JPH0826452B2

JPH0826452B2 - Sputtering target and sputtering method

Info

Publication number: JPH0826452B2
Application number: JP62331433A
Authority: JP
Inventors: 伸一郎松尾; 直敏星野
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1987-12-26
Filing date: 1987-12-26
Publication date: 1996-03-13
Anticipated expiration: 2011-03-13
Also published as: JPH01172567A

Description

【発明の詳細な説明】〔概要〕試料表面に薄膜を形成するための技術に関し、ターゲ
ットの酸化を防止することを目的とし、第１の材料と、該第１の材料とは異なる第２の材料と
より構成され、且つ該第１の材料（２）は、第２の材料
より大きい面積を有し、それぞれバッキングプレートに
固着されており、前記第１の材料は、実質的に前記第２
の材料（３）周囲を覆うように設けられ、且つ、第２の
材料はバッキングプレート固着部の面積がそれと反対側
の面の面積より大きくなるように構成したスパッタター
ゲットおよび、このスパッタターゲットを、対向する電
極の一方の側に配置した後、前記対向する電極間に電力
を印加し、前記スパッタターゲットをスパッタして試料
表面上に薄膜を形成するように構成した。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] The present invention relates to a technique for forming a thin film on a surface of a sample, for the purpose of preventing oxidation of a target, and a first material and a second material different from the first material. And a first material (2) having a larger area than the second material, each of which is affixed to a backing plate, the first material being substantially the second material.
Of the material (3), and the second material is a sputter target configured such that the area of the backing plate fixing portion is larger than the area of the surface on the opposite side, and the sputter target, After being arranged on one side of the opposing electrodes, power was applied between the opposing electrodes to sputter the sputter target to form a thin film on the sample surface.

[Field of Use of Invention]

本発明は、試料表面に薄膜を形成するためのスパッタ
ターゲットおよびスパッタリング方法に関し、特にアノ
ードとカソード間に発生したイオンを、スパッタターゲ
ットに衝突させ、その衝突のエネルギーにより放出した
スパッタターゲットの構成原子や分子を飛散させて、試
料表面に薄膜を形成する有用な技術に関するものであ
る。The present invention relates to a sputtering target and a sputtering method for forming a thin film on the surface of a sample, and in particular, the ions generated between the anode and the cathode are made to collide with the sputtering target, and the constituent atoms of the sputtering target emitted by the energy of the collision, The present invention relates to a useful technique for forming a thin film on a sample surface by scattering molecules.

磁気ディスク媒体、薄膜磁気ヘッドおよび光磁気ディ
スク媒体を製造するために用いられる基板表面に磁性膜
や保護膜を形成するために、アノード、カソード間のプ
ラズマ放電により励起され発生する例えばアルゴンイオ
ンを、スパッタターゲット表面に衝突させ、ターゲット
を構成する原子や分子を飛散させて成膜するいわゆるス
パッスパッタリング法が知られている。In order to form a magnetic film or a protective film on the surface of a substrate used for manufacturing a magnetic disk medium, a thin film magnetic head and a magneto-optical disk medium, for example, argon ions excited by plasma discharge between an anode and a cathode are generated, A so-called sputter sputtering method is known in which a film is formed by colliding with the surface of a sputter target to scatter the atoms and molecules constituting the target.

この方法を用いて例えば、、光磁気ディスクの保護膜
であるTbSiO₂等の薄膜を記録膜上に形成される。Using this method, for example, a thin film of TbSiO ₂ or the like, which is a protective film for a magneto-optical disk, is formed on the recording film.

しかしながら、上記の材料のように異なる性質を有す
る薄膜を形成する場合に、ターゲットとして異なる材料
を化合物または、混合物としてターゲットを作成するこ
とは非常に難しいため、従来よりターゲット上にそれぞ
れの材料を載せ、それぞれの面積を加減することによっ
て所望の薄膜を形成するようにしている。However, when forming a thin film having different properties like the above materials, it is very difficult to create a target as a compound or a mixture of different materials as a target, so it is conventionally difficult to place each material on the target. The desired thin film is formed by adjusting each area.

このようなスパッタリングにおいては、特にターゲッ
トの酸化や、ワレを防止することが要望されている。In such sputtering, it is particularly desired to prevent target oxidation and cracking.

[Conventional technology]

従来より複数よりなるターゲット材を使用すること
は、例えば特開昭60−202925号公報に開示されているよ
うな方法によって行われている。Conventionally, the use of a plurality of target materials has been performed, for example, by the method disclosed in JP-A-60-202925.

即ち成膜する組成により決定される、ターゲット材の
面積の大きい側の上に小さい面積のターゲットを部分的
に分散して重ね合わせてスパッタターゲットを作るもの
である。That is, a sputtering target is produced by partially dispersing and superimposing a target having a small area on the side of the target material having a large area, which is determined by the composition to be formed.

また、特開昭57−145982号公報には、ターゲット基材
の一部に、該ターゲット基材とは異なるターゲット材を
埋め込んだスパッタターゲットが開示されている。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-145982 discloses a sputter target in which a target material different from the target base material is embedded in a part of the target base material.

このように従来より、複数よりなるターゲット材を使
用する場合には、成膜する組成より決定される、ターゲ
ット材の面積に対応してそれぞれ異なる材料を配置する
ことが行われている。As described above, conventionally, when a plurality of target materials are used, different materials are arranged corresponding to the area of the target material, which is determined by the composition of the film to be formed.

一方本願発明者らは、光磁気ディスクの磁性膜の保護
のためにTbSiO₂よりなる保護膜をTbとSiO₂を複数ターゲ
ット材としてスパッタを試みている。On the other hand, the inventors of the present application have attempted sputtering a protective film made of TbSiO ₂ using Tb and SiO ₂ as a plurality of target materials in order to protect the magnetic film of the magneto-optical disk.

[Problems to be solved by the invention]

従来より複数ターゲット材を使用したスパッタリング
は上述のように行われている。Conventionally, sputtering using a plurality of target materials has been performed as described above.

しかしながら、上記したTbSiO₂の薄膜を成膜する際に
以下の問題が発生することが分かった。However, it has been found that the following problems occur when the above-mentioned TbSiO ₂ thin film is formed.

即ち、スパッタリングは不活性ガス雰囲気で行われる
が、ターゲットとしてSiO₂を使用するとその途中で酸素
が発生し、Tbを酸化させることである。That is, the sputtering is performed in an inert gas atmosphere, but when SiO ₂ is used as a target, oxygen is generated in the middle of the process and Tb is oxidized.

即ち、スパッタリングにおいてターゲットが加熱さ
れ、特にTbが加熱されるため、発生した酸素によって酸
化される。That is, since the target is heated in sputtering, especially Tb is heated, it is oxidized by the generated oxygen.

この複合材は、TbよりSiO₂の方が成膜の組成比より面
積が大きいため、上記した前者の従来のターゲットの方
法で行くと、面積の大きいSiO₂の上にTbを載せると、Tb
がバッキングプレートに直接固着されないため、冷却が
不充分であり直ぐに酸化される。In this composite material, since SiO ₂ has a larger area than the composition ratio of film formation than Tb, when the former conventional target method described above is used, when Tb is placed on SiO _{2 having} a large area, Tb
Is not directly adhered to the backing plate, resulting in insufficient cooling and immediate oxidation.

また、上記した後者の従来のターゲットの構成である
SiO₂にTbを埋込む方法においては、確かにTbもバッキン
グプレートに直接固着可能であり、前者の方法よりも冷
却されるが、面積が小さいため、ターゲットを厚くする
と十分冷却が行われず、同様に酸化する。In addition, it is the configuration of the latter conventional target described above.
In the method of embedding Tb in SiO ₂ , Tb can also be fixed directly to the backing plate, and it is cooled more than the former method, but since the area is small, if the target is thickened, it will not be sufficiently cooled. Oxidize to.

即ち後者の従来例の方法のターゲット構成とした場合
には、本願発明者らの実験によれば10KWHでTb表面が酸
化し、スパッタ不能となった。That is, when the target configuration of the latter conventional method was adopted, according to the experiments conducted by the inventors of the present application, the Tb surface was oxidized at 10 KWH and sputtering was impossible.

このようにターゲット材として酸素を有する材料と金
属などの酸化しやすい複合ターゲットの場合には、従来
のターゲットの構成においては、金属材料が酸化してス
パッタリングが不可能となるという問題があった。As described above, in the case of a composite target such as a material having oxygen and a metal that is easily oxidized as a target material, the conventional target has a problem that the metal material is oxidized and sputtering cannot be performed.

本発明上記の問題を解決した新規なスパッタターゲッ
トの提供と、そのターゲットを使用したスパッタリング
方法を提供することを目的とするものである。The present invention has an object to provide a novel sputter target that solves the above problems and a sputtering method using the target.

[Means for solving problems]

第１図は、本発明のスパッタターゲットの説明図であ
る。FIG. 1 is an explanatory diagram of a sputter target of the present invention.

図において、１はバッキングプレート、２は第１の材
料、３は第２の材料をそれぞれ示す。In the figure, 1 is a backing plate, 2 is a first material, and 3 is a second material.

本発明は、第１の材料と第２の材料３からなり、それ
ぞれバッキングプレートに固着されるスパッタターゲッ
トにおいて、酸化物材料２は、金属材料３を配置する所
定の巾で厚さ法に分割除去された帯状空間を有し、帯状
空間に金属材料３が配置されるように構成されてなり、
金属材料３は、酸化物材料２に周囲が覆われるように配
置されてなり、且つ、バッキングプレートに固着される
固着部側の面積がそれと反対側の面積より大きく構成さ
れてなるものである。According to the present invention, in a sputtering target composed of a first material and a second material 3 and fixed to a backing plate, the oxide material 2 is removed by a thickness method with a predetermined width in which the metal material 3 is arranged. Has a strip-shaped space, and the metal material 3 is arranged in the strip-shaped space,
The metal material 3 is arranged so that the periphery thereof is covered with the oxide material 2, and the area of the fixed portion fixed to the backing plate is larger than the area of the opposite side.

また、酸化物材料２は略円柱状、もしくは、略角柱状
に形成されてなることを特徴とする。Further, the oxide material 2 is characterized by being formed into a substantially cylindrical shape or a substantially prismatic shape.

さらに、酸化物材料２は帯状の第２の材料３により分
割配置され、分割された分割片の角部の有する角度が18
0°以下であることを特徴とする。そして、金属材３料
は断面が凸字形形状であり、バッキングプレート近傍に
おいて末拡がり状に面積が拡大されて構成されたもので
ある。Furthermore, the oxide material 2 is divided and arranged by the strip-shaped second material 3, and the angle of each of the divided divided pieces is 18 degrees.
It is characterized by being 0 ° or less. The metallic material 3 has a convex cross-section and is configured such that the area is expanded in the shape of a flared end near the backing plate.

酸化物材料２は、SiO₂であることを特徴とする。The oxide material 2 is characterized by being SiO ₂ .

また、本発明は、酸化物材料２と金属材料３からな
り、それぞれバッキングプレートに固着されるスパッタ
ターゲットにおいて、酸化物材料２は、金属材料３を配
置する所定の巾で厚さ方向に分割除去された帯状空間を
有し、帯状空間に金属材料が配置されるように構成され
てなり、金属材料３は、酸化物材料２に周囲が覆われる
ように配置されてなり、且つ、バッキングプレートに固
着される固着部側の面積がそれと反対側の面積より大き
く構成されたスパッターゲットを、対向する電極の一方の側に配置した後、前記対向する
電極間に電力を印加し、前記スパッタターゲットをスパ
ッタして試料表面上に薄膜を形成するスパッタリング方
法より構成される。Further, in the present invention, in the sputtering target composed of the oxide material 2 and the metal material 3 and fixed to the backing plate respectively, the oxide material 2 is divided and removed in the thickness direction with a predetermined width in which the metal material 3 is arranged. The metal material 3 is arranged such that the metal material 3 is arranged in the band-shaped space, the metal material 3 is arranged so that the oxide material 2 surrounds the metal material 3, and the metal material 3 is arranged on the backing plate. After placing a spat target having an area on the fixed part side to be fixed larger than the area on the opposite side, on one side of the opposing electrodes, electric power is applied between the opposing electrodes to set the sputter target. The sputtering method comprises sputtering to form a thin film on the surface of the sample.

〔作用〕第１図のスパッタターゲットの構成のように本発明
は、表面側の面積の小さい第２の材料３をバッキングプ
レート１側の面積を大きくしてバッキングプレート１に
固着することによって第２の材料の冷却能力が向上す
る。[Operation] As in the structure of the sputter target shown in FIG. 1, the second material 3 having a small surface side area is fixed to the backing plate 1 by increasing the area of the backing plate 1 side. The cooling capacity of the material is improved.

従って、第２の材料３の加熱を押さえることが可能と
なるので、酸化を防止することが出来る。Therefore, the heating of the second material 3 can be suppressed, so that the oxidation can be prevented.

〔Example〕

第１図は、本発明のスパッタターゲット説明図で断面
図を示すものである。FIG. 1 is a sectional view showing a sputtering target of the present invention.

図において１はバッキングプレートであって、ターゲ
ット材が接着や、治具などによって固定される。In the figure, reference numeral 1 is a backing plate on which a target material is bonded or fixed by a jig or the like.

２は第１のターゲット材であって、例えば酸素基を有
するSiO₂である。The first target material 2 is, for example, SiO ₂ having an oxygen group.

３は第２のターゲット材であって、例えば金属である
Tbである。3 is a second target material, for example, a metal
It is Tb.

本発明のスパッタターゲットは、ターゲット表面側に
おいては、成膜する組成比および、材料のスパッタ条件
によって決定される面積比を有し、その例では、第１の
材料２が第２の材料３より面積が大きい場合を示してい
る。The sputter target of the present invention has, on the target surface side, a composition ratio for forming a film and an area ratio determined by the sputtering conditions of materials. In the example, the first material 2 is more than the second material 3. The case where the area is large is shown.

この場合の面積が小さい第２の材料３において図のよ
うにバッキングプレート１側の面積を大きくしてバッキ
ングプレートに固着している。In the second material 3 having a small area in this case, the area on the backing plate 1 side is increased as shown in FIG.

このように構成すると、バッキングプレート１を介し
て第２材料３が十分冷却される。With this structure, the second material 3 is sufficiently cooled via the backing plate 1.

また、第１の材料２は、第２の材料３を覆うように設
けられている。即ち、第２の材料３のバッキングプレー
ト１側で面積が拡大されているが、この面積の拡大が、
スパッタ時の第１および第２の材料2,3の面積比に影響
を与えないようにこの面積の拡大された第２の材料３の
部分の上に第１の材料２が配置されるようにしたもので
ある。Further, the first material 2 is provided so as to cover the second material 3. That is, although the area of the second material 3 on the backing plate 1 side is expanded, the expansion of this area is
The first material 2 is arranged on the portion of the second material 3 whose area is enlarged so as not to affect the area ratio of the first and second materials 2 and 3 during sputtering. It was done.

さらに本発明のスパッタターゲットは、ターゲットの
寿命を延ばすために、スパッタリングが進行した場合に
おいても、第１および第２の材料2,3の面積比がなるべ
く変化しないようにするために、第２の材料３の厚さ方
向の大部分の面積が等しく、バッキングプレート１の近
傍において図のように末拡がりとなるように構成されて
いる。Further, in order to extend the life of the target, the sputter target of the present invention has a second target in order to prevent the area ratio of the first and second materials 2 and 3 from changing as much as possible even when sputtering progresses. Most of the area of the material 3 in the thickness direction is equal, and the material 3 is configured to be flared in the vicinity of the backing plate 1 as shown in the figure.

このように構成することにより、ターゲットのスパッ
タの進行がかなり進んでも、第１および第２の材料2,3
の表面側の面積比が変化しないで使用出来るため、ター
ゲットの寿命を延ばすことが出来る。With such a configuration, even if the sputtering of the target progresses considerably, the first and second materials 2,3
Since it can be used without changing the surface area ratio of the target, the life of the target can be extended.

ちなみに一例としてターゲット全体の厚みは約5mm
で、第２の材料３の面積拡張部分の厚みは約1.5mmであ
る。By the way, as an example, the total thickness of the target is about 5 mm.
Then, the thickness of the area expansion portion of the second material 3 is about 1.5 mm.

第２図は第１図における本発明のスパッタターゲット
の第１実施例上面図である。FIG. 2 is a top view of the first embodiment of the sputter target of the present invention in FIG.

図において第１と同記号のものは同一の部材を示すも
のである。In the figure, the same symbols as those of the first symbol indicate the same members.

第１図は本発明のスパッタターゲットの断面図であっ
たが、上面側より見ると第２図の構成を採っている。1 is a sectional view of the sputter target of the present invention, the structure of FIG. 2 is adopted when viewed from the upper surface side.

即ち、第１の材料２は、上面より見た場合、略円形の
形をし、所定の厚さを有するため略円柱状に構成されて
いる。That is, the first material 2 has a substantially circular shape when viewed from the upper surface and has a predetermined thickness, so that the first material 2 has a substantially cylindrical shape.

そして、第２の材料３を埋め込むために、図のように
第１の材料２は所定の幅で中心を通るように略十字に分
割除去され、この中に第２の材料３が埋め込まれてい
る。Then, in order to embed the second material 3, the first material 2 is divided and removed in a substantially cross shape so as to pass through the center with a predetermined width as shown in the figure, and the second material 3 is embedded therein. There is.

この実施例においては、約８インチ径の第１の材料２
中に幅約6mmの幅で第２の材料３が埋め込まれている。In this example, the first material 2 having a diameter of about 8 inches 2
The second material 3 is embedded therein with a width of about 6 mm.

この上面図の構成の特徴は、第１の材料２の中への第
２の材料３の埋込み方である。A feature of the configuration of this top view is how to embed the second material 3 in the first material 2.

即ち、第２の材料３の端部が、第１の材料２の外に開
放されている点である。That is, the end of the second material 3 is open to the outside of the first material 2.

即ち、第２の材料３が第１の材料２で全て囲まれてい
ると、熱膨張の差により、第１の材料２にワレが生じ
る。That is, when the second material 3 is entirely surrounded by the first material 2, the first material 2 is cracked due to the difference in thermal expansion.

しかし、図のような構成を採るとこのワレを防止する
ことが出来る。However, if the configuration shown in the figure is adopted, this crack can be prevented.

即ち、帯状の第２の材料に分割された第１の材料２の
分割片の角部の角度を180°以下に設定すれば、熱膨張
による応力の集中を回避でき、ワレを防止することがで
きる。また、第２の材料を巾の細い帯状にすれば、第１
の材料２にかかる応力はより小さくできる。That is, if the angle of the corner of the divided piece of the first material 2 divided into the strip-shaped second material is set to 180 ° or less, concentration of stress due to thermal expansion can be avoided and cracking can be prevented. it can. In addition, if the second material is formed into a narrow strip shape,
The stress applied to the material 2 can be further reduced.

尚、第２図においては、バッキングプレート１がター
ゲットより大きく記載されているが、同一のサイズでも
良い。Although the backing plate 1 is shown larger than the target in FIG. 2, the backing plate 1 may have the same size.

第３図は、本発明のスパッタターゲットの第２実施例
であり、上面図を示す。FIG. 3 shows a second embodiment of the sputter target of the present invention and is a top view.

図において第２図と同記号のものは同一のものを示
す。In the figure, the same symbols as in FIG. 2 indicate the same items.

第３図の実施例においては、ターゲットである第１の
材料２が、略四角形形状となっている。In the embodiment of FIG. 3, the first material 2 that is the target has a substantially quadrangular shape.

そして、第２の材料は、図のように帯状で埋め込まれ
ている。Then, the second material is embedded in a strip shape as shown in the figure.

この例でも第２図と同様にワレに対しての配慮のため
に、第２の材料３の端部が開放されている。Also in this example, as in FIG. 2, the end portion of the second material 3 is opened in order to prevent cracks.

それ以外は、第２図と略同一である。 Other than that, it is almost the same as FIG.

第４図は、本発明のスパッタターゲット方法の説明す
るための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining the sputter target method of the present invention.

図において、10は試料（光磁気ディスク媒体）、11は
ターゲット、12はバッキングプレート、13は電極、14は
チャンバ、15は高周波電源、16はガス供給口、17は排気
口、18は電極／冷却ユニット、19は絶縁材、20は冷却材
（冷媒）供給口、21は排出口をそれぞれ示す。In the figure, 10 is a sample (magneto-optical disk medium), 11 is a target, 12 is a backing plate, 13 is an electrode, 14 is a chamber, 15 is a high frequency power supply, 16 is a gas supply port, 17 is an exhaust port, and 18 is an electrode / A cooling unit, 19 is an insulating material, 20 is a coolant (refrigerant) supply port, and 21 is a discharge port.

スバッタ装置は、内部を気密に保ったチャンバ14内
に、アノードとして上側電極13と、カソードとしての下
部電極18を対向配置し、下部電極18には高周波電源15が
接続されている。In the subcatalyst device, an upper electrode 13 as an anode and a lower electrode 18 as a cathode are arranged to face each other in a chamber 14 whose inside is kept airtight, and a high frequency power supply 15 is connected to the lower electrode 18.

下部電極３の下側には絶縁材19が設けられる一方、そ
の上面にはバッキングプレート12を介してターゲット11
が配置される。また、このターゲット11と対向する上部
電極13状には例えば光磁気ディスク媒体の磁性膜が成膜
された後のような試料10が図示しない治具等で保持され
ている。An insulating material 19 is provided on the lower side of the lower electrode 3, while a target 11 is provided on the upper surface of the lower electrode 3 via a backing plate 12.
Is arranged. A sample 10 such as after a magnetic film of a magneto-optical disk medium is formed is held by a jig or the like on the upper electrode 13 facing the target 11.

さらに、チャンバ14内には、アルゴンガス等の不活性
ガスがガス供給口16より供給され、また、排出口17より
チャンバ14内を所望の圧力（真空度）とする排気口が設
けられている。Further, an inert gas such as argon gas is supplied from the gas supply port 16 to the chamber 14, and an exhaust port for making the chamber 14 have a desired pressure (vacuum degree) from the exhaust port 17 is provided. .

また、電極18部分には、バッキングプレート12を冷却
するためのユニットが兼用されており、外部より冷却材供給口20から水などの冷媒が供給さ
れ、排出口21より排出されるように構成されている。Further, the electrode 18 portion also serves as a unit for cooling the backing plate 12, and a coolant such as water is supplied from the outside through the coolant supply port 20 and is discharged through the discharge port 21. ing.

前記スパッタターゲット11は、第１図で説明したもの
が使用される。As the sputter target 11, the one described in FIG. 1 is used.

即ち、第１の材料２は、第２の材料３を配置する所定
の巾で厚さ方向に分割除去された帯状空間を有し、帯状
空間に第２の材料が配置されてなり、第２の材料３は、
第１の材料２に周囲が覆われるように配置されてなり、
且つ、バッキングプレートに固着される固着部側の面積
がそれと反対側の面積より大きく構成されたスパッタタ
ーゲットが配置される。That is, the first material 2 has a band-shaped space that is divided and removed in the thickness direction with a predetermined width in which the second material 3 is arranged, and the second material is arranged in the band-shaped space. Material 3 of
The first material 2 is arranged so as to cover the periphery,
Further, the sputter target is arranged such that the area of the fixed portion fixed to the backing plate is larger than the area of the opposite side.

そして、このターゲット材は、例えば第１の材料が酸
化物であるSiO₂であり、第２の材料は金属であるTbであ
る。In this target material, for example, the first material is SiO ₂ which is an oxide, and the second material is Tb which is a metal.

このようにしてスパッタリングを行うと、ターゲット
11の第２の材料（第１図の３）も十分冷却されるため、
表面の酸化は起らず、試料10状に成膜することが出来
る。When sputtering is performed in this way, the target
Since the second material of 11 (3 in FIG. 1) is also sufficiently cooled,
The surface is not oxidized and the sample 10 can be formed into a film.

この試料10が、光磁気ディスク媒体の場合にはTbSiO₂
の良好な保護膜が成膜することが出来る。When this sample 10 is a magneto-optical disk medium, TbSiO ₂
It is possible to form a good protective film.

また、ターゲットは、第１図で示すように、第１およ
び第２の材料2,3の表面側の面積比が変化しないで範囲
で使用され、交換使用される。Further, as shown in FIG. 1, the target is used within a range in which the area ratio of the first and second materials 2 and 3 on the surface side does not change, and is used by replacement.

〔effect〕

以上のように本発明においては、効率良く冷却が可能
となったため、酸化が起こらず良好なスパッタが可能
な、スパッタターゲットおよびスパッタリング方法を提
供可能となった。また、第１の材料と第２の材料の熱膨
張の差によるスパッタターゲットのワレを防止すること
が可能となった。As described above, according to the present invention, since cooling can be performed efficiently, it is possible to provide a sputtering target and a sputtering method that can perform good sputtering without causing oxidation. In addition, it is possible to prevent the sputtering target from cracking due to the difference in thermal expansion between the first material and the second material.

[Brief description of drawings]

第１図は本発明のスパッタターゲット断面図の説明図、第２図は本発明のスパッタターゲット第一実施例上面図
の説明図、第３図は本発明のスパッタターゲット第二実施例上面図
の説明図、第４図は本発明のスパッタリング方法説明図をそれぞれ
示す。図において、１はバッキングプレート、２は第１材料、３は第２の材
料、10は試料（光磁気ディスク媒体）、11はターゲッ
ト、12はバッキングプレート、13は電極、14はチャン
バ、15は高周波電源、16はガス供給口、17は排気口、18
は電極／冷却ユニット、19は絶縁材、20は冷却材（冷
媒）供給口、21は排出口、をそれぞれ示す。1 is an explanatory view of a sectional view of a sputtering target of the present invention, FIG. 2 is an explanatory view of a top view of a first embodiment of a sputtering target of the present invention, and FIG. 3 is a top view of a second embodiment of a sputtering target of the present invention. Explanatory drawing and FIG. 4 respectively show explanatory drawings of the sputtering method of the present invention. In the figure, 1 is a backing plate, 2 is a first material, 3 is a second material, 10 is a sample (magneto-optical disk medium), 11 is a target, 12 is a backing plate, 13 is an electrode, 14 is a chamber, 15 is High frequency power supply, 16 gas supply port, 17 exhaust port, 18
Is an electrode / cooling unit, 19 is an insulating material, 20 is a coolant (refrigerant) supply port, and 21 is a discharge port.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭53−108884（ＪＰ，Ａ) 特開昭54−138877（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−145981（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−133369（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−166965（ＪＰ，Ａ) 特開昭64−75673（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── --Continued from the front page (56) Reference JP-A-53-108884 (JP, A) JP-A-54-138877 (JP, A) JP-A-57-145981 (JP, A) JP-A-59- 133369 (JP, A) JP 61-166965 (JP, A) JP 64-75673 (JP, A)

Claims

[Claims]

1. A sputter target made of an oxide material and a metal material, each of which is fixed to a backing plate, wherein the oxide material is stripped and removed in a thickness direction with a predetermined width in which the metal material is arranged. The metal material has a space and is configured such that the metal material is disposed in the strip-shaped space, the metal material is disposed such that the oxide material surrounds the periphery, and the backing plate The sputter target is characterized in that the area of the fixed part to be fixed is larger than the area of the opposite side.

2. The sputter target according to claim 1, wherein the oxide material is formed in a substantially columnar shape.

3. The sputter target according to claim 1, wherein the oxide material is formed in a substantially prismatic shape.

4. The oxide material is divided by the strip-shaped metal material so that an angle of a corner portion of the divided piece is 180 ° or less, wherein the oxide material is divided by the metal material. Sputter target.

5. The metal material has a convex cross section,
The sputtering target according to claim 1, wherein the sputtering target is configured such that an area thereof is expanded in a shape of a flared end in the vicinity of the backing plate.

6. The sputter target according to claim 1, wherein the oxide material is SiO ₂ .

7. A sputtering target, which is made of an oxide material and a metal material and is fixed to a backing plate respectively, wherein the oxide material is divided and removed in a thickness direction with a predetermined width in which the metal material is arranged. A strip-shaped space, the metal material is arranged in the strip-shaped space, the metal material is arranged so as to be surrounded by the oxide material, and the backing is provided. A thin film is formed on the surface of the sample by applying electric power between the opposing electrodes of a sputter target having an area on the fixed portion side that is fixed to the plate larger than the area on the opposite side. A sputtering method characterized by:

8. The metal material of the sputter target is such that a large portion in the thickness direction is equal to the area on the side opposite to the fixed portion side, and the area is expanded in a divergent shape in the vicinity of the backing plate. 8. The sputtering method according to claim 7, wherein the sputtering target is replaced while the sputtering progresses to a portion where most of the material in the thickness direction is equal to the area on the opposite side.