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JPH0825979B2 - オキシムの接触製造法 - Google Patents
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JPH0825979B2 - オキシムの接触製造法 - Google Patents

オキシムの接触製造法

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JPH0825979B2
JPH0825979B2 JP1160574A JP16057489A JPH0825979B2 JP H0825979 B2 JPH0825979 B2 JP H0825979B2 JP 1160574 A JP1160574 A JP 1160574A JP 16057489 A JP16057489 A JP 16057489A JP H0825979 B2 JPH0825979 B2 JP H0825979B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 欧州特許第208,311号明細書は、液相でシクロヘキサ
ノン−オキシムをゼオライト構造を有する結晶性化合物
からなる触媒の存在下でシクロヘキサノン、アンモニア
および過酸化水素からどのように得るかを教示してい
る。しかしながら、この構造は、型取り剤(templating
agent)として既知であり且つ合成することが極めて困
難である適当な有機化合物(特に水酸化テトラアルキル
アンモニウムまたはそれらの塩)でケイ素化合物および
チタン化合物を処理することを必要とする。しばしばケ
イ素および/またはチタン源は、無定形固体物質からな
っていたが(欧州特許第299,430号明細書および欧州特
許出願第88/116,870号明細書参照)、型取り剤での処理
は、それにも拘らず、接触活性構造を得るのに避けるこ
とができないと考えられていた。前記結晶性構造の製造
は、非常に長い操作(滞留)時間および高温および高圧
の使用を必要とした。更に、触媒を複雑な後処理に付す
ことが必要であった。
本発明者等は、オキシムの合成(カルボニル化合物、
H2O2およびNH3から出発して)が前記ゼオライト構造を
示さず且つ型取り剤を使用ぜずに非常に短時間で製造で
きるチタンおよびケイ素をベースとする触媒によっても
促進できることを今や見出した。
発明の開示 最も広い形態においては、本発明は、液相中で対応カ
ルボニル化合物をアンモニアおよび過酸化水素と反応さ
せることによって〔アンモオキシム化(ammoximatio
n)〕オキシムを接触的に製造するにあたり、触媒は少
なくとも互いに化学結合されたケイ素、チタンおよび酸
素からなる固体組成物から選ばれ、前記組成物は10〜40
°の範囲内(2θ)で銅のKα放射線を利用することに
よって得られたXRディフラクトグラム(XR diffractogr
am:X線回折パターン)〔結晶性固体に特有のピークは無
定形固体に特有の特有の平滑なトレンド線(smooth-tre
nd line)(ハロないしハロー)によって置換され、例
は第1図中でディフラクトグラムA、B、D、E、F、
GおよびHによって表わされる〕によって特徴づけられ
るオキシムの接触製造法に関する。前記組成物は、場合
によって、前記ハロのほかに、アナターゼおよび/また
はルチルおよび/またはブルッカイトに特有の反射(re
flex)を示すXRディフラクトグラムによっても更に特徴
づけられる。一例は、第1図中でディフラクトグラムC
によって表わされる。前記組成物の赤外スペクトル(40
0〜1300cm-1の範囲内での赤外分光測光法によって得ら
れる)は、無定形シリカスペクトルのトレンド(tren
d)と酸化チタンスペクトルのトレンドとの間に中間ト
レンドを有する。このことは従来技術から既知である。
これに関連しては「インフラレッド・アナリシス・オブ
・ポリマーズ、レジンズ・エンド・アディティブズ;ア
ン・アトラス(Infrared Analysis of Polymers,Resins
and Additives;An Atlas」〔第2巻、カール・ハウザ
ー・ベルラーゲ・ミュンヘン(1973);シリカの場合に
はスペクトル2317;二酸化チタンの場合にはスペクトル2
353および2354〕を参照すべきである。前記組成物の赤
外スペクトルの例は、第2図のスペクトルA、B、C、
D、E、F、GおよびHである。選ばれるチタン源、触
媒の調製法およびチタンの量に応じて、無定形シリカお
よびチタンシリカライトとは異なる他のバンド、例え
ば、例4に記載の750cm-1でのバンドは、場合によっ
て、前記赤外スペクトルに現われることがある。
これらの組成物の若干は、二成分系酸化物または混合
酸化物として文献から既知である。例えば、「(アドバ
ンシーズ・イン・キャタリシス(Advances in Catalysi
s);Vol27(1978),第136頁〜第138頁(アカデミック
・プレス・パブリッシャー)」参照。既知のように、例
えば、ブレック〔ゼオライツ(ZEOLITES);Vol4(198
4),第369頁〜第372頁〕によって記載のようにペンタ
シル(PENTASIL)型のゼオライト構造の構造振動に結び
付けられるチタンシリカライトに特有の反射のXRディフ
ラクトグラムにおける不在〔そのピークディフラクトグ
ラムはジャーナル・オブ・キャタリシス(Journal of C
atalysis;Vol61(1980),第390頁〜第396頁に報告され
ている〕および赤外スペクトルからの約550cm-1での吸
収バンドの不在は、X線解像力以下の大きさを有するク
リスタライトからなる相を含めてチタンシリカライトに
特有の結晶相を示すゼオライト構造の不在を証明する。
前記組成物中のチタン量(TiO2として表現)は、1〜
95重量%、好ましくは4.5〜50重量%である。前記組成
物の表面積は、好ましくは10〜800m2/g、一層良好には2
00〜800m2/gである。前記組成物の細孔容積は0.1〜2.5c
m3/gであり且つ平均孔径は0.70nmよりも大きく、好まし
くは1〜40nmである。
新規の触媒は、消耗のサインなしに不連続試験の収率
と等しいか時々は高い収率で数十時間連続操作でも使用
され、アルデヒドおよびケトンのアンモオキシム化の場
合だけではなく、他の有機合成、例えば、欧州特許出願
第88/117,95号明細書に記載のN,N−ジアルキル−ヒドロ
キシルアミンの合成の場合にも非常に活性であることが
証明された。
オキシムに接触的に転化できるアルデヒドは、一般
に、式R1CHO〔式中、R1は炭素数1〜20のアルキル、シ
クロアルキル、アリールまたは複素環式基(環中にO、
NまたはSを含有する)から選ばれる〕のアルデヒドで
ある。アルキル基は、アリールアルキル基、シクロアル
キル−アルキル基または複素環式基で置換されたアルキ
ル基も意味する。アリール基は、アルキルアリール基、
シクロアルキル−アリール基または複素環式基で置換さ
れたアリール基も意味する。シクロアルキル基は、アル
キル−シクロアルキル基、アリール−シクロアルキル基
または複素環式基で置換されたシクロアルキル基も意味
する。複素環式基はアルキル複素環式基、シクロアルキ
ル複素環式基またはアリール複素環式基も意味する。
オキシムに接触的に転化できるケトンは、一般に、式
R2‐CO-R3(式中、R2およびR3は互いに等しいか異な
り、R1と同じ意味を有し且つ末端において結合して炭素
環式または複素環式環を形成することができる)のケト
ンである。優秀な結果は、アセトン、シクロヘキサノ
ン、メチルエチルケトン(ブタン−2−オン)、アセト
フェノン、ベンゾフェノン、t−ブチルシクロヘキサノ
ン、シクロドデカノン、エナントアルデヒド(1−ヘプ
タナール)およびベンズアルデヒドのアンモオキシム化
で得られた。
触媒は、不均一触媒の調製の場合に既知の方法に従っ
て各種のチタン源およびケイ素源から出発して調製でき
る。ゼオライト構造を示す結晶性化合物と比較して、本
発明の触媒は、非常に単純化された方法によって調製で
き且つオキシム合成法に対する触媒コストの影響は顕著
に減少される。
本発明の範囲を全く限定せずに、若干の各種の方法を
後述する。
本発明の触媒は、ケイ素およびチタンアルコラートを
含有するアルコール性溶液の加水分解によって調製でき
る。例えば、ジャーナル・オブ・ノンクリスタリン・ソ
リッズ(Journal of Non-Crystalline Solids),82(1
986).第97頁〜第102頁参照。
別法として、触媒は、塩基(例えば、水酸化アンモニ
ウム)での共沈によってケイ素およびチタンの可溶性化
合物の水溶液から得ることができる。例えば、ジャーナ
ル・オブ・キャタリシス,35(1974)、第225頁〜第231
頁および同じジャーナル・オブ・キャタリシス,105(1
987)、第511頁〜第520頁参照。
別法によれば、大きい表面積(例えば、微小球製品)
および高い細孔容積を有する市販の無定形シリカに、例
えば、初期湿潤テクノロジーに頼って可溶性チタン化合
物の水溶液または非水溶液を含浸することができる。例
えば、アプライド・キャタリシス(Applied Catalysi
s),32(1987),第315頁〜第326頁;および(ラング
ミュア)Langmuir3(1987),第563頁〜第567頁参照。
なお更に他の別法によれば、揮発性チタン化合物は、
高表面積および高い細孔容積を有する市販の無定形シリ
カによって蒸気として吸着できる。例えば、アプライド
・キャタリシス,23(1986),第139頁〜第155頁参照。
調製後、触媒は、アンモオキシム化に直接利用でき、
または空気流、または別のガス流または真空下で50〜80
0℃の温度でか焼できる。可溶性チタン源としては、単
に例として、下記のものが挙げられる: (a)アルキルチタネート、特にテトライソプロピルチ
タネートおよびジイソプロピル−ビス(トリエタノール
アミン)−チタネート; (b)チタンハライド、特に四塩化チタン(TiCl4)お
よび三塩化チタン(TiCl3) (c)複合チタネート、特にアンモニウムヘキサフルオ
ロトリチタネート(NH4)2TiF6; (d)それらの組み合わせおよび均等物. ケトン(またはアルデヒド)のオキシムへの転化は、
一般に、液相中で25〜100℃、好ましくは40〜90℃(一
層良好には60〜90℃)の温度で実施しなければならな
い。15℃で実施された試験は、全く不満足な結果を与え
た。反応は、一般に、大気圧または大気圧よりもわずか
に高い圧力で実施して、合成要件に対応する少なくとも
アンモニア量を反応媒体に溶解した状態に維持すること
ができる。反応器が過酸化水素と適合する壁を有するな
らば、触媒は、固定床〔特にトリックル(trickle)
床〕上に配置でき、または反応媒体に微細に分散でき
る。反応を不連続的に実施するならば、ケトンまたはア
ルデヒド100部に対して0.1〜50重量部(好ましくは1〜
20重量部)の触媒を使用することが好ましい。反応を不
連続的に実施するならば、ケトンまたはアルデヒド0.1
〜200kg/hr/触媒kgの空間速度が、好ましい。H2O2/ケ
トン(またはアルデヒド)のモル比は、一般に、0.3〜
2.5、好ましくは0.5〜1.3でなければならない(ここでH
2O2は純度100%の過酸化水素を意味する)(それゆえ、
希釈水は除外する)。NH3/H2O2のモル比は、1以上(好
ましくは1.5)でなければならない。さもなければ、乱
す平行反応が生ずるであろう。反応媒体は、水または有
機溶媒からなっていてもよい。格別の結果は、溶媒とし
てt−ブチルアルコールおよび/またはシクロヘキサノ
ール(場合によってジオキサンまたはトルエンとの混合
物)を使用することによって得られた。t−ブタノール
(および/またはシクロヘキサノール)/ケトン(また
はアルデヒド)のモル比は、一般に、0.1〜100であろ
う。反応の終わりに、オキシムは、異なる方法で分離で
き、例えば、適当な溶媒、例えば、ベンゼン、トルエ
ン、または合成に利用するのと同じケトン(またはアル
デヒド)での抽出によって分離でき、それによって疎水
性有機相および水相が形成される。オキシムおよび未反
応ケトン(またはアルデヒド)は、有機相に流入する。
過剰のNH3並びにケトン(またはアルデヒド)およびオ
キシムの痕跡を含有する水層は、反応面積に有用に再循
環できる。別法として、抽出は、2相系内で操作するこ
とによって、合成と同時に実施してもよい。この系は、
異なる特性を有する一対の溶媒、例えば、t−ブタノー
ル(親水性)およびトルエン(疎水性)を使用すること
によって有利に調製できる。アンモオキシム化を連続式
に実施する時には、純粋は触媒(結合剤除外)1kg当た
り0.1〜200kg/hのケトンまたはアルデヒド(好ましくは
2〜200kg/h)の空間速度を維持し且つ有機溶媒、例え
ば、t−ブタノール(および/またはシクロヘキサノー
ル)との混合物でのケトンまたはアルデヒドを供給する
ことが示唆される。アンモオキシム化反応器において
は、トリックル床テクノロジーを使用することが有利で
ある。別法の1つは、攪拌下での懸濁床中での連続反応
である。この場合には、反応体を液体水準以下に沈めら
れた浸漬管を通して供給することが好ましい。
下記例は、本発明を例示するために与える。しかしな
がら、これらの例は、本発明の範囲の限定とは決して解
釈されるべきではない。
例1 表面積408m2/g、細孔容積2cm3/gおよび平均粒径0.10
5mmを有する通常入手可能な微小球シリカ30gに、初期湿
潤テクノロジーに従って、ダイナミット・ノーベルによ
って商品名ティート(TEAT)で市販されている式(C3H
7O)2Ti(C6H14NO3)2のジ(イソプロピル)−ビス(トリ
エタノールアミン)−チタネート45重量%を含有する水
溶液65cm3を含浸した。空気中に4時間放置後、含浸シ
リカをオーブン中で80℃において乾燥し、次いで、空気
中で500℃において6時間か焼した。このようにして得
られた触媒は、TiO2として表現してチタン12.3重量%を
含有していた。対応X線ディフラクトグラムに第1図で
文字Aをつける。本例に従って調製された触媒の赤外ス
ペクトル(第2図のスペクトルA)においては、960cm
-1で実質上最大を有する吸収バンドが現われる。前記の
スペクトルAのバンドに非常に近いバンドは、米国特許
第4,410,501号明細書によってチタンシリカライトに特
有であり且つシリカライトのゼオライト構造中のチタン
の存在の証拠と指摘されている。その理由は、このバン
ドが純粋なシリカライトの赤外スペクトルにも酸化チタ
ンの赤外スペクトルにも現われないからである。しかし
ながら、そのことは、全く正確ではない。本発明の場合
には、約960cm-1でのピークを有するバンドの存在は、
単独では、構造Tiの存在を証明するのには十分ではな
い。同じバンドは、事実、触媒を調製するために出願人
によって利用して無定形シリカの赤外スペクトルにも現
われる一方、チタンシリカライトの第二の完全な同定の
場合には約500cm-1でのピークを有する第二の典型的な
バンドも必要であり、前記バンドは本発明の新規の触媒
では見つけ損なう。
例2 攪拌機および加熱ジャケットを備え不活性ガス(窒
素)で予めブランケットしたガラス製反応器に、例1に
従って得られた触媒粉末7.5gを導入した。次いで、水21
g(1.17モル)、t−ブチルアルコール25g(0.34モル)
およびアンモニア4g(0.24モル)を加えた。全体を攪拌
し、シクロヘキサノン10.34g(0.105モル)を装入し、
このようにして2相(固体−液体)系を形成し、この2
相系を強攪拌によって均質に維持した。温度は、サーモ
スタット液体を反応器のジャケットに搬送することによ
って80℃まで上げた。次いで、計量供給ポンプによっ
て、33重量%の過酸化水素の水溶液を反応器に供給し始
めた。加熱時に、圧力は、大気圧よりもわずかに高い圧
力に上がった。H2O2を5時間で加え、全量11.33gのH
2O2.(0.096モル)を供給した。添加時に、オートクレ
ーブ内の圧力は、減少した。得られた懸濁液に冷却後に
エチルエーテルを加え、数分間攪拌した。次いで、水相
およびエーテル相を濾過によって触媒から分離した。液
相を分液漏斗で分離した。ガスクロマトグラフィー分析
は、シクロヘキサノン転化率97.6%およびオキシムへの
選択率97.5%を示した。オキシムの収率(H2O2に関し
て)は、88.2%に等しかった。データおよび結果を表1
に示す。
例3 例1の無定形シリカ30gに、TiCl46.2gを含有するHCl
の6M水溶液60cm3を含浸した。空気中に4時間放置後、
含浸シリカをオーブン中で120℃において16時間乾燥
し、空気中で200℃において6時間か焼した。得られた
触媒は、TiO2として表現してチタン8.1重量%を含有し
ていた。対応XRディフラクトグラムは、第1図で文字B
によって示される。それは、例1のディフラクトグラム
Aと余り異ならない。対応赤外スペクトルに第2図で文
字Bをつけ、対応赤外スペクトルは例1のスペクトルA
との著しい差を示さない。
例4 TiO28gを80℃で白金皿中で50重量%のHFの水溶液30cm
3に溶解した。このようにして得られた透明液に、NH4F1
7重量%の溶液100cm3を加えた。それをゆっくりと蒸発
し、乾燥を100℃で16時間実施した。得られた生成物
は、アンモニウムヘキサフルオロチタネート(NH4)2TiF6
に対応した。例1の無定形シリカ30gに5.6重量%の(N
H4)2TiF6の水溶液60cm3を含浸した(初期湿潤技術に従
って)。含浸後、シリカを室温で4時間放置し、次い
で、300℃において空気中で2時間か焼した。このよう
にして得られた触媒は、TiO2として表現してチタン4.6
重量%を含有していた。対応XRディフラクトグラムを第
1図に報告し、文字Cによって示す。それは、アナター
ゼのより強い反射の存在を示す(d=0.352nm;2θ=25.
3°)。カードJCPDS-21-1272参照。対応赤外スペクトル
に第2図で文字Cをつける。例1のスペクトルAのすべ
てのバンドは、その中に現われる。触媒の調製での特定
のチタン源(アンモニウムヘキサフルオロチタネート)
の使用のためである約750cm-1でのピークを有するバン
ドも、明らかである。この陳述は、予め実施されたブラ
ンク試験(チタンの不在)の結果によって証明される。
例1と同じ無定形シリカに、チタンを含まないフッ化ア
ンモニウム(NH4F)の水溶液を含浸した(初期湿潤技術
によって)。室温で4時間放置し、空気中で300℃にお
いて24時間か焼した後、生成物は、チタンの不在におい
て約750cm-1での前記バンドが自明であるスペクトルに
よって特徴づけられた(第3図参照)。
例5 表面積408m2/gおよび細孔容積2.10cm3/gを有する無定
形微小球シリカ50gを300℃で1時間か焼した後、モレキ
ュラーシーブ(ゼオライト4A)上で予め脱水されたテト
ライソプロピルオルトチタネート35cm3とイソプロピル
アルコール80cm3とからなる溶液115cm3を含浸した。こ
のようにして含浸されたシリカを室温で4時間放置し、
次いで、120℃において16時間乾燥した。得られた触媒
は、TiO2として表現してチタン16.4重量%を含有してい
た。対応XRディフラクトグラムを第1図で文字Dによっ
て示し、このXRディフラクトグラムは例1のディフラク
トグラムAと余り異ならない。対応赤外スペクトルを第
1図に示し、文字Dによって示す。それは、例1のスペ
クトルAとの著しい差を示さない。
例6 例5を繰り返した。乾燥後、空気中で300℃において
2時間か焼した。得られた触媒は、TiO2として表現して
チタン16.4重量%を含有していた。対応XRディフラクト
グラムに第1図で文字Eをつけ、このXRディフラクトグ
ラムは例1のディフラクトグラムAと有意には異ならな
い。対応赤外スペクトルを第2図に示し、文字Eによっ
て示す。それは、例1のスペクトルAと比較して有意差
を示さない。
例7 不活性ガス雰囲気(N2)に維持された500cm3のフラス
コに、テトラエチルオルトシリケート100gおよびテトタ
イソプロピルオルトチタネート21gを装入した。2種の
アルコラートの透明液に、脱イオン水100cm3をゆっくり
とした滴下によって攪拌下に加えた(5cm3/分)。終
わりに、得られたゲルを攪拌下に4時間放置した。濾
過、120℃での16時間の乾燥および300℃における空気中
での2時間のか焼を実施した。得られた触媒は、TiO2
して表現してチタン18.2重量%を含有していた。対応XR
ディフラクトグラムに第1図で文字Fをつける。それ
は、結晶相の存在の指数とみなされる反射を示さない。
対応赤外スペクトルを第2図に報告し、文字Fによって
示す。例1のスペクトルAに存在するすべてのバンド
は、その中に現われる。若干のバンドのピークの位置
(特に約1100cm-1でのピークを有する最も強いバンドの
位置)は、波数の低い値に向けてわずかにシフトするら
しい。このような現象は、チタンおよびケイ素の可溶性
化合物からの共沈によって得られるTi、SiおよびOを含
有する組成物に特有である。これに関連して、例えば、
L.G.カラクチエフによる文献「キネチカ・イ・カタリ
ズ)(KINETIKA I KATALIZ),Vol.6,No5(1965年9
月〜10月)第904頁〜第908頁を参照すべきである。
例8 グレースによって商品名グレード(GRADE)によって
市販され表面積600m2/gおよび細孔容積1.1cm3/gを有す
る無定形シリカ50gを300℃で2時間か焼した後、テトラ
イソプロピルオルトチタネート70cm3を含浸した。この
ようにして含浸されたシリカを室温で4時間放置した。
次いで、120℃において16時間乾燥し、300℃で空気中に
おいて2時間か焼した。得られた触媒は、TiO2として表
現してチタン26.0重量%を含有していた。対応XRディフ
ラクトグラムに第1図で文字Gをつける。対応赤外スペ
クトルを第2図に示し、文字Gによって示す。それは、
例1のスペクトルAとの著しい差を示さない。
例9 無水イソプロピルアルコール150cm3中のテトライソプ
ロピルオルトチタネート75gとテトラエチルオルトシリ
ケート75gとの溶液に、H2O150cm3を攪拌下に室温で加え
た。攪拌を4時間実施し、次いで、生成物を濾過し、得
られた固体を120℃で16時間乾燥した。このようにして
得られた触媒は、TiO2として表現してチタン38.2重量%
を含有していた。対応XRディフラクトグラムに第1図で
文字Hをつける。対応赤外スペクトルを第2図に報告
し、文字Hによって示す。例1のスペクトルAに存在す
るすべてのバンドは、その中に現われる。このようなバ
ンドのピークの位置は、例7に関連して観察されたもの
と同様に、波数の低い値に向けてシフトする。更に、40
0〜約800cm-1の範囲内においては、スペクトルの形状
は、文献から既知のように酸化チタンの広い吸収バンド
の出現のため無定形シリカに特有のものと比較してかな
り修正される。これに関連して、例えば、L.G.カラカチ
エフによる文献キネチカ・イ・カタリズ,Vol.6,No.5(1
965年9月〜10月)第904頁〜第908頁を参照すべきであ
る。
例10〜16 例2を繰り返した。例2の触媒を例3〜9に従って調
製された触媒に取り替えた。結果を表1に報告する。
【図面の簡単な説明】
第1図はXRディフラクトグラム(X線回折パターン)を
示す図、第2図は赤外スペクトルを示す図、第3図は赤
外スペクトルを示す図である。
フロントページの続き (72)発明者 グイド、ペトリーニ イタリー国ノバラ、ガリアテ、ビア、パス ビオ、11 (72)発明者 パオロ、ロフィア イタリー国バレーセ、サロノ、ビア、バレ ッタ、25 (72)発明者 アルベルト、チェサナ イタリー国ミラノ、カラテ、ブリアンツ ァ、ビア、トリノ、6 (56)参考文献 特開 昭63−130575(JP,A) 特開 昭51−19743(JP,A)

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】液相中で対応カルボニル化合物をアンモニ
    アおよび過酸化水素と反応させることによってオキシム
    を接触的に製造するにあたり、触媒は少なくとも互いに
    化学結合されたケイ素、チタンおよび酸素からなる固体
    組成物であり、TiO2として表現した場合のチタン量は全
    組成物に対して1〜95重量%であり、前記組成物のX線
    回折パターン(銅のKα放射線によって得られるもの)
    は10°〜40°の範囲内に(2θ)に無定形固体に特有の
    平滑なトレンド線(ハロ)を示していることを特徴とす
    るオキシムの接触製造法。
  2. 【請求項2】液相中で対応カルボニル化合物をアンモニ
    アおよび過酸化水素と反応させることによってオキシム
    を接触的に製造するにあたり、触媒は少なくとも互いに
    化学結合されたケイ素、チタンおよび酸素からなる固体
    組成物であり、TiO2として表現したチタン量は全組成物
    に対して1〜95重量%であり、前記組成物のX線回折パ
    ターン(銅のKα放射線によって得られる)において10
    °〜40°の範囲内(2θ)で結晶性固体に特有の反射は
    無定形固体に特有の平滑なトレンド線(ハロ)によって
    置換されることを特徴とするオキシムの接触製造法。
  3. 【請求項3】前記X線回折パターンにおいてアナターゼ
    および/またはルチルおよび/またはブルッカイトに特
    有の反射も現われる、請求項1または2に記載の方法。
  4. 【請求項4】前記組成物が、第2図に示す種類の赤外ス
    ペクトルによっても特徴づけられる、請求項1ないし3
    のいずれか1項に記載の方法。
  5. 【請求項5】前記赤外スペクトルが、750cm-1における
    バンドも含む、請求項4に記載の方法。
  6. 【請求項6】前記組成物が、チタン量(TiO2と表現)1
    〜50重量%、好ましくは4.5〜50重量%を含有する、請
    求項1ないし5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 【請求項7】前記組成物が、表面積10〜800(好ましく
    は200〜800)m2/g、細孔容積0.1〜2.5cm3/gおよび0.70n
    mよりも大きい平均孔径、好ましくは1〜40nmの平均孔
    径を有する、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の
    方法。
  8. 【請求項8】前記組成物が、チタン源として (a)アルキルチタネート、特にテトライソプロピルチ
    タネートおよびジイソプロピル−ビス(トリエタノール
    アミン)−チタネート; (b)チタンハライド、特に四塩化チタン(TiCl4)お
    よび三塩化チタン(TiCl3) (c)複合チタネート、特にアンモニウムヘキサフルオ
    ロチタネート(NH4)2TiF6; (d)それらの組み合わせおよび均等物 から選ばれる化合物を使用することによって得られる、
    請求項1ないし7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 【請求項9】前記組成物が、チタン源としてTiCl4、(N
    H4)2TiF6、テトライソプロピルチタネートおよびジイソ
    プロピル−ビス(トリエタノールアミン)−チタネート
    から選ばれる化合物を使用することによって得られる、
    請求項1ないし8のいずれか1項に記載の方法。
  10. 【請求項10】オキシムが、式R1CHO(式中、R1は炭素
    数1〜20のアルキル、シクロアルキル、アリールまたは
    複素環式基から選ばれる)のアルデヒドの接触アンモオ
    キシム化によって得られる、請求項1ないし9のいずれ
    か1項に記載の方法。
  11. 【請求項11】オキシムが、式R2‐CO-R3(式中、R2
    よびR3は互いに同様であるか異なり、請求項10における
    R1と同じ意味を有し且つ末端において結合して炭素環式
    または複素環式環を形成することができる)のケトンの
    アンモオキシム化によって得られる、請求項1ないし9
    のいずれか1項に記載の方法。
  12. 【請求項12】オキシムが、アセトン、シクロヘキサノ
    ン、メチルエチルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェ
    ノン、t−ブチルシクロヘキサノン、シクロドデカノ
    ン、エナントアルデヒドおよびベンズアルデヒドから選
    ばれる化合物のアンモオキシム化によって得られる、請
    求項1ないし9のいずれか1項に記載の方法。
  13. 【請求項13】触媒組成物が、ケイ素アルコラートおよ
    びチタンアルコラートのアルコール性溶液を加水分解す
    ることによって得られる、請求項1ないし12のいずれか
    1項に記載の方法。
  14. 【請求項14】触媒組成物が、塩基、特に水酸化アンモ
    ニウム(NH4OH)での共沈によって水溶性ケイ素化合物
    および水溶性チタン化合物の水溶液から得られる、請求
    項1ないし13のいずれか1項に記載の方法。
  15. 【請求項15】触媒組成物が、無定形シリカに水溶性チ
    タン化合物の水溶液を含浸することによって得られる、
    請求項1ないし14のいずれか1項に記載の方法。
  16. 【請求項16】触媒組成物が、蒸気形態のチタン揮発性
    化合物を無定形シリカによって吸収させることによって
    得られる、請求項1ないし15のいずれか1項に記載の方
    法。
  17. 【請求項17】触媒組成物が、無定形シリカに非水性媒
    体に可溶性であるチタン化合物の非水溶液を含浸するこ
    とによって調製する、請求項1ないし16のいずれか1項
    に記載の方法。
  18. 【請求項18】触媒組成物を使用前に50〜800℃の温度
    でか焼する、請求項1ないし17のいずれか1項に記載の
    方法。
  19. 【請求項19】少なくとも互いに化学結合されたケイ
    素、チタンおよび酸素からなり、TiO2として表現したチ
    タン量1〜95重量%(全組成物に対して)、10°〜40°
    の範囲内(2θ)で無定形固体に特有の平滑なトレンド
    線(ハロ)を示すX線回折パターン(銅のKα放射線に
    よって得られる)によって特徴づけられる対応カルボニ
    ル化合物のアンモオキシム化によってオキシムの製造に
    特に適した触媒固体組成物。
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