JPH084050B2 - 磁界発生回路 - Google Patents
磁界発生回路Info
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- JPH084050B2 JPH084050B2 JP15170084A JP15170084A JPH084050B2 JP H084050 B2 JPH084050 B2 JP H084050B2 JP 15170084 A JP15170084 A JP 15170084A JP 15170084 A JP15170084 A JP 15170084A JP H084050 B2 JPH084050 B2 JP H084050B2
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- voltage power
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Links
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- 230000005279 excitation period Effects 0.000 description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M11/00—Power conversion systems not covered by the preceding groups
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、例えばイオンビームや電子ビームの偏向
または加速、あるいは核磁気共鳴CT（コンピュータトモ
グラフィ）の走査を目的として、例えば核磁気共鳴CTの
傾斜磁界コイル等の磁界発生用コイルを励磁して例えば
台形状に変化する磁界を発生させる磁界発生回路に関す
るものである。
または加速、あるいは核磁気共鳴CT（コンピュータトモ
グラフィ）の走査を目的として、例えば核磁気共鳴CTの
傾斜磁界コイル等の磁界発生用コイルを励磁して例えば
台形状に変化する磁界を発生させる磁界発生回路に関す
るものである。
上記のような台形状に変化する磁界の発生パターンを
作成するには、磁界発生用コイルに台形状に変化する励
磁電流を供給することが必要である。このような台形状
の励磁電流を磁界発生用コイルに流すには、励磁電流の
最初の立ち上がりの部分で高圧電源から磁界発生用コイ
ルに高電圧を加えることが必要であるのみで、後は低圧
電源からの低電圧を磁界発生用コイルに加えるだけでよ
い。
作成するには、磁界発生用コイルに台形状に変化する励
磁電流を供給することが必要である。このような台形状
の励磁電流を磁界発生用コイルに流すには、励磁電流の
最初の立ち上がりの部分で高圧電源から磁界発生用コイ
ルに高電圧を加えることが必要であるのみで、後は低圧
電源からの低電圧を磁界発生用コイルに加えるだけでよ
い。
従来例の構成とその問題点 従来のこの種の磁界発生回路は、第３図に示すよう
に、指令信号源１の出力電圧と電流検出抵抗器10の電圧
との差を比較器２で取り出して制御用増幅器３に加え、
この制御用増幅器３の出力を制御用トランジスタ５に加
え、スイッチング信号源13の出力をスイッチ用トランジ
スタ４に加えるようにしている。また、高圧電源８の負
極と低圧電源９の正極とを接続し、高圧電源８と低圧電
源９の接続点にダイオード７のアノードを接続し、高圧
電源８の正極とダイオード７のカソードの間にスイッチ
用トランジスタ４を接続し、ダイオード７のカソードと
低圧電源９の負極との間に制御用トランジスタ5,磁界発
生用コイル６および電流検出抵抗器10の直列回路を接続
している。
に、指令信号源１の出力電圧と電流検出抵抗器10の電圧
との差を比較器２で取り出して制御用増幅器３に加え、
この制御用増幅器３の出力を制御用トランジスタ５に加
え、スイッチング信号源13の出力をスイッチ用トランジ
スタ４に加えるようにしている。また、高圧電源８の負
極と低圧電源９の正極とを接続し、高圧電源８と低圧電
源９の接続点にダイオード７のアノードを接続し、高圧
電源８の正極とダイオード７のカソードの間にスイッチ
用トランジスタ４を接続し、ダイオード７のカソードと
低圧電源９の負極との間に制御用トランジスタ5,磁界発
生用コイル６および電流検出抵抗器10の直列回路を接続
している。
つぎに、この回路の動作を第４図により説明する。指
令信号源１より第４図（Ａ）に示すように一定勾配で立
上り（急速励磁期間T1）、所定時間一定状態（フラット
トップ期間T2）を保持し、その後一定勾配で立下がる
（急速消磁期間T3）指令信号を与えると、比較器2,制御
用増幅器3,制御用トランジスタ５および電流検出抵抗器
10による負帰還の作用によって磁界発生用コイル６には
指令信号と相似な波形の第４図（Ｂ）に示すようなコイ
ル励磁電流Ｉが流れる。
令信号源１より第４図（Ａ）に示すように一定勾配で立
上り（急速励磁期間T1）、所定時間一定状態（フラット
トップ期間T2）を保持し、その後一定勾配で立下がる
（急速消磁期間T3）指令信号を与えると、比較器2,制御
用増幅器3,制御用トランジスタ５および電流検出抵抗器
10による負帰還の作用によって磁界発生用コイル６には
指令信号と相似な波形の第４図（Ｂ）に示すようなコイ
ル励磁電流Ｉが流れる。
より詳しく説明する。この回路は、指令信号源１より
第４図（Ａ）の指令信号を与え、かつスイッチング信号
源13より第４図（Ｆ）のドライブ信号を与えるようにな
っている。
第４図（Ａ）の指令信号を与え、かつスイッチング信号
源13より第４図（Ｆ）のドライブ信号を与えるようにな
っている。
時刻t0以前は指令信号およびドライブ信号がともに零
レベルであるため、スイッチ用トランジスタ４および制
御用トランジスタ５がともにオフであり、したがってコ
イル励磁電流Ｉ（第４図（Ｂ））は零であり、磁界発生
用コイル６の電圧V0（第４図（Ｃ））も零であり、制御
用トランジスタ５の電圧VCEは低圧電源９の電圧VLとな
っている。
レベルであるため、スイッチ用トランジスタ４および制
御用トランジスタ５がともにオフであり、したがってコ
イル励磁電流Ｉ（第４図（Ｂ））は零であり、磁界発生
用コイル６の電圧V0（第４図（Ｃ））も零であり、制御
用トランジスタ５の電圧VCEは低圧電源９の電圧VLとな
っている。
時刻t0以後の急速励磁期間T1は、ドライブ信号が高レ
ベルとなり、指令信号が立上ると、スイッチ用トランジ
スタ４がオンとなり、ダイオード７には逆電圧がかかっ
て遮断状態となり、高圧電源８の電圧VHと低圧電源９の
電圧VLを加算したものが制御用トランジスタ5,磁界発生
用コイル６および電流検出抵抗器10の直列回路に印加さ
れ、この電圧VH＋VLによって磁界発生用コイルに流れる
コイル励磁電流Ｉ（第４図（Ｂ））が指令信号（第４図
（Ａ））と同じ勾配で立上がるように制御用トランジス
タ５のインピーダンスが減少制御される。急速励磁期間
T1中高圧電源８および低圧電源９の電圧VH＋VLを加える
のは、急速励磁期間中は磁界発生用コイルのインピーダ
ンスが高く、低圧電源９の電圧VLのみでは電流制御を行
えないためであり、この期間は電圧VH＋VLの大部分が磁
界発生用コイル６に加わる。
ベルとなり、指令信号が立上ると、スイッチ用トランジ
スタ４がオンとなり、ダイオード７には逆電圧がかかっ
て遮断状態となり、高圧電源８の電圧VHと低圧電源９の
電圧VLを加算したものが制御用トランジスタ5,磁界発生
用コイル６および電流検出抵抗器10の直列回路に印加さ
れ、この電圧VH＋VLによって磁界発生用コイルに流れる
コイル励磁電流Ｉ（第４図（Ｂ））が指令信号（第４図
（Ａ））と同じ勾配で立上がるように制御用トランジス
タ５のインピーダンスが減少制御される。急速励磁期間
T1中高圧電源８および低圧電源９の電圧VH＋VLを加える
のは、急速励磁期間中は磁界発生用コイルのインピーダ
ンスが高く、低圧電源９の電圧VLのみでは電流制御を行
えないためであり、この期間は電圧VH＋VLの大部分が磁
界発生用コイル６に加わる。
磁界発生用コイル６の電圧V0（第４図（Ｃ））は、時
刻t0で上昇し、その後時刻t1まで徐々にさらに上昇する
ことになる。一方、制御用トランジスタ５の電圧V
CE（第４図（Ｄ））は、このときにVH＋VLからV0を差引
いたものが現われる。
刻t0で上昇し、その後時刻t1まで徐々にさらに上昇する
ことになる。一方、制御用トランジスタ５の電圧V
CE（第４図（Ｄ））は、このときにVH＋VLからV0を差引
いたものが現われる。
そして、時刻t1以後のフラットトップ期間T2で指令信
号が一定レベルなり、ドライブ信号がオフになると、ス
イッチ用トランジスタ４がオフとなり、制御用トランジ
スタ5,磁界発生用コイル６および電流検出抵抗器10の直
列回路には低圧電源９の電圧VLのみが印加され、この電
圧VLによって磁界発生用コイル６に流れるコイル励磁電
流Ｉが指令信号のレベルに対応するように制御用トラン
ジスタ５のインピーダンスが制御される。このフラット
トップ期間は低圧電源９の電圧VLのみで電流制御できる
のは、電流が一定となると磁界発生用コイル６のインピ
ーダンスが抵抗分のみとなるためであり、電圧VLの大部
分が制御用トランジスタ５にかかる。
号が一定レベルなり、ドライブ信号がオフになると、ス
イッチ用トランジスタ４がオフとなり、制御用トランジ
スタ5,磁界発生用コイル６および電流検出抵抗器10の直
列回路には低圧電源９の電圧VLのみが印加され、この電
圧VLによって磁界発生用コイル６に流れるコイル励磁電
流Ｉが指令信号のレベルに対応するように制御用トラン
ジスタ５のインピーダンスが制御される。このフラット
トップ期間は低圧電源９の電圧VLのみで電流制御できる
のは、電流が一定となると磁界発生用コイル６のインピ
ーダンスが抵抗分のみとなるためであり、電圧VLの大部
分が制御用トランジスタ５にかかる。
磁界発生用コイル６の電圧V0は、時刻t1で急降下し、
その後時刻t2まで一定値を保持する。一方、制御用トラ
ンジスタ５の電圧VCEは電圧VLから電圧V0を差引いたも
のとなる。
その後時刻t2まで一定値を保持する。一方、制御用トラ
ンジスタ５の電圧VCEは電圧VLから電圧V0を差引いたも
のとなる。
さらに、時刻t2以後の急速消磁期間T3で、指令信号が
立下がると、コイル励磁電流も減少し、磁界発生用コイ
ル６に電圧が誘起し、電圧VLと磁界発生用コイル６の起
電圧により磁界発生用コイル６に流れるコイル励磁電流
Ｉが指令信号と同勾配で減少するように制御用トランジ
スタ５のインピーダンスが増加制御される。
立下がると、コイル励磁電流も減少し、磁界発生用コイ
ル６に電圧が誘起し、電圧VLと磁界発生用コイル６の起
電圧により磁界発生用コイル６に流れるコイル励磁電流
Ｉが指令信号と同勾配で減少するように制御用トランジ
スタ５のインピーダンスが増加制御される。
電圧V0は、時刻t2で急激に負値になって時刻t3まで負
方向に増加をつづけ、時刻t3で零になる。電圧VCEは時
刻t2で正の方向に急上昇して時刻t3まで増加をつづけ、
時刻t3でVLとなる。
方向に増加をつづけ、時刻t3で零になる。電圧VCEは時
刻t2で正の方向に急上昇して時刻t3まで増加をつづけ、
時刻t3でVLとなる。
第４図（Ｅ）は上記動作中における制御用トランジス
タの損失を示している。
タの損失を示している。
このような従来の磁界発生回路は、高圧電源８の断続
を切替えるスイッチ用トランジスタ４が必要であり、こ
のスイッチ用トランジスタ４は制御用トランジスタ５と
同一の耐圧および同一の電流容量を必要とするので電力
制御部の容量が大となり、さらにスイッチング信号源13
も必要となってコスト高になり、大形化し、さらに重く
なるという欠点があった。
を切替えるスイッチ用トランジスタ４が必要であり、こ
のスイッチ用トランジスタ４は制御用トランジスタ５と
同一の耐圧および同一の電流容量を必要とするので電力
制御部の容量が大となり、さらにスイッチング信号源13
も必要となってコスト高になり、大形化し、さらに重く
なるという欠点があった。
具体的に説明すると、上記のスイッチ用トランジスタ
４は、高い絶縁能力（高耐圧）を有しながら定格電流を
扱う必要があり、耐圧および電流容量の都合で、単一の
トランジスタでは構成できず、多数個を直列並列に接続
する必要があって全体として大型化し、また放熱の面で
も大型化し、さらにコスト高となる。
４は、高い絶縁能力（高耐圧）を有しながら定格電流を
扱う必要があり、耐圧および電流容量の都合で、単一の
トランジスタでは構成できず、多数個を直列並列に接続
する必要があって全体として大型化し、また放熱の面で
も大型化し、さらにコスト高となる。
発明の目的 この発明は、コストダウンおよび小形軽量化を達成す
ることができる磁界発生回路を提供することを目的とす
る。
ることができる磁界発生回路を提供することを目的とす
る。
発明の構成 この発明の磁界発生回路は、同極性に直列接続された
高圧電源および低圧電源と、この高圧電源および低圧電
源の接続点に前記低圧電源に対して順極性となるように
一端を接続したダイオードと、前記高圧電源および低圧
電源の直列回路の高圧電源側端と前記ダイオードの他端
との間に接続した高抵抗値の抵抗器と、前記ダイオード
の他端と前記高圧電源および低圧電源の直列回路の低圧
電源側端との間に接続した制御用トランジスタ，磁界発
生用コイルおよび電流検出抵抗器の直列回路と、所定の
波形をもった指令信号を発生する指令信号源と、この指
令信号源の出力と前記電流検出抵抗器の電圧との差を取
り出し前記制御用トランジスタにベース信号として供給
する比較器と、前記ダイオードの他端と前記高圧電源お
よび低圧電源の直列回路の低圧電源側端との間に接続し
たコンデンサとを備えることを特徴とする。
高圧電源および低圧電源と、この高圧電源および低圧電
源の接続点に前記低圧電源に対して順極性となるように
一端を接続したダイオードと、前記高圧電源および低圧
電源の直列回路の高圧電源側端と前記ダイオードの他端
との間に接続した高抵抗値の抵抗器と、前記ダイオード
の他端と前記高圧電源および低圧電源の直列回路の低圧
電源側端との間に接続した制御用トランジスタ，磁界発
生用コイルおよび電流検出抵抗器の直列回路と、所定の
波形をもった指令信号を発生する指令信号源と、この指
令信号源の出力と前記電流検出抵抗器の電圧との差を取
り出し前記制御用トランジスタにベース信号として供給
する比較器と、前記ダイオードの他端と前記高圧電源お
よび低圧電源の直列回路の低圧電源側端との間に接続し
たコンデンサとを備えることを特徴とする。
この構成により、コンデンサと抵抗器を付加するだけ
で従来のスイッチ用トランジスタおよびその駆動用のス
イッチング信号源を省くことができ、従来のスイッチ用
トランジスタおよびその駆動用のスイッチング信号源の
代わりに付加するコンデンサおよび抵抗器は、安価で放
熱および耐圧上有利で、大容量のものが得やすいので個
数的にも少なくてすみ、コストダウンおよび小形軽量化
を達成することができる。
で従来のスイッチ用トランジスタおよびその駆動用のス
イッチング信号源を省くことができ、従来のスイッチ用
トランジスタおよびその駆動用のスイッチング信号源の
代わりに付加するコンデンサおよび抵抗器は、安価で放
熱および耐圧上有利で、大容量のものが得やすいので個
数的にも少なくてすみ、コストダウンおよび小形軽量化
を達成することができる。
実施例の説明 この発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて
説明する。この磁界発生回路は、第１図に示すように、
指令信号源１の出力と電流検出抵抗器10の電圧との差を
比較器２で取り出して制御用増幅器３に加え、この制御
用増幅器３の出力を制御用トランジスタ５に加えるよう
にしている。また、高圧電源８の負極と低圧電源９の負
極とを接続し、高圧電源８と低圧電源９の接続点にダイ
オード７のアノードを接続し、高圧電源８の正極とダイ
オード７のカソードとの間に高い抵抗値を有する抵抗器
12を接続し、ダイオード７のカソードと低圧電源９の負
極との間に制御用トランジスタ５と磁界発生用コイル６
と電流検出抵抗器10の直列回路を接続し、ダイオード７
のカソードと低圧電源９の負極との間にコンデンサ11を
接続している。
説明する。この磁界発生回路は、第１図に示すように、
指令信号源１の出力と電流検出抵抗器10の電圧との差を
比較器２で取り出して制御用増幅器３に加え、この制御
用増幅器３の出力を制御用トランジスタ５に加えるよう
にしている。また、高圧電源８の負極と低圧電源９の負
極とを接続し、高圧電源８と低圧電源９の接続点にダイ
オード７のアノードを接続し、高圧電源８の正極とダイ
オード７のカソードとの間に高い抵抗値を有する抵抗器
12を接続し、ダイオード７のカソードと低圧電源９の負
極との間に制御用トランジスタ５と磁界発生用コイル６
と電流検出抵抗器10の直列回路を接続し、ダイオード７
のカソードと低圧電源９の負極との間にコンデンサ11を
接続している。
つぎに、この回路の動作を第２図により説明する。指
令信号源１より第２図（Ａ）に示すように一定勾配で立
上り（急速励磁期間T1）、所定時間一定状態を（フラッ
トトップ期間T2）を保持し、その後一定勾配で立下がる
（急速消磁期間T3）指令信号を与えると、比較器2,制御
用増幅器3,制御用トランジスタ５および電流検出抵抗器
10による負帰還の作用によって磁界発生用コイル６には
指令信号と相似な波形の第２図（Ｂ）に示すようなコイ
ル励磁電流Ｉが流れる。
令信号源１より第２図（Ａ）に示すように一定勾配で立
上り（急速励磁期間T1）、所定時間一定状態を（フラッ
トトップ期間T2）を保持し、その後一定勾配で立下がる
（急速消磁期間T3）指令信号を与えると、比較器2,制御
用増幅器3,制御用トランジスタ５および電流検出抵抗器
10による負帰還の作用によって磁界発生用コイル６には
指令信号と相似な波形の第２図（Ｂ）に示すようなコイ
ル励磁電流Ｉが流れる。
より詳しく説明する。この回路は、指令信号源１より
第２図（Ａ）の指令信号を与えることにより、負帰還作
用により指令信号と相似な波形の第２図（Ｂ）のコイル
励磁電流Ｉを流すのであるが、時刻t0以前は指令信号は
零レベルであり、制御用トランジスタ５はオフである。
したがってコイル励磁電流Ｉ（第２図（Ｂ））が零であ
り、磁界発生用コイル６の電圧V0（第２図（Ｃ））が
零、コンデンサ12の電圧VC（第２図（Ｃ））がVH＋VLに
充電され、制御用トランジスタ５の電圧VCE（第２図
（Ｄ））がVCと同じになっている。
第２図（Ａ）の指令信号を与えることにより、負帰還作
用により指令信号と相似な波形の第２図（Ｂ）のコイル
励磁電流Ｉを流すのであるが、時刻t0以前は指令信号は
零レベルであり、制御用トランジスタ５はオフである。
したがってコイル励磁電流Ｉ（第２図（Ｂ））が零であ
り、磁界発生用コイル６の電圧V0（第２図（Ｃ））が
零、コンデンサ12の電圧VC（第２図（Ｃ））がVH＋VLに
充電され、制御用トランジスタ５の電圧VCE（第２図
（Ｄ））がVCと同じになっている。
時刻t0以後の急速励磁期間T1では、指令信号が立上
り、コンデンサ11の電圧VCが制御用トランジスタ5,磁界
発生用コイル６および電流検出抵抗器10の直列回路に印
加され、この電圧VCによって磁界発生用コイル６に流れ
るコイル励磁電流Ｉが指令信号と同じ勾配で立上がるよ
うに制御用トランジスタのインピーダンスが制御され
る。
り、コンデンサ11の電圧VCが制御用トランジスタ5,磁界
発生用コイル６および電流検出抵抗器10の直列回路に印
加され、この電圧VCによって磁界発生用コイル６に流れ
るコイル励磁電流Ｉが指令信号と同じ勾配で立上がるよ
うに制御用トランジスタのインピーダンスが制御され
る。
このとき、コンデンサ11の電圧VCは電荷の放電ととも
に降下し、磁界発生用コイル６の電圧V0は時刻t0で急上
昇して時刻t1まで徐々に増加する。このとき、制御用ト
ランジスタ５の電圧VCEとしてはVC−V0が現われ、電圧V
Cの大部分が磁界発生用コイル６に加わる。
に降下し、磁界発生用コイル６の電圧V0は時刻t0で急上
昇して時刻t1まで徐々に増加する。このとき、制御用ト
ランジスタ５の電圧VCEとしてはVC−V0が現われ、電圧V
Cの大部分が磁界発生用コイル６に加わる。
時刻t1以後のフラットトップ期間T2では、指令信号が
一定レベルになり、コイル励磁電流Ｉも一定になるよう
に制御用トランジスタ５のインピーダンスが制御され
る。この場合、磁界発生用コイル６の電圧V0は抵抗分に
よって決まる分のみとなり、大部分は制御用トランジス
タ５が負担することになる。また、コンデンサ11の電圧
VCはフラットトップとなった後も降下をつづけ、その後
一定となる。電圧VCが高い間は電流Ｉはコンデンサ11か
ら流れるが電圧VCが低くなると、低圧電源９からダイオ
ード７を通して自動的に流れるようになる。また、高圧
電源８からは抵抗器12で制限されるため、微少電流が流
れ込むのみである。一方、電圧V0は時刻t1で急降下して
その後時刻t2まで一定値となる。電圧VCEはVC−V0であ
る。
一定レベルになり、コイル励磁電流Ｉも一定になるよう
に制御用トランジスタ５のインピーダンスが制御され
る。この場合、磁界発生用コイル６の電圧V0は抵抗分に
よって決まる分のみとなり、大部分は制御用トランジス
タ５が負担することになる。また、コンデンサ11の電圧
VCはフラットトップとなった後も降下をつづけ、その後
一定となる。電圧VCが高い間は電流Ｉはコンデンサ11か
ら流れるが電圧VCが低くなると、低圧電源９からダイオ
ード７を通して自動的に流れるようになる。また、高圧
電源８からは抵抗器12で制限されるため、微少電流が流
れ込むのみである。一方、電圧V0は時刻t1で急降下して
その後時刻t2まで一定値となる。電圧VCEはVC−V0であ
る。
さらに、時刻t2以後の急速消磁期間T3では、指令信号
が立下がると、コイル励磁電流も減少し、磁界発生用コ
イル６に電圧誘起し、電圧VLと磁界発生用コイル６の起
電圧により磁界発生用コイル６に流れるコイル励磁電流
Ｉが指令信号と同勾配で減少するように制御用トランジ
スタ５のインピーダンスが制御される。
が立下がると、コイル励磁電流も減少し、磁界発生用コ
イル６に電圧誘起し、電圧VLと磁界発生用コイル６の起
電圧により磁界発生用コイル６に流れるコイル励磁電流
Ｉが指令信号と同勾配で減少するように制御用トランジ
スタ５のインピーダンスが制御される。
電圧VCは、時刻t2以後上昇をつづけ、電圧V0は、時刻
t2で急激に負値になって時刻t3まで増加をつづけ、時刻
t3で零になる。電圧VCEは時刻t2で正の方向に急上昇し
て時刻t3まで増加をつづけ、時刻t3でVCとなる。
t2で急激に負値になって時刻t3まで増加をつづけ、時刻
t3で零になる。電圧VCEは時刻t2で正の方向に急上昇し
て時刻t3まで増加をつづけ、時刻t3でVCとなる。
第２図（Ｅ）は上記動作を行ったときの制御用トラン
ジスタ５の損失を示している。
ジスタ５の損失を示している。
なお、コンデンサ11は、急速励磁期間T1中磁界発生用
コイル６に十分電流を供給できる容量に設定する必要が
ある。
コイル６に十分電流を供給できる容量に設定する必要が
ある。
このように、この実施例は、急速励磁のための高電圧
を、充電したコンデンサ11によって与えるようにしてい
るため、急速励磁の期間のみ高電圧が印加されるだけで
あり、フラットトップの状態では高圧電源８からは抵抗
器12を通して微少電流が流れるだけであって、高圧電源
８を従来例のように遮断するスイッチ用トランジスタは
不要となり、コストダウンおよび小形軽量化を達成する
ことができる。ただし、制御用トランジスタ５の損失は
多少増加する。
を、充電したコンデンサ11によって与えるようにしてい
るため、急速励磁の期間のみ高電圧が印加されるだけで
あり、フラットトップの状態では高圧電源８からは抵抗
器12を通して微少電流が流れるだけであって、高圧電源
８を従来例のように遮断するスイッチ用トランジスタは
不要となり、コストダウンおよび小形軽量化を達成する
ことができる。ただし、制御用トランジスタ５の損失は
多少増加する。
この実施例の磁界発生回路によれば、コンデンサ11と
抵抗器12を付加するだけで従来のスイッチ用トランジス
タおよびその駆動用のスイッチング信号源を省くことが
でき、従来のスイッチ用トランジスタおよびその駆動用
のスイッチング信号源の代わりに付加するコンデンサ11
および抵抗器12は、安価で放熱および耐圧上有利であ
り、個数的にも少なくてすみ、コストダウンおよび小形
軽量化を達成することができる。
抵抗器12を付加するだけで従来のスイッチ用トランジス
タおよびその駆動用のスイッチング信号源を省くことが
でき、従来のスイッチ用トランジスタおよびその駆動用
のスイッチング信号源の代わりに付加するコンデンサ11
および抵抗器12は、安価で放熱および耐圧上有利であ
り、個数的にも少なくてすみ、コストダウンおよび小形
軽量化を達成することができる。
発明の効果 この発明の磁界発生回路によれば、コンデンサと抵抗
器を付加するだけで従来のスイッチ用トランジスタおよ
びその駆動用のスイッチング信号源を省くことができ、
従来のスイッチ用トランジスタおよびその駆動用のスイ
ッチング信号源の代わりに付加するコンデンサおよび抵
抗器は、安価で放熱および耐圧上有利であり、個数的に
も少なくてすみ、コストダウンおよび小形軽量化を達成
することができる。
器を付加するだけで従来のスイッチ用トランジスタおよ
びその駆動用のスイッチング信号源を省くことができ、
従来のスイッチ用トランジスタおよびその駆動用のスイ
ッチング信号源の代わりに付加するコンデンサおよび抵
抗器は、安価で放熱および耐圧上有利であり、個数的に
も少なくてすみ、コストダウンおよび小形軽量化を達成
することができる。
第１図はこの発明の一実施例の回路図、第２図はその各
部の波形図、第３図は従来例の回路図、第４図はその各
部の波形図である。 ５……制御用トランジスタ、６……磁界発生用コイル、
７……ダイオード、８……高圧電源、９……低圧電源、
11……コンデンサ、12……抵抗器
部の波形図、第３図は従来例の回路図、第４図はその各
部の波形図である。 ５……制御用トランジスタ、６……磁界発生用コイル、
７……ダイオード、８……高圧電源、９……低圧電源、
11……コンデンサ、12……抵抗器
Claims (2)
- 【請求項１】同極性に直列接続された高圧電源および低
圧電源と、この高圧電源および低圧電源の接続点に前記
低圧電源に対して順極性となるように一端を接続したダ
イオードと、前記高圧電源および低圧電源の直列回路の
高圧電源側端と前記ダイオードの他端との間に接続した
高抵抗値の抵抗器と、前記ダイオードの他端と前記高圧
電源および低圧電源の直列回路の低圧電源側端との間に
接続した制御用トランジスタ，磁界発生用コイルおよび
電流検出抵抗器の直列回路と、所定の波形をもった指令
信号を発生する指令信号源と、この指令信号源の出力と
前記電流検出抵抗器の電圧との差を取り出し前記制御用
トランジスタにベース信号として供給する比較器と、前
記ダイオードの他端と前記高圧電源および低圧電源の直
列回路の低圧電源側端との間に接続したコンデンサとを
備えた磁界発生回路。 - 【請求項２】指令信号の波形が台形波である特許請求の
範囲第（１）項記載の磁界発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15170084A JPH084050B2 (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 磁界発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15170084A JPH084050B2 (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 磁界発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130971A JPS6130971A (ja) | 1986-02-13 |
| JPH084050B2 true JPH084050B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=15524349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15170084A Expired - Lifetime JPH084050B2 (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 磁界発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084050B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113770391B (zh) * | 2021-09-27 | 2025-02-07 | 华南理工大学 | 一种基于激光选区熔化的合金增材制造控制系统及方法 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP15170084A patent/JPH084050B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6130971A (ja) | 1986-02-13 |
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