「"saturation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, a desired drain current is obtained by enhancing VGS of the driving TFT while improving the current characteristic in the saturation region of the TFT by making the channel length sharply larger than the channel width.例文帳に追加

さらに、チャネル長はチャネル幅よりも大幅に大きくして飽和領域における電流特性を改善し、駆動用ＴＦＴのＶ_GSを高くすることによって所望のドレイン電流を得る。 - 特許庁

To provide a mixer circuit by which an amplifying stage transistor is operated in a saturation region without increasing size of a cascode stage transistor and power supply voltage and which has satisfactory conversion voltage gain and linearity.例文帳に追加

カスコード段トランジスタサイズや電源電圧を増加することなく、増幅段トランジスタが飽和領域で動作でき、良好な変換電圧利得および線形性を有するミキサ回路を提供する。 - 特許庁

The gain variable low noise amplifier is characterized in that the amplifier employs a bias circuit A0 so as to maintain the grounded source TR M1 to be biased in the current saturation region under the bias condition and can control the gain at a voltage Vc at a gain control terminal.例文帳に追加

バイアス回路Ａ０を用いて、ソース接地トランジスタＭ１のバイアス条件を電流飽和領域を維持しながら、かつ一つの利得制御端子電圧Ｖｃで利得が制御できることを特徴としている。 - 特許庁

A division point selection part 21 reads a 3D-LUT (LUT with fine division intervals at the high saturation region) from a storage part 3 and selects eight apexes constituting a partial space in which input data are included.例文帳に追加

分割点選択部２１は、記憶部３より３Ｄ−ＬＵＴ（高彩度領域の分割間隔が細かいＬＵＴ）を読み込み、入力データの含まれる部分空間を構成する８頂点を選択する。 - 特許庁

On the other hand, the capacitor of the MOS capacitance does not function in a saturation region where V_DS of the MOS transistor constituting a low current circuit exceeds the overdrive voltage, so that there is no way the original response speed is suppressed.例文帳に追加

他方、低電流回路を構成するＭＯＳトランジスタのＶ_DSがオーバードライブ電圧を超える飽和領域においては、ＭＯＳキャパシタンスの容量は機能せず、本来の応答速度を阻害することはない。 - 特許庁

Furthermore, a clamp circuit (222) is provided which clamps an output voltage of the transistor for power control so that the transistor doesn't enter the saturation region even in the case that the signal indicating the output level is set to a maximum level within its variable range.例文帳に追加

また、出力レベルを指示する信号がその可変範囲の最大レベルにされた場合にも、上記電源制御用トランジスタが飽和領域に入らないように制限するクランプ回路（２２２）を設けるようにした。 - 特許庁

To provide a color conversion processing method and a color conversion processor for reducing the turbidity of a high saturation region or the distortion of gradation to be generated at the time of compressing a color region by a color printer or the like, and to provide a recording medium.例文帳に追加

カラープリンタなどで色域圧縮を行う際に発生する高彩度域の濁りやグラデーションの歪みを低減する色変換処理方法、色変換処理装置および記録媒体を提供する。 - 特許庁

Furthermore, by operating the element drive transistor in its saturation region, a dark point defect due to characteristics fluctuation of the element drive transistor is detected based on the cathode current and the emission luminance when the EL element is made an emission level.例文帳に追加

また素子駆動トランジスタをその飽和領域で動作させてＥＬ素子を発光レベルとしたときのカソード電流や発光輝度に基づくことで素子駆動トランジスタの特性ばらつきに起因した暗点欠陥を検出する。 - 特許庁

A transistor constituting the output buffer of a scanner 5 operates in a saturation region for the first time to form the steep part of a waveform of the control signal DS and then operates in a linear region to generate the gentle part of the waveform.例文帳に追加

スキャナ５の出力バッファを構成するトランジスタは、はじめ飽和領域で動作して制御信号ＤＳの波形の急峻な部分を形成し、続いて線形領域で動作してこの波形のなだらかな部分を形成する。 - 特許庁

A simulation for exactly reproducing the characteristics of the thin-film semiconductor element can be performed by setting different values of mobility UL and US in a linear region and a saturation region and making the values of mobility have continuity.例文帳に追加

線形領域と飽和領域とで異なる移動度の値ＵＬ，ＵＳを設定するとともにこれら異なる移動度の値に連続性を持たせたことにより、薄膜半導体素子の特性を正確に再現したシミュレーションができる。 - 特許庁

In a blanking period of a video signal, an element driving transistor for controlling a driving current supplied to an EL element is operated in its saturation region, and a cathode current in setting the EL element to an emission level is detected.例文帳に追加

映像信号のブランキング期間において、ＥＬ素子に供給する駆動電流を制御するための素子駆動トランジスタをその飽和領域で動作させ、かつＥＬ素子を発光レベルとしたときのカソード電流を検出する。 - 特許庁

A voltage supplied to the light emitting pixel is controlled in consideration with the characteristics of the saturation region of the driving transistor connected to the light emitting element constituting each pixel of the display, the video signal and the timewise change of the video signal as well.例文帳に追加

表示装置の各画素を構成する発光素子に接続される駆動トランジスタの飽和領域の特性、映像信号及び映像信号の時間的変化も考慮して発光画素へ供給する電圧を制御する。 - 特許庁

The bias voltage Vbs is selected so that the nodes N1, N2 reaches a level at which a transistor(TR) group being a component of the current mirror amplifier arrives in an operative level in a saturation region independently of a level of the external signal and the reference signal.例文帳に追加

バイアス電圧Ｖｂｓは、外部信号および基準信号の信号レベルに関わらず、ノードＮ１およびＮ２の電位が、カレントミラーアンプを構成するトタンジスタ群が飽和領域で動作可能なレベルになるように設定される。 - 特許庁

In this current driving circuit, transistors 7, 9 which operate respectively in a linear region (non-saturation region) are provided between sources of transistors 6, 8 constituting a current mirror circuit and a power source line 1 to reduce the effect due to dispersion in threshold voltage of the transistors 6, 8.例文帳に追加

カレントミラー回路を構成するトランジスタ６，８のソースと電源線１との間に、線形領域（非飽和領域）で動作するトランジスタ７，９を設け、トランジスタ６，８のしきい値電圧のばらつきによる影響を低減する。 - 特許庁

The high frequency signal processing device includes, for example, a pre-driver circuit PDR having an operating point fixed in a saturation region, and a final stage driver circuit FDR having an operating point fixed in a linear region and performing a linear amplification operation using an inductor L1a having a high Q value.例文帳に追加

例えば、飽和領域に動作点が定められたプリドライバ回路ＰＤＲと、線形領域に動作点が定められ、高いＱ値を持つインダクタＬ１ａによって線形増幅動作を行う最終段ドライバ回路ＦＤＲとを備える。 - 特許庁

A charge voltage Vosc to a main capacitor C0 arranged in an oscillation high voltage pulse generator 12 of the oscillation laser 100 is constantly controlled so that the pulse energy Posc of the oscillation laser 100 becomes not less than lower the limit energy Es0 of an amplification saturation region.例文帳に追加

発振用レーザ１００のパルスエネルギーＰoscが増幅飽和領域の下限エネルギーＥs0以上になるように、発振用レーザ１００の発振用高電圧パルス発生器１２に設けられた主コンデンサＣ0への充電電圧Ｖoscを一定制御する。 - 特許庁

A CPU 32 inputs the digital signal and supplies a correction digital signal for generating the correction analog signal for locating the digital signal within a predetermined change in the non- saturation region of the A/D converter 28 is supplied to the D/A converter 22.例文帳に追加

CPU32 は、該ディジタル信号を入力し、これをＡ／Ｄ変換器28の非飽和領域内に予め定めた範囲内に位置させる補正アナログ信号をＤ／Ａ変換器22に発生させる補正ディジタル信号を、Ｄ／Ａ変換器22に供給する。 - 特許庁

When a heat exchanger is allowed to function as a condenser, at least one or more pipes 12 through which a refrigerant in a saturation region flows are disposed at a space between a pipe 9, through which a high- temperature gas refrigerant flows and a pipe 10 through which a refrigerant in a subcooling region flows.例文帳に追加

前記熱交換器を凝縮器として作用させたときに、高温ガス冷媒が流れるパイプ９と過冷却域の冷媒が流れるパイプ１０との間に少なくとも１本以上、飽和域冷媒が流れるパイプ１２を配置する。 - 特許庁

To provide bidirectional converter provided with a choke coil in which an electric energy is accumulated in a prescribed current direction but no electric energy is accumulated in an opposite current direction, by positively utilizing the magnetic saturation region of a polarized coil.例文帳に追加

有極性コイルの磁気飽和領域を積極的に活用することにより、所定電流方向に対して電力エネルギーを蓄積し、逆電流方向に対して電力エネルギーの蓄積がないチョークコイルを備えた双方向コンバータを提供すること。 - 特許庁

The operating point shift circuit 25 comprises the fourth MOSFET 4 connected to the third MOSFET 3 in parallel and a voltage supply source 14 for supplying the fourth MOSFET 4 with a gate voltage which makes the fourth MOSFET 4 operate in a saturation region.例文帳に追加

この動作点シフト回路25は、第３のＭＯＳＦＥＴ３と並列接続される第４のＭＯＳＦＥＴ４と、第４のＭＯＳＦＥＴ４を飽和領域で動作させるゲート電圧を第４のＭＯＳＦＥＴ４に供給する電圧供給源14と、からなる。 - 特許庁

This mixer circuit 100 adds analog signals v_1 and v_2 to each other by capacitive coupling, and multiplies the analog signal v_1 by the analog signal v_2 by using a square-law characteristic of drain currents of MOS transistors 12, 15, 18 and 21 operating in a saturation region.例文帳に追加

ミキサ回路１００は、容量結合によりアナログ信号ｖ_１、ｖ_２を加算するとともに、飽和領域で動作するＭＯＳトランジスタ１２、１５、１８、２１のドレイン電流の二乗特性を利用して、アナログ信号ｖ_１とアナログ信号ｖ_２を乗算する。 - 特許庁

To provide an amplifying circuit of a microwave signal capable of setting gate bias voltage near ground potential, preventing changes in the gate bias voltage even when FET amplifying elements are operated near a saturation region, and preventing lowering of output voltage.例文帳に追加

グランド電位の近くにゲートバイアス電圧を設定することができ、ＦＥＴ増幅素子を飽和領域近くで動作させた場合でも、ゲートバイアス電圧の変化を抑え、その出力電圧の低下を抑制することができるマイクロ波信号の増幅回路を提案する。 - 特許庁

A correction amount determining section 3 determines a correction amount on the basis of the saturation information obtained by the image information analysis section 2, and a color correction processing section 4 executes the correction processing to increase the saturation of a low saturation region in the input image according to the determined correction amount.例文帳に追加

補正量決定部３は、画像情報解析部２で求めた彩度情報をもとに補正量を決定し、決定した補正量に従って、色補正処理部４で入力画像内の低彩度領域に対して彩度を上げるように補正処理を行う。 - 特許庁

More particularly the electric power consumption can be reduced with substantially no degradation in display luminance by adjusting the cathode voltage Vc within a range where the operating point exists in a saturation region of a driving transistor 14 for driving the organic EL element 11, i.e., an anode voltage of the organic EL element exists.例文帳に追加

特に、有機ＥＬ素子１１を駆動する駆動トランジスタ１４の飽和領域に動作点、即ち有機ＥＬ素子のアノード電圧が位置する範囲内でカソード電圧Ｖｃを調整するようにして、表示輝度をほとんど低下させずに消費電力の低減を図ることが可能となる。 - 特許庁

Then, in the operation of a saturation region (Vd>Vg>Vth), a hole of an electron-hole pair, generated by collisional ionization in the vicinity of the low concentration drain region 14c of a channel 28 flows into the intrinsic region 14f below the low concentration source region 14b, not below the channel 28.例文帳に追加

そして、飽和領域（Ｖｄ＞Ｖｇ＞Ｖｔｈ）での動作では、チャネル２８の低濃度ドレイン領域１４ｃ近傍において衝突電離により発生した電子正孔対のうちの正孔はチャネル２８下ではなく低濃度ソース領域１４ｂ下の真性領域１４ｆに流れ込む。 - 特許庁

A drain bias voltage generating circuit DB1 includes nMOS transistors MN21 and MN22 operating in a sub-threshold saturation region, generates a drain bias voltage, adds the additional bias voltage V_SR to the drain bias voltage, and applies the voltage obtained by the addition to a drain of an MOS resistor MR.例文帳に追加

ドレインバイアス電圧生成回路ＤＢ１は、サブスレッショルド飽和領域で動作するｎＭＯＳトランジスタＭＮ２１及びＭＮ２２を備え、ドレインバイアス電圧を生成し、当該ドレインバイアス電圧に追加バイアス電圧Ｖ_ＳＲに加算して、加算結果の電圧をＭＯＳ抵抗ＭＲのドレインに印加する。 - 特許庁

Since the operation point between the second TFT and the second light-emitting element is always set to the saturation region close to a pinch-off point of the second TFT in accordance with deterioration of the light-emitting element, necessity to increase potential difference between the power supply line and a counter electrode larger than necessary is eliminated.例文帳に追加

発光素子の劣化に合わせて、常に第２ＴＦＴと第２の発光素子との動作点を第２ＴＦＴのピンチオフ点近くの飽和領域にするこができるので、電源線と対向電極との電位差を必要以上に大きくする必要がなくすことができる。 - 特許庁

Moreover, since the reactor 50 for resonance is a saturable reactor, it is possible to make the switching frequency constant without depending upon load condition by reducing the inductance value of the reactor 50 for resonance using a saturation region at high load, and increasing the switching frequency to the same level as that at the low load.例文帳に追加

また、共振用リアクトル５０は可飽和リアクトルであるので、高負荷時に飽和領域を使用して共振用リアクトル５０のインダクタンス値を低減させ、スイッチング周波数を低負荷時と同等まで増加させることにより、負荷状態に依存せず、スイッチング周波数を一定とすることができる。 - 特許庁

The earth line includes a toroidal core which shows low impedance with respect to low-frequency current and current having current values in the magnetic saturation region regardless of the frequency and also shows high impedance which prevents noise current having current values in the region causing no magnetic saturation and high-frequency current from flowing on the earth line.例文帳に追加

アースラインは、低周波電流、及び周波数の如何に拘わらず磁気飽和領域の電流値をもつ電流に対して低インピーダンスを示し、磁気飽和を起こさない領域の電流値をもつノイズ電流及び高周波電流のアースライン上での流れを阻止する高インピーダンスを示すトロイダル・コアを有している。 - 特許庁

The transimpedance amplifier is provided with: a MOS transistor Q1 for receiving an input current and converting the received input current into a voltage depending on the magnitude of the current; and a MOS transistor Q2 connected to the MOS transistor Q1 as a load, and the MOS transistor Q1 is operated in a saturation region.例文帳に追加

この発明は、入力電流を受け取り、この受け取った入力電流の大きさに応じた電圧に変換するＭＯＳトランジスタＱ１と、このＭＯＳトランジスタＱ１の負荷として接続されるＭＯＳトランジスタＱ２とを備え、ＭＯＳトランジスタＱ１を飽和領域で動作させるようにした。 - 特許庁

A transistor of a dual gate structure with two control terminals or a series connection of transistors is employed for at least a first stage amplifier element of the high frequency power amplifier circuit and a current mirror circuit provides a bias to an upper side transistor (Q2) through which a current flows in a manner of causing an operation in its saturation region.例文帳に追加

高周波電力増幅回路の少なくとも初段の増幅用素子に２つの制御端子を有するデュアルゲート構造のトランジスタまたは直列形態のトランジスタを使用し、上側のトランジスタ（Ｑ２）にカレントミラー回路でこのトランジスタを飽和領域で動作させるような電流を流すようにバイアスを与える。 - 特許庁

To provide a magnetic shield device that achieves reduction in manufacturing costs by reducing an amount of steel sheets used in the magnetic shield device, and prevents the occurrence of magnetic-flux leakage due to a magnetic-flux density of the steel plate reaching a magnetic saturation region, so as to prevent adverse effects on control equipment or the like installed in the magnetic shield device.例文帳に追加

磁気シールド装置に使用する鋼板量を低減して製造コストを安くできるうえ、鋼板の磁束密度が磁気飽和領域に達することによる磁束漏れを防止することができ、磁気シールド装置内に設置された制御機器などへの悪影響を防止することができる磁気シールド装置を提供する。 - 特許庁

In the recording head board provided with a plurality of recording elements and a plurality of MOS transistors operating as drivers corresponding to the plurality of recording elements, respectively, the MOS transistor is reduced in size by decreasing at least any one of the channel width and channel length and the MOS transistor is operated in a saturation region.例文帳に追加

複数の記録素子とそれら複数の記録素子夫々に対応した複数のドライバとして動作するＭＯＳトランジスタとを備えた記録ヘッド基板において、ＭＯＳトランジスタはチャネル幅とチャネル長との内、少なくともいずれかを小さくすることで小型化を図り、そのＭＯＳトランジスタを飽和領域で動作させるようにする。 - 特許庁

The source or drain of the transistor is electrically connected to an electrode of the light emitting element, and the transistor operates the light emitting element in a saturation region upon emitting light.例文帳に追加

基板上に設けられたトランジスタと、発光素子とを具備する画素を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタが飽和領域で動作させる。 - 特許庁

To provide a ripple filter, capable of removing ripples from the output voltage through the instantaneous return to the action in the active region even when the load is rapidly increased, the input voltage is dropped, the ripple voltage exceeding the voltage drop by the resistance is superposed on the input voltage, and a first transistor is in an unstable action of the saturation region.例文帳に追加

負荷が急激に重くなり入力電圧が低下したり、さらに抵抗による電圧降下を超えたリップル電圧が入力電圧に重畳されて第１のトランジスタが飽和領域の不安定な動作に入った場合でも、瞬時に活性領域の動作に復帰させて出力電圧からリップルを除くことのできるリップルフイルタを提供することにある。 - 特許庁

A short SW43 is provided for short-circuiting between the input side and the output side of a booster circuit 42 boosting a power supply voltage VCC supplied from the positive electrode side of a battery cell Vc5 to a drive voltage VCC1 for driving a MOS transistor in a buffer amplifier 30 in a saturation region to be supplied as a drive voltage.例文帳に追加

電池セルＶｃ５の正極側から供給される電源電圧ＶＣＣをバッファアンプ３０内のＭＯＳトランジスタを飽和領域で駆動させることができる駆動電圧ＶＣＣ１に昇圧して駆動電圧として供給する昇圧回路４２の入力側と出力側とを短絡させるショートＳＷ４３を備える。 - 特許庁

An output circuit 2 having a switching timing delay mechanism made of a delay circuit 3 by connecting a plurality of output circuits 1 and 2 for supplying currents to an output terminal A of a former stage circuit is switched at timing when a current supplied from the output circuit 1 not having the switching timing delay mechanism having the circuit 3 arrives at the saturation region.例文帳に追加

前段回路の出力端Ａに、電流を供給する複数の出力回路１、２を接続し、遅延回路３からなるスイッチングタイミング遅延機構を設けた前記出力回路２は、前記スイッチングタイミング遅延機構を設けない前記出力回路１から供給される電流が飽和領域に達するタイミングでスイッチングする。 - 特許庁

Although a limiting resistor for preventing inrush current to the capacitor C which is in discharge state at the time of start is not provided in a load driver 100, the controller 20 controls the gate voltage of a power MOSFET 40 in the system main relay SMR3 in a saturation region within such a range as the power MOSFET 40 does not exceed the maximum rated power.例文帳に追加

ここで、この負荷駆動装置１００においては、起動時に放電状態にあるコンデンサＣへの突入電流を防止するための制限抵抗が設けられていないところ、制御装置２０は、システムメインリレーＳＭＲ３のパワーＭＯＳＦＥＴ４０が最大定格電力を超えない範囲であって、かつ、飽和領域で動作するようにパワーＭＯＳＦＥＴ４０のゲート電圧を制御する。 - 特許庁

In the CMOS image sensor provided with photodiodes PD and a plurality of transistors for transferring electric charges stored in the photodiodes to one column line, a gate electrode of at least one of the transistors is provided with a voltage drop means for dropping a gate voltage received by the gate electrode of the transistor to extend the saturation region of the transistor.例文帳に追加

フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、前記トランジスタのゲート電極に入力されるゲート電圧を降下させ、前記トランジスタの飽和領域を拡張させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのゲート電極に電圧降下手段を備えるＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁