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JPH088773B2 - High frequency power output controller - Google Patents
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JPH088773B2 - High frequency power output controller - Google Patents

High frequency power output controller

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Publication number
JPH088773B2
JPH088773B2 JP61237644A JP23764486A JPH088773B2 JP H088773 B2 JPH088773 B2 JP H088773B2 JP 61237644 A JP61237644 A JP 61237644A JP 23764486 A JP23764486 A JP 23764486A JP H088773 B2 JPH088773 B2 JP H088773B2
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JP
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circuit
arm
output
phase
load
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勇 花田
ピエール・サヴァリ
宗友 狹川
聡 長井
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共栄電測株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 この発明は、例えば、プラズマ発生装置、誘導加熱装
置、共振回路を負荷にした場合等の電源回路に使用され
る高周波電源出力制御装置であって、その出力を0から
設定された最大まで制御できるような高周波電源出力制
御装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a high-frequency power supply output control device used for a power supply circuit when, for example, a plasma generator, an induction heating device, or a resonance circuit is used as a load. Therefore, the present invention relates to a high frequency power supply output control device capable of controlling its output from 0 to a set maximum.

(ロ)従来の技術 高周波電源を得る回路装置としては、従来、半導体を
フルブリッジに接続し、各アームをそれぞれプッシュプ
ル動作させると共に、各アームを交互にOFF,ONドライブ
して直流電力を高周波電力に変換する半導体インバータ
装置がある。
(B) Conventional technology Conventionally, as a circuit device for obtaining a high-frequency power source, a semiconductor is connected to a full bridge and each arm is made to perform push-pull operation, and each arm is alternately turned OFF and ON to drive DC power at a high frequency. There is a semiconductor inverter device that converts electric power.

この半導体インバータ装置において、その出力電力を
制御する従来方法の一つとして、自己消弧不可能なサイ
リスタを用いて、該インバータ装置に供給する電源の電
圧あるいは電流を変化させる方法がある。
In this semiconductor inverter device, as a conventional method for controlling the output power, there is a method of changing the voltage or current of the power supply supplied to the inverter device by using a thyristor that cannot self-extinguish.

この方法の場合、転流回路を必要不可欠とする関係
上、構成が複雑となり、電源力率が低くなる問題点があ
り、また、負荷変動に対する応答速度が遅いため、負荷
短絡時には過電流によって、さらに負荷開放時には過電
圧によって、それぞれ素子を破壊する憂いがある問題点
を有する。
In the case of this method, there is a problem that the configuration becomes complicated and the power supply power factor becomes low because the commutation circuit is indispensable, and the response speed to the load fluctuation is slow, so due to overcurrent during load short circuit, Further, when the load is released, there is a concern that the elements may be destroyed due to overvoltage.

また、出力制御の他の方法としては、負荷の共振回路
の場合、前述インバータ装置の出力周波数を可変制御す
る方法である。
Another method of output control is a method of variably controlling the output frequency of the inverter device in the case of a load resonance circuit.

この方法は、インバータ装置の出力周波数が負荷の共
振回路の共振周波数に等しい時、最大出力(直列共振)
とし、前述のインバータ装置の出力周波数が共振周波数
より高く、または低く可変制御することによって、出力
を小さく制御する方法である。
This method provides maximum output (series resonance) when the output frequency of the inverter device is equal to the resonance frequency of the load resonance circuit.
In this method, the output frequency of the inverter device is variably controlled to be higher or lower than the resonance frequency to control the output to be small.

しかし、上述の低い方に可変制御すると、インバータ
装置を形成するフライホイールダイオードのリカバリ期
間に電源短絡状態になる不都合が生じるので、一般には
高い方に可変制御している。
However, if the variable control is performed to the lower side, there is a problem that the power supply is short-circuited during the recovery period of the flywheel diode forming the inverter device. Therefore, the variable control is generally performed to the higher side.

このため、必然的に負荷の共振回路の共振周波数は、
インバータ装置の最高動作周波数よりも低くしなければ
ならず、負荷の共振回路がインバータ装置によって制限
される問題点を有する。
Therefore, the resonant frequency of the resonant circuit of the load is necessarily
Since it has to be lower than the maximum operating frequency of the inverter device, the resonant circuit of the load is limited by the inverter device.

また、負荷の共振回路の出力電力可変特性が該共振回
路の共振鋭度目安Qの影響を強く受け、該Qが小さい時
は周波数を高くしても出力電力があまり小さくならず、
反対にQが大きい時は僅かの周波数変化によって出力電
力が大きく変化し、出力制御が難しい問題点を有する。
Further, the output power variable characteristic of the resonance circuit of the load is strongly influenced by the resonance sharpness index Q of the resonance circuit, and when the Q is small, the output power does not become so small even if the frequency is increased,
On the other hand, when Q is large, the output power greatly changes due to a slight frequency change, and there is a problem that output control is difficult.

(ハ)発明の目的 この発明は、自己消弧半導体デバイスにより構成され
るフルブリッジ型インバータの2つのアームの位相差を
変化する特異な構成により、構成が簡単であり、制御も
容易であって、500KHz程度の高い高周波電源を得ること
ができ、しかもPLL回路により位相差および負荷回路定
数が変化してもアームの自己消弧半導体デバイスがスイ
ッチング動作を行う時点と出力電流のゼロクス点とが一
致するようにインバータ周波数を制御することで、全て
のスイッチングデバイスにおいて電流進み位相となるこ
とがなく、ダイオードのリカバリ過度現象の発生をなく
して、高い周波数での動作を可能とすることができる高
周波電源出力制御装置の提供を目的とする。
(C) Object of the Invention The present invention has a simple structure and is easy to control because of the unique structure that changes the phase difference between two arms of a full-bridge type inverter composed of a self-extinguishing semiconductor device. , A high-frequency power supply of about 500 KHz can be obtained, and even when the phase difference and load circuit constants change due to the PLL circuit, the point at which the arm self-extinguishing semiconductor device performs the switching operation matches the zero current point of the output current. By controlling the inverter frequency so that it does not become the current lead phase in all switching devices, it is possible to operate at high frequency without the occurrence of excessive recovery phenomenon of the diode. An object is to provide an output control device.

(ニ)発明の構成 この発明は、自己消弧半導体デバイスをフルブリッジ
に接続し、各アームをそれぞれプッシュプル動作させる
と共に、各アームを交互にOFF,ONドライブして直流電力
を高周波電力に変換する半導体インバータと、上記一方
のアームに対応し、該アームを構成する自己消弧半導体
デバイスがスイッチング動作を行う時点と出力電流のゼ
ロクロス点が一致するようにインバータ周波数を制御す
る90度ロックのPLL回路と、上記他方のアームに対応
し、該アームを構成する自己消弧半導体デバイスの動作
位相を、一方のアームの自己消弧半導体デバイスの動作
位相に対して位相差をもった信号とする0度ロックのPL
L回路と、これら2つのPLL回路の位相差を変えることに
より出力電力を制御する位相差制御手段と、直列共振回
路からなる負荷回路とを備えた高周波電源出力制御装置
であることを特徴とする。
(D) Structure of the Invention According to the present invention, a self-arc-extinguishing semiconductor device is connected to a full bridge, each arm is made to perform push-pull operation, and each arm is alternately turned OFF and ON to convert DC power to high frequency power. A 90-degree locked PLL that controls the inverter frequency so that the semiconductor inverter and the one arm described above correspond to the one-arm self-extinguishing semiconductor device that constitutes the arm and the zero cross point of the output current coincides with the time when the switching operation occurs. A circuit and a signal corresponding to the other arm and having a phase difference from the operation phase of the self-arc-extinguishing semiconductor device forming the arm are set to 0. Degree Lock PL
A high frequency power supply output control device comprising an L circuit, a phase difference control means for controlling output power by changing a phase difference between these two PLL circuits, and a load circuit composed of a series resonance circuit. .

(ホ)発明の効果 この発明によれば、従来のサイリスタ(自己消弧不可
能な半導体デバイス)を用いた出力制御と比較して、転
流回路が不用となるため構成が簡単であり、電源力率が
高くなり、また、負荷変動に対する応答速度が速く、負
荷変動に基づく負荷短絡または開放に起因した素子の破
壊が防止できる効果がある。
(E) Effect of the Invention According to the present invention, the commutation circuit is unnecessary and the configuration is simple compared to the conventional output control using a thyristor (semiconductor device that cannot self-extinguish), and the power supply is simple. The power factor is high, the response speed to the load fluctuation is fast, and it is possible to prevent the destruction of the element due to the load short circuit or the open circuit due to the load fluctuation.

さらに、負荷共振回路との共振現象による出力制御と
比較して、負荷としての直列共振回路の共振周波数とは
無関係に出力制御できるため、制御が容易で確実であ
り、加えて、負荷の直列共振回路は半導体インバータの
最高動作の周波数に制御されないので、500KHz程度の高
い高周波の電源が容易に得られる。
Furthermore, compared with the output control by the resonance phenomenon with the load resonance circuit, the output can be controlled independently of the resonance frequency of the series resonance circuit as the load, so the control is easy and reliable. Since the circuit is not controlled to the maximum operating frequency of the semiconductor inverter, it is easy to obtain a high-frequency power supply of about 500 KHz.

しかも、半導体インバータの動作周波数は上述のPLL
回路により位相および負荷共振回路の定数に応じて常に
最適値に設定される。すなわち上述の90度ロックのPLL
回路により位相差および負荷回路定数が変化してもアー
ム(第1図のA1参照)のスイッチングデバイスがスイッ
チング動作を行なう時点と出力電流のゼロクロス点が一
致するように適応的にインバータ周波数を制御するの
で、全てのスイッチングデバイスにおいて電流進み位相
となることがなく、このためダイオードのリカバリ過渡
現象は発生しない。したがって高い周波数での動作が可
能となる効果がある。
Moreover, the operating frequency of the semiconductor inverter is
The circuit always sets the optimum value according to the phase and the constant of the load resonance circuit. That is, the 90-degree locked PLL
Even if the phase difference and the load circuit constant change depending on the circuit, the inverter frequency is adaptively controlled so that the time when the switching device of the arm (see A1 in Fig. 1) performs the switching operation and the zero cross point of the output current match. Therefore, the current lead phase does not occur in all switching devices, and therefore the diode recovery transient phenomenon does not occur. Therefore, there is an effect that it is possible to operate at a high frequency.

さらに本発明では共振周波数追尾機能を有するので、
負荷低抗値が変化しなければ負荷共振周波数が変動して
も出力電力は変化せず、また負荷低抗値が変化した場合
でも位相差に対する出力電力の制御特性は常に一定とな
る。
Furthermore, since the present invention has a resonance frequency tracking function,
If the load resistance value does not change, the output power does not change even if the load resonance frequency changes, and even if the load resistance value changes, the control characteristic of the output power with respect to the phase difference is always constant.

また上述の0度ロックのPLL回路の使用により、位相
変化範囲が0゜±360゜と広くなるため、位相差を広げ
ても安定した動作を行なうことができる効果がある。
Further, since the phase change range is widened to 0 ° ± 360 ° by using the above-mentioned 0 ° locked PLL circuit, there is an effect that stable operation can be performed even if the phase difference is widened.

(ヘ)実施例 この発明の一実施例を以下図面に基づいて詳述する。(F) Embodiment One embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

図面は高周波電源の出力制御装置を示し、第1図、第
2図において、自己消弧半導体デバイスとしての4個の
トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4はフルブリッジに接続され、
それぞれにはフライホイールダイオードD1,D2,D3,D4が
並列に接続されている。
The drawing shows an output control device of a high frequency power supply. In FIGS. 1 and 2, four transistors Q1, Q2, Q3, Q4 as self-extinguishing semiconductor devices are connected to a full bridge,
Flywheel diodes D1, D2, D3, D4 are connected in parallel to each.

直流電源Eは各アームA1,A2を構成するトランジスタQ
1,Q2およびQ3,Q4の両端に接続され、さらに各アームA1,
A2の中間点相互間に出力トランスTの1次側T1が接続さ
れ、この出力トランスTの2次側T2にコンデンサC1とコ
イルL1とによる直列共振回路LCが負荷として接続されて
いる。
The DC power source E is a transistor Q that constitutes each arm A1, A2.
1, Q2 and Q3, Q4 are connected to both ends, and each arm A1,
The primary side T1 of the output transformer T is connected between the intermediate points of A2, and the series resonant circuit LC including the capacitor C1 and the coil L1 is connected as a load to the secondary side T2 of the output transformer T.

各アームA1,A2を構成する2個のトランジスタQ1・Q2,
Q3・Q4はドライブ回路Bにより、プッシュプル動作され
ると共に、デューティサイクル50%で、交互にOFF,ONド
ライブされる。
The two transistors Q1 and Q2 that make up each arm A1 and A2
The Q3 and Q4 are push-pulled by the drive circuit B, and are alternately turned OFF and ON with a duty cycle of 50%.

すなわち、第2図に示すように、トランジスタQ1とQ4、
あるいはトランジスタQ2とQ3を位相差φで交互にドライ
ブすると、直列共振回路LCには図2に示すような負荷電
流が流れる。つまり下記の表のように前述の回路に電流
が流れる。
That is, as shown in FIG. 2, transistors Q1 and Q4,
Alternatively, when the transistors Q2 and Q3 are alternately driven with the phase difference φ, a load current as shown in FIG. 2 flows in the series resonant circuit LC. That is, a current flows through the above circuit as shown in the table below.

従って、トランジスタQ1・Q3が同相のとき、出力0
で、トランジスタQ1・Q4が同相のとき、出力最大となっ
て、2つのアームA1・A2間の位相差φを可変すること
で、出力電力を0から設定された最大値まで可変制御す
ることができる。
Therefore, when transistors Q1 and Q3 are in phase, output 0
Then, when the transistors Q1 and Q4 are in phase, the output becomes maximum and the phase difference φ between the two arms A1 and A2 is varied, so that the output power can be variably controlled from 0 to the set maximum value. it can.

第3図は、この発明による高周波電源出力制御装置を
誘導加熱装置に適用した例を示し、第1図と同一符号の
構成部分は第1図で説明した構成と同一につき、その説
明を省略する。
FIG. 3 shows an example in which the high-frequency power supply output control device according to the present invention is applied to an induction heating device. Since the components having the same reference numerals as those in FIG. 1 are the same as the components described in FIG. 1, the description thereof will be omitted. .

主回路部分の負荷の直列共振回路LCには、誘導加熱装
置を構成するワークコイルL2が直列に接続されている。
A work coil L2 forming an induction heating device is connected in series to the series resonance circuit LC of the load of the main circuit portion.

また、主回路部分のコンデンサC2は、出力トランスT
の直流偏磁防止するためのコンデンサであり、電流変成
器CTは負荷側の電流を検出し、その検出電流を負荷短絡
検出回路10、電流検出回路11、電流制御回路12に入力す
る。
Also, the capacitor C2 in the main circuit is the output transformer T
The current transformer CT detects the current on the load side and inputs the detected current to the load short circuit detection circuit 10, the current detection circuit 11, and the current control circuit 12.

第1位相比較器13、第1積分回路14、第1電圧制御発
振器15、第1分周回路16、90度位相遅延回路17は90度ロ
ックのメイン位相同期ループ(PLL)である。
The first phase comparator 13, the first integrating circuit 14, the first voltage controlled oscillator 15, the first frequency dividing circuit 16, and the 90 degree phase delay circuit 17 are a 90 degree locked main phase locked loop (PLL).

上述の第1位相比較器13の一方の入力端子には、電流
検出回路11で出力電流を方形波に変換し、90度位相を進
めた信号を入力する。
A signal obtained by converting the output current into a square wave by the current detection circuit 11 and advancing the phase by 90 degrees is input to one input terminal of the first phase comparator 13 described above.

また、他方の入力端子には、ローパスフィルタである
第1積分回路14を介して、第1電圧制御発振器15から出
力される信号を第1分周回路16で1/2分周し、デューテ
ィサイクルを正確に50%にした後、90度位相遅延回路17
で90度位相を遅らせた信号を入力する。
The signal output from the first voltage controlled oscillator 15 is halved by the first frequency dividing circuit 16 to the other input terminal via the first integrating circuit 14 which is a low pass filter, and the duty cycle 90% phase delay circuit 17
Input a signal whose phase is delayed by 90 degrees.

そして、上述のメイン位相同期ループで、高周波電源
側の出力周波数を出力最大の時、負荷直列共振回路LCの
共振周波数に一致させる。
Then, in the main phase-locked loop described above, the output frequency on the high frequency power supply side is made to match the resonant frequency of the load series resonant circuit LC when the output is maximum.

第2位相比較器18、第2積分回路19、第2電圧制御発
振器20、第2分周回路21は0度ロックの位相同期ループ
(PLL)であり、位相差φを持った信号を生成する。
The second phase comparator 18, the second integrator circuit 19, the second voltage controlled oscillator 20, and the second frequency divider circuit 21 are a phase locked loop (PLL) of 0 degree lock and generate a signal having a phase difference φ. .

第2位相比較器18の一方の入力端子には、90度位相遅
延回路17から、メイン位相同期ループ(PLL)の出力の9
0度位相を遅らせた信号を入力し、もう一方の入力端子
には、ローパスフィルタである第2積分回路19を介し
て、第2電圧制御発振器20から出力される信号を第2分
周回路21で1/2分周し、デューティサイクルを正確に50
%にした信号を入力する。
One input terminal of the second phase comparator 18 is connected to the output of the main phase locked loop (PLL) 9
A signal whose phase is delayed by 0 degrees is input, and the signal output from the second voltage controlled oscillator 20 is input to the other input terminal via the second integrating circuit 19 which is a low pass filter. Divide by 1/2 to set the duty cycle to exactly 50
Input the signal in%.

上述の第2積分回路19の入力には、2位相比較器18の
出力と一緒に、可変抵抗器で構成される出力設定回路22
の直流電流と電流制限回路12とを接続する。
The input of the above-mentioned second integrating circuit 19 is connected to the output of the two-phase comparator 18 and the output setting circuit 22 composed of a variable resistor.
And the current limiting circuit 12 are connected.

なお、電流制限回路12は出力電流がある一定の値を越
えた時、出力の位相差φを小さくする。
The current limiting circuit 12 reduces the output phase difference φ when the output current exceeds a certain value.

前述の2つの位相同期ループ(PLL)の出力は、デッ
トタイム付加回路23,24と、出力遮断・復帰回路25,26を
経て、それぞれのアームA1,A2に対応するドライブ回路B
1,B2に入力される。
The outputs of the two phase-locked loops (PLL) described above are passed through the dead time adding circuits 23 and 24 and the output cutoff / recovery circuits 25 and 26, and then the drive circuit B corresponding to the respective arms A1 and A2.
Input to 1, B2.

上述のデットタイム付加回路23,24は、出力トランジ
スタQ1〜Q4の同時ONを防ぐために、相互の出力を若干遅
延させ、また、出力遮断・復帰回路25,26は、前述の電
流制限回路12の応答が間に合わない場合に、負荷短絡な
どの過電流を短絡検出回路10で検出して出力を遮断し、
過電流が回避されると、出力が復帰される。
The dead time adding circuits 23 and 24 described above slightly delay the mutual outputs in order to prevent the output transistors Q1 to Q4 from being simultaneously turned on, and the output cutoff / recovery circuits 25 and 26 are the same as those of the current limiting circuit 12 described above. If the response is not in time, the short circuit detection circuit 10 detects overcurrent such as load short circuit and shuts off the output.
The output is restored when the overcurrent is avoided.

このように構成した誘導加熱装置における高周波電源
出力制御装置は、出力設定回路22の直流電流を制御する
ことで、位相差φが0度から180度に可変することがで
きるので、この位相差φによって、その出力が0から設
定された最大値まで可変制御することができ、ワークコ
イルL2の出力を良好に制御することができる。
Since the high frequency power supply output control device in the induction heating device configured as described above can change the phase difference φ from 0 degree to 180 degrees by controlling the direct current of the output setting circuit 22, this phase difference φ The output can be variably controlled from 0 to the set maximum value, and the output of the work coil L2 can be satisfactorily controlled.

しかも、半導体インバータ(各要素Q1〜Q4、B参照)
の動作周波数は上述のPLL回路により位相および負荷直
列共振回路(LC)の定数に応じて常に最適値に制定され
る。すなわち上述の90度ロックのPLL回路により位相差
および負荷回路定数が変化してもアーム(第1図のA1参
照)のスイッチングデバイス(Q1,Q2参照)がスイッチ
ング動作を行なう時点と出力電流のゼロクロス点が一致
(第2図参照)するように適応的にインバータ周波数を
制御するので、全てのスイッチングデバイスにおいて電
流進み位相となることがなく、このためダイオードのリ
カバリ過渡現象は発生しない。したがって高い周波数で
の動作が可能となる効果がある。
Moreover, semiconductor inverter (See each element Q1 to Q4, B)
The operating frequency of is always set to an optimum value by the above-mentioned PLL circuit according to the phase and the constant of the load series resonant circuit (LC). That is, even if the phase difference and the load circuit constant are changed by the 90-degree locked PLL circuit, the switching device (see Q1 and Q2) of the arm (see A1 in Fig. 1) performs the switching operation and the zero crossing of the output current. Since the inverter frequency is adaptively controlled so that the points coincide with each other (see FIG. 2), the current advance phase does not occur in all switching devices, and therefore the diode recovery transient phenomenon does not occur. Therefore, there is an effect that it is possible to operate at a high frequency.

さらに本発明では共振周波数追尾機能を有するので、
負荷低抗値が変化しなければ負荷共振周波数が変動して
も出力電力は変化せず、また負荷低抗値が変化した場合
でも位相差に対する出力電力の制御特性は常に一定とな
る。
Furthermore, since the present invention has a resonance frequency tracking function,
If the load resistance value does not change, the output power does not change even if the load resonance frequency changes, and even if the load resistance value changes, the control characteristic of the output power with respect to the phase difference is always constant.

また0度ロックのPLL回路の使用により、位相変化範
囲が0゜±360゜と広くなるため、位相差を広げても安
定した動作を行なうことができる効果がある。
In addition, since the phase change range is widened to 0 ° ± 360 ° by using the 0 ° locked PLL circuit, stable operation can be performed even if the phase difference is widened.

この発明の構成と、上述の実施例との対応において、 この発明の半導体インバータは、実施例のトランジス
タQ1〜Q4、(自己消弧半導体デバイス)およびこれらを
駆動するドライブ回路B、B1,B2に対応し、 以下同様に、 2つのPLL回路は、90度ロックのメイン位相同期ルー
プ(PLL)を構成する第1位相比較器13、第1積分回路1
4、第1電圧制御発振器15、第1分周回路16、90度位相
遅延回路17と、0度ロックの位相同期ループ(PLL)を
構成する第2位相比較器18、第2積分回路19、第2電圧
制御発振器20、第2分周回路21に対応し、 位相差制御手段は、出力設定回路22に対応するも、 この発明は上述の実施例の構成のみに限定されるもの
ではない。
In the correspondence between the configuration of the present invention and the above-described embodiment, the semiconductor inverter of the present invention includes transistors Q1 to Q4 (self-extinguishing semiconductor devices) of the embodiment and drive circuits B, B1, B2 for driving them. Correspondingly, similarly, the two PLL circuits are the first phase comparator 13 and the first integrator circuit 1 which form the main phase-locked loop (PLL) of 90-degree lock
4, a first voltage controlled oscillator 15, a first frequency divider circuit 16, a 90-degree phase delay circuit 17, a second phase comparator 18, which constitutes a 0-degree locked phase locked loop (PLL), a second integration circuit 19, The second voltage controlled oscillator 20 and the second frequency divider circuit 21 correspond, and the phase difference control means corresponds to the output setting circuit 22, but the present invention is not limited to the configuration of the above-described embodiment.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

図面はこの発明の一実施例を示し、 第1図は高周波電源出力制御装置の基本構成図、 第2図はその要部のタイムチャート、 第3図は直列共振負荷に適用した場合の高周波電源出力
制御装置の回路ブロック図である。 Q1〜Q4……トランジスタ(自己消弧デバイス) A1,A2……アーム φ……位相差 B,B1,B2……ドライブ回路 13,18……位相比較器 14,19……積分回路 15,20……電圧制御発振器 16,21……分周回路 17……90度位相遅延回路 22……出力設定回路(位相差制御手段)
The drawings show one embodiment of the present invention. Fig. 1 is a basic configuration diagram of a high-frequency power supply output control device, Fig. 2 is a time chart of its main part, and Fig. 3 is a high-frequency power supply when applied to a series resonance load. It is a circuit block diagram of an output control device. Q1 to Q4 …… Transistors (self-extinguishing devices) A1, A2 …… Arm φ …… Phase difference B, B1, B2 …… Drive circuit 13,18 …… Phase comparator 14,19 …… Integrator circuit 15,20 ...... Voltage controlled oscillator 16,21 …… Dividing circuit 17 …… 90 degree phase delay circuit 22 …… Output setting circuit (phase difference control means)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長井 聡 大阪府大阪市都島区大東町1丁目10番10号 共栄電測株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−237644(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Satoshi Nagai 1-10-10 Daito-cho, Miyakojima-ku, Osaka City, Osaka Prefecture Kyoeidenso Co., Ltd. (56) Reference JP-A-61-237644 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】自己消弧半導体デバイスをフルブリッジに
接続し、各アームをそれぞれプッシュプル動作させると
共に、各アームを交互にOFF,ONドライブして直流電力を
高周波電力に変換する半導体インバータと、 上記一方のアームに対応し、該アームを構成する自己消
弧半導体デバイスがスイッチング動作を行う時点と出力
電流のゼロクロス点が一致するようにインバータ周波数
を制御する90度ロックのPLL回路と、 上記他方のアームに対応し、該アームを構成する自己消
弧半導体デバイスの動作位相を、一方のアームの自己消
弧半導体デバイスの動作位相に体して位相差をもった信
号とする0度ロックのPLL回路と、 これら2つのPLL回路の位相差を変えることにより出力
電力を制御する位相差制御手段と、 直列共振回路からなる負荷回路とを備えた 高周波電源出力制御装置。
1. A semiconductor inverter in which a self-extinguishing semiconductor device is connected to a full bridge, each arm is made to perform push-pull operation, and each arm is alternately turned OFF and ON to convert DC power into high frequency power. A 90-degree-locked PLL circuit that controls the inverter frequency so as to correspond to the one arm and the time when the self-extinguishing semiconductor device that constitutes the arm performs the switching operation and the zero cross point of the output current, and the other one. 0-degree-locked PLL that corresponds to the arm of the first arm and combines the operation phase of the self-extinguishing semiconductor device that constitutes the arm with the operation phase of the self-extinguishing semiconductor device of one arm to obtain a signal having a phase difference. Circuit, a phase difference control means for controlling the output power by changing the phase difference between these two PLL circuits, and a load circuit consisting of a series resonance circuit. High frequency power supply output control device.
JP61237644A 1986-10-06 1986-10-06 High frequency power output controller Expired - Lifetime JPH088773B2 (en)

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