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JPH0828615B2 - Temperature compensation circuit - Google Patents
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JPH0828615B2 - Temperature compensation circuit - Google Patents

Temperature compensation circuit

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JPH0828615B2
JPH0828615B2 JP62198682A JP19868287A JPH0828615B2 JP H0828615 B2 JPH0828615 B2 JP H0828615B2 JP 62198682 A JP62198682 A JP 62198682A JP 19868287 A JP19868287 A JP 19868287A JP H0828615 B2 JPH0828615 B2 JP H0828615B2
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temperature
transistor
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voltage
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ビデオカメラ等のセンサ付オートホワイ
トバランスシステムにおける、温度補償回路に関するも
のである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a temperature compensation circuit in an automatic white balance system with a sensor such as a video camera.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第4図はこの種のオートホワイトバランスシステムに
おける従来の温度補償回路を示し、図において35は感度
抵抗を使用し演算増幅器37の反転入力端子の電位を非反
転入力端子の電位の温度特性と同一の温度特性にして、
入力端子34からの絶対温度Tに比例した入力信号電圧を
増幅するとともに温度補償し、出力端子38の出力電圧
は、温度に依存しないようにしている。
FIG. 4 shows a conventional temperature compensating circuit in this type of auto white balance system. In the figure, 35 is a sensitivity resistor and the potential of the inverting input terminal of the operational amplifier 37 is the same as the temperature characteristic of the potential of the non-inverting input terminal. To the temperature characteristics of
The input signal voltage proportional to the absolute temperature T from the input terminal 34 is amplified and temperature-compensated so that the output voltage of the output terminal 38 does not depend on the temperature.

ここで従来の温度補償回路への入力信号電圧が絶対温
度Tに対して比例関係になってしまう事を第5図を用い
て次に説明する。
Here, it will be described below with reference to FIG. 5 that the input signal voltage to the conventional temperature compensation circuit has a proportional relationship with the absolute temperature T.

第5図はビデオカメラ用センサ付オートホワイトバラ
ンス回路を示し、図において1,2,3はフィトダイオー
ド、4,5,6は対数圧縮ダイオード、7,8,9は演算増幅器で
あり、図において1,4,7で、同様に2,5,8、3,6,9でそれ
ぞれ対数圧縮形光電変換回路を構成し、各々の出力電圧
は次式で表わせる。
Fig. 5 shows an auto white balance circuit with a sensor for a video camera. In the figure, 1, 2 and 3 are phyto diodes, 4,5 and 6 are logarithmic compression diodes, and 7, 8 and 9 are operational amplifiers. Similarly, the logarithmic compression type photoelectric conversion circuit is composed of 1,4,7 and 2,5,8,3,6,9, and the output voltage of each can be expressed by the following equation.

ここで、V01,V02,V03は各対数圧縮形光電変換回路
の出力電圧を、kはボルツマン定数、qは電子の電荷、
Tは絶対温度、Isは対数圧縮ダイオードの逆方向飽和電
流、Ip1、Ip2、Ip3は各フォトダイオード1,2,3で発生す
る光電流を、Eは電圧源10の電圧をそれぞれ表してい
る。
Here, V 01 , V 02 , and V 03 are output voltages of each logarithmic compression type photoelectric conversion circuit, k is Boltzmann constant, q is electron charge,
T is the absolute temperature, Is is the reverse saturation current of the logarithmic compression diode, Ip 1 , Ip 2 and Ip 3 are the photocurrents generated in the photodiodes 1, 2 and 3, and E is the voltage of the voltage source 10. ing.

これら出圧電力V01,V02,V03に対し、V01−V02,V03
−V02の処理を引算回路20,21で行なうため、各引算回路
20,21の出力は次式で表わせる。
For these output power V 01 , V 02 , V 03 , V 01- V 02 , V 03
Since the subtraction circuits 20 and 21 perform the processing of -V 02 , each subtraction circuit
The output of 20,21 can be expressed by the following equation.

この引算回路20,21での処理により前記対数圧縮ダイ
オード4,5,6の逆方向飽和電流Isは相殺され、電圧源E
も相殺される。従って前記V01−V02,V03−V02は絶対温
度Tに比例した出力であることがわかる。なお第5図に
おいて、31,32は温度補償回路であり、従来はこれに第
4図の回路を用いているものである。
The reverse saturation current Is of the logarithmic compression diodes 4, 5 and 6 is canceled by the processing in the subtraction circuits 20 and 21, and the voltage source E
Is also offset. Therefore, it can be seen that V 01 -V 02 and V 03 -V 02 are outputs proportional to the absolute temperature T. In FIG. 5, reference numerals 31 and 32 are temperature compensating circuits, and the circuit of FIG. 4 is conventionally used for them.

次に動作について説明する。 Next, the operation will be described.

第4図において、入力端子34には前記V01−V02または
V03−V02が入力されるのであるが、温度補償方法は同じ
なので、V01−V02について代表させて説明する。
In FIG. 4, the input terminal 34 has the above-mentioned V 01 -V 02 or
Although V 03 -V 02 is input, since the temperature compensation method is the same, V 01 -V 02 will be described as a representative.

となるので抵抗35を絶対温度Tに比例する温度係数を持
つように設定する。出力端子38の出力は次式で表わせ
る。
Therefore, the resistor 35 is set to have a temperature coefficient proportional to the absolute temperature T. The output of the output terminal 38 can be expressed by the following equation.

ここで、V0(1)は出力端子38の出力電圧を、R36は抵抗
36の抵抗値を、R35は抵抗35の抵抗値を表和す。R36/R
35>>1と設定した。
Where V 0 (1) is the output voltage of output terminal 38 and R 36 is the resistance.
R 35 represents the resistance value of 36, and R 35 represents the resistance value of resistor 35. R 36 / R
35 >> 1 was set.

R36は温度係数を零にしておき、R35は絶対温度Tに比
例する温度係数を持つように設定するので、V0(1)は次
式となる。
Since R 36 has a temperature coefficient of zero and R 35 has a temperature coefficient proportional to the absolute temperature T, V 0 (1) is given by the following equation.

ここでKは定数である。即ち、R35=K・T となりV0(1)は温度補償される。 Here, K is a constant. That is, R 35 = K · T And V 0 (1) is temperature compensated.

〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の温度補償回路は以上のように構成されているの
で、前記抵抗R35,R36の設定をR36/R35>>Iにする必
要があり、さらにR35の抵抗値を絶対温度Tに比例する
温度係数となるよう設定する必要があり、温度補償精度
上、問題があった。また、集積回路化する場合、R35,R
36を外付抵抗にする必要があり、コスト高になるという
問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] Since the conventional temperature compensation circuit is configured as described above, it is necessary to set the resistors R 35 and R 36 to R 36 / R 35 >> I. Further, it is necessary to set the resistance value of R 35 to have a temperature coefficient proportional to the absolute temperature T, which causes a problem in temperature compensation accuracy. In addition, when integrated circuit, R 35 , R
There is a problem in that it is necessary to use 36 as an external resistor, which increases the cost.

この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半導体集積回路化することが容易にできる
とともに、安価に温度補償でき、精度も格段に向上させ
ることができる温度補償回路を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and a temperature compensation circuit which can be easily integrated into a semiconductor integrated circuit, can be temperature-compensated at low cost, and can be remarkably improved in accuracy. The purpose is to get.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係る温度補償回路は、トランジスタのベー
ス・エミッタ間電圧とコレクタ電流との関係が、次式で
近似できる、即ち対数で表せることを利用し、第1,第2,
第3定電流源の温度特性を、温度に依存しない電流、絶
対温度Tに比例した入力信号電流、絶対温度に比例した
電流に設定し、第1,第2,第3トランジスタのコレクタ電
流またはエミッタ電流を上記各定電流源により設定する
ことで得られる各トランジスタのベース・エミッタ間電
圧を加算または減算させ、温度補償が行なわれるように
回路を構成したものである。
The temperature compensation circuit according to the present invention utilizes the fact that the relationship between the base-emitter voltage of the transistor and the collector current can be approximated by the following equation, that is, can be expressed in logarithm.
The temperature characteristic of the third constant current source is set to a current independent of the temperature, an input signal current proportional to the absolute temperature T, and a current proportional to the absolute temperature, and the collector current or the emitter of the first, second and third transistors is set. The circuit is configured so that temperature compensation is performed by adding or subtracting the base-emitter voltage of each transistor obtained by setting the current by each of the constant current sources.

ここでVBEはトランジスタのベース・エミッタ間電
圧、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子の電
荷、Icはコレクタ電流、Isはトランジスタの逆方向飽和
電流をそれぞれ示す。ただし、Ic≒IEとし、IEはエミッ
タ電流を示す。
Here, V BE is the base-emitter voltage of the transistor, k is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, q is the electron charge, Ic is the collector current, and Is is the reverse saturation current of the transistor. However, the Ic ≒ I E, I E denotes the emitter current.

〔作用〕[Action]

この発明における温度補償回路では、第1,第2,第3ト
ランジスタのコレクタ電流またはエミッタ電流を第1,第
2,第3定電流源で設定することにより得られる各トラン
ジスタのベース・エミッタ間電圧を、加算または減算さ
せるように回路を構成したから、温度補償が行なわれ
る。
In the temperature compensation circuit according to the present invention, the collector current or the emitter current of the first, second and third transistors is set to the first, first
Temperature compensation is performed because the circuit is configured to add or subtract the base-emitter voltage of each transistor obtained by setting the second and third constant current sources.

〔実施例〕〔Example〕

以下この発明の一実施例を第1図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

第1図は第5図のオートホワイトバランス回路の温度
補償回路31,32として用いられるべき、本発明の一実施
例による温度補償回路を示し、図において、1は温度に
依存しない電流を発生する第1の定電流源、2は入力信
号に応じて絶対温度Tに比例した電流を発生する第2の
定電流源、3は絶対温度Tに比例した電流を発生する第
3の定電流源である。
FIG. 1 shows a temperature compensating circuit according to an embodiment of the present invention which should be used as the temperature compensating circuits 31 and 32 of the auto white balance circuit of FIG. 5, in which 1 denotes a temperature independent current. The first constant current source 2, 2 is a second constant current source that generates a current proportional to the absolute temperature T according to an input signal, and 3 is a third constant current source that generates a current proportional to the absolute temperature T is there.

ここで第2の定電流源2の入力信号は前記対数圧縮形
光電変換回路の出力電圧を第3図の電圧・電流変換回路
を介すことによって得られる電流を意味しており、第3
図中の端子33に電流として得られる。即ち、第3図は一
般的な電圧・電流変換回路を示しており、演算増幅器30
とトランジスタ31で負帰還回路が構成され、端子29の入
力端子電圧がトランジスタ31のエミッタと抵抗32の接続
点に発生するので、抵抗32の抵抗値をR32とし、入力電
圧をV01−V02とすると、端子33に得られる電流Ic31は次
式で表わせる。ただしトランジスタ31のコレクタ電流と
エミッタ電流は等しいとし、トランジスタ31の直流電流
増幅率hFEは十分大きいと設定する。
Here, the input signal of the second constant current source 2 means the current obtained by passing the output voltage of the logarithmic compression type photoelectric conversion circuit through the voltage / current conversion circuit of FIG.
It is obtained as a current at the terminal 33 in the figure. That is, FIG. 3 shows a general voltage / current conversion circuit.
Since the negative feedback circuit is composed of the transistor 31 and the input terminal voltage of the terminal 29 is generated at the connection point of the emitter of the transistor 31 and the resistor 32, the resistance value of the resistor 32 is R 32 and the input voltage is V 01 −V If 02 , the current I c31 obtained at the terminal 33 can be expressed by the following equation. However, the collector current and the emitter current of the transistor 31 are assumed to be equal, and the direct current amplification factor h FE of the transistor 31 is set to be sufficiently large.

これは絶対温度Tに比例した電流である。この電流I
c31が前記の入力信号に応じて電流を発生する第2の定
電流源2の電流となる。
This is a current proportional to the absolute temperature T. This current I
c31 becomes the current of the second constant current source 2 which generates a current in response to the input signal.

さらに温度に依存しない電流を発生する第1の定電流
源1と絶対温度Tに比例した電流を発生する第3の定電
流源3は第2図の回路を用いて作り出す。第2図におい
てトランジスタ10,11,13,14と抵抗12により負帰還回路
が構成されており、トランジスタ10と11のVBEの差を抵
抗12で割った電流が設定される。
Further, the first constant current source 1 for generating a current independent of temperature and the third constant current source 3 for generating a current proportional to the absolute temperature T are produced by using the circuit shown in FIG. In FIG. 2, a negative feedback circuit is constituted by the transistors 10, 11, 13 and 14 and the resistor 12, and the current obtained by dividing the difference in V BE between the transistors 10 and 11 by the resistor 12 is set.

ここでkはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子の
電荷、Isはトランジスタの逆方向飽和電流、ICQ11はト
ランジスタ11のコレクタ電流、ICQ10はトランジスタQ10
のコレクタ電流、R12は抵抗12の抵抗値、ITは設定電流
であり、端子20の出力電流である。
Where k is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, q is the charge of the electron, Is is the reverse saturation current of the transistor, I CQ11 is the collector current of the transistor 11, and I CQ10 is the transistor Q 10.
The collector current, the resistance value of R 12 is the resistance 12, I T is the set current, an output current of terminal 20.

上式を整理して、 これは絶対温度Tに比例した電流である。Organize the above formula, This is a current proportional to the absolute temperature T.

さらに第2図において、トランジスタ23,25,22と抵抗
24によって負帰還回路が構成されており、トランジスタ
23のVBEを抵抗24で割った電流が設定される。
Further in FIG. 2, transistors 23, 25, 22 and resistors
The negative feedback circuit is composed of 24
V BE of 23 divided by resistance 24 sets the current.

ここでVBEQ23はトランジスタ23のベース・エミッタ間
電圧、R24は抵抗24の抵抗値、Iβはトランジスタのコ
レクタ電流である。
Here, V BEQ23 is a base-emitter voltage of the transistor 23, R 24 is a resistance value of the resistor 24, and Iβ is a collector current of the transistor.

このIβはVBEに依存する電流であることから負の温
度係数となり、ここで、シリコンのエネルギーバンドギ
ャップ電圧VGOが一定であることを用いて、VGO−VBE=V
Tと設定し、VGO=VT+VBEとすると、VGO=1.273〔V〕
なので、VBE=0.6〔V〕,またはVT=0.673〔V〕なの
でVBEとVTの比をだいたい1対1に取るとその各々によ
る電流の和は温度に依存しなくなることとなる。そこで
この比で前記ITとIβを端子29から両者の和として出力
するようにして、温度に依存しない電流IREFを作り出
す。
Since this Iβ is a current that depends on V BE , it has a negative temperature coefficient. Here, using the fact that the energy band gap voltage V GO of silicon is constant, V GO −V BE = V
If T is set and V GO = V T + V BE , V GO = 1.273 [V]
Therefore, since V BE = 0.6 [V] or V T = 0.673 [V], if the ratio of V BE and V T is taken to be approximately 1: 1, the sum of the currents due to each becomes independent of temperature. Therefore, at this ratio, I T and I β are output from the terminal 29 as the sum of the two, thereby producing a current I REF that does not depend on temperature.

このようにして、前記第1,第2,第3の定電流源1,2,3
を設定する。第1図において定電流源1の定電流をIREF
とし、定電流源2の定電流をII=IC31(式)とし、定
電流源3の定電流をIT(式)とし、トランジスタ4の
コレクタ電流をICQ4、トランジスタ5のエミッタ電流を
IEQ5、トランジスタ6のエミッタ電流をIEQ6、トランジ
スタ7のコレクタ電流をICQ7とすると、次式が成立す
る。なお、第1図中8は負荷、9は電源である。
In this way, the first, second and third constant current sources 1, 2, 3
Set. In FIG. 1, the constant current of the constant current source 1 is I REF
, The constant current of the constant current source 2 is I I = I C31 (equation), the constant current of the constant current source 3 is I T (equation), the collector current of the transistor 4 is I CQ4 , and the emitter current of the transistor 5 is
When I EQ5 , the emitter current of the transistor 6 are I EQ6 , and the collector current of the transistor 7 is I CQ7 , the following equation is established. In FIG. 1, 8 is a load and 9 is a power source.

ここでICQ4として前記IREF、つまり温度に依存しない
定電流を設定し、IEQ5として前記式IC31を設定し、I
EQ6として前記式ITを設定すると式は次のようにな
る。
Here, I CQ4 is set to the I REF , that is, a constant current that does not depend on temperature, and I EQ5 is set to the formula I C31.
Setting the formula I T as EQ6 formula is as follows.

ここで、IREFは温度に依存しない一定電流、ITは式
で表わされ、絶対温度Tに比例した電流、IC31は式で
表わされ、絶対温度Tに比例した電流なので、次のよう
になる。
Here, I REF is a constant current that does not depend on temperature, I T is expressed by a formula, a current proportional to the absolute temperature T, and I C31 is expressed by a formula and is a current proportional to the absolute temperature T. Like

この式より、絶対温度Tが相殺され、ICQ7は温度に依
存しなくなり、一定となることがわかる。
From this equation, it can be seen that the absolute temperature T is canceled out, and I CQ7 does not depend on temperature and becomes constant.

このような本実施例の温度補償回路によれば、従来の
ような感温抵抗が不要となるため安価に精度よく温度補
償ができ、また外付抵抗も不要となるため容易に半導体
集積回路化することができる。
According to the temperature compensating circuit of the present embodiment as described above, since the temperature sensitive resistor as in the conventional case is not required, the temperature can be accurately compensated at low cost, and the external resistor is not required, so that the semiconductor integrated circuit can be easily formed. can do.

なお以上では第1図の回路構成例を用いて本発明を説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、第
6図の本発明の他の実施例に示すように定電流源1,2,3
を各トランジスタ4,5,6の各コレクタに接続して構成し
たり、第7図の本発明の他の実施例に示すように定電流
源1,2,3を各トランジスタ4,5,6の各エミッタに接続して
構成したり、あるいは前記第1図はその一例であるがコ
レクタ側に接続するのとエミッタ側に接続するのとを任
意に組合せて構成してもよい。
Although the present invention has been described above by using the circuit configuration example of FIG. 1, the present invention is not limited to this, and a constant current source as shown in another embodiment of the present invention of FIG. 1,2,3
Is connected to each collector of each transistor 4,5,6, or constant current sources 1,2,3 are connected to each transistor 4,5,6 as shown in another embodiment of the present invention in FIG. 1 may be configured to be connected to each emitter, or, although FIG. 1 is an example thereof, it may be configured to arbitrarily connect to the collector side and the emitter side.

また、上述の考え方に立脚して構成した本発明のさら
に他の実施例として第8図、第9図、第10図、第11図,
第12図,第13図、第14図に示すものが考えられる。この
ように上述の考え方に立脚して構成すると同時に、トラ
ンジスタ5,6にバイアス電圧をかけるための抵抗を設け
たり(第8図,第9図)回路動作的にレベルシフト回路
50,51を設けたり(第10図)、ベース電流による誤差を
軽減させるために高入力抵抗の演算増幅器71〜74や差動
増幅回路を設けたり(第13,14図)、さらにMOS入力回路
を用いて構成するなど、またトランジスタのアーリ効果
を補償した回路構成を取る等、多数の回路を提案するこ
とができる。
Further, as still another embodiment of the present invention constructed based on the above-mentioned concept, FIG. 8, FIG. 9, FIG. 10, FIG.
Those shown in FIGS. 12, 13, and 14 are considered. As described above, the structure is based on the above concept, and at the same time, a resistor for applying a bias voltage to the transistors 5 and 6 is provided (FIGS. 8 and 9).
50, 51 (Fig. 10), operational amplifiers 71-74 with high input resistance and a differential amplifier circuit (Figs. 13, 14) to reduce errors due to base current, and MOS input circuit It is possible to propose a large number of circuits, such as a circuit configuration in which is used, or a circuit configuration in which the Early effect of a transistor is compensated is adopted.

〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、絶対温度Tに比例
した電流源と温度に依存しない電流源とを用い、トラン
ジスタのベース・エミッタ間電圧とコレクタ電流あるい
はエミッタ電流の関係を考慮して温度補償できるように
回路を構成したので、感温抵抗などの温度調整用部品を
特に必要とせず、集積回路として構成した時特に装置が
安価にでき、調整も不要で、精度の高いものが得られる
効果がある。
As described above, according to the present invention, the relationship between the base-emitter voltage of the transistor and the collector current or the emitter current is used by using the current source proportional to the absolute temperature T and the current source independent of the temperature. Since the circuit is configured so that the temperature can be compensated for, the temperature adjustment parts such as temperature sensitive resistors are not particularly required, and the device can be inexpensive especially when configured as an integrated circuit, and adjustment is not required, and accuracy can be improved. There is an effect that a high price can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例による温度補償回路を示す
回路図、第2図は絶対温度Tに比例した電流と、温度に
依存しない電流を作り出すための回路例を示す図、第3
図は電圧を電流に変換する回路例を示す図、第4図は従
来の温度補償回路例を示す図、第5図はビデオカメラ用
センサ付オートホワイトバランス回路であって、対数圧
縮形光電変換回路と引算回路、温度補償回路で構成され
た簡単なものを示すブロック図、第6図は本発明の他の
実施例による温度補償回路であって、特に各トランジス
タのコレクタ電流を設定した例を示す図、第7図は本発
明の他の実施例で、特に各トランジスタのエミッタ電流
を設定した例を示す図、第8図は第6図と同様に各トラ
ンジスタのコレクタ電流を設定した例を示す図、第9図
は本発明の他の実施例で、特にトランジスタ4はコレク
タ電流を設定し、トランジスタ5,6はエミッタ電流を設
定した例を示す図、第10図は本発明の他の実施例でトラ
ンジスタ4,7にレベルシフト用トランジスタ5,6を各々に
設けて構成した例を示す図、第11図は本発明の他の実施
例でトランジスタ4,7のエミッタを共通接続して抵抗を
介して接地した例を示す図、第12図は本発明の他の実施
例でトランジスタ4,7はPNP形で構成し、トランジスタ5,
6はNPN形で構成した例を示す図、第13図及び第14図はそ
れぞれ本発明の他の実施例で、高入力抵抗の演算増幅器
を用いて各トランジスタのベース電流誤差を軽減させる
ように構成した例を示す図である。 1,2,3は第1,第2,第3の定電流源、4,5,6,7はトランジス
タ、8は負荷、9は電源である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a temperature compensation circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a circuit example for producing a current proportional to an absolute temperature T and a current independent of temperature.
FIG. 4 is a diagram showing an example of a circuit for converting a voltage into a current, FIG. 4 is a diagram showing an example of a conventional temperature compensation circuit, and FIG. 5 is an auto white balance circuit with a sensor for a video camera, which is a logarithmic compression type photoelectric conversion. FIG. 6 is a block diagram showing a simple circuit composed of a circuit, a subtraction circuit, and a temperature compensation circuit. FIG. 6 is a temperature compensation circuit according to another embodiment of the present invention, in which collector currents of respective transistors are set. FIG. 7 is a diagram showing another example of the present invention in which the emitter current of each transistor is set, and FIG. 8 is an example in which the collector current of each transistor is set similarly to FIG. FIG. 9 is a diagram showing another embodiment of the present invention. In particular, the transistor 4 sets the collector current and the transistors 5 and 6 set the emitter current. FIG. 10 shows another example of the present invention. In the example, the level is set to the transistors 4 and FIG. 11 is a diagram showing an example in which transistor transistors 5 and 6 for switching are provided respectively, and FIG. 11 shows an example in which the emitters of transistors 4 and 7 are commonly connected and grounded via a resistor in another embodiment of the present invention. FIGS. 12 and 13 show another embodiment of the present invention in which transistors 4 and 7 are of PNP type,
FIG. 6 is a diagram showing an example configured in NPN type, FIGS. 13 and 14 are other examples of the present invention, respectively, in order to reduce the base current error of each transistor by using an operational amplifier with a high input resistance. It is a figure which shows the comprised example. 1, 2, 3 are first, second, and third constant current sources, 4,5, 6, 7 are transistors, 8 is a load, and 9 is a power supply. The same reference numerals in the drawings indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1及び第2定電流源の温度特性を、その
一方を温度に依存しない電流に、他方を絶対温度Tに比
例した入力信号電流に設定するとともに、第3定電流源
の温度特性を絶対温度Tに比例した電流に設定し、 前記第1定電流源を第1トランジスタのコレクタ又はエ
ミッタに接続してその電流をコレクタ電流又はエミッタ
電流とし、前記第2定電流源を第2トランジスタのコレ
クタ又はエミッタに接続してその電流をコレクタ電流又
はエミッタ電流とし、前記第3定電流源を第3トランジ
スタのコレクタ又はエミッタに接続してその電流をコレ
クタ電流又はエミッタ電流とし 前記第1トランジスタのベース・エミッタ間電圧と前記
第2トランジスタのベース・エミッタ間電圧の加算電圧
を作り、この加算電圧から前記第3トランジスタのベー
ス・エミッタ間電圧を引算した電圧を作り出し、この引
算した電圧を第4トランジスタのベース・エミッタ間に
印加し、前記第4トランジスタのコレクタ電流を出力と
して得るように構成したことを特徴とする温度補償回
路。
1. The temperature characteristics of the first and second constant current sources are set such that one of them is a current that does not depend on temperature and the other is an input signal current that is proportional to the absolute temperature T. The temperature characteristic is set to a current proportional to the absolute temperature T, the first constant current source is connected to the collector or the emitter of the first transistor, and the current is used as the collector current or the emitter current. The second constant current source is connected to the collector or the emitter of the second transistor, and the third constant current source is connected to the collector or the emitter of the third transistor, and the current is used as the collector current or the emitter current. An added voltage of the base-emitter voltage of the transistor and the base-emitter voltage of the second transistor is created, and the third transistor is added from the added voltage. Voltage is generated by subtracting the base-emitter voltage of the fourth transistor, the subtracted voltage is applied between the base-emitter of the fourth transistor, and the collector current of the fourth transistor is obtained as an output. Characteristic temperature compensation circuit.
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