JPH0831500B2 - Film carrier tape - Google Patents
Film carrier tapeInfo
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- JPH0831500B2 JPH0831500B2 JP4632890A JP4632890A JPH0831500B2 JP H0831500 B2 JPH0831500 B2 JP H0831500B2 JP 4632890 A JP4632890 A JP 4632890A JP 4632890 A JP4632890 A JP 4632890A JP H0831500 B2 JPH0831500 B2 JP H0831500B2
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- leads
- lead
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は多リード化した半導体装置に好適のフィルム
キャリアテープに関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a film carrier tape suitable for a multi-lead semiconductor device.
[従来の技術] 第7図は従来のフィルムキャリアテープを示す平面図
である。[Prior Art] FIG. 7 is a plan view showing a conventional film carrier tape.
ポリイミド等からなる絶縁フィルム6cは帯状に成形さ
れており、この絶縁フィルム6cの幅方向の縁部には、搬
送及び位置決め用のスプロケットホール1cが絶縁フィル
ム6cの長手方向に沿って規則的に配列されている。ま
た、絶縁フィルム6cの幅方向の中央には、接続されるべ
き半導体チップ2cよりも若干大きく開口したデバイスホ
ール3cが設けられている。このデバイスホール3cも、絶
縁フィルム6cの長手方向に沿って、所定の間隔毎に設け
られている。そして、このデバイスホール3cの周囲に
は、デバイスホール3cの1辺に対応して1個のアウター
リードボンディングホール(以下;OLBホールという)13
cが台形状に成形されて設けられている。The insulating film 6c made of polyimide or the like is formed in a strip shape, and the sprocket holes 1c for transporting and positioning are regularly arranged along the longitudinal direction of the insulating film 6c at the widthwise edge of the insulating film 6c. Has been done. Further, a device hole 3c opened slightly larger than the semiconductor chip 2c to be connected is provided in the center of the insulating film 6c in the width direction. The device holes 3c are also provided at predetermined intervals along the longitudinal direction of the insulating film 6c. Around the device hole 3c, one outer lead bonding hole (hereinafter referred to as an OLB hole) 13 corresponding to one side of the device hole 3c.
c is formed in a trapezoidal shape.
絶縁フィルム6c上には、銅等の金属箔からなるリード
4cが所定のパターンで形成されている。このリード4cの
一方の端部はデバイスホール3cの内側に導出されてお
り、このリード4cはOLBホール13c上を横断して、OLBホ
ール13cの外側に形成された電気選別パッド5cに接続さ
れている。On the insulating film 6c, a lead made of metal foil such as copper
4c is formed in a predetermined pattern. One end of this lead 4c is led out to the inside of the device hole 3c, and this lead 4c crosses over the OLB hole 13c and is connected to an electric selection pad 5c formed outside the OLB hole 13c. There is.
このフィルムキャリアテープは以下に示すようにして
製造されている。This film carrier tape is manufactured as follows.
先ず、ポリイミド等の絶縁フィルム6cにデバイスホー
ル3c、OLBホール13c及びスプロケットホール1cを穿設す
る。次に、この絶縁フィルム6c上に銅等の金属箔を被着
する。次いで、エッチング等により前記金属箔を所定の
形状に成形することにより、リード4c及び電気選別パッ
ド5cを形成する。これにより、フィルムキャリアテープ
が完成する。First, the device hole 3c, the OLB hole 13c, and the sprocket hole 1c are formed in the insulating film 6c such as polyimide. Next, a metal foil such as copper is deposited on the insulating film 6c. Next, the lead 4c and the electric selection pad 5c are formed by forming the metal foil into a predetermined shape by etching or the like. As a result, the film carrier tape is completed.
第8図及び第9図は、上述した従来のフィルムキャリ
アテープと半導体チップとの接続方法を示す断面図であ
る。8 and 9 are sectional views showing a method of connecting the above-described conventional film carrier tape and a semiconductor chip.
半導体チップ2cには、予めその上面の電極端子上に金
属突起物であるバンプ7cが設けられている。この半導体
チップ2cをフィルムキャリアテープのデバイスホール3c
の中央に配置し、リード4cとバンプ7cとを熱圧着法又は
共晶法等により接合(インナーリードボンディング)す
る。The semiconductor chip 2c is provided in advance with bumps 7c, which are metal protrusions, on the electrode terminals on the upper surface thereof. This semiconductor chip 2c is connected to the device hole 3c of the film carrier tape.
And the leads 4c and the bumps 7c are bonded (inner lead bonding) by a thermocompression bonding method or a eutectic method.
この場合に、リード4cの先端部の変形を防止するため
に、第8図に示すように、リード先端部近傍に、予め絶
縁フィルム6cの枠であるサスペンダー8cを設けておくこ
ともある。また、半導体装置の信頼性向上及び機械的保
護のために、第9図に示すように、半導体チップ2c上に
樹脂9aをポッティングして半導体チップ2cの電極端子形
成面を樹脂封止することもある。In this case, in order to prevent the deformation of the tips of the leads 4c, a suspender 8c, which is a frame of the insulating film 6c, may be provided in the vicinity of the tips of the leads as shown in FIG. Further, in order to improve reliability and mechanical protection of the semiconductor device, as shown in FIG. 9, resin 9a may be potted on the semiconductor chip 2c to seal the electrode terminal forming surface of the semiconductor chip 2c with resin. is there.
その後、電気選別パッド5cに試験装置の接触子を接触
させて電気選別及びバイアス試験を行う。After that, a contact of a testing device is brought into contact with the electric selection pad 5c to perform electric selection and a bias test.
このようにして製造されたフィルムキャリアテープ型
半導体装置は、以下に示すようにしてプリント基板上に
実装される。The film carrier tape type semiconductor device manufactured in this way is mounted on a printed circuit board as follows.
第10図はフィルムキャリアテープ型半導体装置の実装
方法を示す断面図である。先ず、リード4cをOLBホール1
3cの半導体チップ2cから遠い側の縁部に沿って切断す
る。そして、半導体チップ2cをその電極端子形成面を上
方にして、接着材10cによりプリント基板11c上の所定の
位置に接着する。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a method of mounting the film carrier tape type semiconductor device. First, lead 4c to OLB hole 1
3c is cut along the edge of the side far from the semiconductor chip 2c. Then, the semiconductor chip 2c is bonded to a predetermined position on the printed circuit board 11c with the adhesive 10c with its electrode terminal forming surface facing upward.
次に、リード4cをプリント基板11cに形成されたボン
ディングパッド12cに接合(アウターリードボンディン
グ)する。これにより半導体装置の実装が完了する。Next, the lead 4c is joined to the bonding pad 12c formed on the printed board 11c (outer lead bonding). This completes the mounting of the semiconductor device.
フィルムキャリアテープを使用すると、リード4cの数
に拘らず、インナーリードボンディングが一度で処理で
きるために、ボンディング速度が速いという長所があ
る。また、スプロケットホール1cにより搬送及び位置決
めを行うことができるために、作業の自動化が容易であ
るという利点もある。The use of the film carrier tape has an advantage that the bonding speed is fast because the inner lead bonding can be processed at one time regardless of the number of the leads 4c. Further, since the sprocket hole 1c can carry and position the sprocket hole 1c, there is an advantage that the work can be easily automated.
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、従来のフィルムキャリアテープは、リ
ード4cが細く且つ薄いために、リードの変形が発生し易
く、実装作業が複雑又は煩雑であるという欠点がある。
特に、リード4cの数が多い場合は、リード4cの配列ピッ
チが小さくリード4c間の間隔が狭くなるため、例えば半
田によりリード4cをボンディングパッド12cとを接続し
ようとすると、リード4c間に半田ブリッジが形成され易
く、ショート等の不都合が発生する虞れがある。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional film carrier tape, since the leads 4c are thin and thin, the leads are easily deformed, and the mounting work is complicated or complicated.
In particular, when the number of leads 4c is large, the arrangement pitch of the leads 4c is small and the interval between the leads 4c is narrow, so if the leads 4c are connected to the bonding pads 12c by soldering, for example, a solder bridge is formed between the leads 4c. Are likely to be formed, and inconvenience such as short circuit may occur.
一般的に、半田による半導体装置の実装は、半導体装
置のリード先端のピッチが0.5mmの場合が安定して実装
できる限界とされている。しかし、従来のフィルムキャ
リアテープを使用して200乃至300ピン以上のリードを有
する多リード半導体装置を製造する場合、0.5mmピッチ
でリード先端を配列しようとすると、半導体装置の面積
を大きくする必要がある。In general, the mounting of a semiconductor device by soldering is considered to be a limit for stable mounting when the lead tip pitch of the semiconductor device is 0.5 mm. However, when manufacturing a multi-lead semiconductor device having leads of 200 to 300 pins or more using a conventional film carrier tape, it is necessary to increase the area of the semiconductor device if the lead tips are arranged at a pitch of 0.5 mm. is there.
近年、半導体装置はその能力の向上に伴って多リード
化が著しいが、フィルムキャリアテープ型半導体装置の
場合、インナーリード側は多リード化に容易に対応でき
るのに対して、上述の如く、アウターリード側において
多リード化が制約されてしまう。つまり、従来のフィル
ムキャリアテープを使用した半導体装置は、実装密度に
関しては他のパッケージと同一であり、リードが薄いた
めに実装が困難であるという問題点がある。In recent years, the number of leads of a semiconductor device has been remarkably increased with the improvement of its capability. In the case of a film carrier tape type semiconductor device, the inner lead side can easily cope with the increase of the number of leads. On the lead side, the increase in the number of leads is restricted. That is, the semiconductor device using the conventional film carrier tape has the same mounting density as other packages, and has a problem that it is difficult to mount because the leads are thin.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであっ
て、多リード化された半導体装置においても、半導体装
置の面積の増大が抑制され、高密度実装を可能とするフ
ィルムキャリアテープを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and provides a film carrier tape capable of high-density mounting while suppressing an increase in the area of the semiconductor device even in a semiconductor device having multiple leads. With the goal.
[課題を解決するための手段] 本願の第1発明に係るフィルムキャリアテープは、絶
縁フィルムと、この絶縁フィルムに設けられた矩形のデ
バイスホールと、このデバイスホールの周囲に前記デバ
イスホールの1辺に対して2個以上設けられた第1のア
ウターリードボンディングホールと、この第1のアウタ
ーリードボンディングホールの外側の領域に穿設された
第2のアウターリードボンディングホールと、前記絶縁
フィルム上に形成されその一端が前記デバイスホールの
内側に導出されており他端が前記第1のアウターリード
ボンディングホール及び第2のアウターリードボンディ
ングホールのいずれか一方の上を選択的に横断している
複数本のリードとを有することを特徴とする。[Means for Solving the Problems] A film carrier tape according to the first invention of the present application is an insulating film, a rectangular device hole provided in the insulating film, and one side of the device hole around the device hole. And two or more first outer lead bonding holes formed on the insulating film, and a second outer lead bonding hole formed in a region outside the first outer lead bonding holes. A plurality of ones of which one end is led out to the inside of the device hole and the other end of which selectively crosses over either one of the first outer lead bonding hole and the second outer lead bonding hole. And a lead.
本願の第2発明に係るフィルムキャリアテープは、絶
縁フィルムと、この絶縁フィルムに設けられた矩形のデ
バイスホールと、このデバイスホールの周囲に前記デバ
イスホールの1辺に対して2個以上設けられたアウター
リードボンディングホールと、前記絶縁フィルム上に形
成されその一端が前記デバイスホールの内側に導出され
ており他端が前記アウターリードボンディングホールの
デバイスホールに近い側の辺及びこの辺に対向する辺か
ら前記アウターリードボンディングホールの内側に導出
された複数本のリードとを有し、前記リードの他端は前
記アウターリードボンディングホールにおいて千鳥状に
配列されていることを特徴とする。The film carrier tape according to the second invention of the present application is provided with an insulating film, a rectangular device hole provided in the insulating film, and two or more around the device hole with respect to one side of the device hole. The outer lead bonding hole, one end of which is formed on the insulating film and is led out to the inside of the device hole, and the other end of the outer lead bonding hole is closer to the device hole, and the side opposite to the side. A plurality of leads led out inside the outer lead bonding hole, and the other end of the lead is arranged in a zigzag manner in the outer lead bonding hole.
[作用] 本願の第1発明においては、デバイスホールの周囲に
デバイスホールの1辺に対して2個以上の第1のOLBホ
ールが設けられている。また、この第1のOLBホールの
外側に第2のOLBホールが設けられている。そして、リ
ードは第1のOLBホール又は第2のOLBホールのいずれか
一方の上を選択的に横断している。即ち、第1のOLBホ
ール上を横断しているリードは、従来と同様に第1のOL
Bホールのデバイスホール側縁部に延出し、第1のOLBホ
ール上を横断している。そして、第2のOLBホールを横
断するリードは、例えば2個の第1のOLBホールの間に
配線され、第1のOLBホールを横断することなく、第2
のOLBホールの縁部に延出し、第2のOLBホール上を横断
している。[Operation] In the first invention of the present application, two or more first OLB holes are provided around the device hole for one side of the device hole. A second OLB hole is provided outside the first OLB hole. Then, the lead selectively crosses over either the first OLB hole or the second OLB hole. That is, the lead crossing the first OLB hole is the same as the conventional one.
It extends to the edge of the device hole side of the B hole and crosses over the first OLB hole. Then, the lead that crosses the second OLB hole is, for example, wired between the two first OLB holes, and the leads that cross the first OLB hole do not cross the second OLB hole.
It extends to the edge of the second OLB hole and crosses over the second OLB hole.
本発明のフィルムキャリアテープは、このような構造
を有しており、半導体チップとリードとは、従来と同様
にしてインナーリードボンディングされる。そして、基
板に実装されるに際して、リードのアウターリード側
は、第1及び第2のOLBホールのデバイスホールから遠
い側の縁部において切断され、所定の形状に成形されて
実装される。つまり、アウターリードボンディング時に
は、第1のOLBホールのリード及び第2のOLBホールのリ
ードが2列に配列されて基板上に配置される。これによ
り、リード先端の間隔が従来に比して大きくなり、実装
時に半田ブリッジ等が発生することを抑制できる。ま
た、半導体装置の大きさが実装条件により制限されるこ
とが回避され、半導体装置の高密度実装が達成される。The film carrier tape of the present invention has such a structure, and the semiconductor chip and the lead are inner lead bonded in the same manner as in the conventional case. Then, when mounted on a substrate, the outer lead side of the lead is cut at edges of the first and second OLB holes on the side far from the device hole, and is molded and mounted in a predetermined shape. That is, at the time of outer lead bonding, the leads of the first OLB hole and the leads of the second OLB hole are arranged in two rows and arranged on the substrate. As a result, the distance between the tips of the leads becomes larger than in the conventional case, and it is possible to suppress the occurrence of solder bridges or the like during mounting. In addition, the size of the semiconductor device is prevented from being limited by the mounting conditions, and high-density mounting of the semiconductor device is achieved.
本願の第2発明においては、OLBホール側のリード先
端部は、OLBホールの対向する2辺からOLBホールの内側
に千鳥状に配列されて導出されている。即ち、OLBホー
ルにおいて、OLBホールの一方の辺から導出されたリー
ド間の中央の位置に他方の辺から導出されたリードが整
合するようにしてリード先端が配列されている。In the second invention of the present application, the lead tips on the OLB hole side are arranged in a zigzag pattern and are led out from the two opposite sides of the OLB hole to the inside of the OLB hole. That is, in the OLB hole, the lead tips are arranged so that the leads drawn from the other side of the OLB hole are aligned with the central position between the leads drawn from the one side of the OLB hole.
この場合に、一方のリードは、従来と同様に、デバイ
スホール側からOLBホールに導出されており、例えば他
方のリードは2個のOLBホール間に配線されていてデバ
イスホールから遠い側のOLBホールの縁部に延出し、こ
の縁部からOLBホール内に導出されている。これによ
り、本願の第1発明と同様に、リード間隔を従来に比し
て拡大でき、半田ブリッジ等の不都合が回避されると共
に、半導体装置の高集積化が達成できる。In this case, one lead is led out to the OLB hole from the device hole side as in the conventional case. For example, the other lead is wired between two OLB holes and is located far from the device hole. It extends to the edge of and is led into the OLB hall from this edge. As a result, similarly to the first invention of the present application, the lead interval can be increased as compared with the conventional case, inconveniences such as solder bridges can be avoided, and high integration of the semiconductor device can be achieved.
[実施例] 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して
説明する。[Embodiment] Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
第1図は本願の第1発明の実施例に係るフィルムキャ
リアテープを示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a film carrier tape according to an embodiment of the first invention of the present application.
絶縁フィルム6aには、従来と同様に、幅方向の縁部に
搬送及び位置決め用のスプロケットホール1aが規則的に
配列されて穿設されており、幅方向の中央に半導体チッ
プ2aが配置されるデバイスホール3aが穿設されている。In the insulating film 6a, as in the conventional case, sprocket holes 1a for transporting and positioning are regularly arranged and drilled at the edge portion in the width direction, and the semiconductor chip 2a is arranged at the center in the width direction. A device hole 3a is provided.
デバイスホール3aの周囲には、第1のOLBホール13aが
デバイスホール3aの1辺に対して2個穿設されている。
この第1のOLBホール13aは、1斜辺を有する台形であ
り、従来のフィルムキャリアテープのOLBホールをデバ
イスホール3aの辺に対して直交する方向で2分割した形
状である。Two first OLB holes 13a are formed around the device hole 3a with respect to one side of the device hole 3a.
The first OLB hole 13a is a trapezoid having one oblique side, and has a shape obtained by dividing the OLB hole of the conventional film carrier tape into two in a direction orthogonal to the side of the device hole 3a.
この第1のOLBホール13aの外側には、第2のOLBホー
ル14aがデバイスホール3aの1辺に対して2個穿設され
ている。この第2のOLBホール14aの形状は矩形である。Two second OLB holes 14a are formed outside the first OLB hole 13a with respect to one side of the device hole 3a. The shape of the second OLB hole 14a is rectangular.
リード4aは、その一端がデバイスホール3aの内側に導
出されている。そして、デバイスホール3aの各辺の中央
部に配置されたリード4aは、2個の第1のOLBホール13a
の間に配線されていて、第2のOLBホール14a上を横断
し、第2のOLBホール14aの外側に形成された電気選別パ
ッド5aに接続されている。また、デバイスホール3bの角
部側に配置されたリード4aは、第1のOLBホール13a上を
横断して、第1のOLBホール13aの外側に形成された電気
選別パッド5aに接続されている。One end of the lead 4a is led out inside the device hole 3a. The leads 4a arranged at the center of each side of the device hole 3a are the two first OLB holes 13a.
Between the second OLB hole 14a and the electric selection pad 5a formed outside the second OLB hole 14a. In addition, the lead 4a arranged on the corner side of the device hole 3b traverses over the first OLB hole 13a and is connected to an electric selection pad 5a formed outside the first OLB hole 13a. .
第2図は本実施例に係るフィルムキャリアテープに半
導体チップを接続した状態を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a state in which a semiconductor chip is connected to the film carrier tape according to this embodiment.
半導体チップ2aはデバイスホール3aの中央部に配置さ
れる。この半導体チップ2aの上面に形成されている電極
端子上にはバンプ7aが設けられており、このバンプ7aが
リード4aとインナーリードボンディングされる。そし
て、半導体チップ2aの上面は、例えば樹脂9aにより封止
される。The semiconductor chip 2a is arranged in the center of the device hole 3a. Bumps 7a are provided on the electrode terminals formed on the upper surface of the semiconductor chip 2a, and the bumps 7a are inner lead bonded to the leads 4a. Then, the upper surface of the semiconductor chip 2a is sealed with, for example, the resin 9a.
第3図は本実施例に係るフィルムキャリアテープを使
用した半導体装置の実装方法を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a method for mounting a semiconductor device using the film carrier tape according to this embodiment.
先ず、第2のOLBホール14aのデバイスホール3aから遠
い側の縁部に沿ってリード4a及び絶縁フィルム6aを切断
する。次に、リード4bをカルビング状に成形する。即
ち、リード4aを第1及び第2のOLBホール13a,14aのデバ
イスホールに近い側の縁部で略垂直に屈曲すると共に、
リード4aの先端部を絶縁フィルム6aに対して平行になる
ように屈曲する。その後、必要に応じて、第3図に示す
ように半導体チップ2aの上面を樹脂9aで封止する。First, the lead 4a and the insulating film 6a are cut along the edge of the second OLB hole 14a on the side far from the device hole 3a. Next, the lead 4b is molded into a culving shape. That is, the lead 4a is bent substantially vertically at the edges of the first and second OLB holes 13a, 14a on the side close to the device hole, and
The tip of the lead 4a is bent so as to be parallel to the insulating film 6a. Then, if necessary, the upper surface of the semiconductor chip 2a is sealed with a resin 9a as shown in FIG.
次いで、ボンディングパッド12aを有するプリント基
板11a上の所定位置に接着材10aにより半導体チップ2aを
接着する。そして、各リード4aを一括してアウターリー
ドボンディングする。Next, the semiconductor chip 2a is bonded to a predetermined position on the printed board 11a having the bonding pad 12a by the adhesive 10a. Then, the leads 4a are collectively outer lead bonded.
本実施例においては、複数本のリード4aが第1のOLB
ホール13a及び第2のOLBホール14aに分散されて配置さ
れているため、アウターリード側のリード4a先端の間隔
を従来に比して拡大することができる。このため、半導
体装置の実装時に、半田ブリッジ等の不都合が発生する
ことを回避できる。従って、半導体装置の大きさの制約
が解消されるため、半導体装置を小型化することができ
る。In this embodiment, the plurality of leads 4a is the first OLB.
Since the holes 13a and the second OLB holes 14a are arranged so as to be dispersed, the distance between the tips of the leads 4a on the outer lead side can be increased as compared with the conventional case. Therefore, it is possible to avoid the occurrence of inconvenience such as a solder bridge when mounting the semiconductor device. Therefore, the restriction on the size of the semiconductor device is eliminated, so that the semiconductor device can be downsized.
第4図は本願の第2発明の実施例に係るフィルムキャ
リアテープを示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a film carrier tape according to an embodiment of the second invention of the present application.
本実施例の絶縁フィルム6bも、従来と同様に、その長
手方向の縁部にスプロケットホール1bが規則的に配列さ
れており、幅方向の中央部に穿設された矩形のデバイス
ホール3bが設けられている。Also in the insulating film 6b of the present embodiment, as in the conventional case, the sprocket holes 1b are regularly arranged at the edges in the longitudinal direction, and the rectangular device holes 3b provided in the center portion in the width direction are provided. Has been.
このデバイスホール3bと周囲にはOLBホール13bがデバ
イスホール3bの1辺に対して2個ずつ設けられている。
このOLBホール13bの形状は1斜辺を有する台形であり、
従来のフィルムキャリアテープのOLBホールを2分割し
た形状である。絶縁フィルム6b上に形成されたリード4b
の一方の端部は、デバイスホール3bの内側に導出してい
る。そして、デバイスホール3bの角部側に配置されたリ
ード4bはOLBホール13bのデバイスホール3bに近い側の縁
部に設けられた電気選別パッド5bに接続されており、こ
の電気選別パッド5bからOLBホール13b内に導出してい
る。また、残りのリード4bは、OLBホール13b間に配線さ
れていて、OLBホール13bのデバイスホール3bから遠い側
の縁部に設けられた電気選別パッド5bに接続されてお
り、この電気選別パッド5bからOLBホール13b内に導出し
ている。これらのリード4bは、OLBホール13b内において
千鳥状に配列されている。従って、各リード4bの先端は
比較的離れている。Two OLB holes 13b are provided around this device hole 3b for each side of the device hole 3b.
The shape of this OLB hole 13b is a trapezoid with one hypotenuse,
It is a shape obtained by dividing the OLB hole of a conventional film carrier tape in two. Lead 4b formed on insulating film 6b
One of the ends is led out to the inside of the device hole 3b. Then, the leads 4b arranged on the corner side of the device hole 3b are connected to the electric selection pad 5b provided on the edge of the OLB hole 13b on the side closer to the device hole 3b. It leads out into the hole 13b. Further, the remaining leads 4b are wired between the OLB holes 13b and are connected to the electric selection pad 5b provided on the edge of the OLB hole 13b far from the device hole 3b. It has been led into the OLB hall 13b from. These leads 4b are arranged in a staggered manner in the OLB hole 13b. Therefore, the tips of the leads 4b are relatively distant from each other.
第5図は本実施例に係るフィルムキャリアテープに半
導体チップを接続した状態を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a state in which a semiconductor chip is connected to the film carrier tape according to this embodiment.
本実施例においては、半導体チップ2bをデバイスホー
ル3bの中央部に配置し、半導体チップ2bのバンプ7bとリ
ード4bとをインナーリードボンディングする。その後、
半導体チップ2bの上面を樹脂9bにより封止する。In this embodiment, the semiconductor chip 2b is arranged in the center of the device hole 3b, and the bump 7b and the lead 4b of the semiconductor chip 2b are inner lead bonded. afterwards,
The upper surface of the semiconductor chip 2b is sealed with resin 9b.
第6図は本実施例に係るフィルムキャリアテープを使
用した半導体装置の実装方法を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a method for mounting a semiconductor device using the film carrier tape according to this embodiment.
先ず、リード4を切断しないようにして、フィルムキ
ャリアテープをOLBホール13bの外側で切断する。そし
て、リード4bを所定のカルビング状に成形する。First, the film carrier tape is cut outside the OLB hole 13b without cutting the lead 4. Then, the lead 4b is formed into a predetermined culving shape.
次に、ボンディングパッド12bが形成されたプリント
基板11b上に接着材10bにより半導体チップ2bを接着す
る。そして、リード4bを一括してOLBする。これによ
り、半導体装置の実装が完了する。Next, the semiconductor chip 2b is adhered to the printed board 11b on which the bonding pad 12b is formed by the adhesive material 10b. Then, the leads 4b are collectively OLBed. This completes the mounting of the semiconductor device.
本実施例においても、第1の実施例と同様の効果を得
ることができる。Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
[発明の効果] 以上説明したように本願の第1発明によれば、デバイ
スホールの周囲に第1及び第2のOLBホールが設けられ
ており、複数本のリードはこの第1及び第2のOLBホー
ルに分散されて配設されているから、アウターリード側
のリード先端間の間隔が従来に比して大きい。このた
め、アウターリードボンディング時のショート不良が抑
制される。また、半導体チップの大きさが実装時の制約
により制限されることが回避されるため、半導体装置が
小型化され、半導体装置の高密度実装が達成できる。[Effects of the Invention] As described above, according to the first invention of the present application, the first and second OLB holes are provided around the device hole, and the plurality of leads have the first and second OLB holes. Since they are distributed in the OLB holes, the distance between the lead tips on the outer lead side is larger than before. For this reason, short-circuit defects during outer lead bonding are suppressed. In addition, since the size of the semiconductor chip is prevented from being restricted by the restrictions at the time of mounting, the semiconductor device can be downsized, and high-density mounting of the semiconductor device can be achieved.
また、本願の第2発明によれば、リードのアウターリ
ードボンディング側先端部がOLBホールの対向する2辺
かOLBホールの内側に導出しており、この各リード先端
は千鳥状に配列されているから、リード先端間の間隔が
従来に比して大きい。このため、本願の第1発明と同様
に、アウターリードボンディング時のショート不良が抑
制されると共に、半導体装置の高密度実装が達成でき
る。According to the second invention of the present application, the outer lead bonding side tips of the leads are led out to the two opposite sides of the OLB hole or to the inside of the OLB hole, and these lead tips are arranged in a staggered pattern. Therefore, the distance between the tip ends of the leads is larger than the conventional one. Therefore, similar to the first invention of the present application, short-circuit defects during outer lead bonding can be suppressed and high-density mounting of semiconductor devices can be achieved.
第1図は本願第1発明の実施例に係るフィルムキャリア
テープを示す平面図、第2図は同じくそのフィルムキャ
リアテープに半導体チップを接続した状態を示す断面
図、第3図は同じくそのフィルムキャリアテープを使用
した半導体装置の実装方法を示す断面図、第4図は本願
第2発明の実施例に係るフィルムキャリアテープを示す
平面図、第5図は同じくそのフィルムキャリアテープに
半導体チップを接続した状態を示す断面図、第6図は同
じくそのフィルムキャリアテープを使用した半導体装置
の実装方法を示す断面図、第7図は従来のフィルムキャ
リアテープを示す平面図、第8図及び第9図は同じくそ
のフィルムキャリアテープと半導体チップとの接続方法
を示す断面図、第10図は従来のフィルムキャリアテープ
型半導体装置の実装方法を示す断面図である。 1a,1b,1c;スプロケットホール、2a,2b,2c;半導体チッ
プ,3a,3b,3c;デバイスホール、4a,4b,4c;リード、5a,5
b,5c;電気選別パッド、6a,6b,6c;絶縁フィルム、7a,7b,
7c;バンプ、8c;サスペンダ、9a,9b,9c;樹脂、10a,10b,1
0c;接着材、11a,11b,11c;プリント基板、12a,12b,12c;
ボンディングパッド、13a,13b,13c,14a;アウターリード
ボンディングホールFIG. 1 is a plan view showing a film carrier tape according to an embodiment of the first invention of the present application, FIG. 2 is a sectional view showing a state in which a semiconductor chip is connected to the film carrier tape, and FIG. FIG. 4 is a sectional view showing a method of mounting a semiconductor device using a tape, FIG. 4 is a plan view showing a film carrier tape according to an embodiment of the second invention of the present application, and FIG. 5 is a semiconductor chip connected to the film carrier tape. FIG. 6 is a sectional view showing a state, FIG. 6 is a sectional view showing a mounting method of a semiconductor device using the film carrier tape, FIG. 7 is a plan view showing a conventional film carrier tape, and FIGS. Similarly, a cross-sectional view showing the method of connecting the film carrier tape and the semiconductor chip, FIG. 10 is a conventional film carrier tape type semiconductor device mounting Law is a cross-sectional view showing a. 1a, 1b, 1c; sprocket hole, 2a, 2b, 2c; semiconductor chip, 3a, 3b, 3c; device hole, 4a, 4b, 4c; lead, 5a, 5
b, 5c; electric sorting pad, 6a, 6b, 6c; insulating film, 7a, 7b,
7c; bump, 8c; suspender, 9a, 9b, 9c; resin, 10a, 10b, 1
0c; adhesive, 11a, 11b, 11c; printed circuit board, 12a, 12b, 12c;
Bonding pad, 13a, 13b, 13c, 14a; Outer lead bonding hole
Claims (2)
られた矩形のデバイスホールと、このデバイスホールの
周囲に前記デバイスホールの1辺に対して2個以上設け
られた第1のアウターリードボンディングホールと、こ
の第1のアウターリードボンディングホールの外側の領
域に穿設された第2のアウターリードボンディングホー
ルと、前記絶縁フィルム上に形成されその一端が前記デ
バイスホールの内側に導出されており他端が前記第1の
アウターリードボンディングホール及び第2のアウター
リードボンディングホールのいずれか一方の上を選択的
に横断している複数本のリードとを有することを特徴と
するフィルムキャリアテープ。1. An insulating film, a rectangular device hole provided in the insulating film, and a first outer lead bonding hole provided around the device hole in two or more per side of the device hole. And a second outer lead bonding hole formed in a region outside the first outer lead bonding hole, and one end of the second outer lead bonding hole formed on the insulating film and led out to the inside of the device hole and the other end. A plurality of leads selectively traversing over either one of the first outer lead bonding hole and the second outer lead bonding hole.
られた矩形のデバイスホールと、このデバイスホールの
周囲に前記デバイスホールの1辺に対して2個以上設け
られたアウターリードボンディングホールと、前記絶縁
フィルム上に形成されその一端が前記デバイスホールの
内側に導出されており他端が前記アウターリードボンデ
ィングホールのデバイスホールに近い側の辺及びこの辺
に対向する辺から前記アウターリードボンディングホー
ルの内側に導出された複数本のリードとを有し、前記リ
ードの他端は前記アウターリードボンディングホールに
おいて千鳥状に配列されていることを特徴とするフィル
ムキャリアテープ。2. An insulating film, a rectangular device hole provided in the insulating film, two or more outer lead bonding holes provided around the device hole for one side of the device hole, Formed on an insulating film, one end of which is led out to the inside of the device hole, and the other end of which is from the side of the outer lead bonding hole close to the device hole and the side opposite to this side to the inside of the outer lead bonding hole. A film carrier tape having a plurality of leads led out, the other ends of the leads being arranged in a zigzag manner in the outer lead bonding holes.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4632890A JPH0831500B2 (en) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | Film carrier tape |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4632890A JPH0831500B2 (en) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | Film carrier tape |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248543A JPH03248543A (en) | 1991-11-06 |
| JPH0831500B2 true JPH0831500B2 (en) | 1996-03-27 |
Family
ID=12744081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4632890A Expired - Lifetime JPH0831500B2 (en) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | Film carrier tape |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831500B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2669756B2 (en) * | 1992-05-12 | 1997-10-29 | 明 北原 | Surface mount components and semi-finished products |
| JP2775557B2 (en) * | 1992-09-12 | 1998-07-16 | 株式会社ピーエフユー | Tape carrier package |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP4632890A patent/JPH0831500B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03248543A (en) | 1991-11-06 |
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