JPH10126307A - 高周波複合部品 - Google Patents
高周波複合部品Info
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- JPH10126307A JPH10126307A JP8278075A JP27807596A JPH10126307A JP H10126307 A JPH10126307 A JP H10126307A JP 8278075 A JP8278075 A JP 8278075A JP 27807596 A JP27807596 A JP 27807596A JP H10126307 A JPH10126307 A JP H10126307A
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- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
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- Transceivers (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波スイッチ及び増幅器を一体化すること
により、小型化、軽量化を図ることができる高周波複合
部品を提供する。 【解決手段】 高周波複合部品１０は、ＰＨＳ方式を構
成する高周波部品のうち、高周波スイッチＳＷと、Ｔｘ
側増幅器ＡＭＰ１とで構成される。そして、高周波スイ
ッチＳＷは、ＰＨＳ方式の携帯電話機において、送信回
路ＴｘとアンテナＡＮＴとの接続、及び受信回路Ｒｘと
アンテナＡＮＴとの接続を切り換えるために用いられ
る。また、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１は、ＲＦ信号に変換さ
れ、Ｔｘ側フィルタＦ１を通過した送信信号を増幅さ
せ、高周波スイッチＳＷに送る役割を果たす。
により、小型化、軽量化を図ることができる高周波複合
部品を提供する。 【解決手段】 高周波複合部品１０は、ＰＨＳ方式を構
成する高周波部品のうち、高周波スイッチＳＷと、Ｔｘ
側増幅器ＡＭＰ１とで構成される。そして、高周波スイ
ッチＳＷは、ＰＨＳ方式の携帯電話機において、送信回
路ＴｘとアンテナＡＮＴとの接続、及び受信回路Ｒｘと
アンテナＡＮＴとの接続を切り換えるために用いられ
る。また、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１は、ＲＦ信号に変換さ
れ、Ｔｘ側フィルタＦ１を通過した送信信号を増幅さ
せ、高周波スイッチＳＷに送る役割を果たす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話機、例え
ばＰＨＳ(Personal Handy-phone System) 方式、ＰＤＣ
(Personal Digital Cellular) 方式の高周波回路部に使
用される高周波複合部品に関する。
ばＰＨＳ(Personal Handy-phone System) 方式、ＰＤＣ
(Personal Digital Cellular) 方式の高周波回路部に使
用される高周波複合部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０及び図１１に、ＰＨＳ方式の回路
ブロック図を示す。図１０に示したＰＨＳ方式の場合に
は、送信時においては、送信信号をＲＦ信号に変換した
あと、送信回路（Ｔｘ）側フィルタＦ１を通す。その
後、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１で増幅し、高周波スイッチＳ
Ｗ及びトップフィルタＦ２を経由してアンテナＡＮＴか
ら電波を送信する。一方、受信時においては、アンテナ
ＡＮＴから受信され、トップフィルタＦ２を通過した受
信波をスイッチＳＷから取り出し、受信回路（Ｒｘ）側
増幅器ＡＭＰ２で増幅したあと、Ｒｘ側フィルタＦ３で
受信周波数以外の帯域の信号を除去する。
ブロック図を示す。図１０に示したＰＨＳ方式の場合に
は、送信時においては、送信信号をＲＦ信号に変換した
あと、送信回路（Ｔｘ）側フィルタＦ１を通す。その
後、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１で増幅し、高周波スイッチＳ
Ｗ及びトップフィルタＦ２を経由してアンテナＡＮＴか
ら電波を送信する。一方、受信時においては、アンテナ
ＡＮＴから受信され、トップフィルタＦ２を通過した受
信波をスイッチＳＷから取り出し、受信回路（Ｒｘ）側
増幅器ＡＭＰ２で増幅したあと、Ｒｘ側フィルタＦ３で
受信周波数以外の帯域の信号を除去する。
【０００３】一方、図１１に示したＰＨＳ方式の場合に
は、送信時においては、送信信号をＲＦ信号に変換した
あと、Ｔｘ側フィルタＦ１を通し、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ
１で増幅する。その後、Ｔｘ側第２フィルタＦ４を通
し、高周波スイッチＳＷを経由してアンテナＡＮＴから
電波を送信する。一方、受信時においては、アンテナＡ
ＮＴから受信された受信波をスイッチＳＷから取り出
し、受信回路（Ｒｘ）側増幅器ＡＭＰ２で増幅したあ
と、Ｒｘ側フィルタＦ３で受信周波数以外の帯域の信号
を除去する。
は、送信時においては、送信信号をＲＦ信号に変換した
あと、Ｔｘ側フィルタＦ１を通し、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ
１で増幅する。その後、Ｔｘ側第２フィルタＦ４を通
し、高周波スイッチＳＷを経由してアンテナＡＮＴから
電波を送信する。一方、受信時においては、アンテナＡ
ＮＴから受信された受信波をスイッチＳＷから取り出
し、受信回路（Ｒｘ）側増幅器ＡＭＰ２で増幅したあ
と、Ｒｘ側フィルタＦ３で受信周波数以外の帯域の信号
を除去する。
【０００４】そして、これらのＰＨＳ方式を用いた携帯
電話機は、小型化、表面実装形態化された高周波スイッ
チＳＷ、Ｔｘ側フィルタＦ１、トップフィルタＦ２、Ｒ
ｘ側フィルタＦ３、Ｔｘ側第２フィルタＦ４、Ｔｘ側増
幅器ＡＭＰ１、Ｒｘ側増幅器ＡＭＰ２等の高周波部品を
高密度化したプリント配線基板に実装することで、小型
化、軽量化が実現されてきた。
電話機は、小型化、表面実装形態化された高周波スイッ
チＳＷ、Ｔｘ側フィルタＦ１、トップフィルタＦ２、Ｒ
ｘ側フィルタＦ３、Ｔｘ側第２フィルタＦ４、Ｔｘ側増
幅器ＡＭＰ１、Ｒｘ側増幅器ＡＭＰ２等の高周波部品を
高密度化したプリント配線基板に実装することで、小型
化、軽量化が実現されてきた。
【０００５】携帯電話機は、今後とも、より機能を高め
つつ一層の小型化、軽量化が進展するものと期待され、
そのためには、搭載される高周波スイッチＳＷ、Ｔｘ側
フィルタＦ１、トップフィルタＦ２、Ｒｘ側フィルタＦ
３、Ｔｘ側第２フィルタＦ４、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１、
Ｒｘ側増幅器ＡＭＰ２等の高周波部品のさらなる小型
化、軽量化は不可欠の要素となる。
つつ一層の小型化、軽量化が進展するものと期待され、
そのためには、搭載される高周波スイッチＳＷ、Ｔｘ側
フィルタＦ１、トップフィルタＦ２、Ｒｘ側フィルタＦ
３、Ｔｘ側第２フィルタＦ４、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１、
Ｒｘ側増幅器ＡＭＰ２等の高周波部品のさらなる小型
化、軽量化は不可欠の要素となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
携帯電話機においては、ディスクリートの高周波スイッ
チ及び増幅器をプリント配線基板に実装しているため、
さらなる小型化、軽量化は困難であるという問題があっ
た。また、高周波スイッチ及び増幅器のそれぞれの特性
インピーダンスを整合させる必要があるため、整合回路
が必要となるという設計時の制約があった。
携帯電話機においては、ディスクリートの高周波スイッ
チ及び増幅器をプリント配線基板に実装しているため、
さらなる小型化、軽量化は困難であるという問題があっ
た。また、高周波スイッチ及び増幅器のそれぞれの特性
インピーダンスを整合させる必要があるため、整合回路
が必要となるという設計時の制約があった。
【０００７】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、高周波スイッチ及び増幅器を
一体化することにより、小型化、軽量化を図ることがで
きる高周波複合部品を提供することを目的とする。
めになされたものであり、高周波スイッチ及び増幅器を
一体化することにより、小型化、軽量化を図ることがで
きる高周波複合部品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明は、複数の誘電体層を積層してなる多層基
板と、該多層基板に搭載したダイオード、並びに前記多
層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサからなる高周
波スイッチと、前記多層基板に搭載したトランジスタ、
並びに前記多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサ
からなる増幅器とで構成されることを特徴とする。
るため本発明は、複数の誘電体層を積層してなる多層基
板と、該多層基板に搭載したダイオード、並びに前記多
層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサからなる高周
波スイッチと、前記多層基板に搭載したトランジスタ、
並びに前記多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサ
からなる増幅器とで構成されることを特徴とする。
【０００９】また、前記増幅器が送信側増幅器であるこ
とを特徴とする。
とを特徴とする。
【００１０】また、前記多層基板に、伝送線路及びコン
デンサからなるフィルタを内蔵することを特徴とする。
デンサからなるフィルタを内蔵することを特徴とする。
【００１１】また、前記多層基板として低温焼成セラミ
ック基板を用いることを特徴とする。
ック基板を用いることを特徴とする。
【００１２】本発明の高周波複合部品によれば、高周波
スイッチと増幅器とを、複数の誘電体層を積層してなる
多層基板に形成し、一体化することにより、従来、フィ
ルタ及び増幅器をプリント配線基板上に実装して、接続
したものに比べて、全体の寸法を小さくすることができ
る。また、高周波スイッチ及び増幅器を同時設計するこ
とにより、高周波スイッチ及び増幅器のインピーダンス
整合を施した設計を行うことができる。
スイッチと増幅器とを、複数の誘電体層を積層してなる
多層基板に形成し、一体化することにより、従来、フィ
ルタ及び増幅器をプリント配線基板上に実装して、接続
したものに比べて、全体の寸法を小さくすることができ
る。また、高周波スイッチ及び増幅器を同時設計するこ
とにより、高周波スイッチ及び増幅器のインピーダンス
整合を施した設計を行うことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波複合部品
の第１の実施例のブロック図を示す。高周波複合部品１
０は、図１０に示すようなＰＨＳ方式を構成する高周波
部品のうち、高周波スイッチＳＷと、Ｔｘ側増幅器ＡＭ
Ｐ１とで構成される。
施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波複合部品
の第１の実施例のブロック図を示す。高周波複合部品１
０は、図１０に示すようなＰＨＳ方式を構成する高周波
部品のうち、高周波スイッチＳＷと、Ｔｘ側増幅器ＡＭ
Ｐ１とで構成される。
【００１４】なお、高周波スイッチＳＷは、ＰＨＳ方式
の携帯電話機において、送信回路ＴｘとアンテナＡＮＴ
との接続、及び受信回路ＲｘとアンテナＡＮＴとの接続
を切り換えるために用いられる。また、Ｔｘ側増幅器Ａ
ＭＰ１は、ＲＦ信号に変換され、Ｔｘ側フィルタＦ１を
通過した送信信号を増幅させ、高周波スイッチＳＷに送
る役割を果たす。
の携帯電話機において、送信回路ＴｘとアンテナＡＮＴ
との接続、及び受信回路ＲｘとアンテナＡＮＴとの接続
を切り換えるために用いられる。また、Ｔｘ側増幅器Ａ
ＭＰ１は、ＲＦ信号に変換され、Ｔｘ側フィルタＦ１を
通過した送信信号を増幅させ、高周波スイッチＳＷに送
る役割を果たす。
【００１５】図２に、図１の高周波複合部品を構成する
高周波スイッチの回路図を示す。Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１
と接続される高周波スイッチＳＷの第１ポートＰ１は、
ダイオードＤ１のアノードに接続される。また、ダイオ
ードＤ１のアノードは、伝送線路ＳＴＬ１及びコンデン
サＣ１を介して接地される。さらに、伝送線路ＳＴＬ１
とコンデンサＣ１との接続点は、制御端子Ｖ１に接続さ
れる。また、ダイオードＤ１のカソードは、アンテナＡ
ＮＴを接続するための第２ポートＰ２に接続される。
高周波スイッチの回路図を示す。Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１
と接続される高周波スイッチＳＷの第１ポートＰ１は、
ダイオードＤ１のアノードに接続される。また、ダイオ
ードＤ１のアノードは、伝送線路ＳＴＬ１及びコンデン
サＣ１を介して接地される。さらに、伝送線路ＳＴＬ１
とコンデンサＣ１との接続点は、制御端子Ｖ１に接続さ
れる。また、ダイオードＤ１のカソードは、アンテナＡ
ＮＴを接続するための第２ポートＰ２に接続される。
【００１６】さらに、第２ポートＰ２には、伝送線路Ｓ
ＴＬ２の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬ２の他端
は、Ｒｘ側増幅器ＡＭＰ２を接続する第３ポートＰ３に
接続される。また、伝送線路ＳＴＬ２の他端は、ダイオ
ードＤ２のアノードに接続され、ダイオードＤ２のカソ
ードは、コンデンサＣ２を介して接地される。さらに、
ダイオードＤ２とコンデンサＣ２との接続点は、制御端
子Ｖ２に接続される。
ＴＬ２の一端が接続され、この伝送線路ＳＴＬ２の他端
は、Ｒｘ側増幅器ＡＭＰ２を接続する第３ポートＰ３に
接続される。また、伝送線路ＳＴＬ２の他端は、ダイオ
ードＤ２のアノードに接続され、ダイオードＤ２のカソ
ードは、コンデンサＣ２を介して接地される。さらに、
ダイオードＤ２とコンデンサＣ２との接続点は、制御端
子Ｖ２に接続される。
【００１７】図３に、図１の高周波複合部品を構成する
Ｔｘ側増幅器の回路図を示す。高周波スイッチＳＷの第
１ポートＰ１と接続されるＴｘ側増幅器ＡＭＰ１の出力
ポートＰｏには、コンデンサＣ３を介して、伝送線路Ｓ
ＴＬ３の一端が接続される。また、コンデンサＣ３と伝
送線路ＳＴＬ３の一端との接続点は、コンデンサＣ４を
介して接地される。さらに、伝送線路ＳＴＬ３の他端
は、電解効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ）Ｑ１のドレ
インに接続される。また、ＦＥＴＱ１のソースは接地さ
れ、ゲートはバイポーラトランジスタ（以下、Ｂ−Ｔ
ｒ）Ｑ２のコレクタに接続される。
Ｔｘ側増幅器の回路図を示す。高周波スイッチＳＷの第
１ポートＰ１と接続されるＴｘ側増幅器ＡＭＰ１の出力
ポートＰｏには、コンデンサＣ３を介して、伝送線路Ｓ
ＴＬ３の一端が接続される。また、コンデンサＣ３と伝
送線路ＳＴＬ３の一端との接続点は、コンデンサＣ４を
介して接地される。さらに、伝送線路ＳＴＬ３の他端
は、電解効果トランジスタ（以下、ＦＥＴ）Ｑ１のドレ
インに接続される。また、ＦＥＴＱ１のソースは接地さ
れ、ゲートはバイポーラトランジスタ（以下、Ｂ−Ｔ
ｒ）Ｑ２のコレクタに接続される。
【００１８】この際、伝送線路ＳＴＬ３の他端とＦＥＴ
Ｑ１のドレインとの接続点は、ストリップライン等から
なるインダクタＬ１とコンデンサＣ５との直列回路を介
して接地され、インダクタＬ１とコンデンサＣ５との接
続点は、ドレイン電圧端子Ｖｄに接続される。また、Ｆ
ＥＴＱ１のゲートとＢ−ＴｒＱ２のコレクタとの接続点
は、コンデンサＣ６を介して接地されるともに、ゲート
電圧端子Ｖｇにも接続される。
Ｑ１のドレインとの接続点は、ストリップライン等から
なるインダクタＬ１とコンデンサＣ５との直列回路を介
して接地され、インダクタＬ１とコンデンサＣ５との接
続点は、ドレイン電圧端子Ｖｄに接続される。また、Ｆ
ＥＴＱ１のゲートとＢ−ＴｒＱ２のコレクタとの接続点
は、コンデンサＣ６を介して接地されるともに、ゲート
電圧端子Ｖｇにも接続される。
【００１９】さらに、Ｂ−ＴｒＱ２のエミッタは接地さ
れ、ベースは伝送線路ＳＴＬ４の一端に接続される。ま
た、伝送線路ＳＴＬ４の他端は、Ｔｘ側フィルタＦ１を
接続する入力ポートＰｉｎに接続される。
れ、ベースは伝送線路ＳＴＬ４の一端に接続される。ま
た、伝送線路ＳＴＬ４の他端は、Ｔｘ側フィルタＦ１を
接続する入力ポートＰｉｎに接続される。
【００２０】この際、Ｂ−ＴｒＱ２のコレクタは、スト
リップライン等からなるインダクタＬ２とコンデンサＣ
７との直列回路を介して接地され、インダクタＬ２とコ
ンデンサＣ７との接続点は、コレクタ電圧端子Ｖｃに接
続される。また、インダクタＬ２とコンデンサＣ７との
接続点は、Ｂ−ＴｒＱ２のベースと伝送線路ＳＴＬ４の
一端との接続点にも接続される。さらに、伝送線路ＳＴ
Ｌ４の他端は、コンデンサＣ８を介して接地される。
リップライン等からなるインダクタＬ２とコンデンサＣ
７との直列回路を介して接地され、インダクタＬ２とコ
ンデンサＣ７との接続点は、コレクタ電圧端子Ｖｃに接
続される。また、インダクタＬ２とコンデンサＣ７との
接続点は、Ｂ−ＴｒＱ２のベースと伝送線路ＳＴＬ４の
一端との接続点にも接続される。さらに、伝送線路ＳＴ
Ｌ４の他端は、コンデンサＣ８を介して接地される。
【００２１】図４（ａ）〜図４（ｈ）、図５（ａ）〜図
５（ｆ）に、図１の高周波複合部品１０を構成する各誘
電体層の上面図及び下面図を示す。この高周波複合部品
１０は、図２の高周波スイッチＳＷ及び図３のＴｘ側増
幅器ＡＭＰ１を構成する伝送線路及びコンデンサを内蔵
する多層基板（図示せず）を含む。この多層基板は、例
えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能な、酸化
バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする低
温焼成セラミックからなる第１〜第１３の誘電体層ａ〜
ｍを上から順次積層することによって形成される。
５（ｆ）に、図１の高周波複合部品１０を構成する各誘
電体層の上面図及び下面図を示す。この高周波複合部品
１０は、図２の高周波スイッチＳＷ及び図３のＴｘ側増
幅器ＡＭＰ１を構成する伝送線路及びコンデンサを内蔵
する多層基板（図示せず）を含む。この多層基板は、例
えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能な、酸化
バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする低
温焼成セラミックからなる第１〜第１３の誘電体層ａ〜
ｍを上から順次積層することによって形成される。
【００２２】そして、第１の誘電体層ａの上面には図２
の高周波スイッチＳＷを構成するダイオードＤ１、Ｄ
２、並びに図３のＴｘ側増幅器ＡＭＰ１を構成するＦＥ
ＴＱ１及びＢ−ＴｒＱ２を実装するためのランドＲ１〜
Ｒ１０が形成される。また、第２、第５〜第１２の誘電
体層ｂ、ｅ〜ｌの上面にはコンデンサ電極Ｃ８１、Ｃ３
１、Ｃ３２、Ｃ１１、Ｃ２１、Ｃ５１、Ｃ６１、Ｃ７
１、Ｃ４１がそれぞれ形成される。また、第２、第４及
び第１２の誘電体層ｂ、ｄ、ｌの上面には、ストリップ
ライン電極ＳＬ４、ＳＬ１、ＳＬＬ１、ＳＬＬ２、ＳＬ
２、ＳＬ３がそれぞれ形成される。
の高周波スイッチＳＷを構成するダイオードＤ１、Ｄ
２、並びに図３のＴｘ側増幅器ＡＭＰ１を構成するＦＥ
ＴＱ１及びＢ−ＴｒＱ２を実装するためのランドＲ１〜
Ｒ１０が形成される。また、第２、第５〜第１２の誘電
体層ｂ、ｅ〜ｌの上面にはコンデンサ電極Ｃ８１、Ｃ３
１、Ｃ３２、Ｃ１１、Ｃ２１、Ｃ５１、Ｃ６１、Ｃ７
１、Ｃ４１がそれぞれ形成される。また、第２、第４及
び第１２の誘電体層ｂ、ｄ、ｌの上面には、ストリップ
ライン電極ＳＬ４、ＳＬ１、ＳＬＬ１、ＳＬＬ２、ＳＬ
２、ＳＬ３がそれぞれ形成される。
【００２３】さらに、第３、第９、第１１及び第１３の
誘電体層ｃ、ｉ、ｋ、ｍの上面には、グランド電極Ｇ１
〜Ｇ４がそれぞれ形成される。また、第１３の誘電体層
ｍの下面（図５（ｆ）中において、ｍｕと符号を付す）
には、高周波スイッチＳＷの第２、第３のポートＰ２、
Ｐ３、制御端子Ｖ１、Ｖ２にそれぞれ接続される外部端
子ＡＮＴ、Ｒｘ、ＶＶ１、ＶＶ２と、Ｔｘ側増幅器ＡＭ
Ｐ１の入力ポートＰｉｎ、ドレイン電圧端子Ｖｄ、ゲー
ト電圧端子Ｖｇ、コレクタ電圧端子Ｖｃにそれぞれ接続
される外部端子ＰＩＮ、ＶＤ、ＶＧ、ＶＣと、グランド
電極Ｇ１〜Ｇ４に接続される外部端子Ｇが形成される。
なお、高周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１とＴｘ側
増幅器ＡＭＰ１の出力ポートＰｏは、多層基板内部でビ
アホール等により接続される。
誘電体層ｃ、ｉ、ｋ、ｍの上面には、グランド電極Ｇ１
〜Ｇ４がそれぞれ形成される。また、第１３の誘電体層
ｍの下面（図５（ｆ）中において、ｍｕと符号を付す）
には、高周波スイッチＳＷの第２、第３のポートＰ２、
Ｐ３、制御端子Ｖ１、Ｖ２にそれぞれ接続される外部端
子ＡＮＴ、Ｒｘ、ＶＶ１、ＶＶ２と、Ｔｘ側増幅器ＡＭ
Ｐ１の入力ポートＰｉｎ、ドレイン電圧端子Ｖｄ、ゲー
ト電圧端子Ｖｇ、コレクタ電圧端子Ｖｃにそれぞれ接続
される外部端子ＰＩＮ、ＶＤ、ＶＧ、ＶＣと、グランド
電極Ｇ１〜Ｇ４に接続される外部端子Ｇが形成される。
なお、高周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１とＴｘ側
増幅器ＡＭＰ１の出力ポートＰｏは、多層基板内部でビ
アホール等により接続される。
【００２４】この際、コンデンサ電極Ｃ１１とグランド
電極Ｇ３、及びコンデンサ電極Ｃ２１とグランド電極Ｇ
３とで高周波スイッチＳＷのコンデンサＣ１、Ｃ２を、
コンデンサ電極Ｃ３１とコンデンサ電極Ｃ３２、コンデ
ンサ電極Ｃ４１とグランド電極Ｇ４、コンデンサ電極Ｃ
５１とグランド電極Ｇ３、コンデンサ電極Ｃ６１とグラ
ンド電極Ｇ３、コンデンサ電極Ｃ７１とグランド電極Ｇ
３、及びコンデンサ電極Ｃ８１とグランド電極Ｇ１とで
Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１のコンデンサＣ３〜Ｃ８をそれぞ
れ構成する。
電極Ｇ３、及びコンデンサ電極Ｃ２１とグランド電極Ｇ
３とで高周波スイッチＳＷのコンデンサＣ１、Ｃ２を、
コンデンサ電極Ｃ３１とコンデンサ電極Ｃ３２、コンデ
ンサ電極Ｃ４１とグランド電極Ｇ４、コンデンサ電極Ｃ
５１とグランド電極Ｇ３、コンデンサ電極Ｃ６１とグラ
ンド電極Ｇ３、コンデンサ電極Ｃ７１とグランド電極Ｇ
３、及びコンデンサ電極Ｃ８１とグランド電極Ｇ１とで
Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１のコンデンサＣ３〜Ｃ８をそれぞ
れ構成する。
【００２５】また、ストリップライン電極ＳＬ１で高周
波スイッチＳＷの伝送線路ＳＴＬ１、ストリップライン
電極ＳＬ２で高周波スイッチＳＷの伝送線路ＳＴＬ２、
ストリップライン電極ＳＬ３でＴｘ側増幅器ＡＭＰ１の
伝送線路ＳＴＬ３、ストリップライン電極ＳＬ４でＴｘ
側増幅器ＡＭＰ１の伝送線路ＳＴＬ４、ストリップライ
ン電極ＳＬＬ１でＴｘ側増幅器ＡＭＰ１のインダクタＬ
１、ストリップライン電極ＳＬＬ２でＴｘ側増幅器ＡＭ
Ｐ１のインダクタＬ２をそれぞれ構成する。
波スイッチＳＷの伝送線路ＳＴＬ１、ストリップライン
電極ＳＬ２で高周波スイッチＳＷの伝送線路ＳＴＬ２、
ストリップライン電極ＳＬ３でＴｘ側増幅器ＡＭＰ１の
伝送線路ＳＴＬ３、ストリップライン電極ＳＬ４でＴｘ
側増幅器ＡＭＰ１の伝送線路ＳＴＬ４、ストリップライ
ン電極ＳＬＬ１でＴｘ側増幅器ＡＭＰ１のインダクタＬ
１、ストリップライン電極ＳＬＬ２でＴｘ側増幅器ＡＭ
Ｐ１のインダクタＬ２をそれぞれ構成する。
【００２６】以上のような構成で、図２の高周波スイッ
チＳＷを構成する伝送線路ＳＬＴ１、ＳＬＴ２及びコン
デンサＣ１、Ｃ２、並びに図３のＴｘ側増幅器ＡＭＰ１
を構成する伝送線路ＳＬＴ３、ＳＬＴ４、コンデンサＣ
３〜Ｃ８及びインダクタＬ１、Ｌ２を内蔵する多層基板
が形成される。そして、図２の高周波スイッチＳＷを構
成するダイオードＤ１、Ｄ２、並びに図３のＴｘ側増幅
器ＡＭＰ１を構成するＦＥＴＱ１及びＢ−ＴｒＱ２をラ
ンドＲ１〜Ｒ１０を用いて実装し、多層基板上に搭載す
ることにより高周波複合部品１０が形成される。
チＳＷを構成する伝送線路ＳＬＴ１、ＳＬＴ２及びコン
デンサＣ１、Ｃ２、並びに図３のＴｘ側増幅器ＡＭＰ１
を構成する伝送線路ＳＬＴ３、ＳＬＴ４、コンデンサＣ
３〜Ｃ８及びインダクタＬ１、Ｌ２を内蔵する多層基板
が形成される。そして、図２の高周波スイッチＳＷを構
成するダイオードＤ１、Ｄ２、並びに図３のＴｘ側増幅
器ＡＭＰ１を構成するＦＥＴＱ１及びＢ−ＴｒＱ２をラ
ンドＲ１〜Ｒ１０を用いて実装し、多層基板上に搭載す
ることにより高周波複合部品１０が形成される。
【００２７】上記のように、第１の実施例の高周波複合
部品によれば、複数の誘電体層を積層してなる多層基板
に、高周波スイッチを構成する伝送線路及びコンデン
サ、並びにＴｘ側増幅器を構成する伝送線路、コンデン
サ及びインダクタを内蔵し、高周波スイッチを構成する
ダイオード、並びにＴｘ側増幅器を構成するＦＥＴ及び
Ｂ−Ｔｒを搭載し、一体化するため、従来のディスクリ
ートの高周波スイッチ及びＴｘ側増幅器をプリント配線
基板上に実装して、接続したものに比べて、プリント配
線基板内での高周波スイッチ及びＴｘ側増幅器の実装面
積が削減でき、小型化及び軽量化が実現できる。また、
製造コストの低減も実現できる。
部品によれば、複数の誘電体層を積層してなる多層基板
に、高周波スイッチを構成する伝送線路及びコンデン
サ、並びにＴｘ側増幅器を構成する伝送線路、コンデン
サ及びインダクタを内蔵し、高周波スイッチを構成する
ダイオード、並びにＴｘ側増幅器を構成するＦＥＴ及び
Ｂ−Ｔｒを搭載し、一体化するため、従来のディスクリ
ートの高周波スイッチ及びＴｘ側増幅器をプリント配線
基板上に実装して、接続したものに比べて、プリント配
線基板内での高周波スイッチ及びＴｘ側増幅器の実装面
積が削減でき、小型化及び軽量化が実現できる。また、
製造コストの低減も実現できる。
【００２８】さらに、高周波スイッチとＴｘ側増幅器と
を同時設計することができるため、高周波スイッチ及び
Ｔｘ側増幅器のインピーダンス整合を施した設計を行う
ことができ、整合回路が不要となる。
を同時設計することができるため、高周波スイッチ及び
Ｔｘ側増幅器のインピーダンス整合を施した設計を行う
ことができ、整合回路が不要となる。
【００２９】また、高周波スイッチとＴｘ側増幅器とを
多層基板に一体化して設けるため、高周波スイッチとＴ
ｘ側増幅器との間を接続する線路の長さが短縮され、損
失や消費電流が小さくなる。したがって、高周波複合部
品の損失も小さくすることができる。
多層基板に一体化して設けるため、高周波スイッチとＴ
ｘ側増幅器との間を接続する線路の長さが短縮され、損
失や消費電流が小さくなる。したがって、高周波複合部
品の損失も小さくすることができる。
【００３０】さらに、多層基板に低温焼成セラミック基
板を用いているため、複数の誘電体層と、その複数の誘
電体層上の伝送線路及びコンデンサを形成する電極とを
一体焼成することができる。従って、製造工程の短縮化
が可能となり、コストダウンを図ることができる。
板を用いているため、複数の誘電体層と、その複数の誘
電体層上の伝送線路及びコンデンサを形成する電極とを
一体焼成することができる。従って、製造工程の短縮化
が可能となり、コストダウンを図ることができる。
【００３１】図６及び図７に、本発明に係る高周波複合
部品の第２の実施例のブロック図を示す。図６の高周波
複合部品２０は、図１０に示すようなＰＨＳ方式を構成
する高周波部品のうち、高周波スイッチＳＷと、Ｔｘ側
増幅器ＡＭＰ１と、トップフィルタＦ２とで構成される
ものである。
部品の第２の実施例のブロック図を示す。図６の高周波
複合部品２０は、図１０に示すようなＰＨＳ方式を構成
する高周波部品のうち、高周波スイッチＳＷと、Ｔｘ側
増幅器ＡＭＰ１と、トップフィルタＦ２とで構成される
ものである。
【００３２】一方、図７の高周波複合部品３０は、図１
１に示すようなＰＨＳ方式を構成する高周波部品のう
ち、高周波スイッチＳＷと、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１と、
Ｔｘ側第２フィルタＦ４とで構成されるものである。
１に示すようなＰＨＳ方式を構成する高周波部品のう
ち、高周波スイッチＳＷと、Ｔｘ側増幅器ＡＭＰ１と、
Ｔｘ側第２フィルタＦ４とで構成されるものである。
【００３３】図８に、図６及び図７の高周波複合部品を
構成するトップフィルタ及びＴｘ側第２フィルタの回路
図を示す。トップフィルタＦ２及びＴｘ側第２フィルタ
Ｆ４は、ＬＣフィルタであり、バターワース型の低域通
過フィルタである。
構成するトップフィルタ及びＴｘ側第２フィルタの回路
図を示す。トップフィルタＦ２及びＴｘ側第２フィルタ
Ｆ４は、ＬＣフィルタであり、バターワース型の低域通
過フィルタである。
【００３４】トップフィルタＦ２及びＴｘ側第２フィル
タＦ４は、一方ポートＰａと他方ポートＰｂとの間に伝
送線路ＳＴＬ５、ＳＴＬ６が直列に接続される。また、
伝送線路ＳＴＬ５と一方ポートＰａとの接続点、伝送線
路ＳＴＬ５と伝送線路ＳＴＬ６との接続点、伝送線路Ｓ
ＴＬ６と他方ポートＰｂとの接続点は、それぞれコンデ
ンサＣ１１、Ｃ１２、Ｃ１３を介して接地される。
タＦ４は、一方ポートＰａと他方ポートＰｂとの間に伝
送線路ＳＴＬ５、ＳＴＬ６が直列に接続される。また、
伝送線路ＳＴＬ５と一方ポートＰａとの接続点、伝送線
路ＳＴＬ５と伝送線路ＳＴＬ６との接続点、伝送線路Ｓ
ＴＬ６と他方ポートＰｂとの接続点は、それぞれコンデ
ンサＣ１１、Ｃ１２、Ｃ１３を介して接地される。
【００３５】そして、トップフィルタＦ２の場合には、
一方ポートＰａが図２に示した高周波スイッチＳＷの第
２のポートＰ２に接続され、他方ポートＰｂがアンテナ
ＡＮＴに接続される。
一方ポートＰａが図２に示した高周波スイッチＳＷの第
２のポートＰ２に接続され、他方ポートＰｂがアンテナ
ＡＮＴに接続される。
【００３６】また、Ｔｘ側第２フィルタＦ４の場合に
は、一方ポートＰａが、図３に示したＴｘ側増幅器ＡＭ
Ｐ１の出力ポートＰｏに、他方ポートＰｂが図２に示し
た高周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１に接続され
る。
は、一方ポートＰａが、図３に示したＴｘ側増幅器ＡＭ
Ｐ１の出力ポートＰｏに、他方ポートＰｂが図２に示し
た高周波スイッチＳＷの第１のポートＰ１に接続され
る。
【００３７】上記のように、第２の実施例の高周波複合
部品によれば、複数の誘電体層を積層してなる多層基板
に、高周波スイッチ、Ｔｘ側増幅器及びトップフィル
タ、あるいは高周波スイッチ、Ｔｘ側増幅器及びＴｘ側
第２フィルタを一体化するため、さらなる小型化及び軽
量化が実現できる。また、さらなる低コスト化も実現で
きる。
部品によれば、複数の誘電体層を積層してなる多層基板
に、高周波スイッチ、Ｔｘ側増幅器及びトップフィル
タ、あるいは高周波スイッチ、Ｔｘ側増幅器及びＴｘ側
第２フィルタを一体化するため、さらなる小型化及び軽
量化が実現できる。また、さらなる低コスト化も実現で
きる。
【００３８】なお、上記の第１及び第２実施例では、高
周波複合部品として一体化される増幅器としてＴｘ側増
幅器を例にして説明したが、Ｒｘ側増幅器、あるいはＴ
ｘ側増幅器とＲｘ側増幅器の両方を一体化してもよい。
周波複合部品として一体化される増幅器としてＴｘ側増
幅器を例にして説明したが、Ｒｘ側増幅器、あるいはＴ
ｘ側増幅器とＲｘ側増幅器の両方を一体化してもよい。
【００３９】また、図２に示した高周波スイッチの回路
図は、一例であり、多層基板に搭載したダイオード、並
びに多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサからな
るものであれば、本発明の範囲内にあるといえる。
図は、一例であり、多層基板に搭載したダイオード、並
びに多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサからな
るものであれば、本発明の範囲内にあるといえる。
【００４０】さらに、図３に示した増幅器の回路図は、
一例であり、多層基板に搭載したトランジスタ、並びに
多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサからなるも
のであれば、本発明の範囲内にあるといえる。また、Ｆ
ＥＴＱ１のゲートは、Ｂ−ＴｒＱ２のコレクタと直接接
続されているが、コンデンサを介して接続されてもよ
い。さらに、ＦＥＴＱ１のゲートとＢ−ＴｒＱ２のコレ
クタとの接続点は、コンデンサＣ６と直接接続されてい
るが、抵抗を介して接続されてもよい。また、インダク
タＬ２とコンデンサＣ７との接続点は、Ｂ−ＴｒＱ２の
ベースと伝送線路ＳＴＬ４の一端との接続点と直接接続
されているが、抵抗を介して接続されてもよい。
一例であり、多層基板に搭載したトランジスタ、並びに
多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサからなるも
のであれば、本発明の範囲内にあるといえる。また、Ｆ
ＥＴＱ１のゲートは、Ｂ−ＴｒＱ２のコレクタと直接接
続されているが、コンデンサを介して接続されてもよ
い。さらに、ＦＥＴＱ１のゲートとＢ−ＴｒＱ２のコレ
クタとの接続点は、コンデンサＣ６と直接接続されてい
るが、抵抗を介して接続されてもよい。また、インダク
タＬ２とコンデンサＣ７との接続点は、Ｂ−ＴｒＱ２の
ベースと伝送線路ＳＴＬ４の一端との接続点と直接接続
されているが、抵抗を介して接続されてもよい。
【００４１】さらに、高周波スイッチを構成するダイオ
ード、増幅器を構成するトランジスタは、ディスクリー
トでもよいし、同一の半導体基板に形成されたＭＭＩＣ
で構成されていてもよい。
ード、増幅器を構成するトランジスタは、ディスクリー
トでもよいし、同一の半導体基板に形成されたＭＭＩＣ
で構成されていてもよい。
【００４２】また、低温焼成セラミック基板に、酸化バ
リウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする材料
を用いる場合について説明したが、その他に、酸化バリ
ウム、シリカ、酸化ストロンチウム、酸化ジルコニウム
を主成分とする材料、酸化カルシウム、酸化ジルコニウ
ム、ガラスを主成分とする材料等がある。
リウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする材料
を用いる場合について説明したが、その他に、酸化バリ
ウム、シリカ、酸化ストロンチウム、酸化ジルコニウム
を主成分とする材料、酸化カルシウム、酸化ジルコニウ
ム、ガラスを主成分とする材料等がある。
【００４３】さらに、多層基板にキャビティを設け、高
周波スイッチを構成するダイオード、増幅器を構成する
トランジスタ、あるいはそれらを一体化したＭＭＩＣを
そのキャビティ内に搭載してもよい。また、図９に示す
ように、そのキャビティ４１の開口部をキャップ４２で
覆うようにすれば、高周波複合部品４０を構成する多層
基板４３の上面が平坦化し、扱いやすくなる。加えて、
その上にさらに他の部品を搭載することができ、さらに
高周波複合部品の小型化、軽量化を図ることができる。
周波スイッチを構成するダイオード、増幅器を構成する
トランジスタ、あるいはそれらを一体化したＭＭＩＣを
そのキャビティ内に搭載してもよい。また、図９に示す
ように、そのキャビティ４１の開口部をキャップ４２で
覆うようにすれば、高周波複合部品４０を構成する多層
基板４３の上面が平坦化し、扱いやすくなる。加えて、
その上にさらに他の部品を搭載することができ、さらに
高周波複合部品の小型化、軽量化を図ることができる。
【００４４】さらに、伝送線路ＳＴＬ１〜ＳＴＬ６及び
インダクタＬ１、Ｌ２がストリップラインで構成される
場合について説明したが、マイクロストリップライン、
コプレーナガイドライン等で構成されていてもよい。
インダクタＬ１、Ｌ２がストリップラインで構成される
場合について説明したが、マイクロストリップライン、
コプレーナガイドライン等で構成されていてもよい。
【００４５】また、第２の実施例では、高周波複合部品
として一体化されるフィルタとしてトップフィルタ及び
Ｔｘ側第２フィルタを例にして説明したが、Ｒｘ側フィ
ルタ、Ｔｘ側フィルタ、あるいは、それらすべてを一体
化してもよい。
として一体化されるフィルタとしてトップフィルタ及び
Ｔｘ側第２フィルタを例にして説明したが、Ｒｘ側フィ
ルタ、Ｔｘ側フィルタ、あるいは、それらすべてを一体
化してもよい。
【００４６】さらに、図８に示したフィルタの回路図
は、一例であり、多層基板に、内蔵した伝送線路及びコ
ンデンサからなるものであれば、本発明の範囲内にある
といえる。
は、一例であり、多層基板に、内蔵した伝送線路及びコ
ンデンサからなるものであれば、本発明の範囲内にある
といえる。
【００４７】
【発明の効果】請求項１の高周波複合部品によれば、複
数の誘電体層を積層してなる多層基板に、高周波スイッ
チを構成する伝送線路及びコンデンサ、並びに増幅器を
構成する伝送線路及びコンデンサを内蔵し、高周波スイ
ッチを構成するダイオード及び増幅器を構成するトラン
ジスタを搭載して、高周波スイッチと増幅器とを多層基
板に一体化して設けるため、従来のディスクリートの高
周波スイッチ及び増幅器をプリント配線基板上に実装し
て、接続したものに比べて、プリント配線基板内での高
周波スイッチ及び増幅器の実装面積が削減でき、小型化
及び軽量化が実現できる。また、製造コストの低減も実
現できる。
数の誘電体層を積層してなる多層基板に、高周波スイッ
チを構成する伝送線路及びコンデンサ、並びに増幅器を
構成する伝送線路及びコンデンサを内蔵し、高周波スイ
ッチを構成するダイオード及び増幅器を構成するトラン
ジスタを搭載して、高周波スイッチと増幅器とを多層基
板に一体化して設けるため、従来のディスクリートの高
周波スイッチ及び増幅器をプリント配線基板上に実装し
て、接続したものに比べて、プリント配線基板内での高
周波スイッチ及び増幅器の実装面積が削減でき、小型化
及び軽量化が実現できる。また、製造コストの低減も実
現できる。
【００４８】さらに、高周波スイッチと増幅器とを同時
設計することができるため、高周波スイッチ及び増幅器
のインピーダンス整合を施した設計を行うことができ整
合回路が不要となる。
設計することができるため、高周波スイッチ及び増幅器
のインピーダンス整合を施した設計を行うことができ整
合回路が不要となる。
【００４９】請求項２の高周波複合部品によれば、複数
の誘電体層を積層してなる多層基板に、高周波スイッチ
を構成する伝送線路及びコンデンサ、並びに送信側増幅
器を構成する伝送線路及びコンデンサを内蔵し、高周波
スイッチを構成するダイオード及び送信側増幅器を構成
するトランジスタを搭載して、高周波スイッチと送信側
増幅器とを多層基板に一体化して設けるため、高周波ス
イッチと送信側増幅器との間を接続する線路の長さが短
縮され、損失が小さくなる。したがって、高周波複合部
品の損失も小さくすることができる。
の誘電体層を積層してなる多層基板に、高周波スイッチ
を構成する伝送線路及びコンデンサ、並びに送信側増幅
器を構成する伝送線路及びコンデンサを内蔵し、高周波
スイッチを構成するダイオード及び送信側増幅器を構成
するトランジスタを搭載して、高周波スイッチと送信側
増幅器とを多層基板に一体化して設けるため、高周波ス
イッチと送信側増幅器との間を接続する線路の長さが短
縮され、損失が小さくなる。したがって、高周波複合部
品の損失も小さくすることができる。
【００５０】請求項３の高周波複合部品によれば、複数
の誘電体層を積層してなる多層基板に、高周波スイッ
チ、増幅器及びフィルタを一体化するため、さらなる小
型化及び軽量化が実現できる。また、さらなる低コスト
化も実現できる。
の誘電体層を積層してなる多層基板に、高周波スイッ
チ、増幅器及びフィルタを一体化するため、さらなる小
型化及び軽量化が実現できる。また、さらなる低コスト
化も実現できる。
【００５１】請求項４の高周波複合部品によれば、多層
基板に低温焼成セラミック基板を用いているため、複数
の誘電体層と、その複数の誘電体層上の伝送線路及びコ
ンデンサを形成する電極とを一体焼成することができ
る。従って、製造工程の短縮化が可能となり、コストダ
ウンを図ることができる。
基板に低温焼成セラミック基板を用いているため、複数
の誘電体層と、その複数の誘電体層上の伝送線路及びコ
ンデンサを形成する電極とを一体焼成することができ
る。従って、製造工程の短縮化が可能となり、コストダ
ウンを図ることができる。
【図１】本発明に係る高周波複合部品の第１の実施例の
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】図１の高周波複合部品を構成する高周波スイッ
チの回路図である。
チの回路図である。
【図３】図１の高周波複合部品を構成する増幅器の回路
図である。
図である。
【図４】図１の高周波複合部品を構成する（ａ）第１の
誘電体層〜（ｈ）第８の誘電体層の上面図である。
誘電体層〜（ｈ）第８の誘電体層の上面図である。
【図５】図１の高周波複合部品を構成する（ａ）第９の
誘電体層〜（ｅ）第１３の誘電体層の上面図及び（ｆ）
第１３の誘電体層の下面図である。
誘電体層〜（ｅ）第１３の誘電体層の上面図及び（ｆ）
第１３の誘電体層の下面図である。
【図６】本発明に係る高周波複合部品の第２の実施例の
ブロック図である。
ブロック図である。
【図７】本発明に係る高周波複合部品の第２の実施例の
別の例を示すブロック図である。
別の例を示すブロック図である。
【図８】図４及び図５の高周波複合部品を構成するフィ
ルタの回路図である。
ルタの回路図である。
【図９】図１、図６及び図７の高周波複合部品の変形例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】一般的な、携帯電話機の方式であるＰＨＳ方
式のブロック図である。
式のブロック図である。
【図１１】一般的な、携帯電話機の方式であるＰＨＳ方
式の別の例を示すブロック図である。
式の別の例を示すブロック図である。
１０、２０、３０、４０ 高周波複合部品 ＡＭＰ１、ＡＭＰ２ 増幅器 Ｃ１〜Ｃ８ コンデンサ Ｄ１、Ｄ２ ダイオード Ｆ１〜Ｆ４ フィルタ Ｑ１、Ｑ２ トランジスタ ＳＴＬ１〜ＳＴＬ６ 伝送線路 ＳＷ 高周波スイッチ
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の誘電体層を積層してなる多層基板
と、該多層基板に搭載したダイオード、並びに前記多層
基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサからなる高周波
スイッチと、前記多層基板に搭載したトランジスタ、並
びに前記多層基板に内蔵した伝送線路及びコンデンサか
らなる増幅器とで構成されることを特徴とする高周波複
合部品。 - 【請求項２】 前記増幅器が送信側増幅器であることを
特徴とする請求項１に記載の高周波複合部品。 - 【請求項３】 前記多層基板に、伝送線路及びコンデン
サからなるフィルタを内蔵することを特徴とする請求項
１あるいは請求項２に記載の高周波複合部品。 - 【請求項４】 前記多層基板として低温焼成セラミック
基板を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
いずれかに記載の高周波複合部品。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8278075A JPH10126307A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 高周波複合部品 |
| DE69727352T DE69727352T2 (de) | 1996-10-21 | 1997-10-16 | Hochfrequenz-Verbundteil |
| EP97117960A EP0837516B1 (en) | 1996-10-21 | 1997-10-16 | High-frequency composite part |
| EP03023542A EP1381108A3 (en) | 1996-10-21 | 1997-10-16 | High-frequency switch |
| US08/949,285 US5903421A (en) | 1996-10-21 | 1997-10-21 | High-frequency composite part |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8278075A JPH10126307A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 高周波複合部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10126307A true JPH10126307A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17592304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8278075A Pending JPH10126307A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 高周波複合部品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5903421A (ja) |
| EP (2) | EP1381108A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10126307A (ja) |
| DE (1) | DE69727352T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7492565B2 (en) | 2001-09-28 | 2009-02-17 | Epcos Ag | Bandpass filter electrostatic discharge protection device |
| JP2010246154A (ja) * | 2000-03-15 | 2010-10-28 | Hitachi Metals Ltd | 高周波複合部品及びこれを用いた無線通信装置 |
Families Citing this family (87)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6154176A (en) * | 1998-08-07 | 2000-11-28 | Sarnoff Corporation | Antennas formed using multilayer ceramic substrates |
| US6694128B1 (en) | 1998-08-18 | 2004-02-17 | Parkervision, Inc. | Frequency synthesizer using universal frequency translation technology |
| US6091940A (en) | 1998-10-21 | 2000-07-18 | Parkervision, Inc. | Method and system for frequency up-conversion |
| US6061551A (en) | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Parkervision, Inc. | Method and system for down-converting electromagnetic signals |
| US7515896B1 (en) | 1998-10-21 | 2009-04-07 | Parkervision, Inc. | Method and system for down-converting an electromagnetic signal, and transforms for same, and aperture relationships |
| US7295826B1 (en) | 1998-10-21 | 2007-11-13 | Parkervision, Inc. | Integrated frequency translation and selectivity with gain control functionality, and applications thereof |
| US6049706A (en) | 1998-10-21 | 2000-04-11 | Parkervision, Inc. | Integrated frequency translation and selectivity |
| US6370371B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-04-09 | Parkervision, Inc. | Applications of universal frequency translation |
| US7027786B1 (en) | 1998-10-21 | 2006-04-11 | Parkervision, Inc. | Carrier and clock recovery using universal frequency translation |
| US7236754B2 (en) | 1999-08-23 | 2007-06-26 | Parkervision, Inc. | Method and system for frequency up-conversion |
| US7039372B1 (en) | 1998-10-21 | 2006-05-02 | Parkervision, Inc. | Method and system for frequency up-conversion with modulation embodiments |
| US6061555A (en) | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Parkervision, Inc. | Method and system for ensuring reception of a communications signal |
| US6560301B1 (en) | 1998-10-21 | 2003-05-06 | Parkervision, Inc. | Integrated frequency translation and selectivity with a variety of filter embodiments |
| US6813485B2 (en) | 1998-10-21 | 2004-11-02 | Parkervision, Inc. | Method and system for down-converting and up-converting an electromagnetic signal, and transforms for same |
| US6542722B1 (en) | 1998-10-21 | 2003-04-01 | Parkervision, Inc. | Method and system for frequency up-conversion with variety of transmitter configurations |
| US6704549B1 (en) | 1999-03-03 | 2004-03-09 | Parkvision, Inc. | Multi-mode, multi-band communication system |
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