JPH0821754B2 - Optical device - Google Patents
Optical deviceInfo
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- JPH0821754B2 JPH0821754B2 JP23696286A JP23696286A JPH0821754B2 JP H0821754 B2 JPH0821754 B2 JP H0821754B2 JP 23696286 A JP23696286 A JP 23696286A JP 23696286 A JP23696286 A JP 23696286A JP H0821754 B2 JPH0821754 B2 JP H0821754B2
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- emitting element
- optical device
- light emitting
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Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described in the following order.
A.産業上の利用分野 B.発明の概要 C.背景技術[第3図、第4図] D.発明が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例[第1図、第2図] H.発明の効果 (A.産業上の利用分野) 本発明は光学装置、特に発光素子からの光をプリズム
によって外部に反射し、外部からの戻り光をプリズムに
よって受光素子に導くようにした光学装置に関する。A. Industrial fields of use B. Outline of invention C. Background art [Figs. 3 and 4] D. Problems to be solved by the invention E. Means for solving problems F. Action G. Embodiments [FIGS. 1 and 2] H. Effects of the Invention (A. Fields of Industrial Application) The present invention relates to an optical device, in particular, light from a light-emitting element is reflected to the outside by a prism and returned from the outside. The present invention relates to an optical device in which a prism is guided to a light receiving element.
(B.発明の概要) 本発明は、特に発光素子からの光をプリズムによって
外部に反射し、外部からの戻り光をプリズムによって受
光素子に導くようにした光学装置において、 製造の簡単化、高精度化、小型化、低コスト化を図る
ため、 プリズムと発光素子のマウント部とを透明な結晶基板
により一体に形成するようにしたものである。(B. Summary of the Invention) The present invention particularly relates to an optical device in which light from a light-emitting element is reflected to the outside by a prism and return light from the outside is guided to a light-receiving element by a prism. In order to achieve higher accuracy, smaller size, and lower cost, the prism and the mount of the light emitting element are integrally formed by a transparent crystal substrate.
(C.背景技術)[第3図、第4図] コンパクトディスプレイヤー、レーザーディスクプレ
イヤー等に信号読取用として用いられる光学ヘッドは従
来においては回折格子により3本のビーム(1本の主ビ
ームと2本の副ビーム)をつくり、3ビーム法によりト
ラッキングを行い、そして、シリンドリカルレンズを用
いた非点収差法によりフォーカシングを行うタイプのも
のが多く用いられていた。(C. Background Art) [FIGS. 3 and 4] An optical head used for signal reading in a compact display, a laser disc player, etc. is conventionally composed of three beams (one main beam and one main beam by a diffraction grating). A type in which two sub-beams are formed, tracking is performed by the three-beam method, and then focusing is performed by the astigmatism method using a cylindrical lens has been widely used.
しかしながら、このような従来の光学ヘッドは発光素
子(レーザダイオード)、回折格子、ビームスプリッ
タ、対物レンズ、シリンドリカルレンズ、受光素子等非
常に多くの部品からなり、使用する部品全体の価格が高
くなるだけでなく、上記各光学部品を所定の位置関係に
なるように組立て、非常に高い精度で調整しなければな
らないので、光学部品の組立、調整に要するコストも非
常に高くなった。そして、光学ヘッドの構成光学部品の
多いことは必然的に光学ヘッドの小型化を制約し、延い
てはコンパクトディスプレイヤー、ビデオディスプレイ
ヤーの小型化を阻んだ。However, such a conventional optical head is composed of a large number of parts such as a light emitting element (laser diode), a diffraction grating, a beam splitter, an objective lens, a cylindrical lens, and a light receiving element, and the cost of all the parts used increases. In addition, since the above optical components must be assembled so as to have a predetermined positional relationship and adjusted with extremely high precision, the cost required for assembling and adjusting the optical components also becomes very high. The large number of constituent optical components of the optical head inevitably constrains the miniaturization of the optical head, which in turn impedes the miniaturization of compact and video displayers.
そこで、本願出願人会社においては、第3図、第4図
に示すような光学装置を用いた光学ヘッドを開発し、そ
れに関する各種の提案を特願昭61−38576、特願昭61−1
26318、特願昭61−38575等により行った。Therefore, the applicant company has developed an optical head using an optical device as shown in FIGS. 3 and 4, and has made various proposals relating to the same, in Japanese Patent Application Nos. 61-38576 and 61-1.
26318 and Japanese Patent Application No. 61-38575.
図面において、aは光学装置で、レーザダイオードb
を錫半田等によってSi基板cに固定すると共に該Si基板
cに光検出器d、e、f、gを形成し、ガラスからなる
断面台形のプリズムhを接着剤によって光検出器d、
e、f上に固定したものである。In the drawing, a is an optical device, and laser diode b
Is fixed to the Si substrate c by tin solder or the like, and the photodetectors d, e, f, and g are formed on the Si substrate c, and the prism h having a trapezoidal cross section made of glass is adhered to the photodetector d,
It is fixed on e and f.
上記プリズムhはレーザダイオードbに対向している
傾斜面iと、Si基板cに対接している面jのうちの光検
出器fの近傍以外の部分とが半透明反射面となってお
り、その面jと対向する内面kは内面反射面となってい
る。In the prism h, an inclined surface i facing the laser diode b and a part of the surface j facing the Si substrate c other than the vicinity of the photodetector f are semitransparent reflecting surfaces, The inner surface k facing the surface j is an inner reflecting surface.
光検出器d、eは、第4図に示すように、それぞれ一
定の方向に並べられた3個の光検出部d1〜d3、e1〜e3を
有し、これらの光検出部d1〜d3、e1〜e3は演算増幅器l
〜nに接続されている。As shown in FIG. 4, each of the photodetectors d and e has three photodetectors d1 to d3 and e1 to e3 arranged in a fixed direction, and these photodetectors d1 to d3, e1 to e3 are operational amplifiers l
Connected to ~ n.
光検出器fは4個の光検出部を有し、トランキング検
出に用いられる。また、光検出器gはレーザダイオード
bの自動出力制御をするためのモニターとして用いられ
る。The photodetector f has four photodetectors and is used for trunking detection. Further, the photodetector g is used as a monitor for controlling the automatic output of the laser diode b.
このような光学装置では、レーザダイオードbから射
出されたレーザビームoの一部が傾斜面iで反射され、
図示しない光学装置封入キャップの対物レンズを透過し
てコンパクトディスク等の光学記録媒体に照射され、そ
こで反射される。反射されたレーザビームは上記対物レ
ンズを透過してプリズムhの傾斜面iに戻り、傾斜面i
に戻ったビームの一部が傾斜面iを透過して面jに入射
する。ところが、面jのうちで光検出器dの近傍は半透
明反射面であるのでビームoの一部が面jを透過して光
検出器dに入射し、残りのビームoは面jにて反射され
る。In such an optical device, a part of the laser beam o emitted from the laser diode b is reflected by the inclined surface i,
After passing through an objective lens of a cap (not shown) for enclosing an optical device, the optical recording medium such as a compact disc is irradiated with the light and reflected there. The reflected laser beam passes through the objective lens and returns to the inclined surface i of the prism h, and the inclined surface i
A part of the beam returning to the position (1) passes through the inclined surface i and enters the surface j. However, in the surface j, the vicinity of the photodetector d is a semitransparent reflecting surface, so that part of the beam o passes through the surface j and is incident on the photodetector d, and the remaining beam o is at the surface j. Is reflected.
面jによって反射されたビームoは、面kによって反
射されて、面jへ再度入射する。そして、面jへ入射し
たビームoの一部が光検出器eへ入射し、残部はこの面
j及び面kによって反射された光検出器fへ入射する。The beam o reflected by the surface j is reflected by the surface k and re-enters the surface j. Then, part of the beam o incident on the surface j is incident on the photodetector e, and the rest is incident on the photodetector f reflected by the surface j and the surface k.
そしてこの光学装置aでは、光学記録媒体がビームo
の収束点に位置している場合にこの収束点の共役点が面
k上に位置する様にプリズムhの大きさ等が設定されて
いる。従って第4図に示すように、検出器d、e上にお
けるビームoのスポットPは、光学記録媒体がビームo
の収束点に位置している場合は互いに等しい大きさを有
しており、光学記録媒体がビームoの収束点からずれる
ことによって一方が大きくなると他方が小さくなる。In this optical device a, the optical recording medium is the beam o.
The size and the like of the prism h are set so that the conjugate point of this convergence point is located on the surface k when it is located at the convergence point. Therefore, as shown in FIG. 4, the spot P of the beam o on the detectors d and e is the beam o on the optical recording medium.
When the optical recording medium is located at the converging point of, the optical recording medium is displaced from the converging point of the beam o, and when one is large, the other is small.
この結果、演算増幅器l、m、nからは、フォーカス
エラー量に対応した信号が得られる。従って、演算増幅
器nから得られる信号をフォーカス誤差信号としてフォ
ーカスサーボ系を駆動すればフォーカシングができる。As a result, signals corresponding to the focus error amount are obtained from the operational amplifiers l, m, and n. Therefore, if the signal obtained from the operational amplifier n is used as the focus error signal to drive the focus servo system, focusing can be performed.
しかして、このような光学装置を用いれば非常に小型
で部品数が少なく、組立が比較的容易な光学ヘッドを提
供することができる。従って、第3図に示す構造の光学
装置はコンパクトディスクプレイヤー等の低価格化、小
型化に貢献することが期待できる。Thus, by using such an optical device, it is possible to provide an optical head which is very small in size, has a small number of parts, and is relatively easy to assemble. Therefore, the optical device having the structure shown in FIG. 3 can be expected to contribute to the cost reduction and downsizing of compact disc players and the like.
(D.発明が解決しようとする問題点) ところで、上記プリズムhは現在の技術ではガラスを
研摩して加工しなければならず、プリズムの小型化、低
コスト化を図ることが難しく、そのため光学装置aをよ
り小型化することがプリズムhによって制約され、ま
た、光学装置aの製造コスト全体に占めるプリズムhの
製造コストの割合が大きくなり、光学装置aのより一層
の小型化、低価格化が阻まれる。そして、プリズムh
と、各光検出器d、e、f及びレーザダイオードbとの
間の位置決め精度も充分に高くすることは難しい。(D. Problem to be Solved by the Invention) By the way, the above-mentioned prism h must be processed by polishing glass in the present technology, and it is difficult to reduce the size and cost of the prism. Further miniaturization of the device a is restricted by the prism h, and the ratio of the manufacturing cost of the prism h to the total manufacturing cost of the optical device a is increased, so that the optical device a is further miniaturized and reduced in price. Is blocked. And the prism h
It is difficult to sufficiently increase the positioning accuracy among the photodetectors d, e, f and the laser diode b.
そこで、本発明は発光素子からの光をプリズムによっ
て外部に反射し、外部からの戻り光をプリズムによって
受光素子に導くようにした光学装置の製造の簡単化、高
精度化、低コスト化、小型化を図ることを目的とする。Therefore, the present invention simplifies the manufacturing of an optical device in which the light from the light emitting element is reflected to the outside by a prism and the return light from the outside is guided to the light receiving element by the prism. The purpose is to achieve
(E.問題点を解決するための手段) 本発明光学装置は上記問題点を解決するため、発光素
子からの光をプリズムによって外部に反射し、外部から
の戻り光をプリズムによって受光素子に導くようにした
光学装置において、プリズムと発光素子のマウント部と
を透明な結晶基板により一体に形成するようにしたこと
を特徴とするものである。(E. Means for Solving Problems) In order to solve the above problems, the optical device of the present invention reflects light from a light emitting element to the outside by a prism and guides return light from the outside to a light receiving element by the prism. In such an optical device, the prism and the mount portion of the light emitting element are integrally formed of a transparent crystal substrate.
(F.作用) 本発明光学装置によれば、プリズムと発光素子のマウ
ント部とを結晶体を材料として一体にしたのでこれらを
半導体デバイスの製造技術を駆使してつくることがで
き、ガラスを研摩して独立した部品としてのプリズムつ
くる必要がなく、光学装置全体を高精度で小型につくる
ことができ、また大量生産が可能になる。しかも、プリ
ズムを発光素子に対して位置合せする面倒さがなく半導
体デバイス製造技術において頻繁に用いられるペレット
ボンディング技術によって簡単且つ高精度に発光素子と
プリズムとの位置合せを行うことができる。また、プリ
ズム等主部を結晶基板により形成したので、この表面あ
るいは裏面に形成する受光素子も必然的に半導体デバイ
スの製造技術を駆使して形成することができ、プリズム
と受光素子の位置関係も高精度に制御できる。(F. Action) According to the optical device of the present invention, the prism and the mount portion of the light emitting element are integrated with each other by using the crystalline body as a material, so that these can be manufactured by making full use of the semiconductor device manufacturing technology, and the glass is polished. Therefore, it is not necessary to form a prism as an independent component, and the entire optical device can be made with high precision and small size, and mass production becomes possible. Moreover, it is possible to easily and highly accurately align the light emitting element and the prism by the pellet bonding technique which is frequently used in the semiconductor device manufacturing technology without the trouble of aligning the prism with the light emitting element. Further, since the main part such as the prism is formed of the crystal substrate, the light receiving element formed on the front surface or the back surface can be inevitably formed by utilizing the manufacturing technology of the semiconductor device, and the positional relationship between the prism and the light receiving element is also increased. It can be controlled with high precision.
(G.実施例)[第1図、第2図] 以下、本発明光学装置を図示実施例に従って詳細に説
明する。(G. Embodiment) [FIGS. 1 and 2] Hereinafter, the optical device of the present invention will be described in detail with reference to illustrated embodiments.
第1図は本発明光学装置の一つの実施例を示す断面図
である。図面において、1はGaPからなる結晶基板であ
る。GaPの結晶(エネルギーギャップEg=2.261eV)は78
0nm程度の波長のレーザ光に対して透明であり、従って
プリズム材料として充分に機能し得る。該結晶基板1は
GaPの結晶インゴットを(001)面又は(001)面に対し
て<110>方向に5.3゜傾いた面でスライスしてウェハ状
に形成したものであり、2が表面、3が裏面である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the optical device of the present invention. In the drawing, 1 is a crystal substrate made of GaP. GaP crystal (energy gap Eg = 2.261eV) is 78
It is transparent to laser light having a wavelength of about 0 nm, and therefore can sufficiently function as a prism material. The crystal substrate 1
A GaP crystal ingot is sliced on a (001) plane or a plane inclined by 5.3 ° in the <110> direction with respect to the (001) plane to form a wafer, and 2 is a front surface and 3 is a back surface.
4は結晶基板1の表面2の中間部に異方性エッチング
により形成された断面形状がV字状の溝であり、該溝4
を構成する傾斜面5は(1)面、それの向い側の傾
斜面6は(111)面である。透明基板1のV字状溝4か
ら第1図における左側の部分がプリズム7を成してい
る。Reference numeral 4 denotes a groove having a V-shaped cross section formed by anisotropic etching in the middle portion of the surface 2 of the crystal substrate 1.
The inclined surface 5 constituting the above is the (1) surface, and the inclined surface 6 on the opposite side is the (111) surface. A portion on the left side in FIG. 1 from the V-shaped groove 4 of the transparent substrate 1 forms a prism 7.
透明基板1のプリズム7の表面2にはその面を完全内
面反射面とするための反射膜8が形成されている。そし
て、プリズム7の裏面3にはフォーカスサーボ用のフォ
トダイオード9、10及びトラッキングサーボ用のフォト
ダイオード11が形成されている。これ等フォトダイオー
ド9、10、11は透明基板1の裏面3にn型のシリコン単
結晶の半導体層12をエピタキャル成長し、該半導体層12
上にP型のシリコン単結晶半導体層13をエピタキャル成
長し、その後、この2つの半導体層12、13に対して選択
的エッチングをすることによって形成されたものであ
る。A reflective film 8 is formed on the surface 2 of the prism 7 of the transparent substrate 1 so that the surface becomes a perfect internal reflection surface. Then, on the back surface 3 of the prism 7, photodiodes 9 and 10 for focus servo and a photodiode 11 for tracking servo are formed. These photodiodes 9, 10, 11 epitaxially grow a semiconductor layer 12 of an n-type silicon single crystal on the back surface 3 of the transparent substrate 1, and the semiconductor layer 12 is formed.
It is formed by epitaxially growing a P-type silicon single crystal semiconductor layer 13 thereon and then selectively etching the two semiconductor layers 12 and 13.
透明基板1の溝4から第1図における右側の部分は発
光素子マウント部14とされ、該部14はがRIE等によりエ
ッチングされてその表面15の高さがプリズム7の表面2
の高さよりも適宜低くされており、その表面15に半田層
16を介してレーザダイオード17がマウントされている。
18はその活性層で、該活性層18から出射されたレーザビ
ームがプリズム7の傾斜面5に入射される向きでレーザ
ダイオード17が半田付けされる。上記傾斜面5は上述し
たように(1)面であり、(001)面に対して54.7
゜の角度を有しており、そして結晶基板1の表裏面2、
3は(001)面又は(001)面に対して<110>方向に5.3
゜傾いた面なので、傾斜面5の傾斜角度は54.7゜又は60
゜であり、プリズム7の傾斜面5の傾斜角度として好ま
しい値となる(60゜の方がより好ましい)。The portion on the right side in FIG. 1 from the groove 4 of the transparent substrate 1 is a light emitting element mount portion 14, which is etched by RIE or the like so that the surface 15 has a height of the surface 2 of the prism 7.
Is appropriately lower than the height of the
A laser diode 17 is mounted via 16.
Reference numeral 18 denotes the active layer, to which the laser diode 17 is soldered so that the laser beam emitted from the active layer 18 is incident on the inclined surface 5 of the prism 7. The inclined surface 5 is the (1) surface as described above, and is 54.7 with respect to the (001) surface.
The front and back surfaces 2 of the crystal substrate 1,
3 is (001) plane or 5.3 in <110> direction with respect to (001) plane
Since it is a tilted surface, the tilt angle of the tilted surface 5 is 54.7 ° or 60
And is a preferable value as the inclination angle of the inclined surface 5 of the prism 7 (60 ° is more preferable).
第2図(A)乃至(D)は上記光学装置の製造方法の
一例を工程順に示す断面図であり、同図に従って製造方
法の説明をする。FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views showing an example of a method of manufacturing the optical device in the order of steps, and the manufacturing method will be described with reference to FIG.
(A)GaPからなる透明基板1の裏面3にシリコンから
なるn型半導体層12をエピタキシャル成長し、該n型半
導体層12上に更にP型半導体層13をエピタキシャル成長
する。(A) An n-type semiconductor layer 12 made of silicon is epitaxially grown on the back surface 3 of the transparent substrate 1 made of GaP, and a P-type semiconductor layer 13 is further epitaxially grown on the n-type semiconductor layer 12.
尚、GaPは格子定数が5.54Åであり、GaPとSiとは格子
定数がほとんど同じなので、GaPの上にSiをエピタキシ
ャル成長することは容易に為し得る。Since GaP has a lattice constant of 5.54Å, and GaP and Si have almost the same lattice constant, it is easy to epitaxially grow Si on GaP.
次に、結晶基板1の表面2に金属等からなる反射膜8
を蒸着等により形成し、それをフォトエッチングにより
選択的に除去する。このように反射膜8を選択的に除去
した後結晶基板1の表面2上にレジスト膜19を形成し、
これを所定のパターンを有するマスクを介して露光し、
現像してエッチング用窓部20を形成する。そして、該窓
部20を通して結晶基板1の表面部を異方性エッチングす
ることにより、傾斜面5、6を有するV字状の溝4を形
成する。第1図(A)は溝4の形成後の状態を示す。Next, a reflective film 8 made of metal or the like is formed on the surface 2 of the crystal substrate 1.
Are formed by vapor deposition or the like, and are selectively removed by photoetching. After selectively removing the reflective film 8 in this manner, a resist film 19 is formed on the surface 2 of the crystal substrate 1,
This is exposed through a mask having a predetermined pattern,
It develops and forms the window part 20 for etching. Then, the surface portion of the crystal substrate 1 is anisotropically etched through the window portion 20 to form the V-shaped groove 4 having the inclined surfaces 5 and 6. FIG. 1 (A) shows a state after the groove 4 is formed.
(B)次いで、改めて結晶基板1にレジスト膜21を形成
し、該レジスト膜21で受光素子マウント部とする部分14
以外のところをマスクし、その状態でRIE等によりエッ
チングし、受光素子マウント部14の表面15の高さをプリ
ズム7の表面2の高さよりも低くする。第2図(B)は
そのエッチングの終了後の状態を示す。(B) Next, a resist film 21 is formed on the crystal substrate 1 again, and a portion 14 of the resist film 21 to be a light-receiving element mounting portion is formed.
Other portions are masked, and in that state, etching is performed by RIE or the like, so that the height of the surface 15 of the light receiving element mounting portion 14 is made lower than the height of the surface 2 of the prism 7. FIG. 2B shows a state after the etching is completed.
(C)その後、結晶基板1の裏面2に形成された半導体
層12、13に対する選択的エッチングによりフォトダイオ
ード9、10、11を形成する。第2図(C)はその選択的
エッチングの終了後の状態を示す。(C) After that, the photodiodes 9, 10 and 11 are formed by selective etching of the semiconductor layers 12 and 13 formed on the back surface 2 of the crystal substrate 1. FIG. 2C shows the state after the selective etching is completed.
(D)その後、第2図(D)に示すように表面15の高さ
を低くされた発光素子マウント部14のその表面15上にレ
ーザダイオード17を半田16を介してマウントする。その
後、ダイシングを行って各光学装置を互いに分離する。(D) Thereafter, as shown in FIG. 2 (D), the laser diode 17 is mounted via solder 16 on the surface 15 of the light emitting element mounting portion 14 whose height is lowered. Then, dicing is performed to separate the optical devices from each other.
このように第1図に示すような光学装置によれば、プ
リズム7を発光素子マウント部14も含めて一対に形成す
るので、そのプリズム7及び発光素子マウント部14を半
導体デバイスの製造技術によって高精度で小型に製造す
ることができる。また、同時に大量に製造することがで
きるので製造コストを下げることができる。しかもプリ
ズム7と発光素子マウント部15とは一体なのでプリズム
7とレーザダイオード17との間は半導体デバイスの製造
に頻繁に使用されるペレットボンディング技術で決まる
きわめて高い精度で位置決めすることができ、位置決め
のための作業、調整に手間どる惧れもない。As described above, according to the optical device as shown in FIG. 1, the prism 7 and the light emitting element mounting portion 14 are formed in a pair, so that the prism 7 and the light emitting element mounting portion 14 can be manufactured by a semiconductor device manufacturing technique. It can be manufactured in small size with precision. Moreover, since it is possible to manufacture a large amount at the same time, it is possible to reduce the manufacturing cost. Moreover, since the prism 7 and the light emitting element mounting portion 15 are integrated, the prism 7 and the laser diode 17 can be positioned with extremely high precision determined by the pellet bonding technique frequently used in the manufacture of semiconductor devices. There is no fear that it will take time to perform the work and adjustment.
そして、サーボ用のフォトダイオード9〜11はGaPの
1上にエピタキシャル成長した半導体層により形成する
ことができるのでプリズム7、発光素子マウント部14と
フォトダイオード9〜11との位置関係もフォトリソグラ
フィ技術によって高精度に位置決めすることができ、組
立、組立後の調整等の作業を必要としない。Since the servo photodiodes 9 to 11 can be formed by a semiconductor layer epitaxially grown on the GaP 1, the positional relationship between the prism 7, the light emitting element mount portion 14 and the photodiodes 9 to 11 can be determined by the photolithography technique. Positioning can be performed with high accuracy, and no work such as assembly or adjustment after assembly is required.
尚、上記実施例においては、プリズム7の表面2に反
射膜8が形成され、裏面3にフォトダイオード9〜11が
形成されていた。しかし、プリズム7の表面2側にフォ
トダイオード9〜11を設け、裏面3に反射膜8を形成す
るようにしても良い。In the above embodiment, the reflection film 8 was formed on the surface 2 of the prism 7, and the photodiodes 9 to 11 were formed on the back surface 3. However, the photodiodes 9 to 11 may be provided on the front surface 2 side of the prism 7 and the reflection film 8 may be formed on the back surface 3.
(H.発明の効果) 以上に述べたように、本発明光学装置は、透明な結晶
基板の表面の中間部に断面形状がV字状の溝が形成さ
れ、上記結晶基板の上記溝の一方の側が表面又は裏面に
一又は複数の受光素子を形成されてプリズムを成し、上
記結晶基板の上記溝の他方の側の表面が一方の側の表面
よりも高さを低くされて発光素子マウント部を成し、上
記発光素子マウント部上に上記プリズムに向けて光を発
射する発光素子がマウントされてなることを特徴とする
ものである。(H. Effect of the Invention) As described above, in the optical device of the present invention, a groove having a V-shaped cross section is formed in the middle portion of the surface of the transparent crystal substrate, and one of the grooves of the crystal substrate is formed. Side is formed with one or more light receiving elements on the front surface or the back surface to form a prism, and the surface of the other side of the groove of the crystal substrate is made lower in height than the surface of one side. And a light emitting element that emits light toward the prism is mounted on the light emitting element mounting portion.
従って、本発明光学装置によれば、プリズムと発光素
子のマウント部とを一体にしたためこれらを半導体デバ
イスの製造技術を駆使してつくることができるので、ガ
ラスを研摩してプリズムにする必要がなく、光学装置全
体を高精度で小型につくることができ、また、大量生産
が可能になる。しかも、プリズムを発光素子に対して位
置合せする面倒さがなく半導体デバイス製造技術におい
て頻繁に用いられるペレットボンディグ技術によって簡
単且つ高精度に発光素子とプリズムとの位置合せを行う
ことができる。また、プリズム等主部を結晶基板により
形成したので、この表面あるいは裏面に形成する受光素
子も必然的に半導体デバイスの製造技術を駆使して形成
することができ、従って、プリズムと受光素子の位置関
係も高精度に制御できる。Therefore, according to the optical device of the present invention, since the prism and the mount portion of the light emitting element are integrated, they can be manufactured by making full use of the semiconductor device manufacturing technology, and therefore it is not necessary to polish the glass to form the prism. The entire optical device can be made highly precise and small, and mass production becomes possible. Moreover, it is possible to easily and accurately align the light emitting element and the prism by the pellet bonding technique which is frequently used in the semiconductor device manufacturing technology without the trouble of aligning the prism with the light emitting element. Further, since the main part such as the prism is formed by the crystal substrate, the light receiving element formed on the front surface or the back surface can be inevitably formed by utilizing the semiconductor device manufacturing technology. The relationship can be controlled with high precision.
第1図及び第2図は本発明光学装置の一つの実施例を説
明するためのもので、第1図は実施例の断面図、第2図
(A)〜(D)は製造方法の一例を工程順に示す断面
図、第3図及び第4図は背景技術を説明するためのもの
で、第3図は断面図、第4図は回路図である。 符号の説明 1……結晶基板、 2……プリズム側の表面、 3……結晶基板の裏面、 4……V字状の溝、 7……プリズム、 9〜11……受光素子、 14……発光素子マウント部、 17……発光素子。FIGS. 1 and 2 are for explaining one embodiment of the optical device of the present invention. FIG. 1 is a sectional view of the embodiment, and FIGS. 2A to 2D are examples of a manufacturing method. 3A to 3D are sectional views showing the order of steps, FIGS. 3 and 4 are for explaining background art, FIG. 3 is a sectional view, and FIG. 4 is a circuit diagram. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Crystal substrate, 2 ... Prism side surface, 3 ... Crystal substrate back surface, 4 ... V-shaped groove, 7 ... Prism, 9-11 ... Light receiving element, 14 ... Light emitting element mount, 17 …… Light emitting element.
Claims (1)
がV字状の溝が形成され、 上記結晶基板の上記溝の一方の側が表面又は裏面に一又
は複数の受光素子を形成されてプリズムを成し、 上記結晶基板の上記溝の他方の側の表面が一方の側の表
面よりも高さを低くされて発光素子マウント部を成し、 上記発光素子マウント部上に上記プリズムに向けて光を
発射する発光素子がマウントされてなる ことを特徴とする光学装置1. A groove having a V-shaped cross section is formed in an intermediate portion of the surface of a transparent crystal substrate, and one side of the groove of the crystal substrate has one or a plurality of light receiving elements formed on the front surface or the back surface. To form a prism, the surface of the other side of the groove of the crystal substrate is made lower in height than the surface of one side to form a light emitting element mounting portion, and the prism is formed on the light emitting element mounting portion. An optical device characterized in that a light emitting element that emits light toward it is mounted.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23696286A JPH0821754B2 (en) | 1986-10-04 | 1986-10-04 | Optical device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP23696286A JPH0821754B2 (en) | 1986-10-04 | 1986-10-04 | Optical device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPS6390886A JPS6390886A (en) | 1988-04-21 |
| JPH0821754B2 true JPH0821754B2 (en) | 1996-03-04 |
Family
ID=17008342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23696286A Expired - Fee Related JPH0821754B2 (en) | 1986-10-04 | 1986-10-04 | Optical device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821754B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016117028B4 (en) | 2015-12-31 | 2022-03-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method therefor |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5357103A (en) * | 1991-10-02 | 1994-10-18 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Light receiving module with optical fiber coupling |
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-
1986
- 1986-10-04 JP JP23696286A patent/JPH0821754B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016117028B4 (en) | 2015-12-31 | 2022-03-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method therefor |
Also Published As
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| JPS6390886A (en) | 1988-04-21 |
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