JPH0821350B2 - Fluorescent display tube - Google Patents
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は螢光表示管に関し、特に真空容器の内部に螢
光体による表示部を駆動するための駆動用ICチツプを装
備した螢光表示管、いわゆるチツプイングラス型螢光表
示管に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a fluorescent display tube, and more particularly, to a fluorescent display equipped with a driving IC chip for driving a display portion by a fluorescent body inside a vacuum container. The present invention relates to a tube, a so-called chip-in-glass type fluorescent display tube.
従来、この種の螢光表示管は、その基板上の駆動用IC
チツプの配置構造を第5図および第6図に示すように、
所定パターンの表示セグメント2a〜2eからなる表示部2
およびその導体配線が形成されたガラス基板1を陽極基
板とし、このガラス基板1上の一部に、表示部2を駆動
するための駆動用ICチツプ4つまりシリコンチツプ4を
ダイボンドする。そして、シリコンチツプ4上の電極端
子としてのボンデイング用パツド5と、表示部2の各表
示セグメントあるいはグリツド電極に接続されている導
体配線3をワイヤ線6を用いてワイヤボンデイング等で
電気的に接続して、ガラス基板1上の螢光面の上方に通
常のグリツド電極およびフイラメント陰極(図示せず)
を配置することにより、このフイラメント陰極から放出
される電子をグリツド電極で制御して各表示セグメント
2a〜2eに入射させてそれらを発光させるものとなつてい
る。この場合、ガラス基板1上のシリコンチツプ4に
は、そのチツプへの電子線や光の入射を遮断するため
に、第7図に示すように、金属キヤツプ7が金属フレー
ム8を介して装着されている。Conventionally, this type of fluorescent display tube has been the driving IC on the substrate.
As shown in FIGS. 5 and 6, the chip arrangement structure is
Display unit 2 including display segments 2a to 2e having a predetermined pattern
And the glass substrate 1 on which the conductor wiring is formed is used as an anode substrate, and a driving IC chip 4 for driving the display unit 2, that is, a silicon chip 4 is die-bonded to a part of the glass substrate 1. Then, the bonding pad 5 as an electrode terminal on the silicon chip 4 and the conductor wiring 3 connected to each display segment or the grid electrode of the display unit 2 are electrically connected by wire bonding or the like using the wire wire 6. Then, an ordinary grid electrode and filament cathode (not shown) are provided above the fluorescent surface on the glass substrate 1.
By arranging, the electrons emitted from this filament cathode are controlled by the grid electrode and each display segment is controlled.
2a to 2e are made to emit light by making them incident. In this case, a metal cap 7 is attached to the silicon chip 4 on the glass substrate 1 via a metal frame 8 in order to block the incidence of an electron beam or light to the chip, as shown in FIG. ing.
しかし、このように構成された従来の螢光表示管で
は、ボンデイングワイヤの最大数はシリコンチツプ周辺
に配置可能なボンデイングパツド5の数により制限され
る。また、表示用セグメント2a〜2eが形成されているの
と同一の基板上にシリコンチツプがダイボンドされるた
め、そのスペースが表示にとつてデツドスペースとな
る。さらに、シリコンチツプ4に直接外光等が入射され
るため、金属製キヤツプ7等により遮光する必要があ
る、などの問題点があつた。However, in the conventional fluorescent display tube having such a structure, the maximum number of bonding wires is limited by the number of bonding pads 5 that can be arranged around the silicon chip. Further, since the silicon chip is die-bonded on the same substrate on which the display segments 2a to 2e are formed, the space becomes a dead space for display. Further, since external light or the like is directly incident on the silicon chip 4, it is necessary to shield the light with the metal cap 7 or the like.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その
目的は、陽極基板と駆動用ICチツプを立体配置すること
により、上記した従来の問題点を解消したチツプイング
ラス型の螢光表示管を提供することにある。The present invention has been made in view of the above point, and an object thereof is to provide a chip-in-glass type fluorescent display tube which solves the above-mentioned conventional problems by arranging an anode substrate and a driving IC chip in three dimensions. To provide.
このような目的を達成するために、本発明に係る螢光
表示管は、ガラスなどの基板と該基板上に封着された外
囲器から構成される真空容器と、前記外囲器の内部に前
記基板と対向させて配設され、かつ螢光体による表示セ
グメントから成る表示部が形成された陽極基板と、該陽
極基板上の螢光面の上方に順次配設されたグリツド電極
およびフイラメント陰極と、前記陽極基板の背面側の前
記基板上に搭載されて前記表示部を駆動すべく導通接続
された駆動用ICチツプとを具備し、陽極基板はその裏面
に表示部の各表示セグメントと対応してそれぞれ形成さ
れた導体配線用パッドを有し、これらパッドと駆動用IC
チップの表面中央部に形成された接続用パッドとを接続
ピンで電気的に接続したことを特徴とするものである。In order to achieve such an object, a fluorescent display tube according to the present invention includes a vacuum container including a substrate such as glass and an envelope sealed on the substrate, and an inside of the envelope. An anode substrate, which is disposed opposite to the substrate and in which a display portion composed of display segments made of a fluorescent material is formed, and a grid electrode and filament which are sequentially disposed above the fluorescent surface on the anode substrate. A cathode and a driving IC chip mounted on the substrate on the back side of the anode substrate and electrically connected to drive the display unit, and the anode substrate is provided with each display segment of the display unit on its back surface. Correspondingly formed conductor wiring pads, these pads and drive IC
It is characterized in that it is electrically connected to a connection pad formed in the central portion of the surface of the chip by a connection pin.
したがつて、本発明においては、外囲器の内部に陽極
基板を設け、この陽極基板の螢光面と反対の背面側に駆
動用ICチツプを配置し、接続ピンにて電気的に接続する
ことにより、これら陽極基板と駆動用ICチツプを上下に
立体的に配置でき、しかも陽極基板によつて駆動用ICチ
ツプへの電子線や外光の入射を遮断することができる。Therefore, in the present invention, the anode substrate is provided inside the envelope, the driving IC chip is arranged on the back side opposite to the fluorescent surface of the anode substrate, and electrically connected by the connection pin. As a result, the anode substrate and the driving IC chip can be arranged three-dimensionally in the vertical direction, and furthermore, the incidence of electron beams and external light on the driving IC chip can be blocked by the anode substrate.
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説
明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.
第1図は本発明の一実施例によるチツプイングラス型
螢光表示管の概略構造を示す断面図である。第1図にお
いて、11はガラスなどからなるチツプ搭載用基板であ
り、この基板11の表面中央部は後述する駆動用ICチツプ
21がダイボンドされ、その周面部には所定パターンを有
してICチツプ駆動用導体配線12が形成されている。ま
た、前記基板11上には、透光性のフロントガラス13とそ
の周側面を取り囲むべく形成されたスペーサ14から構成
される外囲器15が封着されており、これら基板11と外囲
器15により真空容器が形成されている。そして、この外
囲器15を構成するスペーサ14の側面中央部分には、陽極
基板(セグメント基板ともいう)16が前記基板11と対向
させて所定間隔を有して装着されている。この陽極基板
16は、セラミツクスあるいはガラスから成り、その表面
に螢光体によるドツト状の表示セグメント17がマトリク
スに配列してドツトマトリクス表示部18が形成されると
ともに、その裏面の一部に、前記表示部18を構成する陽
極としての各表示セグメント17からの導体配線19が多層
配線技術等を利用して集合させて形成されており、これ
ら導体配線19が後述する接続ピンを介して駆動用ICチツ
プ21の各出力バツドと導通接続されるものとなつてい
る。FIG. 1 is a sectional view showing a schematic structure of a chip-in glass type fluorescent display tube according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a chip mounting substrate made of glass or the like, and the central portion of the surface of the substrate 11 is a driving IC chip to be described later.
21 is die-bonded, and the IC chip driving conductor wiring 12 is formed on the peripheral surface thereof with a predetermined pattern. Further, on the substrate 11, an envelope 15 composed of a translucent windshield 13 and a spacer 14 formed to surround the peripheral side surface thereof is sealed, and the substrate 11 and the envelope are enclosed. A vacuum container is formed by 15. An anode substrate (also referred to as a segment substrate) 16 is attached to the central portion of the side surface of the spacer 14 that constitutes the envelope 15 so as to face the substrate 11 with a predetermined space. This anode substrate
Reference numeral 16 is made of ceramics or glass, and a dot-shaped display segment 17 made of a fluorescent substance is arranged in a matrix on the surface thereof to form a dot matrix display portion 18, and the display portion 18 is formed on a part of the back surface thereof. Conductor wiring 19 from each display segment 17 as an anode constituting the is formed by gathering using a multilayer wiring technology or the like, these conductor wiring 19 of the driving IC chip 21 via the connection pin described later. It is supposed to be conductively connected to each output band.
また、この陽極基板16上には、そのドツトマトリクス
表示部18のパターンに対応して通常のグリツド電極42お
よびフイラメント陰極41がそれぞれ所定の間隔を有して
配設され、このフイラメント陰極41より放出される電子
をグリツド電極42で加速,拡散あるいは選択的に制御し
てドツトマトリクス表示部18の螢光面に入射させること
により、その螢光面側を表示面として従来の螢光表示管
と同様にドツトマトリクス表示を行なうものとなつてい
る。なお、43,44はフイラメント陰極41を支持するため
のサポートおよびアンカーから成る1対のフイラメント
支持体である。Further, on the anode substrate 16, a normal grid electrode 42 and a filament cathode 41 are arranged with a predetermined interval corresponding to the pattern of the dot matrix display portion 18, and emitted from the filament cathode 41. The generated electrons are accelerated, diffused, or selectively controlled by the grid electrode 42 to be incident on the fluorescent surface of the dot matrix display portion 18, so that the fluorescent surface side is used as a display surface and is similar to a conventional fluorescent display tube. It is supposed to do a dot matrix display. Note that 43 and 44 are a pair of filament supports, each of which comprises a support for supporting the filament cathode 41 and an anchor.
一方、前記基板11上にダイボンドされた駆動用ICチツ
プ21つまりシリコンチツプ21は、基本的には第6図に示
す従来例のものと同様であるが、そのパツド構造が異な
るものであり、チツプ周辺部には入力用ボンデイングパ
ツド22が形成され、チツプ中央部には前記各表示セグメ
ント17への出力用ボンデイングパツド23が形成されてい
る。そして、シリコンチツプ21上の入力用ボンデイング
パツド22とその導体配線12とはワイヤ線24を用いてワイ
ヤボンデイング等で接続され、それら導体配線12の端部
が外部端子としてのリードピン25を通して真空容器外へ
引き出されている。また、シリコンチツプ21上の各表示
セグメントへの出力用ボンデイングパツド23と、陽極基
板16の裏面に形成された各表示セグメント17からの導体
配線用パツド26(第2図)は精度良く位置決めされてお
り、この間をそれぞれ接続ピン27で電気的に接続するも
のとなつている。このとき、接続ピン27は、タングステ
ン,ステンレス,カーボン,金,アルミ(Al)等の材質
で作製された細線から成り、所定の弾力を有している。On the other hand, the driving IC chip 21 or silicon chip 21 die-bonded on the substrate 11 is basically the same as that of the conventional example shown in FIG. 6, but its pad structure is different, and the chip is different. An input bonding pad 22 is formed in the peripheral portion, and an output bonding pad 23 to each of the display segments 17 is formed in the central portion of the chip. Then, the input bonding pad 22 on the silicon chip 21 and the conductor wiring 12 thereof are connected by wire bonding or the like using the wire wire 24, and the ends of the conductor wiring 12 are passed through the lead pins 25 as external terminals to form a vacuum container. It has been pulled out. Further, the output bonding pad 23 for each display segment on the silicon chip 21 and the conductor wiring pad 26 (FIG. 2) from each display segment 17 formed on the back surface of the anode substrate 16 are accurately positioned. The connection pins 27 are electrically connected to each other. At this time, the connection pin 27 is made of a thin wire made of a material such as tungsten, stainless steel, carbon, gold, aluminum (Al), and has a predetermined elasticity.
つぎに、前記接続ピン27を用いて陽極基板16,シリコ
ンチツプ21との接続方法の一例を第2図ないし第3図を
参照して説明する。ここで、まず接続ピン27と陽極基板
16との接続は、第2図(a)に示すように、セラミツク
スなどから成る絶縁基体32と、該基体32に各接続ピン27
に対応してそれぞれ形成されたガイドホール33と、前記
基体32の裏面に一体化されかつその接続ピン27に対応し
てそれぞれ形成された孔部35を有する固定部材34から構
成されるピンガイド用プレート36を用い、前記固定部材
34の各孔部35より接続ピン27の一端をそれぞれ挿入して
ガイドホール33を貫通させるとともにそれらの一部を突
出させ、これら接続ピン27をそのピンガイド用プレート
36に一括固定する。そして、このプレート32をガラスフ
リツトなどの接着剤37で陽極基板16の裏面に固定するこ
とにより、各接続ピン27の一端を、その陽極基板16の裏
面に形成された各表示セグメント17からの導体配線用パ
ツド26にそれぞれ接触させて電気的に接続することがで
きる。また、別の手段としては、第2図(b)に示すよ
うに、各接続ピン27の一端を、陽極基板16の裏面に形成
された各表示セグメント17からの導体配線用パツド26に
ろう付けあるいは導電性ペースト38にて固定して直接接
続することもできる。なお、第2図(b)中、39は前記
各導体配線用パツド26に施された中間パツドである。Next, an example of a method of connecting the anode substrate 16 and the silicon chip 21 using the connection pins 27 will be described with reference to FIGS. Here, first, the connection pin 27 and the anode substrate
As shown in FIG. 2 (a), the connection with the insulating base 32 is made of ceramics and the connecting pins 27 are connected to the base 32. As shown in FIG.
For a pin guide including a guide hole 33 formed corresponding to each of the above and a fixing member 34 having a hole portion 35 formed integrally with the back surface of the base body 32 and formed corresponding to each connecting pin 27 thereof. Using the plate 36, the fixing member
One end of each connecting pin 27 is inserted through each hole 35 of 34 to penetrate the guide hole 33 and project a part thereof, and these connecting pins 27 are connected to the pin guide plate.
Fix to 36 at once. Then, by fixing this plate 32 to the back surface of the anode substrate 16 with an adhesive 37 such as a glass frit, one end of each connection pin 27 is provided with a conductor wiring from each display segment 17 formed on the back surface of the anode substrate 16. The pads 26 can be brought into contact with each other and electrically connected. As another means, as shown in FIG. 2B, one end of each connection pin 27 is brazed to a conductor wiring pad 26 from each display segment 17 formed on the back surface of the anode substrate 16. Alternatively, the conductive paste 38 may be fixed and directly connected. In FIG. 2 (b), 39 is an intermediate pad provided on each of the conductor wiring pads 26.
次に、シリコンチツプ21と接続ピン27を接続する場
合、従来のシリコンチツプのパツド構造ではその実現が
非常に困難であつた。その理由は、従来のシリコンチツ
プ4のパツド構造は、第4図に示すように、約1μmと
非常に薄いパシベーシヨン膜28aと、そのスルーホール2
9aを介して接続される約1〜2μmのアルミ膜30aから
構成されており、パシベーシヨン膜28aの材質もPSGと呼
ばれるガラス質の膜やSiN膜等の無機質であり、第1図
に示すような接続ピン27などが接触すると、パシベーシ
ヨン膜28aにクラツクなどが生じ、チツプ不良を引き起
すためである。本発明による実施例では、この点を改良
することにより実現したものであり、そのシリコンチツ
プ21のパツド構造を第3図に示す。Next, when the silicon chip 21 and the connection pin 27 are connected, it is very difficult to realize with the conventional pad structure of the silicon chip. The reason is that the conventional pad structure of the silicon chip 4 has a very thin passivation film 28a of about 1 μm and its through holes 2 as shown in FIG.
The passivation film 28a is made of an inorganic material such as a glassy film called PSG or a SiN film, as shown in FIG. 1. This is because if the connection pin 27 or the like comes into contact with the passivation film 28a, cracking or the like occurs, which causes chip defects. The embodiment according to the present invention is realized by improving this point, and the pad structure of the silicon chip 21 is shown in FIG.
第3図において、シリコンチツプ21上のパシベーシヨ
ン膜はPSGやSiN膜に代わり、あるいはそのさらに上に低
熱膨張性のポリイミド層28として例えばPIQ−L100(商
品名)をコーテイングする。従来のポリイミドは数μm
程度の厚さでシリコンとの間で限界応力に達したが、こ
のPIQ−L100では約50μmの厚みでコーテイングが可能
である。また、その熱分解温度は450℃以上であり、螢
光表示管の封止温度よりも充分高く、分解に伴なうガス
発生等も生じない。次いで、このポリイミド層28上に、
そのスルーホール29を介して膜厚2〜3μmのアルミパ
ツド30を第3図に示すように被着形成する。このアルミ
パツド30のままでも接続ピン27が全て接触すれば問題は
ないが、第3図に示すようにアルミパツド30に到達しな
い接続ピン27が1つでもあると、導通不良となる場合が
ある。この点を解決するため、本実施例では、第3図に
示すように、アルミパツド30上にZnO:Znやカーボン等の
導電性粉末あるいはペースト層31を電着法などで形成し
た。これにより、アルミパツド30と接触していない接続
ピン27があつても、全ての接続ピン27は、その導電性粉
末あるいはペースト層31を通じてアルミパツド30と電気
的に接続することが可能となり、良好な導通を得ること
ができる。In FIG. 3, the passivation film on the silicon chip 21 is coated with, for example, PIQ-L100 (trade name) as a low thermal expansion polyimide layer 28 in place of the PSG or SiN film, or further thereon. Conventional polyimide is several μm
Although the limit stress was reached between silicon and the PIQ-L100, the coating was possible with a thickness of about 50 μm. Further, its thermal decomposition temperature is 450 ° C. or higher, which is sufficiently higher than the sealing temperature of the fluorescent display tube, and gas generation or the like due to decomposition does not occur. Then, on this polyimide layer 28,
An aluminum pad 30 having a film thickness of 2 to 3 .mu.m is adhered and formed through the through hole 29 as shown in FIG. Even if the aluminum pad 30 is left as it is, there is no problem if all the connection pins 27 come into contact with each other, but if there is even one connection pin 27 that does not reach the aluminum pad 30, as shown in FIG. In order to solve this point, in this embodiment, as shown in FIG. 3, a conductive powder such as ZnO: Zn or carbon or a paste layer 31 was formed on the aluminum pad 30 by an electrodeposition method or the like. As a result, even if there are connection pins 27 that are not in contact with the aluminum pad 30, all the connection pins 27 can be electrically connected to the aluminum pad 30 through the conductive powder or paste layer 31 of the connection pad 27, which results in good electrical continuity. Can be obtained.
なお、第1図において、陽極基板16は、説明の便宜
上、各表示セグメント17に対応する導体配線のみを設け
た場合について示したが、グリツド電極42と接続される
グリツド用導体配線も同時に形成して、これら導体配線
用パツドとシリコンチツプ21上の各出力用パツド23を接
続ピン27を用いて上述と同様に導通接続することもでき
る。In FIG. 1, for convenience of explanation, the anode substrate 16 is shown as being provided with only conductor wirings corresponding to the respective display segments 17, but grid conductor wirings connected to the grid electrodes 42 are also formed at the same time. Then, the conductor wiring pads and the output pads 23 on the silicon chip 21 can be conductively connected by using the connection pins 27 in the same manner as described above.
このように、上記実施例のチツプイングラス型螢光表
示管によると、シリコンチツプ21が陽極基板16の下に配
置されるので、表示のスペースフアクタに及ぼす制約が
皆無となる。これによつて、例えば等ピツチのドツトマ
トリクス表示を数チツプに分割して駆動することも可能
となる。また、シリコンチツプ21上の中央部に出力用パ
ツド23を配置することにより、1つのチツプからの出力
数が飛躍的に増加し、しかも、多数の接続ピン27をピン
ガイド用プレート36にて一度に導通接続できるので、ボ
ンデイングに要する時間を大幅に短縮できる。さらに、
シリコンチツプ21は陽極基板16の螢光面と反対側の背面
に配置されるので、電子線の照射や外光の入射を防ぐこ
とが容易となり、第7図に示すような遮へい用金属キヤ
ツプ7等を省くことができる。As described above, according to the chip-in-glass type fluorescent display tube of the above-mentioned embodiment, since the silicon chip 21 is arranged below the anode substrate 16, there is no restriction on the display space factor. This makes it possible, for example, to drive a dot matrix display of equal pitch by dividing it into several chips. Further, by arranging the output pad 23 in the central portion on the silicon chip 21, the number of outputs from one chip is dramatically increased, and moreover, a large number of connecting pins 27 are once connected to the pin guide plate 36. Since it can be conductively connected to, the time required for bonding can be greatly reduced. further,
Since the silicon chip 21 is arranged on the back surface of the anode substrate 16 opposite to the fluorescent surface, it becomes easy to prevent irradiation of electron beams and incidence of external light, and the metal cap 7 for shielding as shown in FIG. Etc. can be omitted.
以上説明したように、本発明のチツプイングラス型螢
光表示管によれば、螢光体による表示部が形成された陽
極基板と駆動用ICチツプを分離しこれらを上下に立体的
に配置し、接続ピンにて電気的に接続する構造とするこ
とにより、表示のスペースフアクタに及ぼす制約がなく
なるとともに、1つのチツプからの出力数を増加させる
ことができる。また、陽極基板によつて駆動用ICチツプ
への電子線や外光の入射を防ぐことができるので、その
遮へい用キヤツプ部材などが不要になる。また、接続ピ
ンにて電気的に接続を行う構成とすることにより、陽極
基板と駆動用ICチップとが導通不良の全く発生しない良
好な導通を得ることができるので、確実な電気的接続を
実現可能とする効果がある。As described above, according to the chip-in-glass type fluorescent display tube of the present invention, the anode substrate on which the display portion of the fluorescent body is formed and the driving IC chip are separated, and these are vertically arranged three-dimensionally. With the structure in which the connection pins are electrically connected, there is no restriction on the display space factor, and the number of outputs from one chip can be increased. Further, since the anode substrate can prevent the electron beam and the external light from entering the driving IC chip, the shielding member for the shield becomes unnecessary. Also, by using the structure in which the connection pins are electrically connected, it is possible to obtain good electrical continuity between the anode substrate and the driving IC chip without any defective electrical continuity, thus ensuring reliable electrical connection. It has the effect of making it possible.
第1図は本発明による螢光表示管の一実施例を示す概略
構造の断面図、第2図(a)および(b)は第1図の点
線部Aにおける陽極基板と接続ピンとの接続状態をそれ
ぞれ示す一部詳細断面図、第3図は同じく第1図の点線
部Bにおけるシリコンチツプと接続ピンとの接続状態を
示す一部詳細断面図、第4図は従来例によるシリコンチ
ツプ上のパツド構造を示す一部断面図、第5図は従来例
によるガラス基板上のシリコンチツプの配置構造を示す
平面図、第6図は第5図の1点鎖線部Aにおけるシリコ
ンチツプのボンデイング状態を示す詳細図、第7図は従
来例によるシリコンチツプへの電子線や光の入射を遮断
する金属キヤツプ部の断面図である。 11……チツプ搭載用基板、12……ICチツプ駆動用導体配
線、13……フロントガラス、14……スペーサ、15……外
囲器、16……陽極基板、17……表示セグメント、18……
表示部、19……セグメント用導体配線、21……駆動用IC
チツプ(シリコンチツプ)、22……入力用ボンデイング
パツド、23……出力用ボンデイングパツド、24……ワイ
ヤ線、25……リードピン、26……導体配線用パツド、27
……接続ピン、28……ポリイミド層、29……スルーホー
ル、30……アルミパツド、31……導電性粉末あるいはペ
ースト層、36……接続ピンガイド用プレート、37……接
着材、41……フイラメント陰極、42……グリツド電極。FIG. 1 is a sectional view of a schematic structure showing an embodiment of a fluorescent display tube according to the present invention, and FIGS. 2 (a) and 2 (b) are connection states of an anode substrate and connection pins in a dotted line portion A of FIG. FIG. 3 is a partial detailed sectional view showing a connection state between the silicon chip and a connecting pin in a dotted line portion B of FIG. 1, and FIG. 4 is a pad on a silicon chip according to a conventional example. FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing the structure, FIG. 5 is a plan view showing an arrangement structure of a silicon chip on a glass substrate according to a conventional example, and FIG. 6 shows a bonding state of the silicon chip at the one-dot chain line A in FIG. FIG. 7 and FIG. 7 are cross-sectional views of a metal cap portion for blocking the incidence of an electron beam or light on a silicon chip according to a conventional example. 11 …… Chip mounting board, 12 …… IC chip drive conductor wiring, 13 …… Windshield, 14 …… Spacer, 15 …… Envelope, 16 …… Anode board, 17 …… Display segment, 18… …
Display, 19 …… Segment conductor wiring, 21 …… Drive IC
Chip (silicone chip), 22 ... Input bonding pad, 23 ... Output bonding pad, 24 ... Wire wire, 25 ... Lead pin, 26 ... Conductor wiring pad, 27
...... Connecting pin, 28 …… Polyimide layer, 29 …… Through hole, 30 …… Aluminum pad, 31 …… Conductive powder or paste layer, 36 …… Connecting pin guide plate, 37 …… Adhesive material, 41 …… Filament cathode, 42 ... Grid electrode.
Claims (3)
外囲器から構成される真空容器と、 前記外囲器の内部に前記基板と対向させて配設され、か
つ螢光体による表示セグメントから成る表示部が形成さ
れた陽極基板と、 該陽極基板上の螢光面の上方に順次配設されたグリッド
電極およびフィラメント陰極と、前記陽極基板の背面側
の前記基板上に搭載されて前記表示部を駆動すべく導通
接続された駆動用ICチップと、 を具備し、 前記陽極基板はその裏面に表示部の各表示セグメントと
対応してそれぞれ形成された導体配線用パッドを有し、
これらパッドと駆動用ICチップの表面中央部に形成され
た接続用パッドとを接続ピンで電気的に接続することを
特徴とする螢光表示管。1. A vacuum container comprising a substrate such as glass and an envelope sealed on the substrate; a fluorescent container disposed inside the envelope so as to face the substrate; An anode substrate on which a display section composed of display segments is formed, a grid electrode and a filament cathode sequentially arranged above the fluorescent surface on the anode substrate, and mounted on the substrate on the back side of the anode substrate. And a driving IC chip electrically connected to drive the display unit, and the anode substrate has conductor wiring pads formed on the back surface thereof in correspondence with the display segments of the display unit. Then
A fluorescent display tube characterized in that these pads and a connecting pad formed in the central portion of the surface of the driving IC chip are electrically connected by connecting pins.
金線,アルミ線などの細線からなり、そのピンガイド用
プレートに一括固定された構造を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の螢光表示管。2. The connection pin is made of tungsten, stainless steel,
The fluorescent display tube according to claim 1, characterized in that the fluorescent display tube is composed of thin wires such as gold wires and aluminum wires, and has a structure in which they are collectively fixed to the pin guide plate.
り、そのシリコンチップ上に形成される接続用パッド
は、当該シリコンチップ表面を保護するための低熱膨張
性のポリイミド層と、アルミなどの金属による接続用パ
ッドおよびその上に形成されたZnO:Znやグラフアイト等
の導電性粉末あるいはペースト層から構成することを特
徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載の螢光
表示管。3. The driving IC includes a silicon chip as a chip, and a connection pad formed on the silicon chip has a low thermal expansion polyimide layer for protecting the surface of the silicon chip and a metal such as aluminum. 3. The fluorescent display tube according to claim 1 or 2, wherein the connecting pad is formed of a conductive powder or a paste layer such as ZnO: Zn or graphite formed thereon. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62220394A JPH0821350B2 (en) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | Fluorescent display tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62220394A JPH0821350B2 (en) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | Fluorescent display tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6465756A JPS6465756A (en) | 1989-03-13 |
| JPH0821350B2 true JPH0821350B2 (en) | 1996-03-04 |
Family
ID=16750429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62220394A Expired - Lifetime JPH0821350B2 (en) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | Fluorescent display tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821350B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100786831B1 (en) * | 2001-08-10 | 2007-12-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Chip embedded fluorescent display tube |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6178039A (en) * | 1984-09-26 | 1986-04-21 | Nec Corp | Fluorescent display tube |
-
1987
- 1987-09-04 JP JP62220394A patent/JPH0821350B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6465756A (en) | 1989-03-13 |
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