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KR20110076367A - Transverse electric field reflection type liquid crystal display device - Google Patents
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KR20110076367A - Transverse electric field reflection type liquid crystal display device - Google Patents

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KR20110076367A KR1020090133061A KR20090133061A KR20110076367A KR 20110076367 A KR20110076367 A KR 20110076367A KR 1020090133061 A KR1020090133061 A KR 1020090133061A KR 20090133061 A KR20090133061 A KR 20090133061A KR 20110076367 A KR20110076367 A KR 20110076367A
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Abstract

본 발명은, 서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판의 내측면에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 반사영역과 투과영역을 갖는 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 나란하게 형성된 공통배선과; 상기 화소영역에 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 상기 반사영역에 형성된 반사판과; 상기 반사판 위로 형성된 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 상부로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 상기 투과형역에 대해서는 판 형태로 형성되며, 상기 반사영역에 대해서는 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 형성된 다수의 제 1 개구를 포함하는 화소전극과; 상기 화소전극 위로 형성된 제 3 보호층과; 상기 제 3 보호층 위로 상기 공통배선과 공통 콘택홀을 통해 연결되며 상기 투과영역에는 상기 게이트 배선과 직교하는 제 2 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 2 개구와, 상기 반사영역에는 상기 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 3 개구를 포함하여 구성된 공통전극과; 상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하며, 상기 제 1 개구와 상기 제 3 개구는 평면적으로 교대하도록 배치된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치를 제공한다. The present invention includes a first substrate and a second substrate facing each other; A gate wiring and a data wiring formed on an inner surface of the first substrate to define a pixel region having a reflection region and a transmission region crossing each other through a gate insulating film; A common wiring formed in parallel with the gate wiring; A thin film transistor connected to the gate line and the data line in the pixel area; A first passivation layer covering the data line and the thin film transistor; A reflection plate formed in the reflection area over the first protective layer; A second protective layer formed over the reflecting plate; Contacting the drain electrode through a drain contact hole exposing the drain electrode of the thin film transistor to the upper portion of the second protective layer, and is formed in a plate shape in the transmissive region, and has a long axis in a first direction in the reflective region. A pixel electrode having a plurality of first openings formed therein; A third passivation layer formed over the pixel electrode; A plurality of second openings connected to the common protective layer through the common contact hole on the third passivation layer and spaced apart from each other in the transmissive area with a long axis in a second direction perpendicular to the gate wiring; A common electrode comprising a plurality of third openings having a long axis and spaced apart in one direction; A color filter layer formed on an inner surface of the second substrate; And a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates, wherein the first opening and the third opening are alternately arranged in a plane.

반사투과형, 액정표시장치, 반사효율, 횡전계모드 Reflective Transmissive, Liquid Crystal Display, Reflective Efficiency, Transverse Field Mode

Description

횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치{In-plane switching mode transflective type liquid crystal display device}In-plane switching mode transflective type liquid crystal display device

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반사영역 영역에서 반사율을 향상시킨 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a transverse electric field mode reflection transmission type liquid crystal display device having an improved reflectance in a reflection area region.

일반적으로 액정표시장치는 전압인가에 따라 배열을 달리하는 액정분자의 특성을 이용한 표시장치로서, 음극선관에 비하여 낮은 전력으로 구동이 가능하며, 소형화, 박형화에 더욱 유리한 장점을 지니므로 컴퓨터의 모니터와 텔레비전 등의 평판표시장치로서 각광을 받고 있으며, 나아가 경량 박형의 특성에 의해 휴대성이 용이하므로 노트북 또는 개인 휴대 단말기 등의 표시소자로서 이용되고 있다.In general, a liquid crystal display device is a display device using characteristics of liquid crystal molecules that differ in arrangement depending on voltage application. The liquid crystal display device can be driven at a lower power than a cathode ray tube, and is advantageous in miniaturization and thinning. BACKGROUND ART There is a spotlight as a flat panel display device such as a television, and since it is easy to carry due to its lightweight and thin characteristics, it is used as a display element of a notebook or a personal portable terminal.

이러한 액정표시장치는 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 상기 두 전극이 서로 마주 대하도록 배치하고, 상기 두 기판 사이에 액정을 개재하여 상기 두 전극에 인가되는 전압차에 의해 생성되는 전기장에 의해 액정분자의 움직임을 조절함으로써 이에 따라 달라지는 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표현하는 장치이다. In the liquid crystal display, two substrates on which electrodes are formed are disposed so that the two electrodes face each other, and a liquid crystal is generated by an electric field generated by a voltage difference applied to the two electrodes through a liquid crystal between the two substrates. By controlling the movement of molecules, it is a device that expresses an image by controlling the transmittance of light that varies accordingly.

한편, 액정표시장치는 일반적으로 스스로 빛을 발하지 못하는 수동형 소자이므로 별도의 광원이 필요하다. 따라서 상기 두 기판과 액정층으로 구성된 액정 패널(panel) 이외에 이의 배면에 빛을 공급하는 백라이트(backlight)를 배치하고 상기 백라이트로부터 나오는 빛을 상기 액정 패널에 입사시켜, 액정의 배열에 따라 빛의 양을 조절함으로써 화상을 표시한다. On the other hand, the liquid crystal display device is generally a passive element that does not emit light by itself, so a separate light source is required. Therefore, in addition to the liquid crystal panel (panel) consisting of the two substrates and the liquid crystal layer (backlight) for providing a light (backlight) for supplying the light emitted from the backlight to the liquid crystal panel, the amount of light according to the arrangement of the liquid crystal Display the image by adjusting.

이러한 액정표시장치를 투과형(transmission type) 액정표시장치라고 하는데, 투과형 액정표시장치는 백라이트와 같은 인위적인 광원을 사용하므로 어두운 외부 환경에서도 밝은 화상을 구현할 수 있으나, 백라이트로의 전력 공급이 이루어져야 하므로 휴대용 장치의 표시소자로 이용되는 경우 상대적으로 큰 전력소비(power consumption)가 단점이다. Such a liquid crystal display device is called a transmission type liquid crystal display device. Since the liquid crystal display device uses an artificial light source such as a backlight, a bright image can be realized even in a dark external environment, but a portable device is required because power must be supplied to the backlight. When used as a display device of a relatively large power consumption (power consumption) is a disadvantage.

따라서 이와 같은 단점을 보완하기 위해 백라이트의 사용없이 외부광원을 이용하는 반사형(reflection type) 액정표시장치가 제안되었다. Therefore, a reflection type liquid crystal display device using an external light source without using a backlight has been proposed to compensate for the above disadvantage.

이 반사형 액정표시장치는 외부의 자연광이나 인조광을 이용하여 동작하므로, 백라이트가 소모하는 전력량을 대폭 감소시키기 때문에 전력소비가 상기 투과형 대비 상대적으로 적어 장시간 휴대상태에서 사용이 가능하여 PDA(Personal Digital Assistant)등의 휴대용 장치의 표시소자로 주로 이용되고 있다. Since the reflective liquid crystal display device operates by using external natural light or artificial light, it significantly reduces the amount of power consumed by the backlight, so the power consumption is relatively small compared to the transmissive type, and thus it can be used in a portable state for a long time. It is mainly used as a display element of a portable device such as an assistant.

하지만, 이러한 반사형 액정표시장치는 광원을 따로 구비하지 않으므로 소비전력이 낮은 장점이 있으나, 외부광이 약하거나 없는 곳에서는 사용할 수 없는 단점이 있다. However, such a reflective liquid crystal display device has an advantage of low power consumption because it does not have a separate light source, but can not be used in a place where the external light is weak or absent.

따라서 최근에는 반사형 액정표시장치와 투과형 액정표시장치의 장점만을 수 용한 반사투과형(Transflective type) 액정표시장치가 제안되었으며, 이러한 반사투과형 액정표시장치의 경우, 주로 ECB(electrically controlled birefringence)모드 또는 VA(vertical alignment)모드로 주로 구현되고 있는데, 상기 ECB모드의 경우 시야각이 낮은 단점이 있으며, VA모드의 경우도 시야각 향상을 위해서 다수의 시야각 보상필름을 추가 구성해야 하므로 제조 비용증가의 문제가 발생하고 있다.Therefore, recently, a transflective liquid crystal display device having only the advantages of a reflective liquid crystal display device and a transmissive liquid crystal display device has been proposed. In the case of such a transflective liquid crystal display device, mainly an electrically controlled birefringence (ECB) mode or a VA (vertical alignment) mode is mainly implemented, the ECB mode has a disadvantage of low viewing angle, VA mode also requires a large number of viewing angle compensation film to be configured to improve the viewing angle, the problem of manufacturing cost increases have.

한편, 액정표시장치의 경우, 경량 박형의 구조적 특징으로 인해 최근 휴대용 노트북 등의 개인용 표시소자에서 탈피하여 TV 등의 대중매체로 많이 이용됨으로써 개인만이 시청하지 않고 다수의 사용자가 여러 각도에서 시청하게 되므로 시야각이 중요한 쟁점이 되고 있다.On the other hand, in the case of the liquid crystal display device, due to its lightweight and thin structure, it has recently escaped from a personal display device such as a portable notebook and is widely used as a mass media such as a TV, so that a large number of users can watch from various angles instead of only an individual. Therefore, viewing angle is becoming an important issue.

따라서 전술한 VA모드와 ECB모드 액정표시장치의 시야각이 낮은 단점을 극복하고자 공통전극과 화소전극이 모두 동일한 기판에 구성되어 횡전계에 의해 구동함으로써 시야각의 범위를 향상시킨 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치가 제안되었다.Therefore, in order to overcome the disadvantages of the low viewing angles of the above-described VA mode and ECB mode liquid crystal display devices, both the common electrode and the pixel electrode are formed on the same substrate, and are driven by the transverse electric field to improve the range of the viewing angle. The device has been proposed.

도 1은 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 반사영역 및 투과영역에 대한 간략한 단면도이다. 이때 상기 화소영역은 반사판이 형성되어 하부로부터 빛이 통과하지 않는 반사영역과, 상기 반사판이 형성되지 않은 투과영역이 정의되고 있다. 1 is a simplified cross-sectional view of a reflection area and a transmission area of a conventional transverse electric field mode reflection-transmissive liquid crystal display device. In this case, the pixel region is defined as a reflection region where a reflection plate is formed so that light does not pass from below and a transmission region in which the reflection plate is not formed.

도시한 바와 같이, 어레이 기판(2)에는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며 형성되어 있고, 상기 게이트 배선(미도시)과 나란하게 연장하며 상기 화소영역(P)을 관통하는 공통배선(미도시)이 형성되어 있으며, 각 화소영역(P)에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있다.As shown in the drawing, a gate line (not shown) and a data line (not shown) intersect with each other to define a pixel region P, and are parallel to the gate line (not shown). A common wiring (not shown) is formed to extend and penetrate the pixel region P. A thin film transistor, which is a switching element, is formed in each pixel region P. Referring to FIG.

또한, 상기 반사영역(RA)에는 반사율이 좋은 금속물질로 반사판(50)이 형성되고 있으며, 상기 반사판(50) 위로는 화소영역(P)에 있어서는 화소전극(70)이 형성되어 있다.In addition, a reflective plate 50 is formed of a metal material having good reflectance in the reflective region RA, and a pixel electrode 70 is formed in the pixel region P on the reflective plate 50.

또한, 상기 화소전극(70) 위로는 절연층(72)을 개재하여 상기 공통배선(미도시)과 연결되며 다수의 바(bar) 형태의 개구(op1, op2)를 갖는 공통전극(80)이 형성되고 있다. 이때 상기 다수의 개구(op1, op2)는 다수의 제 1 개구(op1)와 다수의 제 2 개구(op2)로 나뉘며 각각 투과영역(TA) 및 반사영역(RA)에 구비되고 있으며, 다수의 상기 제 1 및 제 2 개구(op1, op2)는 그 장축의 방향을 달리 하고 있는 것이 특징이다.In addition, a common electrode 80 is connected to the common wiring (not shown) through the insulating layer 72 and has a plurality of bar-shaped openings op1 and op2 over the pixel electrode 70. It is being formed. In this case, the plurality of openings op1 and op2 are divided into a plurality of first openings op1 and a plurality of second openings op2 and are provided in the transmission area TA and the reflection area RA, respectively. The first and second openings op1 and op2 are characterized by varying the directions of their major axes.

이러한 구성을 갖는 어레이 기판(2)과 대향하며 화소영역(P)의 경계에 블랙매트릭스(미도시)와 각 화소영역(P)에 대응하여 컬러필터층(86)과 전면에 오버코트층(88)을 구비한 컬러필터 기판(83)이 구비되고 있으며, 이들 어레이 기판(2)과 컬러필터 기판(83) 사이에 액정층(90)이 개재되고 있다. An overcoat layer 88 is formed on the front surface of the color filter layer 86 and the front surface of the color filter layer 86 so as to face the array substrate 2 having such a configuration and correspond to a black matrix (not shown) and each pixel region P at the boundary of the pixel region P. The provided color filter substrate 83 is provided, and the liquid crystal layer 90 is interposed between the array substrate 2 and the color filter substrate 83.

한편, 전술한 구성을 갖는 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치(1)는 투과영역(TA)에서의 액정층(90)의 두께(이하 제 1 셀갭(d1)이라 칭함)가 반사영역(RA)에서의 셀갭(d2)의 2배가 되도록 구성되고 있다. 이는 액정층(90)에서의 빛이 느끼는 리타데이션(retardation)을 일치시키기 위한 것으로 투과영역(TA)의 경우, 어레이 기판(2) 하부에 위치하는 백라이트 유닛(미도시)으로부터 나온 빛을 사 용자가 보게 되므로 상기 액정층(90)을 1회 통과하는 반면, 반사영역(RA)에서는 외부의 광이 상기 액정표시장치(1)의 표시영역으로 입사되고 반사판(50)에 의해 반사되어 다시 외부로 나오는 빛을 사용자가 보기 때문에 상기 액정층(90)을 2회 통과하게 된다. On the other hand, in the conventional transverse electric field mode reflection-transmissive liquid crystal display device 1 having the above-described configuration, the thickness of the liquid crystal layer 90 in the transmissive area TA (hereinafter referred to as the first cell gap d1) is a reflection area ( It is comprised so that it may double as the cell gap d2 in RA). This is to match the retardation that the light in the liquid crystal layer 90 feels. In the case of the transmission area TA, the light from the backlight unit (not shown) located under the array substrate 2 is used. Since the light passes through the liquid crystal layer 90 once, in the reflection area RA, external light is incident on the display area of the liquid crystal display device 1 and reflected by the reflection plate 50 to the outside. Since the user sees the light coming out, it passes through the liquid crystal layer 90 twice.

따라서 이러한 과정에서 반사영역(RA)으로 나오는 빛과 투과영역(TA)으로 나오는 빛은 리타데이션 값이 틀리게 되므로 이를 일치시키기 위해 반사영역(RA)은 λ/4의 셀을 이루도록 투과영역(TA)은 λ/2의 셀을 이루도록 상기 액정층(90)의 두께를 달리 구성하는 것이다. Therefore, in this process, the light coming out of the reflection area RA and the light coming out of the transmission area TA have different retardation values, so that the reflection area RA forms a cell of λ / 4 to match the transmission area TA. Is configured to vary the thickness of the liquid crystal layer 90 to form a cell of λ / 2.

한편 전술한 구성을 갖는 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치는 하나의 화소영역에 화소영역과 투과영역을 형성함으로써 백라이트 유닛으로부터 나오는 광원 및 외부광원을 동시 또는 선택적으로 이용함으로써 전력 효율 및 외부 시인성을 향상시키고 있다.On the other hand, the transverse electric field mode reflection-transmissive liquid crystal display having the above-described configuration forms a pixel area and a transmission area in one pixel area to simultaneously improve or improve power efficiency and external visibility by using a light source and an external light source from the backlight unit. I'm making it.

하지만 전술한 구성을 갖는 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치는 반사영역에 있어서 반사효율이 상대적으로 떨어지는 문제가 발생하고 있다.However, the conventional transverse electric field mode reflection-transmissive liquid crystal display having the above-described configuration has a problem that the reflection efficiency is relatively low in the reflection area.

도 2는 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 어레이 기판에 있어 반사영역에 대한 단면도로서 공통전극과 화소전극 및 반사판과 반사영역에서의 외부광 경로를 간략하게 도시한 도면이다. FIG. 2 is a cross-sectional view of a reflection area in a conventional array substrate of a transverse electric field mode reflection-transmissive liquid crystal display device, and schematically illustrates an external light path in a common electrode, a pixel electrode, and a reflection plate and a reflection area.

도시한 바와 같이, 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 반사영역(RA)을 살펴보면, 어레이 기판에 있어서 반사판(50)을 기준으로 그 상부에 절연층(미도시)이 형성되어 있으며, 상기 절연층(미도시) 위에 각 화소영역(미도시)별 로 판형태의 화소전극(70)이 형성되어 있으며, 제 2 절연층(미도시)을 개재하여 다수의 제 2 개구(op2)를 갖는 공통전극(80)이 형성되고 있다.As shown in the drawings, the reflection area RA of the conventional transverse electric field mode reflection-transmissive liquid crystal display device includes an insulating layer (not shown) formed on the reflective plate 50 on the array substrate. A plate-shaped pixel electrode 70 is formed on each insulating layer (not shown), and has a plurality of second openings op2 through a second insulating layer (not shown). The common electrode 80 is formed.

이때, 상기 공통전극(80)으로 입사되는 일부 외부광의 어레이 기판(1) 내에서의 경로를 살펴보면, 상기 공통전극(80)을 투과하여 상기 화소전극(70)으로 입사되며, 반사판(50)에 반사된 후 다시 상기 화소전극(70)과 공통전극(80)을 통과하여 최종적으로 사용자의 눈으로 입사된다.In this case, looking at the path in the array substrate 1 of the external light incident to the common electrode 80, the common electrode 80 passes through the common electrode 80 and is incident to the pixel electrode 70, and then enters the reflective plate 50. After reflection, the light passes through the pixel electrode 70 and the common electrode 80 and finally enters the user's eye.

절연층을 제외하면, 상기 일부 외부광은 어레이 기판(1) 내부에서는 공통전극(80) 2회, 화소전극(70) 2회를 투과하게 되며, 이러한 과정에서 빛 손실이 발생하여 반사효율이 저감되고 있는 실정이다. Except for the insulating layer, the partial external light passes through the common electrode 80 twice and the pixel electrode 70 twice inside the array substrate 1, and in this process, light loss occurs, thereby reducing reflection efficiency. It's happening.

따라서 전술한 구성을 갖는 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치는 반사영역에서의 반사효율을 더욱 극대화할 수 있는 구성이 요구되고 있다. Therefore, the transverse electric field mode reflection-transmissive liquid crystal display device having the above-described configuration is required to further maximize the reflection efficiency in the reflection area.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 반사영역으로 입사된 외부광이 화소전극과 공통전극의 투과 횟수를 최소화하여 반사효율을 향상시킬 수 있는 횡전계 모드 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the above problems, and provides a transverse electric field mode liquid crystal display device which can improve reflection efficiency by minimizing the number of transmission of the pixel electrode and the common electrode by the external light incident to the reflection area. It is for that purpose.

본 발명에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치는, 서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판의 내측면에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 반사영역과 투과영역을 갖는 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 나란하게 형성된 공통배선과; 상기 화소영역에 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 상기 반사영역에 형성된 반사판과; 상기 반사판 위로 형성된 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 상부로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 상기 투과형역에 대해서는 판 형태로 형성되며, 상기 반사영역에 대해서는 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 형성된 다수의 제 1 개구를 포함하는 화소전극과; 상기 화소전극 위로 형성된 제 3 보호층과; 상기 제 3 보호층 위로 상기 공통배선과 공통 콘택홀을 통해 연결되며 상기 투과영역에는 상기 게이트 배선과 직교하는 제 2 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 2 개구와, 상기 반사영역에는 상기 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 3 개구를 포함하여 구성된 공통전극과; 상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 개재된 액정층 을 포함하며, 상기 제 1 개구와 상기 제 3 개구는 평면적으로 교대하도록 배치된 것이 특징이다. A transverse electric field mode reflective transmission liquid crystal display device according to the present invention comprises: a first substrate and a second substrate facing each other; A gate wiring and a data wiring formed on an inner surface of the first substrate to define a pixel region having a reflection region and a transmission region crossing each other through a gate insulating film; A common wiring formed in parallel with the gate wiring; A thin film transistor connected to the gate line and the data line in the pixel area; A first passivation layer covering the data line and the thin film transistor; A reflection plate formed in the reflection area over the first protective layer; A second protective layer formed over the reflecting plate; Contacting the drain electrode through a drain contact hole exposing the drain electrode of the thin film transistor to the upper portion of the second protective layer, and is formed in a plate shape in the transmissive region, and has a long axis in a first direction in the reflective region. A pixel electrode having a plurality of first openings formed therein; A third passivation layer formed over the pixel electrode; A plurality of second openings connected to the common protective layer through the common contact hole on the third passivation layer and spaced apart from each other in the transmissive area with a long axis in a second direction perpendicular to the gate wiring; A common electrode comprising a plurality of third openings having a long axis and spaced apart in one direction; A color filter layer formed on an inner surface of the second substrate; And a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates, wherein the first opening and the third opening are alternately arranged in a plane.

이때, 상기 제 2 개구간 및 제 3 개구간에 위치하는 공통전극 부분을 공통전극 핑거부라 정의하고, 상기 제 1 개구의 폭을 제 1 폭, 상기 공통전극 핑거부의 폭을 제 2 폭, 상기 제 2 개구 또는 제 3 개구의 폭을 제 3 폭이라 정의할 때, 상기 제 1 폭은 2㎛와 같거나 이보다 크고 상기 제 3 폭의 1.2배와 같거나 이보다 작은 크기를 갖는 것이 특징이며, 이때, 상기 제 1 개구는 상기 공통전극 핑거부와 중첩하도록 형성된 것이 특징이다. 또한, 상기 제 1 개구간 사이의 화소전극 부분은 화소전극 핑거부라 정의할 때, 상기 화소전극 핑거부 양 끝단은 상기 공통전극 핑거부의 양 끝단과 상기 공통전극 핑거부 폭의 10%이하로 중첩되도록 형성된 것이 특징이다. In this case, a portion of the common electrode positioned between the second opening and the third opening is defined as a common electrode finger portion, the width of the first opening is a first width, the width of the common electrode finger portion is a second width, and the second When the width of the second opening or the third opening is defined as the third width, the first width is greater than or equal to 2 μm and has a size equal to or less than 1.2 times the third width, wherein The first opening may be formed to overlap the common electrode finger. In addition, when the pixel electrode portion between the first openings is defined as a pixel electrode finger portion, both ends of the pixel electrode finger portion may overlap both ends of the common electrode finger portion and less than 10% of the width of the common electrode finger portion. It is characterized by the formation.

또한, 상기 투과영역에 형성된 상기 판 형태의 화소전극은 그 내부에 상기 제 2 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 2 개구와 나란하게 교대하는 다수의 제 4 개구가 구비된 것이 특징이다. In addition, the plate-shaped pixel electrode formed in the transmissive region has a plurality of fourth openings alternately arranged in parallel with a plurality of second openings having a long axis in the second direction and spaced apart from each other.

또한, 상기 반사영역에서의 액정층의 두께는 상기 투과영역에서의 액정층의 두께의 1/2인 것이 특징이다. In addition, the thickness of the liquid crystal layer in the reflective region is characterized in that 1/2 of the thickness of the liquid crystal layer in the transmission region.

또한, 상기 공통배선에서 상기 반사영역으로 분기하는 제 1 스토리지 전극과, 상기 데이터 배선과 중첩하도록 분기하는 제 2 스토리지 전극이 형성되며, 상기 드레인 전극은 연장하여 상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하도록 형성됨으로서 서로 중첩하는 상기 제 1 스토리지 전극과 상기 게이트 절연막과 드레인 전극은 제 1 스토리지 커패시터를 이루며, 서로 중첩하는 상기 제 2 스토리지 전극과 상기 게이트 절연막과 상기 데이터 배선은 제 2 스토리지 커패시터를 이루는 것이 특징이다. In addition, a first storage electrode branching from the common line to the reflective region and a second storage electrode branching to overlap the data line are formed, and the drain electrode extends to overlap the first storage electrode. The first storage electrode, the gate insulating layer, and the drain electrode overlapping each other form a first storage capacitor, and the second storage electrode, the gate insulating layer, and the data line overlapping each other form a second storage capacitor.

상기 제 1 보호층은 유기절연물질로 이루어지며 상기 반사영역에서는 그 표 면이 올록볼록한 요철형태를 이루며, 상기 제 1 보호층 상부에 형성된 상기 반사판 또한 그 표면이 올록볼록한 요철형태를 이루는 것이 특징이다. The first passivation layer is made of an organic insulating material, and in the reflective region, the surface thereof is convex and convex, and the reflecting plate formed on the first passivation layer also has convex and concave surface. .

또한, 상기 박막트랜지스터와 상기 제 1 보호층 사이에는 무기절연물질로 이루어진 제 4 보호층이 형성되며, 상기 제 1 보호층과 상기 반사판 사이에 무기절연물질로 이루어진 제 5 보호층이 형성된 것이 특징이며, 이때, 상기 제 2 보호층과 상기 제 3 보호층 사이에는 유기절연물질로 상기 반사영역에 대응하여 제 6 보호층이 형성된 것이 특징이다. In addition, a fourth protective layer made of an inorganic insulating material is formed between the thin film transistor and the first protective layer, and a fifth protective layer made of an inorganic insulating material is formed between the first protective layer and the reflector. In this case, a sixth passivation layer is formed between the second passivation layer and the third passivation layer to correspond to the reflective region with an organic insulating material.

또한, 상기 제 2 기판의 내측면과 상기 컬러필터층 사이에 상기 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 블랙매트릭스가 형성되며, 상기 컬러필터층을 덮으며 상기 제 2 기판 전면에 오버코트층이 형성된 것이 특징이며, 상기 컬러필터층은 상기 반사영역에 대응하여 그 중앙부에 대해서는 패터닝되어 제거됨으로써 투과홀이 형성된 것이 특징이다. In addition, a black matrix is formed between the inner surface of the second substrate and the color filter layer to correspond to the gate and data wiring, and an overcoat layer is formed on the entire surface of the second substrate to cover the color filter layer. The color filter layer is patterned and removed at a central portion of the color filter layer so as to correspond to the reflective region, thereby forming a transmission hole.

또한, 상기 제 1 및 제 2 기판 외측면에 각각 구성되며 그 편광축이 서로 직교하도록 배치된 제 1 및 제 2 편광판과; 상기 공통전극을 덮으며 형성된 제 1 배향막과; 상기 컬러필터층을 덮으며 형성된 제 2 배향막을 포함한다.In addition, the first and second polarizing plates which are respectively formed on the outer surface of the first and second substrates and disposed so that their polarization axes are perpendicular to each other; A first alignment layer covering the common electrode; And a second alignment layer formed to cover the color filter layer.

본 발명은 반사영역에 구비되는 화소전극 및 공통전극에 대응하여 평면적으로 교대하는 형태로 각각 다수의 제 1 개구와 다수의 제 3 개구를 갖도록 구성함으로써 외부광이 통과하게 되는 화소전극과 공통전극의 횟수를 줄임으로써 반사영역 에서의 반사효율을 향상시키는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, a plurality of first openings and a plurality of third openings are formed in a planar alternating manner to correspond to the pixel electrode and the common electrode provided in the reflective area, respectively. Reducing the number of times has the effect of improving the reflection efficiency in the reflection area.

나아가 투과영역에 대응해서도 반사영역과 동일하게 화소전극 및 공통전극에 대응하여 평면적으로 교대하는 형태로 각각 다수의 제 2 개구와 다수의 제 4 개구를 갖도록 구성함으로써 백라이트 유닛으로 나온 빛이 통과하게 되는 화소전극과 공통전극의 횟수를 줄임으로써 투과영역에서의 투과효율을 향상시키는 효과가 있다. Furthermore, the light emitted from the backlight unit passes through the plurality of second openings and the plurality of fourth openings in the form of alternating planes corresponding to the pixel electrode and the common electrode in the same manner as the reflective area. There is an effect of improving the transmission efficiency in the transmission area by reducing the number of pixel electrodes and the common electrode.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail with respect to the reflective liquid crystal display device according to the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 설명의 편의를 위해 화소영역(P) 내에 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되는 영역을 스위칭 영역(TrA)이라 정의하고, 동시에 화소영역(P) 중 반사판(150)이 형성되는 부분을 반사영역(RA), 그 이외의 영역을 투과영역(TA)이라 정의한다. 3 is a cross-sectional view of one pixel area of a transverse electric field mode reflective transmissive liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. For convenience of description, a region in which the thin film transistor Tr, which is a switching element, is formed in the pixel region P is defined as a switching region TrA, and at the same time, a portion where the reflector 150 is formed in the pixel region P is reflected. The area RA and other areas are defined as the transmission area TA.

도시한 바와 같이, 어레이 기판(101)에는 게이트 배선(103)과 데이터 배선(125)이 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하며 형성되어 있고, 상기 게이트 배선(103)과 나란하게 연장하며 상기 화소영역(P)을 관통하는 공통배선(109)이 형성되어 있다. As shown in the drawing, the gate wiring 103 and the data wiring 125 intersect with each other to define the pixel region P, and extend in parallel with the gate wiring 103. The common wiring 109 penetrating the pixel region P is formed.

이때, 상기 반사영역(RA)에는 상기 공통배선(109)에서 분기하여 제 1 스토리 지 전극(110)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(125) 상부에는 공통배선(109)에서 분기하며 제 2 스토리지 전극(111)이 형성되어 있다. In this case, a first storage electrode 110 is formed in the reflective region RA by branching from the common wiring 109, and a second storage branch is branched from the common wiring 109 on the data line 125. The electrode 111 is formed.

또한, 각 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선(103) 및 데이터 배선(125)과 연결되며 게이트 전극(106)과, 게이트 절연막(115)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)으로 이루어진 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(130, 133)으로 구성된 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다. In addition, each pixel region P is connected to the gate wiring 103 and the data wiring 125 and has a gate electrode 106, a gate insulating film 115, an active layer 120a of pure amorphous silicon, and an impurity amorphous material. The semiconductor layer 120 including the ohmic contact layer 120b of silicon and the thin film transistor Tr including the source and drain electrodes 130 and 133 spaced apart from each other are formed.

또한, 상기 드레인 전극(133)은 상기 제 1 스토리지 전극(110)과 상기 게이트 절연막(115)을 사이에 두고 중첩하도록 형성되고 있으며, 서로 중첩된 상기 제 1 스토리지 전극(110)과 상기 드레인 전극(133)은 이들 두 전극(110, 133) 사이에 개재된 게이트 절연막(115)을 포함하여 제 1 스토리지 커패시터(StgC1)를 형성하고 있다. In addition, the drain electrode 133 is formed to overlap with the first storage electrode 110 and the gate insulating layer 115 therebetween, and the first storage electrode 110 and the drain electrode overlapping each other ( 133 includes a gate insulating film 115 interposed between the two electrodes 110 and 133 to form a first storage capacitor StgC1.

또한, 상기 게이트 절연막(115)을 사이에 두고 서로 중첩하는 상기 제 2 스토리지 전극(111)과 상기 데이터 배선(125)은 제 2 스토리지 커패시터(StgC2)를 이루고 있다. In addition, the second storage electrode 111 and the data line 125 overlapping each other with the gate insulating layer 115 interposed therebetween to form a second storage capacitor StgC2.

그리고 상기 박막트랜지스터(Tr)와 데이터 배선(125)을 덮으며 무기절연물질로서 제 1 보호층(136)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 보호층(136) 위로 유기절연물질로서 제 2 보호층(140)이 전면에 형성되어 있다. 이때, 상기 제 2 보호층(140)은 반사영역(RA)에 있어서는 그 표면에 올록볼록한 요철이 형성되고 있는 것이 특징이다. The first protective layer 136 is formed as an inorganic insulating material and covers the thin film transistor Tr and the data line 125, and a second protective layer as the organic insulating material is formed on the first protective layer 136. 140 is formed on the front side. At this time, the second protective layer 140 is characterized in that the concave-convex irregularities are formed on the surface of the reflective region (RA).

상기 제 2 보호층(140) 위로는 무기절연물질로서 제 3 보호층(142)이 형성되어 있으며, 상기 제 3 보호층(142) 위로 상기 반사영역(RA)에는 반사율이 좋은 금속물질로서 반사판(150)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 3 보호층(142)과 상기 반사판(150)은 그 하부에 구성된 상기 제 2 보호층(140)의 영향으로 그 표면이 올록볼록한 요철 형태를 이루고 있는 것이 특징이다. A third passivation layer 142 is formed on the second passivation layer 140 as an inorganic insulating material, and a reflecting plate as a metal material having good reflectance on the reflecting region RA. 150) is formed. At this time, the third protective layer 142 and the reflective plate 150 is characterized in that the surface of the convex concave-convex shape due to the influence of the second protective layer 140 formed on the bottom.

본 발명의 실시예에 있어서는 제 1 내지 제 3 보호층(136, 140, 142)이 형성되고 있음을 일례로 보이고 있지만, 상기 제 1 및 제 3 보호층(136, 142)은 생략될 수도 있다. 무기절연물질로 이루어진 상기 제 1 보호층(136)은 상기 액티브층(120a)과 접촉하게 되므로 유기절연물질이 상기 액티브층(120a)과 접촉함으로서 발생할 수 있는 채널 오염 및 박막트랜지스터(Tr)의 특성 저하를 방지하기 위해 형성한 것이며, 상기 제 3 보호층(142)은 유기절연물질과 금속물질간의 접착력 약화의 문제를 해결하기 위해 금속물질로 이루어진 반사판(150)과 유기절연물질로 이루어진 상기 제 3 보호층(142) 사이에 형성된 것이다.In the exemplary embodiment of the present invention, the first to third protective layers 136, 140, and 142 are formed as an example, but the first and third protective layers 136 and 142 may be omitted. Since the first protective layer 136 made of an inorganic insulating material is in contact with the active layer 120a, characteristics of channel contamination and thin film transistor (Tr) that may occur when the organic insulating material is in contact with the active layer 120a The third protective layer 142 may be formed to prevent degradation, and the third protective layer 142 may be formed of a reflective plate 150 made of a metal material and the third made of an organic insulating material to solve the problem of weakening of adhesion between the organic insulating material and the metal material. It is formed between the protective layer 142.

다음, 상기 반사판(150) 위로는 유기절연물질로서 상기 반사영역(RA)에 대응해서 제 4 보호층(152)이 형성되어 있다. 이러한 제 4 보호층(152)은 상기 투과영역(TA)과 단차를 이루도록 하여 반사영역(RA)과 투과영역(TA)에서 이중 셀갭(d3, d4)을 형성하도록 하기 위함이다. Next, a fourth passivation layer 152 is formed on the reflective plate 150 to correspond to the reflective region RA as an organic insulating material. The fourth passivation layer 152 forms a step difference with the transmission area TA to form the double cell gaps d3 and d4 in the reflection area RA and the transmission area TA.

또한, 상기 제 4 보호층(152)과 상기 제 3 보호층(142) 위로는 전면에 무기절연물질로서 제 5 보호층(155)이 형성되어 있다. 이때, 상기 화소영역(P) 내에서 상기 제 4 보호층(152) 끝단 외측으로 상기 제 5 보호층(155)과 그 하부의 상기 제 3 보호층(142), 제 2 및 제 1 보호층(140, 136)은 패터닝됨으로써 상기 드레인 전극(133)을 노출시키는 드레인 콘택홀(158)이 구비되고 있다. In addition, a fifth passivation layer 155 is formed on the entire surface of the fourth passivation layer 152 and the third passivation layer 142 as an inorganic insulating material. At this time, the fifth passivation layer 155 and the third passivation layer 142, the second and the first passivation layer (below) outside the end of the fourth passivation layer 152 in the pixel region P. 140 and 136 are patterned to have drain contact holes 158 exposing the drain electrode 133.

다음, 상기 제 5 보호층(155) 위로는 투명 도전성 물질로 각 화소영역(P)별로 판 형태의 화소전극(160)이 형성되어 있다. 이때, 본 발명에 있어서 가장 특징적인 구성으로서 상기 판 형태의 화소전극(160) 내부에는 반사영역(RA)에 대응하는 부분에 바(bar) 형태로 이격하며 다수의 제 1 개구(op1)가 형성되고 있는 것이 특징이다. 즉, 반사영역(RA)에 있어서는 제 1 방향으로 그 장축이 배열된 다수의 제 1 개구(op1)가 일정간격 이격하며 형성되고 있는 것이 특징이다.  Next, on the fifth passivation layer 155, a plate-shaped pixel electrode 160 is formed for each pixel region P using a transparent conductive material. At this time, as a most characteristic configuration in the present invention, the inside of the plate-shaped pixel electrode 160 is spaced apart in a bar shape at a portion corresponding to the reflective area RA, and a plurality of first openings op1 are formed. It is characterized by being. That is, in the reflective region RA, a plurality of first openings op1 having their long axes arranged in the first direction are formed at regular intervals.

한편, 본 발명의 실시예의 경우 투과영역(TA)에 있어서는 상기 화소전극(160)은 그 내부에 상기 제 1 개구(op1)가 형성되지 않고 판 형태를 유지하도록 형성되고 있다. In the exemplary embodiment of the present invention, the pixel electrode 160 is formed in the transmissive area TA so that the first opening op1 is not formed therein and maintains a plate shape.

전술한 형태를 갖는 상기 화소전극(160)은 상기 드레인 콘택홀(158)을 통해 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(133)과 접촉하고 있다. The pixel electrode 160 having the above-described shape is in contact with the drain electrode 133 of the thin film transistor Tr through the drain contact hole 158.

한편, 무기절연물질로 이루어진 상기 제 5 보호층(155) 또한 유기절연물질로 이루어진 상기 제 4 보호층(152)과 투명도전성 물질로 이루어진 상기 화소전극(160)간의 접착력 향상을 위해 형성된 것이며 생략될 수 있다. Meanwhile, the fifth protective layer 155 made of an inorganic insulating material is also formed to improve adhesion between the fourth protective layer 152 made of an organic insulating material and the pixel electrode 160 made of a transparent conductive material. Can be.

또한, 상기 다수의 제 1 개구(op1)를 갖는 화소전극(160) 위로는 무기절연물질로서 제 6 보호층(163)이 형성되어 있으며, 상기 제 6 보호층(163) 위로는 투명 도전성 물질로서 각 화소영역(P)별로 또는 상기 어레이 기판(102)의 표시영역 전면에 공통전극(170)이 형성되어 있다. 도면에 있어서는 상기 공통전극(170)은 표시영 역 전면에 형성된 것을 도시하고 있다. 이때, 도면에 나타나지 않았으나, 상기 공통전극(170)은 상기 공통배선(109)과 공통 콘택홀(미도시)을 통해 접촉하고 있다. In addition, a sixth protective layer 163 is formed on the pixel electrode 160 having the plurality of first openings op1 as an inorganic insulating material, and a transparent conductive material is formed on the sixth protective layer 163. The common electrode 170 is formed for each pixel area P or over the display area of the array substrate 102. In the drawing, the common electrode 170 is formed on the entire display area. In this case, although not shown, the common electrode 170 is in contact with the common wire 109 through a common contact hole (not shown).

한편, 상기 공통전극(170)은 상기 투과영역에 대응해서는 그 내부에 그 장축이 상기 제 1 방향과 다른 제 2 방향을 가지며 배치된 다수의 제 2 개구(op2)가 일정간격 이격하며 형성되고 있으며, 반사영역(RA)에 대응해서는 그 장축이 상기 제 1 방향을 가지며 배치된 다수의 제 3 개구(op3)가 일정간격 이격하며 형성되고 있다.Meanwhile, in the common electrode 170, a plurality of second openings op2 disposed with a second axis different from the first direction in the common electrode 170 are spaced apart at regular intervals. In response to the reflection area RA, a plurality of third openings op3 having the long axis having the first direction are spaced apart from each other by a predetermined interval.

이때, 본 발명에 따른 실시예에 있어서 특징적인 구성으로서 상기 반사영역(RA)에 있어서 평면적으로는 상기 화소전극(160)에 구비된 다수의 제 1 개구(op1)와 상기 공통전극(170)에 형성된 다수의 제 3 개구(op3)가 서로 교대하도록 배치되고 있다는 것이다. In this case, as a characteristic configuration according to the exemplary embodiment of the present invention, a plurality of first openings op1 and the common electrode 170 provided in the pixel electrode 160 may be planar in the reflective region RA. The plurality of third openings op3 formed are arranged to alternate with each other.

즉, 화소전극(160)에 구비된 다수의 제 1 개구(op1)에 대해서는 상기 공통전극(170)의 제 3 개구(op3) 사이에 형성된 공통전극 핑거부(170a)가 대응되도록 구성되며, 상기 공통전극(170)의 제 3 개구(op3)에 대해서는 상기 화소전극(160)의 제 1 개구(op1) 사이의 화소전극 핑거부(160a)가 대응되도록 구성되고 있는 것이 특징이다. That is, the common electrode finger portions 170a formed between the third openings op3 of the common electrode 170 correspond to the plurality of first openings op1 provided in the pixel electrode 160. The pixel electrode finger 160a between the first opening op1 of the pixel electrode 160 corresponds to the third opening op3 of the common electrode 170.

한편, 상기 다수의 제 2 및 제 3 개구(op2, op3)를 갖는 공통전극(170) 상부에는 제 1 배향막(미도시)이 구비되고 있다. A first alignment layer (not shown) is provided on the common electrode 170 having the plurality of second and third openings op2 and op3.

전술한 구성을 갖는 어레이 기판(102)에 대응하여 컬러필터 기판(181)이 구비되고 있다.The color filter substrate 181 is provided corresponding to the array substrate 102 having the above-described configuration.

상기 컬러필터 기판(181)에 있어 상기 어레이 기판(102)과 마주하는 내측면에는 상기 각 화소영역(P)의 경계 즉, 게이트 및 데이터 배선(103, 125)에 대응하여 블랙매트릭스(183)가 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(183)를 덮으며 각 화소영역(P)에 대응하여 순차 반복되는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(R, G, 미도시)으로 구성된 컬러필터층(185)이 형성되어 있다. 이때, 상기 컬러필터층(185)은 각 화소영역(P) 내의 반사영역(RA)의 중앙부에 대응해서는 패터닝되어 제거됨으로써 투과홀(TH)을 구비하고 있는 것이 특징이다. 이러한 투과홀(TH)을 반사영역(RA)에 구성하는 것은 반사영역(RA)에서의 휘도를 향상시키기 위한 것으로 생략될 수도 있다. On the inner surface of the color filter substrate 181 facing the array substrate 102, a black matrix 183 is formed to correspond to the boundary of each pixel region P, that is, the gate and data lines 103 and 125. And a color filter layer 185 formed of red, green, and blue color filter patterns (R, G, not shown) that cover the black matrix 183 and are sequentially repeated corresponding to each pixel region (P). It is. In this case, the color filter layer 185 is patterned and removed to correspond to the central portion of the reflection area RA in each pixel area P, so that the color filter layer 185 includes a transmission hole TH. The configuration of the transmission hole TH in the reflection area RA may be omitted to improve luminance in the reflection area RA.

상기 투과홀(TH)을 갖는 컬러필터층(185)을 덮으며 상기 컬러필터 기판(181) 전면에 오버코트층(187)이 형성되어 있으며, 상기 오버코트층(187)을 덮으며 제 2 배향막(미도시)이 구비되고 있다. An overcoat layer 187 is formed on the entire surface of the color filter substrate 181, covering the color filter layer 185 having the transmission hole TH, and covering the overcoat layer 187. ) Is provided.

또한, 상기 어레이 기판(102)과 컬러필터 기판(181) 각각의 외측면에는 서로 직교하는 편광축을 가지며 제 1 및 제 2 편광판(193, 195)이 구비되고 있다.In addition, first and second polarizing plates 193 and 195 having polarization axes orthogonal to each other are provided on the outer surfaces of each of the array substrate 102 and the color filter substrate 181.

한편, 상기 제 1 및 제 2 배향막(미도시) 사이에는 투과영역(TA)에 대응해서는 제 1 두께(d1)를 가지며 상기 반사영역(RA)에서는 상기 제 1 두께(d1)보다 얇은 제 2 두께(d2)를 갖는 액정층(190)이 구비되고 있다. 이때, 상기 제 2 두께(d2)는 상기 제 1 두께(d1)의 1/2 인 것이 특징이다.Meanwhile, a second thickness between the first and second alignment layers (not shown) has a first thickness d1 corresponding to the transmission area TA, and a second thickness thinner than the first thickness d1 in the reflection area RA. The liquid crystal layer 190 having (d2) is provided. In this case, the second thickness d2 is 1/2 of the first thickness d1.

한편, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 투과영역(TA)에서의 제 2 개구(op2)의 장축 방향인 제 2 방향은 상기 데이터 배선(125)이 연장한 방향 즉, 상기 데이 터 배선(125)과 나란한 방향이 되는 것이 바람직하며, 상기 반사영역(RA)에서의 제 1 및 제 3 개구(op1, op3)의 장축 방향인 제 2 방향은 상기 데이터 배선(125)과 직교하도록 형성된 상기 게이트 배선(미도시)에 대해 시계방향 또는 반시계방향으로 30도 내지 60도 정도의 각도를 이루는 것이 특징이다.On the other hand, although not shown in the drawing, the second direction, which is the major axis direction of the second opening op2 in the transmission area TA, is parallel to the direction in which the data line 125 extends, that is, the data line 125. It is preferred that the direction is, wherein the second direction, which is the major axis direction of the first and third openings op1 and op3 in the reflection area RA, is formed so as to be orthogonal to the data line 125 (not shown). It is characterized by forming an angle of about 30 to 60 degrees in the clockwise or counterclockwise direction with respect to).

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 액정표시장치에 있어 어레이 기판의 반사영역에 구성된 화소전극과 공통전극 및 반사판만을 간략히 도시한 단면도로서 외부광의 경로를 함께 도시하였다. FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating only a pixel electrode, a common electrode, and a reflecting plate configured in a reflective region of an array substrate in a transverse electric field mode liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 전술한 구성을 갖는 횡전계 모드 액정표시장치의 어레이 기판(102)의 경우, 외부광 대부분이 공통전극(170) 1회, 화소전극(160) 1회만을 통과하여 사용자의 눈으로 입사되므로 화소전극(160)과 공통전극(170)을 각각 2회씩 통과하는 종래의 횡전계형 액정표시장치(도 1 참조) 대비 반사효율을 향상시키는 것이 특징이다.As illustrated, in the array substrate 102 of the transverse electric field mode liquid crystal display device having the above-described configuration, most of the external light passes through the common electrode 170 only once and the pixel electrode 160 once. As a result, the reflection efficiency is improved compared to the conventional transverse electric field type liquid crystal display (see FIG. 1) which passes through the pixel electrode 160 and the common electrode 170 twice.

상기 공통전극(170)과 화소전극(160)은 통상 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지고 있으며, 이러한 투명 도전성 물질을 통상 전극으로 이용할 수 있는 두께 예를 들면 1000Å 내지 3000Å 정도의 두께를 통과하게 되면 7% 내지 11%의 광손실이 발생한다. The common electrode 170 and the pixel electrode 160 are generally made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), which are transparent conductive materials. When the thickness passes, for example, 1000 mm to 3000 mm, a light loss of 7% to 11% occurs.

따라서 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치(도 1 참조)는 외부광이 상기 공통전극과 화소전극을 각각 2회씩 통과하게 됨으로써 광손실이 상대적으로 크게 발생하고 있지만, 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 경우, 반사영역(RA)에 대응하여 화소전극(160) 내부에도 공통전극(170)에 구비된 제 3 개구(op3)와 교대하는 형태로 다수의 제 1 개구(op1)가 구비됨으로서 외부광 대부분이 공통전극(170) 1회 화소전극(160) 1회만 통과하게 되므로 투명 도전성 물질층을 통과함으로서 발생되는 광손실을 최소화하여 종래대비 약 17% 정도 반사효율을 향상시킬 수 있었다. Accordingly, in the conventional transverse electric field mode reflective transmission liquid crystal display device (see FIG. 1), since the external light passes through the common electrode and the pixel electrode twice, the optical loss is relatively large, but according to an embodiment of the present invention, In the transverse electric field mode reflection type liquid crystal display device, a plurality of first openings alternate with a third opening op3 provided in the common electrode 170 in the pixel electrode 160 in response to the reflection area RA. (op1) is provided so that most of the external light passes through the common electrode 170 and the pixel electrode 160 only once, thereby minimizing the light loss generated by passing through the transparent conductive material layer, thereby reducing the reflection efficiency by about 17%. Could improve.

한편, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 액정표시장치에 있어 어레이 기판의 반사영역에 구성된 화소전극과 공통전극 및 반사판만을 간략히 도시한 단면도로서 제 1 개구 폭과 제 3 개구의 폭 및 공통전극 핑거부의 폭간의 관계를 나타낸 도면이다. 이때, 점선 부분은 화소전극 핑거부 양측단이 공통전극 핑거부와 최대로 중첩할 경우를 도시한 것이다. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically illustrating only a pixel electrode, a common electrode, and a reflecting plate configured in a reflective region of an array substrate in a transverse electric field mode liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 5 is a width of a first opening width and a third opening. And a relationship between the widths of the common electrode finger portions. In this case, the dotted line shows a case where both ends of the pixel electrode finger portion overlap the common electrode finger portion at the maximum.

도시한 바와 같이, 상기 화소전극(160)에 구비되는 다수의 제 1 개구(op1)는 그 폭(w3)이 그 상부에 대응되는 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)의 1.2배 보다는 같거나 작도록 그리고 패터닝 한계치인 2㎛보다는 같거나 큰 값을 갖도록 형성되는 것(2㎛≤w3≤w1*1.2)이 특징이다. As illustrated, the plurality of first openings op1 provided in the pixel electrode 160 have a width w3 equal to 1.2 times the width w1 of the common electrode finger portion 170a corresponding to the upper portion. It is characterized in that it is formed to be smaller or smaller and to have a value equal to or larger than the patterning limit of 2 μm (2 μm ≦ w 3 ≦ w 1 * 1.2).

이때, 상기 화소영역 내에 구비된 다수의 제 1 개구(op1)의 폭(w3)이 그 상부에 위치하는 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)의 1.2배보다 큰 경우는 상기 공통전극(170)의 제 3 개구(op3)와 화소전극(160)간에 발생하는 프린지 필드의 세기 및 형태에 영향을 주어 더 큰 구동 전압을 필요로 하게 됨을 실험적으로 알 수 있었으며, 따라서 프린지 필드 세기 및 형태 등에 거의 영향을 주지 않는 상기 제 1 개구(op1)의 폭(w3)은 그 상부에 위치하는 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)의 1배 내지 1.2배가 됨을 알 수 있었다. In this case, when the width w3 of the plurality of first openings op1 provided in the pixel area is larger than 1.2 times the width w1 of the common electrode finger portion 170a positioned above the common electrode 170. Experimentally it can be seen that the larger the driving voltage is required by affecting the intensity and shape of the fringe field generated between the third opening (op3) and the pixel electrode 160 of the (), and thus the fringe field strength and shape It was found that the width w3 of the first opening op1 that has no influence is 1 to 1.2 times the width w1 of the common electrode finger portion 170a positioned above the first opening op1.

상기 제 1 개구(op1)의 폭(w3)이 그 상부에 위치하는 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)보다 작은 경우 프린지 필드에 대해서는 판형태의 화소전극을 형성하는 것과 동일한 프린지 필드 세기 및 형태를 갖게 되므로 문제 되지 않는다. If the width w3 of the first opening op1 is smaller than the width w1 of the common electrode finger portion 170a positioned above it, the same fringe field intensity as that of forming a plate-shaped pixel electrode for the fringe field; It does not matter because it has a form.

하지만, 본 발명의 특성 상 상기 화소전극(160) 내에 구성되는 다수의 제 1 개구(op1)의 폭(w3)이 크면 클수록 외부광의 반사효율이 증대되므로 상기 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)에 비례하여 크게 형성하는 것이 바람직하다. However, the larger the width w3 of the plurality of first openings op1 formed in the pixel electrode 160 increases the reflection efficiency of external light, the width w1 of the common electrode finger portion 170a is increased. It is preferable to form large in proportion to).

따라서 이러한 관점에서 상기 제 1 개구(op1)의 폭(w3) 양 끝단 더욱 정확히는 상기 제 1 개구(op1) 사이에 위치하는 화소전극 핑거부(160a)의 양 끝단 각각의 이와 인접한 상기 공통전극 핑거부(170a) 양끝단과의 중첩폭(w4)은 상기 공통전극 핑거부(170a)의 폭(w1)의 10%보다 작은 범위에서 중첩(w4 < w1*0.1)되도록 형성하는 것이 바람직하며, 이때, 패터닝 공정 특성상 현 기술단계에서는 2㎛정도가 최소로 형성할 수 있는 한계가 되므로 상기 제 1 개구(op1)의 폭(w3)은 2㎛보다는 크게 형성하는 것이 바람직하다. Accordingly, from this point of view, the common electrode finger portion adjacent to each of both ends of the pixel electrode finger portion 160a positioned between both ends of the width w3 of the first opening op1 more precisely between the first opening op1 The overlap width w4 of both ends is preferably formed to overlap (w4 <w1 * 0.1) in a range smaller than 10% of the width w1 of the common electrode finger portion 170a. In the present technology stage, the width w3 of the first opening op1 may be larger than 2 μm because the process feature is about 2 μm.

한편, 상기 공통전극 핑거부(170a)는 그 폭(w1)이 2㎛ 내지 10㎛ 정도가 되며, 공통전극 핑거부(170a)의 폭(w1)이 2㎛ 내지 10㎛인 경우 공통전극 핑거부(170a)와 핑거부(170a) 사이에 위치하는 상기 제 3 개구(op3)의 폭(w3)은 상기 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)의 1.5배 내지 2.5배 정도가 되도록 하는 것이 바람직하므로 본 발명의 실시예에 있어서는 상기 제 3 개구(op3)의 폭(w2)은 3㎛ 내지 25㎛ 정도가 되는 것이 특징이다. On the other hand, the common electrode finger portion 170a has a width w1 of about 2 μm to about 10 μm, and the common electrode finger portion when the width w1 of the common electrode finger portion 170a is about 2 μm to about 10 μm. The width w3 of the third opening op3 positioned between the 170a and the finger portion 170a may be about 1.5 to 2.5 times the width w1 of the common electrode finger portion 170a. Therefore, in the embodiment of the present invention, the width w2 of the third opening op3 is about 3 µm to about 25 µm.

일례로 상기 공통전극 핑거부(170a) 폭(w1)이 2㎛ 인 경우, 상기 제 3 개 구(op3)의 폭(w2)은 2배인 4㎛가 될 수 있으며, 이때 상기 화소전극(160) 내에 구비되는 제 1 개구(op1)는 그 폭(w3)이 2㎛ 내지 2.4㎛정도가 되도록 형성될 수 있다.For example, when the width w1 of the common electrode finger portion 170a is 2 μm, the width w2 of the third opening op3 may be 4 μm, which is double, and the pixel electrode 160 The first opening op1 provided therein may be formed such that its width w3 is about 2 μm to about 2.4 μm.

도 6은 본 발명의 실시예의 변형예에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다. 이때 설명의 편의를 위해 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였으며, 차별점이 있는 부분을 위주로 설명한다.6 is a cross-sectional view of one pixel area of a transverse electric field mode reflective transmissive liquid crystal display according to a modification of the exemplary embodiment of the present invention. In this case, for the convenience of description, the same reference numerals are given to the same constituents as the exemplary embodiment, and the description will be given focusing on parts having a difference.

본 발명의 실시예의 변형예에 있어서 실시예와 차별점이 있는 부분은 투과영역(TA)에 구성된 화소전극(160)의 형태에 있다. 실시예에 있어서는 투과영역에 대응하여 판 형태의 화소전극이 형성되고 있었지만, 변형예의 경우 투과영역(TA)에 대해서는 화소영역(P) 내부에 그 상부에 위치하는 공통전극 핑거부(170a)에 대응하여 상기 공통전극(170)에 구비된 다수의 제 2 개구(op2)와 나란한 제 2 방향으로 장축을 갖는 다수의 제 4 개구(op4)가 구성되고 있는 것이 특징이다. 이때, 상기 제 4 개구(op4)의 폭의 범위는 전술한 제 1 개구의 폭과 동일한 범위를 가지며, 그 이외의 구성요소는 전술한 실시예와 동일하므로 그 설명은 생략한다. In the modified example of the embodiment of the present invention, a part different from the embodiment is in the form of the pixel electrode 160 formed in the transmission area TA. In the exemplary embodiment, a plate-shaped pixel electrode was formed to correspond to the transmissive region. However, in the modified example, the transmissive region TA corresponds to the common electrode finger portion 170a positioned above the pixel region P. Therefore, a plurality of fourth openings op4 having a long axis in a second direction parallel to the plurality of second openings op2 provided in the common electrode 170 is configured. In this case, the width of the fourth opening op4 has the same range as the width of the first opening described above, and other components are the same as in the above-described embodiment, and thus description thereof is omitted.

전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시에의 변형예의 경우, 실시예와 같이 반사영역(RA)에 대해서는 반사효율을 향상시킬 수 있으며, 더불어 투과영역(TA)에 있어서도 공통전극(170)과 화소전극(160) 중 어느 하나의 전극에 대해서만 백라이트 유닛(미도시)으로부터 나온 빛이 대부분 통과하게 되는 구조가 되므로 투과효율을 향 상시킬 수 있다.In the modification of the embodiment of the present invention having the above-described configuration, the reflection efficiency can be improved in the reflection area RA as in the embodiment, and the common electrode 170 and the pixel electrode also exist in the transmission area TA. Since only the light emitted from the backlight unit (not shown) passes through only one of the electrodes 160, the transmission efficiency can be improved.

판 형태로 화소전극이 형성되는 경우, 상기 화소전극과 공통전극 핑거부는 완전 중첩하도록 형성되므로 공통전극 핑거부에 대응하는 부분은 화소전극과 공통전극 모두를 백라이트 유닛으로부터 나온 빛이 통과하지만, 본 발명의 실시예의 변형예의 경우, 상기 화소전극(160) 내에 상기 공통전극 핑거부(170a)에 대응하여 제 4 개구(op4)가 형성됨으로써 백라이트 유닛(미도시)으로 나온 빛 대부분이 화소전극(160) 또는 공통전극(170) 중 어느 하나의 전극만 통과하게 되므로 투명 도전성 물질층을 통과함으로써 발생하는 빛 손실을 최소화할 수 있다.When the pixel electrode is formed in a plate shape, the pixel electrode and the common electrode finger portion are formed to completely overlap, so that light from the backlight unit passes through both the pixel electrode and the common electrode in a portion corresponding to the common electrode finger portion. In a modified example of the embodiment, most of the light emitted to the backlight unit (not shown) is formed by the fourth opening op4 formed in the pixel electrode 160 corresponding to the common electrode finger portion 170a. Alternatively, since only one electrode of the common electrode 170 passes therethrough, light loss generated by passing through the transparent conductive material layer may be minimized.

본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다. The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

도 1은 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 반사영역 및 투과영역에 대한 간략한 단면도.1 is a simplified cross-sectional view of a reflection area and a transmission area of a conventional transverse electric field mode reflection type liquid crystal display device.

도 2는 종래의 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 어레이 기판에 있어 반사영역에 대한 단면도로서 공통전극과 화소전극 및 반사판과 반사영역에서의 외부광 경로를 간략하게 도시한 도면.FIG. 2 is a cross-sectional view of a reflection area in a conventional array substrate of a transverse electric field mode reflection-transmissive liquid crystal display device, and schematically illustrates an external light path in a common electrode, a pixel electrode, and a reflection plate and a reflection area; FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도.3 is a cross-sectional view of one pixel area of a transverse electric field mode reflective transmissive liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 액정표시장치에 있어 어레이 기판의 반사영역에 구성된 화소전극과 공통전극 및 반사판만을 간략히 도시한 단면도.FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating only a pixel electrode, a common electrode, and a reflecting plate configured in the reflecting region of the array substrate in the transverse electric field mode liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계 모드 액정표시장치에 있어 어레이 기판의 반사영역에 구성된 화소전극과 공통전극 및 반사판만을 간략히 도시한 단면도로서 제 1 개구 폭과 제 3 개구의 폭 및 공통전극 핑거부의 폭간의 관계를 나타낸 도면.FIG. 5 is a cross-sectional view schematically illustrating only a pixel electrode, a common electrode, and a reflecting plate configured in a reflective region of an array substrate in a transverse electric field mode liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. A diagram showing the relationship between the widths of electrode fingers.

도 6은 본 발명의 실시예의 변형예에 따른 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치의 하나의 화소영역에 대한 단면도.6 is a cross-sectional view of one pixel area of a transverse electric field mode reflective transmissive liquid crystal display device according to a modification of the embodiment of the present invention;

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

101 : 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치101: transverse electric field mode reflection transmission type liquid crystal display device

102 : 어레이 기판 106 : 게이트 전극102 array substrate 106 gate electrode

110 : 제 1 스토리지 전극 115 : 게이트 절연막110: first storage electrode 115: gate insulating film

120 : 반도체층 120a : 액티브층120: semiconductor layer 120a: active layer

120b : 오믹콘택층 125 : 데이터 배선120b: ohmic contact layer 125: data wiring

130 : 소스 전극 133 : 드레인 전극130: source electrode 133: drain electrode

136 : 제 1 보호층 140 : 제 2 보호층136: first protective layer 140: second protective layer

142 : 제 3 보호층 150 : 반사판142: third protective layer 150: reflecting plate

152 : 제 4 보호층 160 : 화소전극152: fourth protective layer 160: pixel electrode

160a : 화소전극 핑거부 163 : 제 5 보호층 160a: pixel electrode finger portion 163: fifth protective layer

170 : 공통전극 170 : 공통전극 핑거부170: common electrode 170: common electrode finger portion

181 : 컬러필터 기판 183 : 블랙매트릭스 181: color filter substrate 183: black matrix

185 : 컬러필터층 187 : 오버코트층 185: color filter layer 187: overcoat layer

190 : 액정층 193 : 제 1 편광판190: liquid crystal layer 193: first polarizing plate

195 : 제 2 편광판 195: second polarizing plate

d1, d2 : 제 1 및 제 2 셀갭 d1, d2: first and second cell gaps

op1, op2, op3 : 제 1, 2 및 제 3 개구 op1, op2, op3: first, second and third opening

P : 화소영역 RA : 반사영역 P: pixel area RA: reflection area

TA : 투과영역 Tr : 박막트랜지스터 TA: Transmission Area Tr: Thin Film Transistor

TrA : 소자영역 TrA: device area

Claims (13)

서로 마주하는 제 1 기판 및 제 2 기판과;A first substrate and a second substrate facing each other; 상기 제 1 기판의 내측면에 게이트 절연막을 개재하여 서로 교차하여 반사영역과 투과영역을 갖는 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과;A gate wiring and a data wiring formed on an inner surface of the first substrate to define a pixel region having a reflection region and a transmission region crossing each other through a gate insulating film; 상기 게이트 배선과 나란하게 형성된 공통배선과;A common wiring formed in parallel with the gate wiring; 상기 화소영역에 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와;A thin film transistor connected to the gate line and the data line in the pixel area; 상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과;A first passivation layer covering the data line and the thin film transistor; 상기 제 1 보호층 위로 상기 반사영역에 형성된 반사판과;A reflection plate formed in the reflection area over the first protective layer; 상기 반사판 위로 형성된 제 2 보호층과;A second protective layer formed over the reflecting plate; 상기 제 2 보호층 상부로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 상기 투과형역에 대해서는 판 형태로 형성되며, 상기 반사영역에 대해서는 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 형성된 다수의 제 1 개구를 포함하는 화소전극과;Contacting the drain electrode through a drain contact hole exposing the drain electrode of the thin film transistor to the upper portion of the second protective layer, and is formed in a plate shape in the transmissive region, and has a long axis in a first direction in the reflective region. A pixel electrode having a plurality of first openings formed therein; 상기 화소전극 위로 형성된 제 3 보호층과;A third passivation layer formed over the pixel electrode; 상기 제 3 보호층 위로 상기 공통배선과 공통 콘택홀을 통해 연결되며 상기 투과영역에는 상기 게이트 배선과 직교하는 제 2 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 2 개구와, 상기 반사영역에는 상기 제 1 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 3 개구를 포함하여 구성된 공통전극과; A plurality of second openings connected to the common protective layer through the common contact hole on the third passivation layer and spaced apart from each other in the transmissive area with a long axis in a second direction perpendicular to the gate wiring; A common electrode comprising a plurality of third openings having a long axis and spaced apart in one direction; 상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과;A color filter layer formed on an inner surface of the second substrate; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 개재된 액정층Liquid crystal layer interposed between the first and second substrate 을 포함하며, 상기 제 1 개구와 상기 제 3 개구는 평면적으로 교대하도록 배치된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.And wherein the first opening and the third opening are alternately arranged in a planar manner. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 개구간 및 제 3 개구간에 위치하는 공통전극 부분을 공통전극 핑거부라 정의하고, 상기 제 1 개구의 폭을 제 1 폭, 상기 공통전극 핑거부의 폭을 제 2 폭, 상기 제 2 개구 또는 제 3 개구의 폭을 제 3 폭이라 정의할 때,The common electrode portion positioned between the second opening and the third opening is defined as a common electrode finger portion, the width of the first opening is a first width, the width of the common electrode finger portion is a second width, and the second opening is defined. Or when defining the width of the third opening as the third width, 상기 제 1 폭은 2㎛와 같거나 이보다 크고 상기 제 3 폭의 1.2배와 같거나 이보다 작은 크기를 갖는 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.And wherein the first width is greater than or equal to 2 μm and has a size equal to or less than 1.2 times the third width. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 1 개구는 상기 공통전극 핑거부와 중첩하도록 형성된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.And the first opening is formed to overlap the common electrode finger. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 1 개구간 사이의 화소전극 부분은 화소전극 핑거부라 정의할 때, 상기 화소전극 핑거부 양 끝단은 상기 공통전극 핑거부의 양 끝단과 상기 공통전극 핑거부 폭의 10%이하로 중첩되도록 형성된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.When the pixel electrode portion between the first openings is defined as a pixel electrode finger portion, both ends of the pixel electrode finger portion are formed to overlap both ends of the common electrode finger portion and less than 10% of the width of the common electrode finger portion. Characteristic transverse electric field reflection type liquid crystal display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과영역에 형성된 상기 판 형태의 화소전극은 그 내부에 상기 제 2 방향으로 그 장축을 가지며 이격하는 다수의 제 2 개구와 나란하게 교대하는 다수의 제 4 개구가 구비된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.The plate-shaped pixel electrode formed in the transmissive region has a plurality of fourth openings alternately arranged in parallel with a plurality of second openings having a long axis in the second direction and spaced apart from each other. Reflective type liquid crystal display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사영역에서의 액정층의 두께는 상기 투과영역에서의 액정층의 두께의 1/2인 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.And a thickness of the liquid crystal layer in the reflective region is 1/2 of the thickness of the liquid crystal layer in the transmissive region. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공통배선에서 상기 반사영역으로 분기하는 제 1 스토리지 전극과, 상기 데이터 배선과 중첩하도록 분기하는 제 2 스토리지 전극이 형성되며,A first storage electrode branching from the common line to the reflective region, and a second storage electrode branching to overlap the data line; 상기 드레인 전극은 연장하여 상기 제 1 스토리지 전극과 중첩하도록 형성됨으로서 서로 중첩하는 상기 제 1 스토리지 전극과 상기 게이트 절연막과 드레인 전극은 제 1 스토리지 커패시터를 이루며, The drain electrode extends to overlap the first storage electrode, such that the first storage electrode, the gate insulating layer, and the drain electrode overlap each other to form a first storage capacitor. 서로 중첩하는 상기 제 2 스토리지 전극과 상기 게이트 절연막과 상기 데이터 배선은 제 2 스토리지 커패시터를 이루는 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.And the second storage electrode, the gate insulating layer, and the data line overlap each other to form a second storage capacitor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 보호층은 유기절연물질로 이루어지며 상기 반사영역에서는 그 표면이 올록볼록한 요철형태를 이루며, 상기 제 1 보호층 상부에 형성된 상기 반사판 또한 그 표면이 올록볼록한 요철형태를 이루는 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.The first protective layer is made of an organic insulating material, and in the reflective region, the surface thereof is convex and convex, and the reflecting plate formed on the first protective layer is also characterized in that the surface is convex and concave and convex. Field mode reflective transmission liquid crystal display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막트랜지스터와 상기 제 1 보호층 사이에는 무기절연물질로 이루어진 제 4 보호층이 형성되며, A fourth protective layer made of an inorganic insulating material is formed between the thin film transistor and the first protective layer. 상기 제 1 보호층과 상기 반사판 사이에 무기절연물질로 이루어진 제 5 보호층이 형성된 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.And a fifth protective layer formed of an inorganic insulating material between the first protective layer and the reflecting plate. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제 2 보호층과 상기 제 3 보호층 사이에는 유기절연물질로 상기 반사영역에 대응하여 제 6 보호층이 형성된 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.And a sixth passivation layer formed of an organic insulating material between the second passivation layer and the third passivation layer to correspond to the reflecting region. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 기판의 내측면과 상기 컬러필터층 사이에 상기 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 블랙매트릭스가 형성되며,A black matrix is formed between the inner surface of the second substrate and the color filter layer to correspond to the gate and data wirings. 상기 컬러필터층을 덮으며 상기 제 2 기판 전면에 오버코트층이 형성된 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.A transverse electric field mode transmissive liquid crystal display device covering the color filter layer and having an overcoat layer formed on the entire surface of the second substrate. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 컬러필터층은 상기 반사영역에 대응하여 그 중앙부에 대해서는 패터닝되어 제거됨으로써 투과홀이 형성된 것이 특징인 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.And wherein the color filter layer is patterned and removed at a central portion of the color filter layer to form a transmission hole. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 및 제 2 기판 외측면에 각각 구성되며 그 편광축이 서로 직교하도록 배치된 제 1 및 제 2 편광판과;First and second polarizing plates respectively disposed on the outer surfaces of the first and second substrates and arranged such that their polarization axes are perpendicular to each other; 상기 공통전극을 덮으며 형성된 제 1 배향막과;A first alignment layer covering the common electrode; 상기 컬러필터층을 덮으며 형성된 제 2 배향막A second alignment layer formed covering the color filter layer 을 포함하는 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치.Transverse electric field mode reflective transmission liquid crystal display device comprising a.
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