JPH085708B2 - 酸化物系セラミックス - Google Patents
酸化物系セラミックスInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はMg,Ti,酸素(O)から成る新規な酸化物系セ
ラミックスに関し、更に詳しくは、N型半導体特性を備
えており、水蒸気,一酸化炭素,水素,アンモニア,四
塩化炭素,硫化水素などのガス成分に対する感知機能を
有しているため各種センサーへの適用が可能であり、ま
た、液体窒素温度(−195.8℃)から500℃の温度域にお
いて熱起電力を利用する熱電発電機能特性を備えている
酸化物系セラミックスに関する。
ラミックスに関し、更に詳しくは、N型半導体特性を備
えており、水蒸気,一酸化炭素,水素,アンモニア,四
塩化炭素,硫化水素などのガス成分に対する感知機能を
有しているため各種センサーへの適用が可能であり、ま
た、液体窒素温度(−195.8℃)から500℃の温度域にお
いて熱起電力を利用する熱電発電機能特性を備えている
酸化物系セラミックスに関する。
(従来の技術) SnO2,ZnO,Fe2O3のような金属酸化物はN型半導体特性
を備えており、またこれに一酸化炭素,アルコールのよ
うなガスを吸着させるとその電気伝導度が変化をする。
このような性質を利用して、例えばSnO2は水素,一酸化
炭素,メタン,アルコールのような可燃性ガスの警報器
センサーとして、ZnOはプロパン,エタン,ブタンのよ
うな炭化水素化合物系ガスとくに酸化・還元ガス検知用
のセンサーに、そしてFe2O3は都市ガス用センサーに組
込む素材として実用に供されている。
を備えており、またこれに一酸化炭素,アルコールのよ
うなガスを吸着させるとその電気伝導度が変化をする。
このような性質を利用して、例えばSnO2は水素,一酸化
炭素,メタン,アルコールのような可燃性ガスの警報器
センサーとして、ZnOはプロパン,エタン,ブタンのよ
うな炭化水素化合物系ガスとくに酸化・還元ガス検知用
のセンサーに、そしてFe2O3は都市ガス用センサーに組
込む素材として実用に供されている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、現在までのところ、Ti,Mg,Oを必須成
分としていてガス感知機能を備えた酸化物系セラミック
スは知られていない。本発明は、Ti,Mg,Oから成り、N
型半導体特性を備えていてガス感知機能を有し、しかも
熱電発電機能特性をも備える新規な酸化物系セラミック
スの提供を目的とする。
分としていてガス感知機能を備えた酸化物系セラミック
スは知られていない。本発明は、Ti,Mg,Oから成り、N
型半導体特性を備えていてガス感知機能を有し、しかも
熱電発電機能特性をも備える新規な酸化物系セラミック
スの提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段・作用) 本発明の酸化物系セラミックスは、MgOに0.1〜40モル
%量のTiOx(ただし、xは0.64≦x≦1.25の関係を満足
する数を表わす)が固溶した相から成ることを特徴と
し、また他のものは、上記した相と、TiOxに多くとも30
モル%量のMgOが固溶した相とが混在して成るセラミッ
クスであることを特徴とする。
%量のTiOx(ただし、xは0.64≦x≦1.25の関係を満足
する数を表わす)が固溶した相から成ることを特徴と
し、また他のものは、上記した相と、TiOxに多くとも30
モル%量のMgOが固溶した相とが混在して成るセラミッ
クスであることを特徴とする。
本発明の酸化物系セラミックスの第1は、NaCl型結晶
構造のMgOに同じくNaCl型結晶構造の一酸化チタン(TiO
x)が固溶して成る単相のセラミックスである。ここで
xはTiに固溶されている酸素の原子モル数を表わし、こ
の値が0.64〜1.25の範囲を外れている場合には、得られ
たセラミックスはN型半導体としての特性を発現しな
い。好ましくは、0.85≦x≦1.05である。
構造のMgOに同じくNaCl型結晶構造の一酸化チタン(TiO
x)が固溶して成る単相のセラミックスである。ここで
xはTiに固溶されている酸素の原子モル数を表わし、こ
の値が0.64〜1.25の範囲を外れている場合には、得られ
たセラミックスはN型半導体としての特性を発現しな
い。好ましくは、0.85≦x≦1.05である。
またTiOxのMgOへの固溶量は0.1〜40モル%に設定され
る。この固溶量が40モル%より多い場合は、得られたセ
ラミックスはN型半導体特性を喪失して電気伝導度が導
電金属のそれに近似する値になるとともにゼーベック係
数は増加しなくなる。また0.1モル%より少ない場合
は、電気伝導度が著減して絶縁性が顕著になりN型半導
体特性が消失する。固溶量は、10〜25モル%であること
が好ましい。
る。この固溶量が40モル%より多い場合は、得られたセ
ラミックスはN型半導体特性を喪失して電気伝導度が導
電金属のそれに近似する値になるとともにゼーベック係
数は増加しなくなる。また0.1モル%より少ない場合
は、電気伝導度が著減して絶縁性が顕著になりN型半導
体特性が消失する。固溶量は、10〜25モル%であること
が好ましい。
本発明の酸化物系セラミックスの第2は、上記した単
相の外に、TiOxにMgOが多くとも30モル%固溶して成る
相が存在し、両相が混在しているセラミックスである。
相の外に、TiOxにMgOが多くとも30モル%固溶して成る
相が存在し、両相が混在しているセラミックスである。
またこの後者の相において、TiOxへのMgOの固溶量が3
0モル%よりも多い場合は、2相混合相となり電気伝導
性の劣化のような問題を生じて不都合である。好ましく
は10〜20モル%である。
0モル%よりも多い場合は、2相混合相となり電気伝導
性の劣化のような問題を生じて不都合である。好ましく
は10〜20モル%である。
この第2のセラミックスにおいて、MgOにTiOxを固溶
せしめた相と前述したTiOxにMgOを固溶せしめた相との
混在割合で、後者の混在量が50モル%を超えて多くなる
場合は、電気的絶縁性となるから好ましくない。好まし
くは前者:後者のモル比が90〜60:10〜40の場合であ
る。
せしめた相と前述したTiOxにMgOを固溶せしめた相との
混在割合で、後者の混在量が50モル%を超えて多くなる
場合は、電気的絶縁性となるから好ましくない。好まし
くは前者:後者のモル比が90〜60:10〜40の場合であ
る。
このような本発明の酸化物系セラミックスは、いずれ
も、常温から500℃の温度域における電気伝導度が1×1
0-14〜1×103Ω-1・cm-1であり、またゼーベック係数
は−50〜0μV/Kである。
も、常温から500℃の温度域における電気伝導度が1×1
0-14〜1×103Ω-1・cm-1であり、またゼーベック係数
は−50〜0μV/Kである。
本発明の酸化物系セラミックスは粉末治金法を適用し
た焼結体として製造することができるし、また、物理蒸
着法(PVD法)、化学蒸着法(CVD法),プラズマCVD法
のような真空薄膜形成法を適用して、適宜な基材の表面
に上記組成のセラミックスを薄膜として1層または複数
層を積層して製造することもできる。
た焼結体として製造することができるし、また、物理蒸
着法(PVD法)、化学蒸着法(CVD法),プラズマCVD法
のような真空薄膜形成法を適用して、適宜な基材の表面
に上記組成のセラミックスを薄膜として1層または複数
層を積層して製造することもできる。
しかしながら、製造が容易である、特性の調整が容易
であるなどの点から、焼結体として製造することが好ま
しい。
であるなどの点から、焼結体として製造することが好ま
しい。
焼結体として製造する場合には、まず原料粉としてMg
O粉末、TiO粉末を準備する。これら粉末の粒度は、焼結
性促進と焼結体の諸特性の向上の点からして、平均粒径
100〜5000Åであることが好ましい。とくに好ましくは5
00〜3000Åである。
O粉末、TiO粉末を準備する。これら粉末の粒度は、焼結
性促進と焼結体の諸特性の向上の点からして、平均粒径
100〜5000Åであることが好ましい。とくに好ましくは5
00〜3000Åである。
目的とする焼結体の組成に対応させて両粉末を混合
し、更にここに例えばパラフィンを成形助剤として全体
重量に対し3〜10重量%程度添加し全体を充分に混合す
る。このとき、例えばアセトンのような溶媒を適量添加
してもよい。
し、更にここに例えばパラフィンを成形助剤として全体
重量に対し3〜10重量%程度添加し全体を充分に混合す
る。このとき、例えばアセトンのような溶媒を適量添加
してもよい。
得られた混合粉を乾燥したのち例えばプレス成形して
所定形状の成形体に賦形する。通常、成形圧は500〜100
0kg/cm2に設定される。ついで温度300〜800℃で成形体
を予備焼成し、添加されている成形助剤や溶媒を除去し
たのちこれを焼結する。
所定形状の成形体に賦形する。通常、成形圧は500〜100
0kg/cm2に設定される。ついで温度300〜800℃で成形体
を予備焼成し、添加されている成形助剤や溶媒を除去し
たのちこれを焼結する。
焼結は真空またはAr雰囲気中で行なわれる。とくに真
空雰囲気であることが好ましい。このときの焼結炉の炉
内圧は10-3〜10-2Torrであることが好ましい。炉内圧が
低すぎると、Mgが揮発し易すい状態となり目的組成と特
性のセラミックスが製造されにくくなり、また炉内圧が
高すぎると酸素,窒素が固溶して安定な化合物となるか
らである。焼結時に留意すべきことは、炉内における酸
素分圧の制御である。この場合の酸素分圧は、用いたMg
O,TiO両粉末の量、TiOxまたはMgOとして固溶させる量、
試料容量との関係で適宜管理されるべきで一義的に決め
ることはできない。
空雰囲気であることが好ましい。このときの焼結炉の炉
内圧は10-3〜10-2Torrであることが好ましい。炉内圧が
低すぎると、Mgが揮発し易すい状態となり目的組成と特
性のセラミックスが製造されにくくなり、また炉内圧が
高すぎると酸素,窒素が固溶して安定な化合物となるか
らである。焼結時に留意すべきことは、炉内における酸
素分圧の制御である。この場合の酸素分圧は、用いたMg
O,TiO両粉末の量、TiOxまたはMgOとして固溶させる量、
試料容量との関係で適宜管理されるべきで一義的に決め
ることはできない。
焼結温度は1100〜1600℃が好ましい。この温度が低す
ぎるとMgOへのTiOxの固溶反応またはTiOxへのMgOの固溶
反応が円滑に進行せず、また高すぎるとMgの揮発傾向が
増大して富酸素化するからである。
ぎるとMgOへのTiOxの固溶反応またはTiOxへのMgOの固溶
反応が円滑に進行せず、また高すぎるとMgの揮発傾向が
増大して富酸素化するからである。
また、例えば後述するガス感知機能を活用するために
は、この焼結体を多孔質にすればよいが、その場合、焼
結温度が高すぎると全体は緻密化するので焼結は例えば
800〜1200℃と比較的低温の温度域で行なえばよい。こ
の温度域の場合には5〜50%程度の多孔質体が得られ
る。また、焼結時間は、酸素、窒素の富化防止及び焼結
性の制御の点からして0.5〜2時間であることが好まし
い。
は、この焼結体を多孔質にすればよいが、その場合、焼
結温度が高すぎると全体は緻密化するので焼結は例えば
800〜1200℃と比較的低温の温度域で行なえばよい。こ
の温度域の場合には5〜50%程度の多孔質体が得られ
る。また、焼結時間は、酸素、窒素の富化防止及び焼結
性の制御の点からして0.5〜2時間であることが好まし
い。
このようにして得られた焼結体は、その構成粒子の粒
径が100〜5000Åであり、その比表面積は1〜200m2/gと
なっている。
径が100〜5000Åであり、その比表面積は1〜200m2/gと
なっている。
(発明の実施例) 実施例1〜10 (1)セラミックスの製造 原料粉として粒径100〜5000ÅのMgO粉末、TiO粉末を
用意した。両粉末を第1表に示した割合(重量%)で混
合し、更にこの混合粉に対し4〜10重量%量のパラフィ
ンを添加し、全体をアセトン溶媒中で湿式ボールミルに
より混合した。得られた混合粉を大気中で乾燥したのち
1000kg/cm2の圧でプレス成形して長方体とした。各長方
体を500℃の真空炉で予備焼成したのち、第1表に示し
た条件下で焼結した。
用意した。両粉末を第1表に示した割合(重量%)で混
合し、更にこの混合粉に対し4〜10重量%量のパラフィ
ンを添加し、全体をアセトン溶媒中で湿式ボールミルに
より混合した。得られた混合粉を大気中で乾燥したのち
1000kg/cm2の圧でプレス成形して長方体とした。各長方
体を500℃の真空炉で予備焼成したのち、第1表に示し
た条件下で焼結した。
得られた各焼結体の組成、密度、構成粒子の粒径、比
表面積をそれぞれ測定しその値を第1表に示した。表
中、A相とはMgOに固溶したTiOxとから成る相を表わ
し、B相とは、TiOxに固溶したMgOとから成る相を表わ
す。
表面積をそれぞれ測定しその値を第1表に示した。表
中、A相とはMgOに固溶したTiOxとから成る相を表わ
し、B相とは、TiOxに固溶したMgOとから成る相を表わ
す。
(2)セラミックスの特性 電気伝導度の測定 実施例1〜6の各焼結体長方体を常温下のAr気流中に
置き、それぞれの長方体について4端子法によって電気
伝導度(σ:Ω-1・cm-1)を測定した。その結果を第1
図に示した。第1図における横軸はA相の混合割合
(%)を表わし、縦軸は測定した電気伝導度の対数値
(logσ)を表わす。
置き、それぞれの長方体について4端子法によって電気
伝導度(σ:Ω-1・cm-1)を測定した。その結果を第1
図に示した。第1図における横軸はA相の混合割合
(%)を表わし、縦軸は測定した電気伝導度の対数値
(logσ)を表わす。
第1図から明らかなように、本発明のセラミックスは
B相が減少してA相が増量する。すなわちTiOの含有量
が減少するに伴って電気伝導度は減少し、σが10-10〜1
03Ω-1・cm-1であり半導体的な導電性を示す。
B相が減少してA相が増量する。すなわちTiOの含有量
が減少するに伴って電気伝導度は減少し、σが10-10〜1
03Ω-1・cm-1であり半導体的な導電性を示す。
ゼーベック係数の測定 実施例1,3,5の各長方体をAr気流中に置き、それぞれ
の両端に温度差を与え、常温から350℃までの温度範囲
でゼーベック熱起電力を測定した。その値からゼーベッ
ク係数(α:μV/K)を求めそれを第2図に示した。
の両端に温度差を与え、常温から350℃までの温度範囲
でゼーベック熱起電力を測定した。その値からゼーベッ
ク係数(α:μV/K)を求めそれを第2図に示した。
図から明らかなように、B相の減少、すなわちTiO含
有量の減少に伴ない本発明のセラミックスのゼーベック
係数は負の側に大きく変移しその半導体極性はN形であ
ることがわかる。
有量の減少に伴ない本発明のセラミックスのゼーベック
係数は負の側に大きく変移しその半導体極性はN形であ
ることがわかる。
ガス濃度に対する電気抵抗の変化 実施例7の長方体を常温(25℃)下において濃度の異
なる硫化水素(H2S),水蒸気(H2O),アンモニア(NH
3),エタン(C2H6)の各ガス雰囲気中に置き、長方体
の電気比抵抗(ρ:Ω・cm)を測定した。その結果を、
各ガスの濃度との関係図として第3図に示した。
なる硫化水素(H2S),水蒸気(H2O),アンモニア(NH
3),エタン(C2H6)の各ガス雰囲気中に置き、長方体
の電気比抵抗(ρ:Ω・cm)を測定した。その結果を、
各ガスの濃度との関係図として第3図に示した。
図から明らかなように、本発明のセラミックスは、H2
S,水蒸気に対しその濃度が上昇すると明確に電気抵抗値
も増大してこれらガスに対する感知機能を有している。
S,水蒸気に対しその濃度が上昇すると明確に電気抵抗値
も増大してこれらガスに対する感知機能を有している。
ガス濃度に対する電気抵抗 実施例10の長方体を、いずれも濃度1000ppmの一酸化
炭素(CO),水素(H2),プロパン(C3H8),塩化水素
(HCl),窒酸化物(NOx)のガス雰囲気中に置き、雰囲
気温度を変化させたときの長方体の電気抵抗を測定し
た。その結果を第4図に示した。
炭素(CO),水素(H2),プロパン(C3H8),塩化水素
(HCl),窒酸化物(NOx)のガス雰囲気中に置き、雰囲
気温度を変化させたときの長方体の電気抵抗を測定し
た。その結果を第4図に示した。
図から明らかなように、本発明のセラミックスは、HC
l,NOxに対しては非常に高感度であり、これらガスに対
するセンサーとして使用することができる。
l,NOxに対しては非常に高感度であり、これらガスに対
するセンサーとして使用することができる。
熱エネルギーの電気エネルギーへの変換効率指数
(Z) 実施例3,7,10の各長方体につき、ゼーベック係数
(α),熱伝導率(K),電気伝導度(σ)を測定し、
次式:Z=σα2/Kで示される性能指数を算出した。
(Z) 実施例3,7,10の各長方体につき、ゼーベック係数
(α),熱伝導率(K),電気伝導度(σ)を測定し、
次式:Z=σα2/Kで示される性能指数を算出した。
この性能指数Zが大きな値である材料ほど熱エネルギ
ーと電気エネルギーとの変換効率が高く、熱電材料とし
ての価値は大きいことになる。
ーと電気エネルギーとの変換効率が高く、熱電材料とし
ての価値は大きいことになる。
以上の結果を第2表に示した。比較のために、Ag(比
較例1),Bi2Te3(比較例2)のデータも示した。
較例1),Bi2Te3(比較例2)のデータも示した。
第2表から明らかなように、本発明のセラミックス
は、Z値が熱電材料として知られている比較例2の値に
及ばないとはいえ、しかしその融点は高く高温下で用い
る熱電材料としての意義は大きい。
は、Z値が熱電材料として知られている比較例2の値に
及ばないとはいえ、しかしその融点は高く高温下で用い
る熱電材料としての意義は大きい。
(発明の効果) 以上の説明で明らかなように、本発明のセラミックス
は、熱エネルギーを電気エネルギーに、また逆に電気エ
ネルギーを熱エネルギーに変換することができるので、
これら材料が利用されているガス,石油のファンヒー
タ,ガス湯沸し器の温度制御素子や強制排気の電源等の
分野に使用することができる。また、本発明のセラミッ
クスは低原子量の元素で構成されているため、例えば、
低温用の天体長波長放射線利用の天気計やスポット形差
動式火災検知器などの素子材料ともなり得る。
は、熱エネルギーを電気エネルギーに、また逆に電気エ
ネルギーを熱エネルギーに変換することができるので、
これら材料が利用されているガス,石油のファンヒー
タ,ガス湯沸し器の温度制御素子や強制排気の電源等の
分野に使用することができる。また、本発明のセラミッ
クスは低原子量の元素で構成されているため、例えば、
低温用の天体長波長放射線利用の天気計やスポット形差
動式火災検知器などの素子材料ともなり得る。
更に本発明のセラミックスは負のゼーベック係数を有
するN型半導体であるため、これをCoO,NiO,CuOのよう
な正のゼーベック係数を有するP形半導体と接合して通
電すれば、周囲の熱を奪う電子冷凍素子としても機能し
小形冷凍器への組込みが可能となる。
するN型半導体であるため、これをCoO,NiO,CuOのよう
な正のゼーベック係数を有するP形半導体と接合して通
電すれば、周囲の熱を奪う電子冷凍素子としても機能し
小形冷凍器への組込みが可能となる。
また、第3図,第4図からも明らかなように、この材
料はH2S,水蒸気,HCl,NOx等のガスに対する感知機能を有
するため、これらガスのセンサー材料としても使用し得
る。
料はH2S,水蒸気,HCl,NOx等のガスに対する感知機能を有
するため、これらガスのセンサー材料としても使用し得
る。
更に、この材料は、第2表に示したようにその融点が
高く、熱安定性に優れるとともに、適切な電気伝導性も
備えているので高温下で用いる積層コンデンサの電極材
料として使用することができる。
高く、熱安定性に優れるとともに、適切な電気伝導性も
備えているので高温下で用いる積層コンデンサの電極材
料として使用することができる。
第1図は、本発明セラミックスのA相の混在割合と電気
伝導度との関係を表わす図であり、第2図は本発明セラ
ミックスのゼーベック係数の温度変化を表わす図であ
る。第3図は本発明セラミックスのガス濃度と電気抵抗
の関係図,第4図は本発明セラミックスのガス雰囲気温
度と電気抵抗との関係図である。
伝導度との関係を表わす図であり、第2図は本発明セラ
ミックスのゼーベック係数の温度変化を表わす図であ
る。第3図は本発明セラミックスのガス濃度と電気抵抗
の関係図,第4図は本発明セラミックスのガス雰囲気温
度と電気抵抗との関係図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 章二 岡山県備前市浦伊部1175番地 九州耐火煉 瓦株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−208502(JP,A)
Claims (6)
- 【請求項1】MgOに0.1〜40モル%量のTiOx(ただし、x
は0.64≦x≦1.25の関係を満足する数を表わす)が固溶
した相から成ることを特徴とする酸化物系セラミック
ス。 - 【請求項2】常温から500℃までの温度域における電気
伝導度、ゼーベック係数が、それぞれ、1×10-14〜1
×103Ω-1・cm-1、−50〜0μV/Kである特許請求の範囲
第1項記載の酸化物系セラミックス。 - 【請求項3】酸化物系セラミックスが焼結体である特許
請求の範囲第1項または第2項記載の酸化物セラミック
ス。 - 【請求項4】焼結体が、粒径100〜5000Å、比表面積が
1〜200m2/gの多孔質体から成る特許請求の範囲第13項
記載の酸化物系セラミックス。 - 【請求項5】MgOに0.1〜40モル%量のTiOx(ただし、x
は0.64≦x≦1.25の関係を満足する数を表わす)が固溶
した相と、TiOxに多くとも30モル%量のMgOが固溶した
相とが混在していることを特徴とする酸化物系セラミッ
クス。 - 【請求項6】MgOに0.1〜40モル%量のTiOx(ただし、x
は0.64≦x≦1.25の関係を満足する数を表わす)が固溶
した相と、TiOxに多くとも30モル%量のMgOが固溶した
相との混在割合が、モル比で95〜50:5〜50である特許請
求の範囲第5項記載の酸化物系セラミックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62245902A JPH085708B2 (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 酸化物系セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62245902A JPH085708B2 (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 酸化物系セラミックス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193467A JPH0193467A (ja) | 1989-04-12 |
| JPH085708B2 true JPH085708B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=17140520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62245902A Expired - Lifetime JPH085708B2 (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 酸化物系セラミックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085708B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014156497A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | MgO-TiO焼結体ターゲット及びその製造方法 |
| WO2016088867A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 宇部マテリアルズ株式会社 | スパッタリング用MgOターゲット材及び薄膜 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070240749A1 (en) * | 2004-03-22 | 2007-10-18 | Japan Science And Technology Agency | Porous Thermoelectric Material and Process for Producing the Same |
| WO2017170152A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | Jx金属株式会社 | Mg-Ti-Oスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US11444292B2 (en) * | 2018-12-27 | 2022-09-13 | Robert Bosch Gmbh | Anticorrosive and conductive material |
| JP7178707B2 (ja) * | 2019-03-15 | 2022-11-28 | 株式会社高純度化学研究所 | MgO-TiO系スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN113097515B (zh) * | 2019-12-23 | 2026-04-28 | 罗伯特·博世有限公司 | 导电抗腐蚀镁钛氧化物催化剂载体材料 |
-
1987
- 1987-10-01 JP JP62245902A patent/JPH085708B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014156497A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | MgO-TiO焼結体ターゲット及びその製造方法 |
| JP5925907B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-05-25 | Jx金属株式会社 | MgO−TiO焼結体ターゲット及びその製造方法 |
| TWI616425B (zh) * | 2013-03-29 | 2018-03-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | MgO-TiO sintered body target and manufacturing method thereof |
| WO2016088867A1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 宇部マテリアルズ株式会社 | スパッタリング用MgOターゲット材及び薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0193467A (ja) | 1989-04-12 |
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