KR20050009818A

KR20050009818A - 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더

Info

Publication number: KR20050009818A
Application number: KR1020030049061A
Authority: KR
Inventors: 이성락; 조정온; 이계춘
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-07-18
Filing date: 2003-07-18
Publication date: 2005-01-26

Abstract

반도체 제조설비를 제공한다. 이 반도체 제조설비는 공정진행에 따라 회전되는 인덱스플레이트와, 인덱스플레이트의 일측에 설치되며 중앙을 기준으로 방사상으로 배치되는 다수의 프로세스 챔버와, 인덱스플레이트의 일면에 설치되고 프로세스 챔버에 일대일 대응되게 설치되어 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 홀더와, 웨이퍼 홀더에 일대일 대응되도록 인덱스플레이트의 타측에 설치되고 웨이퍼 홀더에 선택적으로 접촉되어 웨이퍼를 히팅시켜주는 히터테이블을 포함하며, 상기 웨이퍼 홀더는 웨이퍼가 입출되도록 중앙에 소정크기의 끼움홀이 형성된 하우징과, 하우징의 일측에 결합되며 웨이퍼가 안착되는 베이스 기판과, 베이스 기판이 하우징에 탄성결합되도록 베이스 기판과 하우징을 상호 결합시켜주는 탄성유닛 및, 베이스 기판에 장착되어 베이스 기판에 안착되는 웨이퍼를 선택적으로 고정시켜주는 웨이퍼 고정롤러로 구성된 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더{Wafer holder of semiconductor manufacturing equipment}

본 발명은 반도체를 제조하는 반도체 제조설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체를 제조하는 반도체 제조공정의 공정진행중에 웨이퍼(Wafer)를 홀딩(Holding)하여 각 단계별로 이송시켜주는 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 디바이스(Device)는 순수 실리콘 웨이퍼(Sillicon Wafer) 상에 소정 회로 패턴(Pattern) 박막을 순차적으로 적층하는 과정을 반복함으로써 제조되는 바, 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 소정 회로 패턴 박막의 형성 및 적층을 위해 포토(Photo)공정, 박막증착공정, 식각공정 등 다수의 단위공정을 반복 수행하기 위한 다수의 반도체 제조설비가 구비되어야 한다.

여기에서, 이와 같은 다수의 반도체 제조설비는 모두 동일한 방식으로 웨이퍼를 장착하여 공정을 진행하는 것이 아니라 각 공정별로 처리의 균일성과 쓰루풋(Throughput) 향상 및 프로세스(Process)의 질 등을 감안하여 각 공정에 맞는 적절한 웨이퍼 장착방식을 사용하고 있다.

예를 들면, 반도체 제조설비의 웨이퍼 장착방식에는 1매씩의 웨이퍼를 처리하는 싱글웨이퍼(Single wafer)방식과, 다수의 웨이퍼를 한꺼번에 처리하는 배치(Batch)방식 및, 일정 수의 웨이퍼를 각 단계별로 이송시키면서 연속적으로 처리하는 연속방식 등이 있는 바, 주로 PE CVD(Plasma Etching Chemical Vapor Deposition)공정이나 드라이에칭(Dry etching) 공정같은 경우는 싱글웨이퍼방식을 사용하고 있고, 퍼니스(Furnace)를 이용한 LP CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정같은 경우는 배치방식을 사용하고 있으며, AP CVD(Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정이나 포토(Photo) 공정 및 스퍼터링(Sputtering) 공정같은 경우는 연속방식을 사용하고 있다. 특히, 스퍼터링 공정같은 경우는 연속방식 중에서도 회전되면서 웨이퍼가 각 단계별로 이송되는 환상(環狀) 연속방식이 주로 사용되고 있다.

이하, 종래 환상 연속방식으로 스퍼터링 공정을 수행하는 반도체 제조설비의 일예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

종래 환상 연속방식의 반도체 제조설비는 전체적으로 보아 공정진행에 따라 회전되는 인덱스플레이트 어셈블리(Index plate assembly)와, 이러한 인덱스플레이트 어셈블리의 상측에 설치되며 중앙을 기준으로 방사상으로 배치되는 다수의 프로세스 챔버(Process chamber)와, 인덱스플레이트 어셈블리의 상면에 설치되되 다수의 프로세스 챔버에 일대일 대응되게 설치되며 로딩(Loading)되는 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 홀더 및, 반도체 제조설비를 전반적으로 제어해주는 중앙제어장치로 구성된다.

이때, 인덱스플레이트 어셈블리는 환상의 인덱스플레이트와, 이러한 인덱스플레이트를 회전시켜주는 플레이트 회전장치 및, 인덱스플레이트의 하측에 설치되되 각 웨이퍼 홀더에 일대일 대응되게 설치되어 웨이퍼 홀더에 홀딩된 웨이퍼를 히팅시켜주는 히터테이블(Heater table)을 포함하여 구성된다.

그리고, 웨이퍼 홀더(10)는 도 1과 도 2에 도시된 바와 같이 원판형상으로 중앙에 웨이퍼(미도시)가 입출될 크기의 끼움홀(Hole,12)이 형성된 하우징(Housing,11)과, 이러한 하우징(11)과 유사한 형상으로 하우징(11)의 하측에 장착되는 베이스 웰드먼트(Base weldment,13)와, 베이스 웰드먼트(13)의 하측에 장착되며 끼움홀(12)을 통해 하우징(11)에 유입되는 웨이퍼가 하측으로 이탈되는 것을 방지해주는 클램프 링(Clamp ring,14) 및, 웨이퍼가 클림프 링(14)에 안착될 경우 웨이퍼를 고정시켜주는 웨이퍼 고정롤러(Roller,17)를 포함하여 구성된다.

여기에서, 클램프 링(14)은 소정 탄성으로 웨이퍼를 지지하여 웨이퍼가 하측으로 이탈되는 것을 방지하게 되는데, 이러한 클램프 링(14)은 웨이퍼가 안착되도록 소정 높이로 단차진 원형링(15)과, 이러한 원형링(15)의 가장자리 부분에서 외측으로 다수개 돌출되되 전후좌우 방향의 4부분으로 각각 돌출되어 하우징(11)과 베이스 웰드먼트(13) 사이에 장착되는 탄성레그(Leg,16)로 구성된다. 따라서, 이러한 클램프 링(14)은 원형링(15)에 안착된 웨이퍼를 탄성지지하되 이와 같은 탄성레그(16)의 탄성력에 의해서 웨이퍼를 지지하게 되는 것이다.

이하, 이와 같이 구성된 종래 반도체 제조설비의 작용 및 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

먼저, 선행공정을 수행한 웨이퍼는 소정 웨이퍼 이송암(Arm,미도시) 등에 의해 인덱스 플레이트(미도시)의 일 웨이퍼 홀더(10)에 안착되게 된다. 이때, 웨이퍼는 웨이퍼 홀더(10)의 상측에 안착되는 것이 아니라 웨이퍼 홀더(10)의 하우징(11)에 형성된 끼움홀(12)을 통하여 웨이퍼 홀더(10)의 내부로 끼워지게 되며, 이와 같이 끼움홀(12)을 통해 웨이퍼 홀더(10)의 내부로 끼워진 후에는 웨이퍼 홀더(10)의 하측에 장착된 클램프 링(14)에 걸려 클램프 링(14)의 탄성지지를 받게 된다.

이후, 웨이퍼 홀더(10)의 웨이퍼 고정롤러(17)는 소정각도 회전하여 클램프 링(14)의 탄성지지를 받는 웨이퍼를 고정시키게 된다.

계속하여, 웨이퍼의 고정이 완료되면, 인덱스 플레이트는 공정진행에 따라 웨이퍼가 고정된 웨이퍼 홀더(10)를 소정각도 회전되게 된다.

이후, 웨이퍼의 회전이 완료되면, 히터테이블(미도시)은 웨이퍼를 웨이퍼의하측방향에서 웨이퍼의 상측방향으로 밀면서 웨이퍼에 접촉하여 웨이퍼를 공정진행에 적합한 소정온도로 히팅시키게 된다.

이때, 웨이퍼는 이러한 히터테이블의 상측방향으로의 밂에 의하여 웨이퍼 홀더(10)에 대응되는 프로세스 챔버(미도시)의 내부로 유입되게 되고, 이러한 프로세스 챔버의 내부 유입후에는 스퍼터링과 같은 소정 프로세스를 진행받게 되는 것이다.

여기에서, 이와 같은 종래 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더(10)는 원형링(15)의 가장자리 부분에서 외측으로 다수개 돌출된 탄성레그(16)의 탄성에 의해서 웨이퍼를 탄성지지하게 되는데, 이러한 탄성레그(16)는 웨이퍼가 안착되는 원형링(15)에서 전후좌우 방향의 동일한 간격으로 형성되는 것이 아니기 때문에 히터테이블에 의해 웨이퍼에 가해지는 압력은 이러한 탄성레그(16)를 통하여 균등하게 분배되지 못하고 일측부분으로 몰리게 되는 경향이 발생된다. 이에 종래 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더(10)에 지지되는 웨이퍼는 종종 브로큰(Brocken)되어지는 문제점이 발생된다.

또한, 이와 같은 종래 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더(10)는 단순히 4개의 탄성레그(16)에 의해서만 웨이퍼를 탄성지지하기 때문에 장시간 공정에 사용될 경우에는 이러한 탄성레그(16)가 종종 휘어지게 되는 문제점이 발생된다.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 웨이퍼에 가해지는 압력을 균일하게 분배시킬 수 있는 반도체 제조설비의 웨이퍼홀더를 제공하는데 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 장시간 공정에 사용될 경우에도 휘어짐 현상이 거의 발생되지 않는 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더를 제공하는데 있다.

도 1은 종래 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더를 도시한 사시도.

도 2는 도 1에 도시한 웨이퍼 홀더의 분리사시도.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더를 도시한 사시도.

도 4는 도 3에 도시한 웨이퍼 홀더의 분리사시도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

20 : 웨이퍼 홀더 21 : 하우징

25 : 팬 스프링 26 : 압축스프링

29 : 베이스 기판 30 : 웨이퍼 고정롤러

이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명 반도체 제조설비는 공정진행에 따라 회전되는 인덱스플레이트와, 인덱스플레이트의 일측에 설치되며 중앙을 기준으로 방사상으로 배치되는 다수의 프로세스 챔버와, 인덱스플레이트의 일면에 설치되고 프로세스 챔버에 일대일 대응되게 설치되어 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 홀더와, 웨이퍼 홀더에 일대일 대응되도록 인덱스플레이트의 타측에 설치되고 웨이퍼 홀더에 선택적으로 접촉되어 웨이퍼를 히팅시켜주는 히터테이블을 포함하며,

상기 웨이퍼 홀더는 웨이퍼가 입출되도록 중앙에 소정크기의 끼움홀이 형성된 하우징과, 하우징의 일측에 결합되며 웨이퍼가 안착되는 베이스 기판과, 베이스 기판이 하우징에 탄성결합되도록 베이스 기판과 하우징을 상호 결합시켜주는 탄성유닛(Unit) 및, 베이스 기판에 장착되어 베이스 기판에 안착되는 웨이퍼를 선택적으로 고정시켜주는 웨이퍼 고정롤러로 구성된 것을 특징으로 한다.

이때, 상기 하우징에는 중앙을 기준으로 약 120°간격으로 동일하게 이격된 제1탄성유닛 장착홀이 형성되고, 상기 제1탄성유닛 장착홀의 사이에는 약 120°간격으로 동일하게 이격된 제2탄성유닛 장착홀이 형성됨이 바람직하다.

또한, 상기 탄성유닛은 제1탄성유닛 장착홀에 각각 끼워지는 팬 스프링(Pan spring)과, 제2탄성유닛 장착홀에 각각 끼워지는 압축스프링과, 팬 스프링의 일측단부를 하우징에 고정시켜주는 결합볼트(Bolt)와, 팬 스프링의 타측단부를 베이스 기판에 고정시켜주는 제1고정볼트 및, 압축스프링을 누르면서 제2탄성유닛 장착홀을 관통하여 베이스 기판에 결합되는 제2고정볼트로 구성됨이 바람직하다.

그리고, 상기 제1탄성유닛 장착홀과 상기 팬 스프링은 각각 원호(圓弧)형상으로 형성됨이 바람직하다.

이하, 본 발명에 따른 반도체 제조설비와 이 반도체 제조설비에 장착되는 웨이퍼 홀더를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

먼저, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 일실시예를 구체적으로 설명하기로 하며, 이때의 본 발명에 따른 반도체 제조설비는 일실시예로 환상 연속방식으로 스퍼터링 공정을 수행하는 반도체 제조설비를 예로 들기로 한다.

본 발명에 따른 환상 연속방식의 반도체 제조설비는 크게 공정진행에 따라 회전되는 인덱스플레이트 어셈블리와, 이러한 인덱스플레이트 어셈블리의 상측에 설치되며 중앙을 기준으로 방사상으로 배치되는 다수의 프로세스 챔버와, 인덱스플레이트 어셈블리의 상면에 설치되되 다수의 프로세스 챔버에 일대일 대응되게 설치되며 로딩되는 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 홀더 및, 반도체 제조설비를 전반적으로 제어해주는 중앙제어장치로 구성된다.

구체적으로 설명하면, 인덱스플레이트 어셈블리는 환상의 인덱스플레이트와, 이러한 인덱스플레이트를 회전시켜주는 플레이트 회전장치 및, 각 웨이퍼 홀더에 일대일 대응되도록 인덱스플레이트의 하측에 설치되며 웨이퍼 홀더에 홀딩된 웨이퍼에 선택적으로 접촉되어 웨이퍼를 히팅시켜주는 히터테이블을 포함하여 구성된다.

그리고, 웨이퍼 홀더(20)는 도 3과 도 4에 도시된 바와 같이 원판형상으로 중앙에 웨이퍼가 입출될 크기의 끼움홀(24)이 형성된 하우징(21)과, 이러한 하우징(21)과 유사한 형상으로 하우징(21)의 하측에 결합되며 웨이퍼가 안착되는 베이스 기판(29)과, 이러한 베이스 기판(29)이 하우징(21)에 탄성결합되도록 하우징(21)과 베이스 기판(29)을 상호 결합시켜주는 탄성유닛 및, 베이스 기판(29)에 장착되어 웨이퍼가 베이스 기판(29)에 안착될 경우 웨이퍼를 고정시켜주는 웨이퍼 고정롤러(30)를 포함하여 구성된다.

이때, 웨이퍼 홀더(20)는 본 발명의 핵심부분인 바, 이하에서는 웨이퍼 홀더(20)에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.

즉, 하우징(21)의 중앙으로는 웨이퍼가 입출되는 끼움홀(24)이 형성되는데, 이러한 끼움홀(24)의 가장자리 부근에는 중앙을 기준으로 약 120°간격으로 이격된 3개의 롤러 장착홀(22)이 형성되며, 이러한 롤러 장착홀(22)들 사이에는 롤러 장착홀(22)과 같이 중앙을 기준으로 약 120°간격으로 동일하게 이격된 제1탄성유닛 장착홀(23)과 제2탄성유닛 장착홀(34)이 각각 형성된다. 이때, 제1탄성유닛 장착홀(23)은 소정 두께의 원호형상으로 형성되며 제2탄성유닛 장착홀(34)은 소정직경의 원형상으로 형성된다.

또한, 탄성유닛은 베이스 기판(29)과 하우징(21)을 탄성결합시켜주는 역할을 하게 되는 바, 제1탄성유닛 장착홀(23)에 끼워지는 원호형상의 팬 스프링(25)과, 제2탄성유닛 장착홀(34)에 끼워지는 압축스프링(26)과, 팬 스프링(25)의 일측단부를 하우징(21)에 고정시켜주는 결합볼트(31)와, 팬 스프링(25)의 타측단부를 베이스 기판(29)에 고정시켜주는 제1고정볼트(27) 및, 압축스프링(26)을 누르면서 제2탄성유닛 장착홀(34)을 관통하여 베이스 기판(29)에 결합되는 제2고정볼트(28)로 구성된다.

한편, 베이스 기판(29)은 하우징(21)과 유사한 중공의 원형 플레이트 형상으로, 홀이 형성된 중앙부분에는 웨이퍼가 안착되도록 소정 높이로 단차진 안착홈(32)이 형성되며, 하우징(21)에 결합되는 가장자리 부근에는 탄성유닛이 결합되도록 탄성유닛의 제1고정볼트(27)와 제2고정볼트(28)가 끼워지는 다수개의 고정홀(33)이 형성된다. 따라서, 웨이퍼는 이러한 안착홈(32)에 안착되어지되 이와 같이 결합되는 탄성유닛에 의하여 탄성지지되게 되는 것이다.

이하, 이와 같이 구성된 본 발명 반도체 제조설비의 작용 및 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

먼저, 선행공정을 수행한 웨이퍼는 소정 웨이퍼 이송암 등에 의해 인덱스 플레이트의 일 웨이퍼 홀더(20)에 안착되게 된다. 이때, 웨이퍼는 웨이퍼 홀더(20)의 상측에 안착되는 것이 아니라 웨이퍼 홀더(20)의 하우징(21)에 형성된 끼움홀(24)을 통하여 웨이퍼 홀더(20)의 내부로 끼워지게 되며, 이와 같이 끼움홀(24)을 통해 웨이퍼 홀더(20)의 내부로 끼워진 후에는 웨이퍼 홀더(20)의 하측에 장착된 베이스 기판(29)의 안착홈(32)에 안착되어 베이스 기판(29)에 결합되는 탄성유닛의 탄성지지를 받게 된다.

이후, 웨이퍼 홀더(20)의 웨이퍼 고정롤러(30)는 소정각도 회전하여 베이스기판(29)의 탄성지지를 받는 웨이퍼를 고정시키게 된다.

계속하여, 웨이퍼의 고정이 완료되면, 인덱스 플레이트는 공정진행에 따라 웨이퍼가 고정된 웨이퍼 홀더(20)를 소정각도 회전되게 된다.

이후, 웨이퍼의 회전이 완료되면, 히터테이블은 웨이퍼를 웨이퍼의 하측방향에서 웨이퍼의 상측방향으로 밀면서 웨이퍼에 접촉하여 웨이퍼를 공정진행에 적합한 소정온도로 히팅(Heating)시키게 된다.

이때, 웨이퍼는 이러한 히터테이블의 상측방향으로의 밂에 의하여 웨이퍼 홀더(20)에 대응되는 프로세스 챔버의 내부로 유입되게 되고, 이러한 프로세스 챔버의 내부 유입후에는 스퍼터링과 같은 소정 프로세스를 진행받게 되는 것이다.

이상에서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비에 로딩되는 웨이퍼는 본 발명 웨이퍼 홀더(20)의 베이스 기판(29)에 형성된 안착홈(32)에 안착된 다음 베이스 기판(29)에 결합된 탄성유닛의 탄성지지를 받게 되는데, 본 발명에 따른 탄성유닛은 팬 스프링(25)과 압축스프링(26) 등으로 구성되되 중앙을 기준으로 약 120°간격으로 동일하게 이격되어 장착되기 때문에 히터테이블에 의해 웨이퍼에 가해지는 압력은 이러한 탄성유닛을 통하여 각 방향으로 균등하게 분배되므로 종래와 같이 압력이 일측부분으로 몰리게 되어 웨이퍼가 브로큰되어지는 문제는 모두 해결된다.

또한, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더(20)는 3개의 팬 스프링(25)과 이를 고정하는 제1고정볼트(27) 및 3개의 압축스프링(26)과 이를 고정하는 제2고정볼트(28) 등으로 베이스 기판(29)에 안착된 웨이퍼를 탄성지지하기 때문에 장시간 공정에 사용될 경우에도 탄성유닛이 휘어지거나 부러지는 경우는 거의발생되지 않게 된다.

그리고, 이와 같은 탄성유닛이 휘어지거나 부러지게 될 경우에도 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더(20)는 이 휘어지거나 부러지게 된 부분을 용이하게 교체할 수 있게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비에 로딩되는 웨이퍼는 본 발명 웨이퍼 홀더의 베이스 기판에 형성된 안착홈에 안착된 다음 베이스 기판에 결합된 탄성유닛의 탄성지지를 받게 되는데, 본 발명에 따른 탄성유닛은 팬 스프링과 압축스프링 등으로 구성되되 중앙을 기준으로 약 120°간격으로 동일하게 이격되어 장착되기 때문에 히터테이블에 의해 웨이퍼에 가해지는 압력은 이러한 탄성유닛을 통하여 각 방향으로 균등하게 분배되므로 종래와 같이 압력이 일측부분으로 몰리게 되어 웨이퍼가 브로큰되어지는 문제는 모두 해결되는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 홀더는 3개의 팬 스프링과 이를 고정하는 제1고정볼트 및 3개의 압축스프링과 이를 고정하는 제2고정볼트 등으로 베이스 기판에 안착된 웨이퍼를 탄성지지하기 때문에 장시간 공정에 사용될 경우에도 탄성유닛이 휘어지거나 부러지는 경우는 거의 발생되지 않게 되는 효과가 있다.

Claims

공정진행에 따라 회전되는 인덱스플레이트;

상기 인덱스플레이트의 일측에 설치되며, 중앙을 기준으로 방사상으로 배치되는 다수의 프로세스 챔버;

상기 인덱스플레이트의 일면에 설치되고, 상기 프로세스 챔버에 일대일 대응되게 설치되어 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 홀더;

상기 웨이퍼 홀더에 일대일 대응되도록 상기 인덱스플레이트의 타측에 설치되고, 상기 웨이퍼 홀더에 선택적으로 접촉되어 상기 웨이퍼를 히팅시켜주는 히터테이블을 포함하며,

상기 웨이퍼 홀더는

상기 웨이퍼가 입출되도록 중앙에 소정크기의 끼움홀이 형성된 하우징과,

상기 하우징의 일측에 결합되며 상기 웨이퍼가 안착되는 베이스 기판과,

상기 베이스 기판이 상기 하우징에 탄성결합되도록 상기 베이스 기판과 상기 하우징을 상호 결합시켜주는 탄성유닛 및,

상기 베이스 기판에 장착되어 상기 베이스 기판에 안착되는 상기 웨이퍼를 선택적으로 고정시켜주는 웨이퍼 고정롤러를 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
제 1항에 있어서, 상기 하우징에는 중앙을 기준으로 약 120°간격으로 동일하게 이격된 제1탄성유닛 장착홀이 형성되고, 상기 제1탄성유닛 장착홀의 사이에는 약 120°간격으로 동일하게 이격된 제2탄성유닛 장착홀이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
제 2항에 있어서, 상기 탄성유닛은 상기 제1탄성유닛 장착홀에 끼워지는 팬 스프링과, 상기 제2탄성유닛 장착홀에 끼워지는 압축스프링과, 상기 팬 스프링의 일측단부를 상기 하우징에 고정시켜주는 결합볼트와, 상기 팬 스프링의 타측단부를 상기 베이스 기판에 고정시켜주는 제1고정볼트 및, 상기 압축스프링을 누르면서 상기 제2탄성유닛 장착홀을 관통하여 상기 베이스 기판에 결합되는 제2고정볼트로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
제 3항에 있어서, 상기 제1탄성유닛 장착홀과 상기 팬 스프링은 각각 원호형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.