JPH10322033A

JPH10322033A - 配線基板

Info

Publication number: JPH10322033A
Application number: JP9125638A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Fujii; 俊一藤井
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-05-15
Filing date: 1997-05-15
Publication date: 1998-12-04

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁基体の内部配線導体と表面配線導体との
接続信頼性が低く、両者の電気的接続抵抗が大きい【解決手段】 60〜95重量％の無機絶縁物粉末を５〜40
重量％の熱硬化性樹脂で結合して成る絶縁基体１の表面
に金属箔からなる表面配線導体３を、内部に金属粉末を
熱硬化性樹脂で結合して成る内部配線導体２を形成する
とともに、内部配線導体２と表面配線導体３とをビアホ
ール４を介して接続し、ビアホール４と表面配線導体３
との間に、金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成り、ビ
アホール４の断面積より大きくかつ表面配線導体３の面
積より小さな断面積を有するランド導体７を配したこと
を特徴とする配線基板である。ビアホール４と表面配線
導体３とが良好に接続されることにより、内部配線導体
２と表面配線導体３とが信頼性高くかつ電気的に低抵抗
に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
するための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路
基板等に用いられる配線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、配線基板、例えば半導体素子を収
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスより
成り、その上面に半導体素子を搭載する搭載部を有する
絶縁基体と、絶縁基体の上面で搭載部又は搭載部近傍か
ら絶縁基体下面にかけて導出されたタングステンやモリ
ブデン等の高融点金属メタライズから成る配線導体とか
ら構成されており、絶縁基体の搭載部に半導体素子を搭
載するとともに半導体素子の各電極を絶縁基体の上面に
導出した配線導体に半田バンプやボンディングワイヤ等
の電気的接続手段を介して電気的に接続し、しかる後、
絶縁基体の上面に、金属やセラミックス等から成る蓋体
を半導体素子を覆うようにしてガラスや樹脂・ロウ材等
の封止材を介して接合させ、半導体素子を気密に収容す
ることによって製品としての半導体装置となり、配線導
体の絶縁基体下面に導出した部位を外部電気回路基板の
配線導体に接続することによって半導体素子の各電極が
外部電気回路基板に電気的に接続されることとなる。

【０００３】この従来の配線基板は、セラミックグリー
ンシート積層法によって製作され、具体的には、酸化ア
ルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシ
ウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶
剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周
知のドクターブレード法を採用してシート状とすること
によって複数のセラミックグリーンシートを得、しかる
後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜
き加工を施すとともに配線導体となる金属ペーストを所
定パターンに印刷塗布し、最後にセラミックグリーンシ
ートを所定の順に上下に積層して生セラミック成形体と
なすとともにこの生セラミック成形体を還元雰囲気中約
1600℃の高温で焼成することによって製作される。

【０００４】しかしながら、この従来の配線基板は、絶
縁基体を構成する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミ
ックスが硬くて脆い性質を有するため、搬送工程や半導
体装置製作の自動ライン等において配線基板同士が、あ
るいは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが
激しく衝突すると絶縁基体に欠けや割れ・クラック等が
発生し、その結果、半導体素子を気密に収容することが
できず、半導体素子を長期間にわたり正常かつ安定に作
動させることができなくなるという欠点を有していた。

【０００５】また、この従来の配線基板の製造方法によ
れば、生セラミック成形体を焼成する際に生セラミック
成形体に不均一な焼成収縮が発生し、得られる配線基板
に反り等の変形や寸法のばらつきが発生し、その結果、
半導体素子の各電極と配線導体とを、あるいは配線導体
と外部電気回路基板の配線導体とを正確かつ確実に電気
的に接続することが困難であるという欠点を有してい
た。

【０００６】そこで、配線基板の絶縁基体を従来のセラ
ミックスに代えて無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で結合
した材料で形成するとともに配線導体を従来の高融点金
属メタライズに代えて金属粉末を熱硬化性樹脂で結合し
た材料で形成した配線基板が提案されている。

【０００７】この無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で結合
して成る絶縁基体と金属粉末と熱硬化性樹脂とから成る
配線導体とから成る配線基板は、熱硬化性樹脂前駆体と
無機絶縁物粉末とを混合して成る半硬化状態の前駆体シ
ートを準備するとともにこれに適当な打ち抜き加工を施
し、次にこの前駆体シートに熱硬化性樹脂前駆体と金属
粉末とを混合して成る金属ペーストを所定パターンに印
刷塗布し、最後に金属ペーストが印刷塗布された前駆体
シートを必要に応じて積層するとともにこれを約100 〜
300 ℃の温度で熱硬化させることによって製作される。

【０００８】この無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂により
結合して成る絶縁基体に金属粉末を熱硬化性樹脂により
結合して成る配線導体が被着されて成る配線基板によれ
ば、絶縁基体となる無機絶縁物粉末および配線導体とな
る金属粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂により結合して
成ることから、配線基板同士あるいは配線基板と半導体
装置製作自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基
体に欠けや割れ・クラック等が発生することは一切な
い。

【０００９】また、この無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂
により結合して成る絶縁基体に金属粉末を熱硬化性樹脂
により結合して成る配線導体が被着されて成る配線基板
によれば、絶縁基体および配線導体に含有される熱硬化
性樹脂を熱硬化させることにより製作されることから、
焼成に伴う不均一な収縮による変形や寸法のばらつきが
発生することはない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この無
機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る絶縁基体と
金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る配線導体とから
成る配線基板は、配線導体を構成する金属粉末と熱硬化
性樹脂との接合強度が若干弱く、配線基板に半導体素子
の電極を接続する際等において配線導体に大きな外力が
印加されると、この外力によって熱硬化性樹脂による金
属粉末同士の結合が外れて配線導体の一部が配線導体よ
り離脱しやすい傾向があり、半導体素子等の電極と配線
導体との電気的接続の信頼性が若干劣るという解決すべ
き課題を有していた。

【００１１】そこで本願出願人は、無機絶縁物粉末を熱
硬化性樹脂で結合して成る絶縁基体内部の配線導体を金
属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る材料で形成し、絶
縁基体表面の配線導体を金属箔で形成した配線基板を提
案した。

【００１２】この配線基板は、絶縁基体の内部から表面
に延出するビアホールを設けておくとともにこのビアホ
ール内に金属粉末と熱硬化性樹脂とから成る配線導体を
充填させ、このビアホールに充填された配線導体を覆う
ようにして絶縁基体表面に金属箔から成る配線導体を被
着させることにより絶縁基体内部の配線導体と絶縁基体
表面の配線導体とが接続されるものであり、絶縁基体と
なる前駆体シートにビアホールとなる貫通孔を形成して
おくとともに、金属粉末を熱硬化性樹脂で結合されてな
る配線導体となる金属ペーストをビアホールとなる貫通
孔内に充填させておき、この前駆体シートの表面にビア
ホールとなる貫通孔内に充填された金属ペーストを覆う
ようにして金属箔から成る配線導体を貼着し、最後に前
駆体シートおよび金属ペーストを熱硬化させることによ
り製作される。

【００１３】この配線基板によれば、絶縁基体表面に被
着された配線導体は金属箔から成ることから、配線導体
に半導体素子の電極を接続する際等において配線導体に
大きな外力が印加されても配線導体の一部が配線導体か
ら離脱することはなく、半導体素子等の電極を配線導体
に確実かつ強固に電気的接続することが可能となる。

【００１４】しかしながら、この配線基板においては、
絶縁基体となる前駆体シートに形成したビアホールと成
る貫通孔内に充填させた金属ペーストが充填後に若干の
収縮を起こして、ビアホールに充填された配線導体の端
部がビアホールの開口から凹んだ形状となり易いこと、
および絶縁基体に設けられたビアホールの直径が通常50
〜100 μｍ程度と小さくて絶縁基体のビアホール内に充
填された配線導体と絶縁基体上面に被着させた金属箔か
ら成る配線導体との接触面積が狭いこと等から、両者の
接続信頼性が低いとともに両者の電気的接続抵抗が大き
いという欠点を有していた。

【００１５】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は、無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で結合
して成る絶縁基体と金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して
成る配線導体とから成り、内部配線導体と絶縁基体表面
に被着された表面配線導体とを信頼性高く、かつ電気的
に低抵抗に接続させることができる配線基板を提供する
ことにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、60
乃至95重量％の無機絶縁物粉末を５乃至40重量％の熱硬
化性樹脂で結合して成る絶縁基体の表面に金属箔からな
る表面配線導体を、内部に金属粉末を熱硬化性樹脂で結
合して成る内部配線導体を形成するとともに、この内部
配線導体と前記表面配線導体とをビアホールを介して接
続して成る配線基板であって、前記ビアホールと表面配
線導体との間に、金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成
り、ビアホールの断面積より大きくかつ表面配線導体の
面積より小さな断面積を有するランド導体を配したこと
を特徴とするものである。

【００１７】また本発明の配線基板は、上記構成におい
て、前記ビアホールおよび前記ランド導体の断面が略円
形であり、かつランド導体の直径がビアホールの直径よ
り30〜70μｍ大きいことを特徴とするものである。

【００１８】本発明の配線基板によれば、金属粉末を熱
硬化性樹脂で結合して成る内部配線導体と金属箔からな
る表面配線導体とを内部配線導体と同様に金属粉末を熱
硬化性樹脂で結合して成るビアホールを介して接続し、
そのビアホールと表面配線導体との間に、金属粉末を熱
硬化性樹脂で結合して成り、ビアホールの断面積より大
きくかつ表面配線導体の面積より小さな断面積を有する
ランド導体を配したことから、このランド導体を介して
ビアホールと絶縁基体上面に被着された表面配線導体と
が良好に接続され、その結果、内部配線導体と表面配線
導体とを信頼性高く、かつ電気的に低抵抗に接続させる
ことができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を添付の図面に基づ
き詳細に説明する。

【００２０】図１は、本発明の配線基板を半導体素子を
収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の
実施の形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁基体、
２および３は配線導体である。

【００２１】絶縁基体１は、複数のビアホール４が形成
された３枚の絶縁基板１ａ・１ｂ・１ｃを積層すること
によって形成されており、その上面が半導体素子を搭載
するための搭載面となっており、この上面には半導体素
子５が搭載される。

【００２２】絶縁基体１を構成する絶縁基板１ａ・１ｂ
・１ｃは、例えば酸化珪素・酸化アルミニウム・窒化ア
ルミニウム・炭化珪素・チタン酸バリウム・チタン酸ス
トロンチウム・チタン酸カルシウム・酸化チタン・ゼオ
ライト等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂・ポリイミド
樹脂・フェノール樹脂・熱硬化性ポリフェニレンエーテ
ル樹脂・ポリイミドアミド樹脂・ビスマレイミドトリア
ジン樹脂等の熱硬化性樹脂により結合することによって
形成されている。絶縁基体１を構成する３枚の絶縁基板
１ａ・１ｂ・１ｃはその各々が無機絶縁物粉末を靭性に
優れるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で結合することに
よって形成されていることから、絶縁基体１に外力が印
加されてもこの外力によって絶縁基体１に欠けや割れ・
クラック等が発生することはない。

【００２３】絶縁基体１を構成する３枚の絶縁基板１ａ
・１ｂ・１ｃは、これに含有される無機絶縁物粉末の含
有量が60重量％未満となり、熱硬化性樹脂の量が40重量
％を超えると絶縁基体１の熱膨張係数が半導体素子５の
熱膨張係数に対して大きく相違し、半導体素子５が作動
時に発した熱が半導体素子５と絶縁基体１の両者に印加
されると、両者間に両者の熱膨張係数の相違に起因する
大きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によって半導
体素子５が絶縁基体１から剥離したり、半導体素子５に
割れや欠けが発生しやすくなるという傾向がある。また
無機絶縁物粉末の含有量が95重量％を超え、熱硬化性樹
脂の量が５重量％未満となると無機絶縁物粉末を熱硬化
樹脂で強固に結合することが困難となる傾向にある。従
って、絶縁基体１を構成する絶縁基板１ａ・１ｂ・１ｃ
は、その各々の内部に含有される無機絶縁物粉末の量が
60乃至95重量％、熱硬化性樹脂の量が５乃至40重量％の
範囲に特定される。

【００２４】絶縁基体１は、例えば粒径が0.1 〜100 μ
ｍ程度の酸化珪素粉末にビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂・ノボラック型エ
ポキシ樹脂・グリシジルエステル型エポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂およびアミン系硬化剤・イミダゾール系硬化
剤・酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合して得た絶
縁ペーストをドクターブレード法等のシート成形法を採
用して半硬化状態のシート状となすとともに、これに適
当な打ち抜き加工を施すことによりビアホール４となる
貫通孔を形成して絶縁基板１ａ・１ｂ・１ｃとなる前駆
体シートを得、しかる後、この前駆体シートを所定の順
に積層圧着するとともに約100 〜300 ℃の温度で熱硬化
させることによって製作される。

【００２５】また絶縁基体１は、各絶縁基板１ａ・１ｂ
・１ｃ間および各絶縁基板１ａ・１ｂ・１ｃ内に金属粉
末を熱硬化性樹脂で結合して成る内部配線導体２および
ビアホール４内が埋設されており、またその絶縁基板１
ａ上面および絶縁基板１ｃ下面には基板表面に露出する
ビアホール４の端面を覆うようにして例えば銅箔等の金
属箔から成る表面配線導体３が被着されている。

【００２６】絶縁基体１の内部に埋設された内部配線導
体２ならびにビアホール４は、絶縁基体１の上下面に被
着された表面配線導体３を互いに電気的に接続する作用
を為し、例えば銅や銀・表面が銀で被覆された銅・銀−
銅合金・金等の金属から成る金属粉末をエポキシ樹脂等
の熱硬化樹脂により結合して成り、粒径が0.1 〜20μｍ
程度の金属粉末にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂・ビ
スフェノールＦ型エポキシ樹脂・ノボラック型エポキシ
樹脂・グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ
樹脂およびアミン系硬化剤・イミダゾール系硬化剤・酸
無水物系硬化剤等の硬化剤等の硬化剤を添加混合した金
属ペーストを絶縁基板１ａ・１ｂ・１ｃとなる前駆体シ
ートに設けたビアホール４となる貫通孔内に充填させて
おくとともにこの絶縁基板１ａ・１ｂ・１ｃとなる前駆
体シートの上下面に必要に応じて所定パターンに印刷塗
布しておき、これを後述するランド導体７となる金属ペ
ーストとともに室温にて800 〜3000ｋｇｆ／ｃｍ²の圧
力で上下からプレスし、金属ペースト中の金属粉末同士
を圧接させた後、絶縁基体１の絶縁基板１ａ・１ｂ・１
ｃとなる前駆体シートとともに熱硬化させることによっ
て絶縁基体１の内部に埋設される。

【００２７】絶縁基体１の内部に埋設された内部配線導
体２は、金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成り、熱硬
化性樹脂前駆体と金属粉末とを混合して成る金属ペース
トを絶縁基体１の絶縁基板１ａ・１ｂ・１ｃとなる前駆
体シートに印刷塗布することによって形成されているこ
とから、金属ペーストの流動性に起因してその側面がな
だらかに傾斜したものとなっていること、および金属ペ
ーストの有する可塑性のために絶縁基体１の絶縁基板１
ａ・１ｂ・１ｃとなる前駆体シートを積層圧着する際に
積層圧着の圧力によりその断面形状が潰れて偏平とな
り、その結果、上下に積層された前駆体シート間で内部
配線導体２の側面近傍が十分に密着し、絶縁基体１内部
に埋設された内部配線導体２の側面近傍に空隙が形成さ
れることはない。

【００２８】なお、内部配線導体２ならびに後述するビ
アホール４・ランド導体７に含有される金属粉末は、配
線導体２に導電性を付与する作用を為し、内部配線導体
２等における含有量が70重量％未満では内部配線導体２
等の電気抵抗が高いものとなり、また95重量％を超える
と金属粉末を熱硬化性樹脂で強固に結合して所定の内部
配線導体２等を形成することが困難となる傾向にある。
従って、前記内部配線導体２等は、これに含有される金
属粉末の量を70乃至95重量％の範囲としておくことが好
ましい。

【００２９】絶縁基体１の上面に被着された金属箔から
成る表面配線導体３は、半導体素子５の各電極を絶縁基
体１の内部に設けられた内部配線導体２に電気的に接続
するための接続パッドとして作用し、半導体素子５の各
電極が半田バンプ６を介して接続され、また、絶縁基体
１の下面に被着された金属箔から成る表面配線導体３
は、絶縁基体１の内部に設けられた内部配線導体２を外
部電気回路基板に電気的に接続するための接続パッドと
して作用し、外部電気回路基板の配線導体に半田を介し
て接続される。

【００３０】絶縁基体１の上面および下面に被着された
表面配線導体３は、銅箔等の金属箔から成り、表面配線
導体３を形成する金属箔はこれを構成する金属原子同士
が金属結合により互いに極めて強固に結合していること
から、表面配線導体３に半導体素子５の電極を接続する
際や表面配線導体３を外部電気回路基板の配線導体に接
続する際等において表面配線導体３に大きな外力が印加
されても表面配線導体３の一部が表面配線導体３から剥
離することはなく、従って半導体素子５の電極や外部電
気回路基板の配線導体を表面配線導体３に確実かつ強固
に接続することができる。

【００３１】絶縁基体１の上面および下面に被着された
銅箔等の金属箔から成る表面配線導体３は、例えばポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）から成る転写シート
上に銅箔等の金属箔を貼着するとともにこの金属箔を従
来周知のフォトリソグラフィー技術を採用して所定のパ
ターンにエッチングし、しかる後、転写シート上の金属
箔をビアホール４と成る貫通孔内に内部配線導体２の一
部となる金属ペーストが充填された絶縁基板１ａ・１ｃ
となる前駆体シートの上面および下面に押圧密着させる
とともにこれらから転写シートを除去し、金属箔を絶縁
基板１ａとなる前駆体シートの上面および絶縁基板１ｃ
となる前駆体シートの下面に転写しておくことによって
絶縁基体１の上面および下面に被着される。

【００３２】さらに、絶縁基体１のビアホール４と絶縁
基体１上下面に被着された表面配線導体３との間には、
金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る、ビアホール４
の断面積より大きくかつ表面配線導体３の面積より小さ
な断面積を有するランド導体７が配設されている。

【００３３】ランド導体７は、表面配線導体３とビアホ
ール４とを良好に接続することによりビアホール４を介
して内部配線導体２と表面配線導体３との電気的接続を
良好とする作用を為す。このランド導体７は、例えば銅
や銀・表面が銀で被覆された銅・銀−銅合金・金等の金
属から成る金属粉末をエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂によ
り結合して成り、粒径が0.1 〜20μｍ程度の金属粉末に
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂・ビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂・ノボラック型エポキシ樹脂・グリシジル
エステル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂およびアミン
系硬化剤・イミダゾール系硬化剤・酸無水物系硬化剤等
の硬化剤等の硬化剤を添加混合して得た金属ペースト
を、ビアホール４と成る貫通孔内に内部配線導体２とな
る金属ペーストが充填された絶縁基板１ａ・１ｃとなる
前駆体シートの表面に、ビアホール４となる貫通孔内に
充填された金属ペーストを覆うようにして印刷塗布して
おくことによって、ビアホール４と絶縁基体１上下面に
被着された表面配線導体３との間に配設される。

【００３４】本発明の配線基板によれば、このように絶
縁基体１のビアホール４と表面配線導体３との間に、金
属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る、ビアホール４の
断面積より大きくかつ表面配線導体３の面積より小さな
断面積を有するランド導体７が配設されていることか
ら、絶縁基板１ａ・１ｃとなる前駆体シートに形成され
たビアホール４となる貫通孔内に充填させた金属ペース
トが充填後に若干の収縮を起こして端部がビアホール４
となる貫通孔の開口から凹んだ形状となったとしても、
これらの凹みはランド導体７となる金属ペーストによっ
て良好に埋まり、また、ビアホール４とランド導体７と
は共に金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成ることから
両者が強固に接合一体化されるとともに、ランド導体７
の断面積がビアホールの断面積より大きいことからラン
ド導体７を介して接続される内部配線導体２であるビア
ホール４と表面配線導体３との接触面積が大きなものと
なり、その結果、ビアホール４を介した内部配線導体２
と表面配線導体３とがランド導体７を介して信頼性高
く、かつ電気的に低抵抗に接続される。

【００３５】なお、ビアホール４およびランド導体７は
ともに断面が略円形であることが、絶縁基板１に容易に
かつ安定に形成することができる点で好ましい。またそ
の場合、ランド導体７は、その直径がビアホール４の直
径より30μｍ未満の大きさである場合はランド導体７を
介したビアホール４と表面配線導体３との接触面積を大
として内部配線導体２と表面配線導体３とを電気的に低
抵抗に接続することが困難となる傾向にあり、また70μ
ｍを超えて大きい場合は隣接するランド導体７の間隔が
狭いものとなってビアホール４および表面配線導体３を
高密度で配線することが困難となる傾向にある。従っ
て、ランド導体７は、その直径がビアホール４の直径よ
り30乃至70μｍ大きいことが好ましい。

【００３６】さらに、ランド導体７となる金属ペースト
中に、銅等の金属箔の表面に形成される酸化膜を除去す
る作用のある３級アミン化合物やカルボン酸化合物・カ
ルボキシル基化合物等の酸化膜除去剤を適宜含有させて
おくと、金属箔から成る表面配線導体３とランド導体７
との接触面において表面配線導体３の表面に形成された
酸化膜が除去され、ランド導体７と表面配線導体３との
電気的接続がさらに良好となる。従って、ランド導体７
となる金属ペースト中には３級アミン化合物やカルボン
酸化合物・カルボキシル基化合物等の酸化膜除去剤を適
宜含有させておくことが好ましい。

【００３７】かくして本発明の配線基板によれば、絶縁
基体１の上面に半導体素子５を搭載するとともに半導体
素子５の各電極を半田バンプ６を介して表面配線導体３
に電気的に接続し、最後に絶縁基体１の上面に図示しな
い例えば椀状の蓋体を樹脂等から成る封止材を介して接
合させ、絶縁基体１と蓋体とから成る容器内部に半導体
素子５を封止することによって製品としての半導体装置
となる。

【００３８】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変更が可能である。例えば、上述の実施の形態の例
では本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージに適用した場合を例に採って説明し
たが、例えば混成集積回路等の他の用途に使用される配
線基板に適用してもよい。

【００３９】また、上述の実施の形態の例では３枚の前
駆体シートを積層することによって絶縁基体１を製作し
たが、１枚や２枚あるいは４枚以上の前駆体シートを使
用して絶縁基体１を製作してもよい。

【００４０】さらに、上述の実施の形態の例では絶縁基
体１は無機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂とから成っていた
が、これらにさらにガラス繊維やカーボン繊維・アラミ
ド繊維・アルミナ繊維・チタン酸カリウムウィスカー・
ホウ酸アルミニウムウィスカー等の短繊維を配合させて
もよい。

【００４１】さらにまた、上述の実施の形態の例では、
内部配線導体２・ビアホール４・ランド導体７は金属粉
末を熱硬化性樹脂により結合させることによって形成し
ていたが、これらにさらに低融点金属を配合し、この低
融点金属に金属粉末同士の結合を助長させてもよい。こ
の場合、内部配線導体２・ビアホール４・ランド導体７
となる金属ペースト中に低融点金属として例えば錫−鉛
半田等から成る低融点金属粉末を配合させておけばよ
い。

【００４２】

【発明の効果】本発明の配線基板によれば、金属粉末を
熱硬化性樹脂で結合して成る内部配線導体と金属箔から
なる表面配線導体とを接続する金属粉末を熱硬化性樹脂
で結合して成るビアホールと、表面配線導体との間に、
金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る、ビアホールの
断面積より大きくかつ表面配線導体の面積より小さな断
面積を有するランド導体を配したいることから、このラ
ンド導体を介してビアホールと表面配線導体とが良好に
接続され、ビアホールを介して接続される絶縁基体内部
の内部配線導体と絶縁基体表面に被着された表面配線導
体とが信頼性高く、かつ電気的に低抵抗に接続される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・・・・・・・・・絶縁基体１ａ、１ｂ、１ｃ・・・・絶縁基板２・・・・・・・・・・・内部配線導体３・・・・・・・・・・・表面配線導体４・・・・・・・・・・・ビアホール５・・・・・・・・・・・半導体素子７・・・・・・・・・・・ランド導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】６０乃至９５重量％の無機絶縁物粉末を
５乃至４０重量％の熱硬化性樹脂により結合して成る絶
縁基体の表面に金属箔からなる表面配線導体を、内部に
金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る内部配線導体を
形成するとともに、該内部配線導体と前記表面配線導体
とをビアホールを介して接続して成る配線基板であっ
て、前記ビアホールと表面配線導体との間に、金属粉末
を熱硬化性樹脂で結合して成り、ビアホールの断面積よ
り大きくかつ表面配線導体の面積より小さな断面積を有
するランド導体を配したことを特徴とする配線基板。
【請求項２】前記ビアホールおよび前記ランド導体の
断面が略円形であり、かつランド導体の直径がビアホー
ルの直径より３０乃至７０μｍ大きいことを特徴とする
請求項１に記載の配線基板。