「"recombination region"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The n-type base region (2) has a recombination region (21) formed between the p-type base region (3) and a collector electrode (8), and the recombination region (21) acquires minority carriers accumulated around the recombination region (21) within the n-type base region (2) and improves the recovery property of the diode.例文帳に追加

Ｎ型ベース領域(2)は、Ｐ型ベース領域(3)とコレクタ電極(8)との間に形成された再結合領域(21)を備え、再結合領域(21)は、Ｎ型ベース領域(2)内で再結合領域(21)の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲し、ダイオードのリカバリー特性を改善する。 - 特許庁

The recombination region (5) functions as a carrier capture region controlling the lifetime of carriers in the specified depth region (15) of the semiconductor substrate (1).例文帳に追加

再結合領域(5)は、半導体基板(1)の所定の深さ領域(15)でキャリアのライフタイムを制御するキャリア捕獲領域となる。 - 特許庁

The optical carrier recombination region is formed in a doping dipole structure having an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer adjacent to each other.例文帳に追加

光キャリア再結合領域は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが隣接して成るドーピングダイポール構造で構成される。 - 特許庁

An optical carrier recombination region is formed within a semiconductor optical absorption layer 54 in a photoconductive element wherein the semiconductor optical absorption layer 54 and a semiconductor layer 55 are formed on a semiconductor substrate 52.例文帳に追加

半導体基板５２上に半導体光吸収層５４、半導体層５５が形成される光伝導素子において、半導体光吸収層５４内部に光キャリア再結合領域が形成される。 - 特許庁

However, since the recombination region (21) does not reach a part between and beneath the adjoining p-type base region (3) in the n-type base region (2) for a current path, a forward voltage of the IGBT is not increased.例文帳に追加

しかしながら、再結合領域(21)は、電流通路となるＮ型ベース領域(2)内の隣接するＰ型ベース領域(3)の間及びその下方には達しないため、ＩＧＢＴの順方向電圧を増加させない。 - 特許庁