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JPH0822024B2 - Method and apparatus for controlling electron beam amount of image pickup tube - Google Patents
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JPH0822024B2 - Method and apparatus for controlling electron beam amount of image pickup tube - Google Patents

Method and apparatus for controlling electron beam amount of image pickup tube

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Publication number
JPH0822024B2
JPH0822024B2 JP60233406A JP23340685A JPH0822024B2 JP H0822024 B2 JPH0822024 B2 JP H0822024B2 JP 60233406 A JP60233406 A JP 60233406A JP 23340685 A JP23340685 A JP 23340685A JP H0822024 B2 JPH0822024 B2 JP H0822024B2
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grid electrode
electrode
image pickup
pickup tube
electron beam
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和弘 佐藤
功二 工藤
優徳 丸山
到 三村
脩策 長原
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、2極形電子銃を備えた低残像形撮像管の走
査電子ビーム量制御方法およびその装置に関するもので
ある。
Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a scanning electron beam amount control method and apparatus for a low afterimage type image pickup tube equipped with a bipolar electron gun.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

光導電形撮像管では、被写体照明に対応した電荷パタ
ンを光導電膜上に発生させ、電子銃によって発生させた
電子ビームで上記光導電膜上を走査することにより、電
荷パタンを順次放電し、該放電に対応した充電電流を信
号として外部に取出している。上記光導電形撮像管で
は、従来から残像を低減させることと、光量範囲を拡大
させることが要求されてきた。
In the photoconductive type image pickup tube, a charge pattern corresponding to the illumination of the object is generated on the photoconductive film, and the photoconductive film is scanned by an electron beam generated by an electron gun to sequentially discharge the charge pattern, The charging current corresponding to the discharge is taken out as a signal. In the photoconductive type image pickup tube, it has been conventionally required to reduce the afterimage and to expand the light amount range.

残像は被写体により発生した電荷を1回のビーム走査
で完全に放電することができないためにおこる現象で、
次回以降の走査時に、前回の走査で読残した電荷が一緒
に読出されるためにおこる。特に阻止形光導電膜を使用
した撮像管においては、光導電膜が有する静電容量と走
査電子ビームが有するビーム抵抗との積で定まる時定数
の容量性残像が主体である。
The afterimage is a phenomenon that occurs because the electric charge generated by the subject cannot be completely discharged by one beam scan.
This occurs because the charges left unread in the previous scan are also read out in the subsequent scans. Particularly in an image pickup tube using a blocking type photoconductive film, a capacitive afterimage having a time constant determined by a product of a capacitance of the photoconductive film and a beam resistance of a scanning electron beam is mainly used.

ビーム抵抗は電子ビームを形成する電子群の速度分布
が狭いことが必要条件になる。陰極から放出される電子
群はマクスウェル分布をした速度分布をしているが、細
いビームを形成する過程においてビームの電流密度が上
昇し、電子相互のクーロンカによるエネルギ緩和現象に
より、速度分布が拡大されることが知られている。この
現象はベージュ効果と呼ばれ、速度分布の拡大率は、ビ
ームの軸上電流密度J(Z)に対しほぼJ(Z)1/3
比例することが知られている。したがって低雑像を目的
とする撮像管では、できる限りビームの電流密度上昇を
抑える必要がある。このため、陰極に対向する第1格子
電極を陰極に対し正電圧で動作させ、上記陰極から管軸
に平行に電子を放出させ、電流密度が高いクロスオーバ
を形成しない層流ビームを発生する2極形電子銃が提案
されている(例えば特開昭50−39869号、特開昭54−129
871号)。
The beam resistance is required to have a narrow velocity distribution of the electron group forming the electron beam. The electron group emitted from the cathode has a Maxwellian velocity distribution, but the current density of the beam rises in the process of forming a narrow beam, and the velocity distribution is expanded by the energy relaxation phenomenon due to the Coulomba of the electrons. It is known that This phenomenon is called the Beige effect, and it is known that the expansion rate of the velocity distribution is approximately proportional to J (Z) 1/3 with respect to the axial current density J (Z) of the beam. Therefore, in an image pickup tube intended for low miscellaneous images, it is necessary to suppress the increase in beam current density as much as possible. Therefore, the first grid electrode facing the cathode is operated at a positive voltage with respect to the cathode, and electrons are emitted from the cathode in parallel with the tube axis to generate a laminar flow beam having a high current density and not forming a crossover 2. A polar electron gun has been proposed (for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 50-39869 and 54-129).
871).

第6図は上記の主旨を満足する2極形電子銃の一例を示
し、1は陰極、2は第1格子電極で陰極1に対し正の電
圧E1を印加する。3は第2格子電極を示し、微小開口33
を備えており、正の電圧E2が印加される。4は発生する
電子ビームを示すが、上記印加電圧E1を可変にすると、
電子ビーム4は破線で示す層流ビームから実線で示す集
中ビーム(クロスオーバを形成するビーム)へと変化す
る。第7図は第1格子電圧E1と光電変換面への到達ビー
ム電流の関係を示した図である。A点が通常の動作点で
残像低減が可能な層流ビーム状態であり、B点がクロス
オーバを形成した状態である。このように第6図の電子
銃を備えた撮像管は、第1格子電圧E1を可変にすること
によって大きなビーム電流を得ることができるため、被
写体照度に対応させてビーム量をコントロールするABO
動作(Automatic Beam Optimizer)を行わせることがで
きる。
FIG. 6 shows an example of a bipolar electron gun satisfying the above-mentioned object, 1 is a cathode, 2 is a first grid electrode, and a positive voltage E 1 is applied to the cathode 1. Reference numeral 3 denotes a second grid electrode, which has a minute opening 33.
And a positive voltage E 2 is applied. Reference numeral 4 denotes an electron beam generated, but when the applied voltage E 1 is made variable,
The electron beam 4 changes from a laminar flow beam shown by a broken line to a concentrated beam (a beam forming a crossover) shown by a solid line. FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the first lattice voltage E 1 and the beam current reaching the photoelectric conversion surface. Point A is a laminar flow beam state where afterimages can be reduced at a normal operating point, and point B is a state where a crossover is formed. As described above, the image pickup tube equipped with the electron gun shown in FIG. 6 can obtain a large beam current by changing the first grid voltage E 1. Therefore, the ABO that controls the beam amount according to the illuminance of the subject is used.
The operation (Automatic Beam Optimizer) can be performed.

従来から行われているABO回路を第8図に示す。図に
おいて10は第6図に示すような2極形電子銃を備えた撮
像管である。上記従来方法は、電子ビーム走査により光
電変換面11から取出した信号電流を抵抗12で電圧に変換
し、増幅器13で増幅したのち、加算回路14で基準バイア
ス電圧15に重畳してビーム電流制御電極(第1格子電
極)2に加えるものである。上記回路にはつぎに示す各
式が成立する。
A conventional ABO circuit is shown in FIG. In the figure, 10 is an image pickup tube equipped with a bipolar electron gun as shown in FIG. In the above conventional method, the signal current extracted from the photoelectric conversion surface 11 by electron beam scanning is converted into a voltage by the resistor 12, amplified by the amplifier 13, and then superimposed on the reference bias voltage 15 by the adder circuit 14 to control the beam current control electrode. It is added to the (first grid electrode) 2. The following equations are established in the above circuit.

vs=−Is・R ……(1) vO=B・vs ……(2) EG1=vO+VO1 ……(3) ただし、vs:増幅器13の入力信号電圧、Is:信号電流、R:
抵抗、vO:増幅器13の出力信号電圧、B:増幅器の増幅
率、EG1:ビーム電流制御電極電圧、VO1:基準バイアス電
圧である。
vs = -Is · R (1) v O = B · vs (2) E G1 = v O + V O1 (3) However, vs: input signal voltage of the amplifier 13, Is: signal current, R:
Resistance, v O : output signal voltage of amplifier 13, B: amplification factor of amplifier, E G1 : beam current control electrode voltage, V O1 : reference bias voltage.

ここで、ビーム電流制御電極電圧とビーム電流の比を
gm1とすれば、つぎの各式が成立する。
Where the ratio of the beam current control electrode voltage to the beam current is
With gm 1 , the following equations hold.

IB=−gm1・EG1 ……(4) IO1=−gm1・VO1 ……(5) ただし、IB:走査ビーム電流、IO1:走査ビーム電流のバ
イアス値である。
I B = −g m1 · E G1 (4) I O1 = −g m1 · V O1 (5) where I B is the scanning beam current and I O1 is the scanning beam current bias value.

上記5つの式からIBを求めると、つぎの(6)式が得ら
れる。
When I B is obtained from the above five equations, the following equation (6) is obtained.

IB=A・IS+IO1 ……(6) ただし、A=gm1・R・Bである。上記(6)式は第8
図の回路の走査ビーム電流の制御特性を示しており、A
=1のとき、理想的なABO動作が可能になる。しかし、
上記回路には2つの問題がある。第1の問題は撮像管10
の第1格子電極2と光電変換面11との間に、17に示すよ
うな容量結合が存在すると、第9図に示すような正帰還
回路が構成され、発振することである。上記は第1格子
電極2に加える信号電圧の極性(負極性)が光電変換面
11で発生する信号電荷の極性(負極性)と同じであるた
め、容量結合で混入する信号が光電変換面11において同
極性で加算されるためである。また第2の問題は、第8
図のビーム制御回路が作動中にビーム不足状態に突入す
ると、回路条件によっては発振を起すことである。ビー
ム不足状態になると、信号電流は光の情報に関係なくな
り、ビーム電流に比例して増加し第8図の回路は正帰還
回路になる。信号電流とビーム電流の比例定数をFとす
ると、 IS=F・IB ……(7) となり、(6)式および(7)式より(8)式が成立す
る。
I B = A · I S + I O1 (6) However, A = g m1 · R · B. Equation (6) above is the eighth
The control characteristics of the scanning beam current of the circuit shown in the figure are shown.
When = 1, ideal ABO operation is possible. But,
The above circuit has two problems. The first problem is the camera tube 10
When the capacitive coupling as shown by 17 exists between the first grid electrode 2 and the photoelectric conversion surface 11, the positive feedback circuit as shown in FIG. 9 is constructed and oscillates. In the above, the polarity (negative polarity) of the signal voltage applied to the first grid electrode 2 is the photoelectric conversion surface.
This is because the signal charges generated in 11 have the same polarity (negative polarity), and thus the signals mixed by capacitive coupling are added in the same polarity on the photoelectric conversion surface 11. The second problem is the eighth
If the beam control circuit shown in the figure enters a beam shortage state during operation, it may cause oscillation depending on circuit conditions. When the beam becomes insufficient, the signal current becomes irrelevant to the light information and increases in proportion to the beam current, and the circuit of FIG. 8 becomes a positive feedback circuit. If the proportional constant of the signal current and the beam current is F, then I S = F · I B (7) and Eq. (8) is established from Eqs. (6) and (7).

上記帰還回路の発振条件は(8)式の分母によって決定
され、AF<1なら発振しない。Fは光電変換膜11の特徴
や状態で変化するが、ほとんど1に近い値であり、発振
を抑えるためには、A<1の条件を満足させるか、ビー
ム不足状態に突入させない工夫が必要である。
The oscillation condition of the feedback circuit is determined by the denominator of equation (8), and if AF <1, it does not oscillate. Although F varies depending on the characteristics and state of the photoelectric conversion film 11, it is a value almost close to 1. Therefore, in order to suppress oscillation, it is necessary to satisfy the condition of A <1 or devise not to enter the beam shortage state. is there.

A<1の条件は増幅器13の増幅率Bを下げれば実現で
きるが、一般にはgmの値が第1格子電極2の電圧により
変化するため、gmの最大値に対してBの値を定めなくて
はならなくなる。その結果、gmが最小値となる動作点で
は増幅率が不足し、制御範囲が小さくなるという欠点を
生じる。
The condition of A <1 can be realized by lowering the amplification factor B of the amplifier 13. However, since the value of g m generally changes depending on the voltage of the first grid electrode 2, the value of B is set to the maximum value of g m. You have to set it. As a result, the amplification factor becomes insufficient at the operating point where g m becomes the minimum value, and the control range becomes small.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明は、第1格子電極と光電変換面との間に容量結
合が存在し、かつABO動作時にビーム不足状態に突入し
た場合でも発振をおこさず、安定に動作する撮像管のビ
ーム量制御方法と制御装置とを得ることを目的とする。
The present invention relates to a method of controlling the beam amount of an image pickup tube which does not oscillate even when capacitive coupling exists between the first grid electrode and the photoelectric conversion surface and when a beam shortage occurs during ABO operation. And control device.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

本発明による撮像管の電子ビーム量制御方法およびそ
の装置は、電子を放出する陰極と、該陰極の後段に配置
した開口を有する第1格子電極と、該第1格子電極の後
段に配置した微小開口を有する第2格子電極と、光導電
ターゲットとを有する撮像管の電子ビーム量制御方法お
よびその装置において、上記第1格子電極を陰極に対し
て正電圧で動作させ、上記光導電ターゲットからの戻り
ビームに対応した電圧信号を撮像管の第2格子電極に加
えることによって、安定なABO動作を行い、撮像管の走
査電子ビーム量を制御するようにしたものである。
A method and apparatus for controlling an electron beam amount of an image pickup tube according to the present invention include a cathode that emits electrons, a first grid electrode having an opening that is arranged in a subsequent stage of the cathode, and a minute grid arranged in a subsequent stage of the first grid electrode. In an electron beam amount control method and apparatus for an image pickup tube having a second grid electrode having an opening and a photoconductive target, the first grid electrode is operated at a positive voltage with respect to a cathode, By applying a voltage signal corresponding to the return beam to the second grid electrode of the image pickup tube, a stable ABO operation is performed and the scanning electron beam amount of the image pickup tube is controlled.

〔発明の実施例〕Example of Invention

つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。第1
図は本発明による撮像管の電子ビーム量制御装置の第1
実施例を示す回路図、第2図は本発明の第2実施例を示
す回路図、第3図は第2格子電極電圧とビーム電流との
関係を示す図、第4図は本発明の第3実施例を示す回路
図、第5図は本発明の第4実施例を示す回路図である。
第1図において、撮像管10の陰極1から取出したビーム
電流は大部分が第1格子電極2と第2格子電極3に吸収
されるが、その一部は走査ビーム電流IBになる。光電変
換面11で上記走査ビーム電流IBの一部は信号電流になる
が、残った電子は戻りビーム電流IRとなって第2格子電
極3に吸収される。したがって戻りビーム電流IR
(9)式で示される。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First
FIG. 1 shows a first embodiment of an electron beam amount controller for an image pickup tube according to the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment, FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention, FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a second grid electrode voltage and beam current, and FIG. FIG. 5 is a circuit diagram showing a third embodiment, and FIG. 5 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
In FIG. 1, most of the beam current extracted from the cathode 1 of the image pickup tube 10 is absorbed by the first grid electrode 2 and the second grid electrode 3, but a part thereof becomes the scanning beam current I B. On the photoelectric conversion surface 11, a part of the scanning beam current I B becomes a signal current, but the remaining electrons become a return beam current I R and are absorbed by the second lattice electrode 3. Therefore, the return beam current I R is expressed by equation (9).

IR=IB−IS……(9) 実際の回路は電圧信号で処理するので、戻りビーム電
流IRに対応した電圧信号vRは(10)式に示すようにな
る。
I R = I B −I S (9) Since the actual circuit processes with the voltage signal, the voltage signal v R corresponding to the return beam current I R is as shown in equation (10).

vR=vB−vS ……(10) ただし、vBは走査ビーム電流に対応した電圧信号であ
り、陰極1とアース間に挿入した抵抗20によって検出す
る。抵抗20には陰極電流ICが流れ、ICとIBとの間には
(11)式が成立するので、vBは(12)式で表わすことが
できる。
v R = v B −v S (10) However, v B is a voltage signal corresponding to the scanning beam current, which is detected by the resistor 20 inserted between the cathode 1 and the ground. Since the cathode current I C flows through the resistor 20 and the formula (11) is established between I C and I B , v B can be expressed by the formula (12).

IC=α・IB ……(11) vB=RC・α・IB ……(12) ただし、αは比例定数、RCは陰極1に挿入した抵抗20の
値である。
I C = α ・ I B・ ・ ・ (11) v B = R C・ α ・ I B・ ・ ・ (12) where α is the proportional constant and R C is the value of the resistor 20 inserted in the cathode 1.

一方、信号電流ISは抵抗12に流れるので、前記(1)
式で示される信号電圧が発生する。したがって(1)、
(10)、(12)式よりvRを求めると、つぎの(13)式に
示す信号が与えられる。
On the other hand, since the signal current I S flows through the resistor 12, the above (1)
A signal voltage represented by the formula is generated. Therefore, (1),
When v R is obtained from the equations (10) and (12), the signal shown in the following equation (13) is given.

vR=α・RC.IB−R・IS ……(13) 上記(13)式の信号は、抵抗12および20に発生した電圧
信号を加算回路21で加算することにより簡単に求めるこ
とができる。
v R = α · R C .I B −R · I S (13) The signal of the above formula (13) is easily obtained by adding the voltage signals generated in the resistors 12 and 20 by the adding circuit 21. be able to.

第2格子電極3には(13)で示すvRと基準電圧22との
差の信号を差動増幅器23で増幅して加えるので、つぎの
(14)式が成立する。
Since the signal of the difference between v R and the reference voltage 22 shown in (13) is amplified by the differential amplifier 23 and added to the second grid electrode 3, the following expression (14) is established.

EG2=B(V02−vR) ……(14) ここで、Bは差動増幅器の増幅率、V02は基準電圧22の
値である。
E G2 = B (V 02 −v R ) ... (14) Here, B is the amplification factor of the differential amplifier, and V 02 is the value of the reference voltage 22.

また、陰極電流ICと第2格子電極電圧の比をgmcとす
ると(15)式が成立する。
Further, when the ratio of the cathode current I C to the voltage of the second grid electrode is g mc , the equation (15) is established.

ここで、基準電圧V02を便宜上電流源として考え、V02
I02・R0とおくと、(13)、(14)、(15)式からつぎ
に示す(16)式が求まる。
Here, the reference voltage V 02 is considered as a current source for convenience, and V 02 =
If I 02 · R 0 is given, the following equation (16) can be obtained from equations (13), (14) and (15).

そこで、R=R0=RS=α・RCを満足するRを選定する
と、上記(16)式は(17)式に書直すことができる。
Therefore, by selecting R that satisfies R = R 0 = R S = α · R C , the above equation (16) can be rewritten as the equation (17).

ただし、A′=gmc・B・R・α-1である。(17)式が
示すように本発明の第1図が示す第1実施例では、上記
A′を大きくすればするほど理想的なABO動作を行わせ
ることができる。
However, A ′ = g mc · B · R · α −1 . As shown in the equation (17), in the first embodiment shown in FIG. 1 of the present invention, the larger the above A ′, the more ideal the ABO operation can be performed.

また、ABO動作時にビーム不足状態が生じ、ISとIB
間に(7)式の関係が成立して、帰還回路が構成されて
も、つぎの(18)式で示されるように発振条件は成立し
ない。
In addition, even if the beam shortage occurs during ABO operation and the relation of equation (7) is established between I S and I B , and the feedback circuit is configured, oscillation occurs as shown in the following equation (18). The condition does not hold.

したがって、たとえビーム不足状態に突入しても、安定
なビーム制御を行うことができる。
Therefore, stable beam control can be performed even if a beam shortage occurs.

また、第2格子電極3と光電変換面11との間に容量結
合が存在しても、第2格子電極3に印加する制御信号電
圧の極性が正極性となり、光電変換面11で発生する負極
性の信号電荷とは逆極性になるため、正帰還回路は構成
されず、発振を起すことがない。
Even if capacitive coupling exists between the second grid electrode 3 and the photoelectric conversion surface 11, the polarity of the control signal voltage applied to the second grid electrode 3 becomes positive and the negative electrode generated on the photoelectric conversion surface 11 is generated. Since the polarity is opposite to that of the positive signal charge, the positive feedback circuit is not configured and oscillation does not occur.

第2図に示す第2実施例は、上記第1実施例と同様
に、戻りビーム電流に対応した電圧信号を第2格子電極
3に加えるとともに、第2格子電極3に加える制御信号
の1/nの電圧信号を差動増幅器25で作り、第1格子電極
2に加えるところに特徴がある。なお24は基準電圧であ
る。
In the second embodiment shown in FIG. 2, as in the first embodiment, a voltage signal corresponding to the return beam current is applied to the second grid electrode 3 and 1 / of the control signal applied to the second grid electrode 3 is applied. The characteristic is that the voltage signal of n is generated by the differential amplifier 25 and applied to the first grid electrode 2. 24 is a reference voltage.

前記したように第1図のABO回路は、第6図に破線で
示す層流ビーム状態から実線で示す集中ビーム状態に変
化させることにより、ビーム電流を増大させている。こ
れに対し、第2図の第2実施例では、第2格子電極3に
正極性の制御電圧を加えるとともに、第1格子電極2に
も上記第2格子電極電圧の1/10前後の正極性電圧を印加
することにより、集中ビーム状態への変化を抑え、常に
層流ビームの状態でABO動作を行うものである。この2
電極制御方式は第1格子電極2の電圧を、第2格子電極
電圧に従属させて制御するので、第1格子電極2と第2
格子電極3とを1つの電極と考えることができ、第2格
子電極電圧とビーム電流の関係は第3図に示す直線にな
る。その結果、陰極電流と第2格子電極電圧との比gmc
はほぼ完全な定数として取扱うことができ、さらに安定
なビーム動作を行わせることができる。
As described above, the ABO circuit in FIG. 1 increases the beam current by changing the laminar flow beam state shown by the broken line in FIG. 6 to the concentrated beam state shown by the solid line. On the other hand, in the second embodiment of FIG. 2, a positive control voltage is applied to the second grid electrode 3, and the first grid electrode 2 also has a positive polarity of about 1/10 of the second grid electrode voltage. By applying a voltage, the change to the concentrated beam state is suppressed and the ABO operation is always performed in the laminar beam state. This 2
In the electrode control method, the voltage of the first grid electrode 2 is controlled depending on the voltage of the second grid electrode 2.
The grid electrode 3 can be considered as one electrode, and the relationship between the voltage of the second grid electrode and the beam current is the straight line shown in FIG. As a result, the ratio of the cathode current to the voltage of the second grid electrode g mc
Can be treated as an almost perfect constant, and more stable beam operation can be performed.

第4図に示す第3実施例は上記第1実施例の回路の変
形で、戻りビーム電流に対応した信号を増幅器26で増幅
したのち、直流クランプ回路28を用いてバイアス電源27
の電圧に重畳し、第2格子電極3に加えるようにしたも
ので、ABO動作は第1実施例と同じである。
A third embodiment shown in FIG. 4 is a modification of the circuit of the first embodiment, in which a signal corresponding to the return beam current is amplified by an amplifier 26 and then a bias power supply 27 using a DC clamp circuit 28.
ABO operation is the same as that in the first embodiment.

第5図に示す第4実施例は上記第2実施例の変形であ
って、第1格子電極2と第2格子電極3を同時に制御す
る。第2格子電極3には戻りビーム電流に対応した信号
を増幅器26で増幅し、直流クランプ回路28でバイアス電
源27に重畳して加える。また、第1格子電極2には第2
格子電極3に加える制御信号の1/nの信号を増幅器29で
作り、直流クランプ回路30で第1格子電極用のバイアス
電源31に重畳して加える。上記第4実施例の回路もABO
動作は第2図に示す第2実施例と同様である。
The fourth embodiment shown in FIG. 5 is a modification of the second embodiment described above, in which the first grid electrode 2 and the second grid electrode 3 are controlled simultaneously. A signal corresponding to the return beam current is amplified by the amplifier 26 and applied to the second grid electrode 3 by being superposed on the bias power supply 27 by the DC clamp circuit 28. In addition, the first grid electrode 2 has a second
A signal of 1 / n of the control signal applied to the grid electrode 3 is produced by the amplifier 29, and is superimposed and applied to the bias power supply 31 for the first grid electrode by the DC clamp circuit 30. The circuit of the fourth embodiment is also an ABO
The operation is similar to that of the second embodiment shown in FIG.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

上記のように本発明による撮像管の電子ビーム量制御
方法およびその装置は、電子を放出する陰極と、該陰極
の後段に配置した開口を有する第1格子電極と、該第1
格子電極の後段に配置した微小開口を有する第2格子電
極と、光導電ターゲットとを有する撮像管の電子ビーム
量制御方法およびその装置において、上記第1格子電極
を陰極に対して正電圧で動作させ、上記光導電ターゲッ
トからの戻りビームに対応した信号によって走査電子ビ
ーム量を制御することにより、第1格子電極と光電変換
面との間に容量結合が存在し、かつABO動作時にビーム
不足状態に突入した場合でも、発振をおこすことなく、
安定な撮像管の電子ビーム量制御を行うことができる。
As described above, the method and apparatus for controlling the electron beam amount of the image pickup tube according to the present invention include a cathode that emits electrons, a first grid electrode having an opening arranged at a stage subsequent to the cathode, and the first grid electrode.
In a method and an apparatus for controlling an electron beam amount of an image pickup tube having a second grid electrode having a minute aperture arranged in a subsequent stage of the grid electrode and a photoconductive target, the first grid electrode is operated at a positive voltage with respect to a cathode. By controlling the amount of scanning electron beam by the signal corresponding to the return beam from the photoconductive target, capacitive coupling exists between the first grid electrode and the photoelectric conversion surface, and a beam shortage state occurs during ABO operation. Even if it rushes into, without causing oscillation,
It is possible to stably control the electron beam amount of the image pickup tube.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明による撮像管の電子ビーム量制御装置の
第1実施例を示す回路図、第2図は本発明の第2実施例
を示す回路図、第3図は第2格子電極電圧とビーム電流
との関係を示す図、第4図は本発明の第3実施例を示す
回路図、第5図は本発明の第4実施例を示す回路図、第
6図は2極電子銃の動作説明図、第7図は第1格子電極
電圧とビーム電流との関係を示す図、第8図は従来の電
子ビーム量制御回路図、第9図は静電容量結合が生じた
場合の等価回路図である。 1……陰極、2……第1格子電極 3……第2格子電極 11……光導電ターゲット(光電変換面) 21……加算回路、23、25……差動増幅器 26、29……増幅器 28、31……直流クランプ回路
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of an electron beam amount control device for an image pickup tube according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a second grid electrode voltage. FIG. 4 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention, FIG. 5 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a bipolar electron gun. 7 is a diagram showing the relationship between the first grid electrode voltage and the beam current, FIG. 8 is a conventional electron beam amount control circuit diagram, and FIG. 9 is a diagram when capacitance coupling occurs. It is an equivalent circuit diagram. 1 ... Cathode, 2 ... First grid electrode 3 ... Second grid electrode 11 ... Photoconductive target (photoelectric conversion surface) 21 ... Addition circuit, 23, 25 ... Differential amplifier 26, 29 ... Amplifier 28, 31 …… DC clamp circuit

フロントページの続き (72)発明者 三村 到 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 長原 脩策 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特公 昭52−36648(JP,B1)Front page continuation (72) Inventor Toru Mimura 1-280, Higashi Koigakubo, Kokubunji, Tokyo Inside Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Inventor, Shusaku Nagahara 1-280, Higashi Koigakubo, Kokubunji, Tokyo Hitachi Central Research Co., Ltd. In-house (56) References Japanese Patent Publication Sho 52-36648 (JP, B1)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】撮像管の陰極から光導電ターゲットに向け
て放出される電子量を制御する撮像管の電子ビーム量制
御方法において、 該陰極の後段に配置され開口を有する第1格子電極及び
上記第1格子電極の後段に配置された微小開口を有する
第2格子電極に上記光導電ターゲットからの戻りビーム
に基づく正極性電圧信号を加え、上記第1格子電極に加
える正極性電圧を上記第2格子電極に加える正極正電圧
より小さくして、上記光導電ターゲットを走査するため
の走査電子ビーム量を制御することを特徴とする撮像管
の電子ビーム量制御方法。
1. A method for controlling an electron beam amount of an image pickup tube for controlling an amount of electrons emitted from a cathode of the image pickup tube toward a photoconductive target, comprising: A positive polarity voltage signal based on the return beam from the photoconductive target is applied to a second lattice electrode having a minute aperture arranged at a stage subsequent to the first lattice electrode, and a positive polarity voltage applied to the first lattice electrode is applied to the second lattice electrode. An electron beam amount control method for an image pickup tube, comprising controlling the amount of scanning electron beams for scanning the photoconductive target by making the positive electrode positive voltage applied to the lattice electrode smaller.
【請求項2】電子を放出する陰極と、該陰極の後段に配
置した開口を有する第1格子電極と、 該第1格子電極の後段に配置した微小開口を有する第2
格子電極と、 上記第2格子電極を通って上記電子が達する光導電ター
ゲットと、 上記光導電ターゲットの出力信号と上記陰極に入力する
信号とに基づいて、上記第1格子電極と上記第2格子電
極とを正電極でかつ上記第1格子電極に加える電圧が上
記第2格子電極信号より小さくなるように制御する手段
とを備え、 撮像管の走査電子ビーム量を制御することを特徴とする
撮像管の電子ビーム量制御装置。
2. A cathode that emits electrons, a first grid electrode having an opening arranged in a stage subsequent to the cathode, and a second opening having a minute opening arranged in a stage subsequent to the first grid electrode.
The first grid electrode and the second grid based on a grid electrode, a photoconductive target that the electrons reach through the second grid electrode, and an output signal of the photoconductive target and a signal input to the cathode. And a means for controlling the voltage applied to the first grid electrode to be smaller than the second grid electrode signal as a positive electrode, and controlling the scanning electron beam amount of the image pickup tube. Tube electron beam control device.
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