるいは、半導体装置の
使用される環境下における熱ストレス，振動による環境
下においても、熱膨張差あるいは、外部応力による応力
が半導体素子の電極部に集中することはない。したがっ
て、電気的開放や接触不良等の特性劣化の少ない半導体
装置を得ることができる。
使用される環境下における熱ストレス，振動による環境
下においても、熱膨張差あるいは、外部応力による応力
が半導体素子の電極部に集中することはない。したがっ
て、電気的開放や接触不良等の特性劣化の少ない半導体
装置を得ることができる。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例を示す半導体装置の
縦断面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ部の拡大
詳細図、第２図は、本発明の他の実施例を示す半導体装
置の縦断面図、第３図（ａ）は、従来の半導体装置の一
例を示す縦断面図であり、第３図（ｂ）は、第３図
（ａ）のＢ部拡大詳細図である。 101,105,201,205……外部導出リード、102,202,302……
マウントロウ材、103,203,303……半導体素子（ダイオ
ード素子）、（103a），（203a），（303a）……半導体
素子の電極、104,204,304……板状金属リード、（204
a）……板状素材、（204b）……メッキ、106,206,306…
…封止ガラス、307……キャップ、308……ベース。
縦断面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ部の拡大
詳細図、第２図は、本発明の他の実施例を示す半導体装
置の縦断面図、第３図（ａ）は、従来の半導体装置の一
例を示す縦断面図であり、第３図（ｂ）は、第３図
（ａ）のＢ部拡大詳細図である。 101,105,201,205……外部導出リード、102,202,302……
マウントロウ材、103,203,303……半導体素子（ダイオ
ード素子）、（103a），（203a），（303a）……半導体
素子の電極、104,204,304……板状金属リード、（204
a）……板状素材、（204b）……メッキ、106,206,306…
…封止ガラス、307……キャップ、308……ベース。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子を接着固定してなる外部導出リ
ードを有し、前記半導体素子の少なくとも１つの電極を
電気的に導出接続するために板状金属リードにより前記
電極と電気的に接続し、前記半導体素子及び前記板状金
属リードをガラス封止してなる半導体装置において、前
記板状金属リードを、コバルト・鉄・ニッケル合金、ク
ロム・鉄合金、又はクロム・鉄・ニッケル合金のいずれ
かの単一合金で構成し、前記半導体素子の電極と前記板
状金属リードとを前記ガラス封止による圧接によっての
み電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005103A JPH081938B2 (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005103A JPH081938B2 (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02184058A JPH02184058A (ja) | 1990-07-18 |
| JPH081938B2 true JPH081938B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=11602033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1005103A Expired - Fee Related JPH081938B2 (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081938B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5138586B2 (ja) * | 1972-03-08 | 1976-10-22 | ||
| JPS49114874A (ja) * | 1973-02-28 | 1974-11-01 |
-
1989
- 1989-01-11 JP JP1005103A patent/JPH081938B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02184058A (ja) | 1990-07-18 |
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Legal Events
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