JPH0824892B2 - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPH0824892B2 JPH0824892B2 JP62215663A JP21566387A JPH0824892B2 JP H0824892 B2 JPH0824892 B2 JP H0824892B2 JP 62215663 A JP62215663 A JP 62215663A JP 21566387 A JP21566387 A JP 21566387A JP H0824892 B2 JPH0824892 B2 JP H0824892B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- solvent
- substrate
- coating method
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はガラス等の基材にレジストを塗布する方法に
関するものである。
関するものである。
従来の技術 従来のレジストの一般的な塗布方法は、第３図に示す
ようにスピンナーによる回転塗布である。第３図におい
て、本体１内のターンテーブル２上にガラス等の基材３
を載置する。そしてレジスト容器４から、加圧管５によ
り加圧され押し出されたレジストは、チューブ６を通り
ノズル７より、基材３上に滴下される。その後モータ８
によりターンテーブル２を回転させ、遠心力によりレジ
ストを基材３上に拡散・塗布する方法がとられてきた。
なお９は支持台である。
ようにスピンナーによる回転塗布である。第３図におい
て、本体１内のターンテーブル２上にガラス等の基材３
を載置する。そしてレジスト容器４から、加圧管５によ
り加圧され押し出されたレジストは、チューブ６を通り
ノズル７より、基材３上に滴下される。その後モータ８
によりターンテーブル２を回転させ、遠心力によりレジ
ストを基材３上に拡散・塗布する方法がとられてきた。
なお９は支持台である。
発明が解決しようとする問題点 しかし、表面張力の大きなレジストでは、基材上でレ
ジストが収縮し、均一な膜厚が得られないという問題点
があった。また、この対策として、レジストを基材に大
量に滴下する方法がとられるが、この場合でも基材の回
転中心は比較的均一に塗布できるものの、周縁部は不均
一な膜厚として残り、周縁部の大部分のレジストを除去
しなければならないという問題があった。
ジストが収縮し、均一な膜厚が得られないという問題点
があった。また、この対策として、レジストを基材に大
量に滴下する方法がとられるが、この場合でも基材の回
転中心は比較的均一に塗布できるものの、周縁部は不均
一な膜厚として残り、周縁部の大部分のレジストを除去
しなければならないという問題があった。
本発明はかかる点に鑑み、基材にレジストを均一に塗
布する方法を提供するものである。
布する方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するため、基材上へのレジス
ト塗布に際し、レジストに使われている溶剤を塗布した
のちに、レジストを基材に滴下しこの基材を回転させて
塗布するようにしたものである。
ト塗布に際し、レジストに使われている溶剤を塗布した
のちに、レジストを基材に滴下しこの基材を回転させて
塗布するようにしたものである。
作用 上記塗布方法によれば、レジストの塗布に先立って溶
剤をまず基材に塗布する。次に、この溶剤と同じ溶剤を
含むレジストを塗布すると、レジストは溶剤が先に塗布
された溶剤と容易に混合され、その結果、レジストを基
材全面にわたり均一な膜厚とすることが可能となる。
剤をまず基材に塗布する。次に、この溶剤と同じ溶剤を
含むレジストを塗布すると、レジストは溶剤が先に塗布
された溶剤と容易に混合され、その結果、レジストを基
材全面にわたり均一な膜厚とすることが可能となる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例のレジスト塗布方法を図面に
もとづいて説明する。
もとづいて説明する。
第１図において、本体10内のターンテーブル11上に、
基材として直径10cmのバリウム硼珪酸ガラス（コーニン
グ7059、以下単にガラスと称す）12を載置した。そし
て、ガラス12上に溶剤容器13から、溶剤加圧管14より加
圧され押し出された溶剤（２−ブトキシエタノール）を
チューブ15を介し、溶剤用ノズル16より2c.c.滴下し、
モータ17により駆動されるターンテーブル11を500rpmで
10sec回転させた。その後、その溶剤が塗布されたガラ
ス12上に、レジスト容器18から、レジスト加圧管19より
加圧され押し出されたレジスト（ノボラック樹脂＋ジア
ゾ感光剤＋２−ブトキシエタノール）をチューブ20を介
し、レジスト用ノズル21より3c.c.滴下し、ターンテー
ブル11を1000rpm,10sec回転させた。その結果、レジス
トは約１μｍの膜厚で均一に塗布できた。なお22,23
は、支持台である。
基材として直径10cmのバリウム硼珪酸ガラス（コーニン
グ7059、以下単にガラスと称す）12を載置した。そし
て、ガラス12上に溶剤容器13から、溶剤加圧管14より加
圧され押し出された溶剤（２−ブトキシエタノール）を
チューブ15を介し、溶剤用ノズル16より2c.c.滴下し、
モータ17により駆動されるターンテーブル11を500rpmで
10sec回転させた。その後、その溶剤が塗布されたガラ
ス12上に、レジスト容器18から、レジスト加圧管19より
加圧され押し出されたレジスト（ノボラック樹脂＋ジア
ゾ感光剤＋２−ブトキシエタノール）をチューブ20を介
し、レジスト用ノズル21より3c.c.滴下し、ターンテー
ブル11を1000rpm,10sec回転させた。その結果、レジス
トは約１μｍの膜厚で均一に塗布できた。なお22,23
は、支持台である。
次に、上述の実施例における作用を第２図を用いて説
明する。レジストは溶剤・樹脂・感光剤より成っている
が、レジストの浸透性を左右しているものは、その中で
も溶剤である。第２図Ａに示すように、ガラス24上に溶
剤25を塗布しても、表面張力が大きく、浸透性が悪いた
めガラス24上に、一様に塗布されず、部分的に塗布され
た状態となる。次にレジスト26を塗布すると、第２図Ｂ
に示すように溶剤25でぬれていない部分へレジスト26が
入り込む。この状態になれば、レジスト26中の溶剤と先
に塗布した溶剤25が混合し、第２図ｃに示すように一様
な膜厚のレジスト27が作り出される。
明する。レジストは溶剤・樹脂・感光剤より成っている
が、レジストの浸透性を左右しているものは、その中で
も溶剤である。第２図Ａに示すように、ガラス24上に溶
剤25を塗布しても、表面張力が大きく、浸透性が悪いた
めガラス24上に、一様に塗布されず、部分的に塗布され
た状態となる。次にレジスト26を塗布すると、第２図Ｂ
に示すように溶剤25でぬれていない部分へレジスト26が
入り込む。この状態になれば、レジスト26中の溶剤と先
に塗布した溶剤25が混合し、第２図ｃに示すように一様
な膜厚のレジスト27が作り出される。
発明の効果 本発明によれば、溶剤塗布という工程は増えるもの
の、従来のように大量にレジストを使用することなく、
均一な膜厚が達成できる。また、基材周縁部でも均一な
膜厚となり、実用上極めて有用である。
の、従来のように大量にレジストを使用することなく、
均一な膜厚が達成できる。また、基材周縁部でも均一な
膜厚となり、実用上極めて有用である。
第１図は本発明の一実施例レジスト塗布方法を実現する
レジスト塗布装置の構成を示す図、第２図は本発明のレ
ジスト塗布方法を説明する模式図、第３図は従来のレジ
スト塗布装置の構成を示す図である。 11……ターンテーブル、12……ガラス、13……溶剤容
器、16……溶剤用ノズル、18……レジスト容器、21……
レジスト用ノズル、25……溶剤、26……レジスト。
レジスト塗布装置の構成を示す図、第２図は本発明のレ
ジスト塗布方法を説明する模式図、第３図は従来のレジ
スト塗布装置の構成を示す図である。 11……ターンテーブル、12……ガラス、13……溶剤容
器、16……溶剤用ノズル、18……レジスト容器、21……
レジスト用ノズル、25……溶剤、26……レジスト。
Claims (1)
- 【請求項１】基材上へのレジスト塗布に際し、前記基材
上に前記レジストに用いられている溶剤を滴下した後に
前記基材を回転させ、所定時間後前記基材を停止させ、
溶剤を塗布した前記基材上にレジストを滴下した後に前
記基材を回転させ、所定時間後前記基材を停止すること
を特徴とするレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62215663A JPH0824892B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62215663A JPH0824892B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | レジスト塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6458375A JPS6458375A (en) | 1989-03-06 |
| JPH0824892B2 true JPH0824892B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=16676114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62215663A Expired - Lifetime JPH0824892B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824892B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5066616A (en) * | 1989-06-14 | 1991-11-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent |
| JP3276449B2 (ja) * | 1993-05-13 | 2002-04-22 | 富士通株式会社 | 回転塗布方法 |
| WO2008123049A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Jsr Corporation | 被膜形成方法及びそれに用いる樹脂組成物、絶縁膜を有する構造体及びその製造方法並びに電子部品 |
| JP2009133924A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Jsr Corp | 被膜形成方法及びそれに用いるポジ型感光性樹脂組成物 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085524A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布方法 |
| JPS61150332A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Toshiba Corp | 半導体レジスト塗布方法 |
-
1987
- 1987-08-28 JP JP62215663A patent/JPH0824892B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6458375A (en) | 1989-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5912049A (en) | Process liquid dispense method and apparatus | |
| US4822639A (en) | Spin coating method and device | |
| JPH0824892B2 (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS61150332A (ja) | 半導体レジスト塗布方法 | |
| JP2577680B2 (ja) | スピンコーティング方法およびその装置 | |
| JPS62190838A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JP2802636B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| JPS62185322A (ja) | フオトレジスト塗布装置 | |
| JPH0330874A (ja) | 平面デイスプレー用ベースプレートの薄層塗布方法および装置 | |
| JPS62185321A (ja) | スピンナ装置 | |
| JPS62160171A (ja) | 樹脂の塗布方法 | |
| JPH064910A (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
| JP2527804Y2 (ja) | スピンナ装置 | |
| JPS5914890B2 (ja) | 回転塗布方法 | |
| JPH02232921A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH031525A (ja) | レジストの均一塗布方法 | |
| JP2001319851A (ja) | フォトレジスト塗布方法 | |
| JPS61238050A (ja) | 塗布方法 | |
| JPH04133415A (ja) | 半導体基板現像装置 | |
| JPH0369918A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
| JPS5888068A (ja) | 薄膜塗布装置 | |
| JPS59100524A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPH01317573A (ja) | レジストの塗布方法 | |
| JPS63209769A (ja) | スピンナ塗布方法及びその装置 | |
| JPS5914891B2 (ja) | 回転塗布方法および回転塗布装置 |