InSbとは？ わかりやすく解説

アンチモン化インジウム

識別情報
CAS登録番号	1312-41-0
3D model (JSmol)	Interactive image
ChemSpider	2709929
ECHA InfoCard	100.013.812
EC番号	215-192-3
PubChem CID	3468413
RTECS number	NL1105000
国連/北米番号	1549
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID40883672
InChI InChI=1S/In.Sb  Key: WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N
SMILES [In]#[Sb]
性質
化学式	InSb
モル質量	236.58 g·mol−1
外観	暗灰色、金属性結晶
密度	5.775 g cm−3
融点	527 °C (981 °F; 800 K)
バンドギャップ	0.17 eV
電子移動度	7.7 mC s g−1 (at 27 °C)
熱伝導率	180 mW K−1 cm−1 (at 27 °C)
屈折率 (nD)	4.0
構造
結晶構造	閃亜鉛鉱構造
空間群	T2d-F-43m
配位構造	四面体形
熱化学[1]
標準定圧モル比熱, Cpo	49.5 J·K−1·mol−1
標準モルエントロピー So	86.2 J·K−1·mol−1
標準生成熱 ΔfHo	−30.5 kJ·mol−1
ギブズの 自由エネルギー (ΔfG⦵)	−25.5 kJ·mol−1
危険性
GHS表示:
絵表示
重要な用語	Warning
危険性報告	H302, H332, H411
予防報告	P273
特記無き場合、データは標準状態 (25 °C [77 °F], 100 kPa) におけるものである。  verify (what is  N ?)

アンチモン化インジウム（アンチモンかインジウム、indium antimonide）は、インジウムとアンチモンからなる組成式がInSbの半導体である。

アンチモン化インジウムの結晶構造は閃亜鉛鉱構造。

アンチモン化インジウムは、シリコンやヒ化ガリウム (GaAs) に比べて電子移動度が高いものの、バンドギャップが0.17 eVと非常に小さいため、室温附近で十分な絶縁抵抗を取ることが出来ないのでトランジスタなどの能動素子には使えず、ホール素子、磁気抵抗効果素子や冷却して赤外線撮像素子等に用いられる^[2]。

アンチモン化インジウムは、電子の高い運動性と狭いエネルギーバンドギャップで知られ、テラヘルツの放射源として期待される^[3]。

1992年にSTS-47でスペースシャトル・エンデバー号で毛利衛がSpacelab-Jミッションで行 われた微小重力下での赤外線加熱浮遊帯域溶融法実験において単結晶の作成に成功した^[4]。

• Haynes, William M., ed (2016). CRC Handbook of Chemistry and Physics (97th ed.). CRC Press. ISBN 978-1-4987-5429-3 

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