FETsとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 電界効果トランジスタ
「FETs」を含む例文一覧
該当件数 : 472件
Similarly, FETs 121-124, FETs 131-133, FETs 141-143, FETs 151-153 and FETs 161-163 are also inserted between the source of the FET 101 or 102 and terminals 502-506.例文帳に追加
同様にして、FET121〜124、FET131〜133、FET141〜143、FET151〜153及びFET161〜163も、FET101又は102のソースと端子502〜506との間に挿入される。 - 特許庁
Consequently, although the potential between the gates and sources in the FETs 2-4 becomes negative and the FETs are turned off.例文帳に追加
これにより、FET2〜FET4のゲート−ソース間の電位は負となってこれらのFETはオフするようになる。 - 特許庁
The FETs 7, 8, and 9 constitute a variable resistance circuit 20.例文帳に追加
FET7,8,9が可変抵抗回路20を構成する。 - 特許庁
Also, a comparator 20 outputs high if a drain voltage Vo of the FETs 1 and 2 is at a level when the FETs 1 and 2 are turned off.例文帳に追加
また、比較器20は、FET1,2のドレイン電圧Voが、FET1,2のオフ時のレベルであると、ハイを出力する。 - 特許庁
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「FETs」を含む例文一覧
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When a DCG is on, each of CMOS type FETs 80 turns on sequentially, and each of CMOS type FETs 90 turns off simultaneously.例文帳に追加
DCGオン時には、各CMOS型FET80は順次オンし、各CMOS型FET90は一斉にオフとなる。 - 特許庁
The inverter 7 includes a pair of FETs 9, 10, and a bias circuit 11 for switching the FETs 9, 10 between ON and OFF states.例文帳に追加
インバータ7は、一対のFET9,10と、これらFET9,10のオンオフ状態を切り換えるバイアス回路11とを備える。 - 特許庁
The input FETs are realized as a floating body FET.例文帳に追加
入力FETは、フローティングボディーFETとして実現される。 - 特許庁
A glow plug control device 1 is provided with a plurality of FETs 21-24, and a control device 10 controlling the FETs 21-24.例文帳に追加
グロープラグ制御装置1は、複数のFET21〜24と、このFET21〜24を制御する制御装置10を備えている。 - 特許庁
Even if the MOS-FETs 22 and 23 are in the ON-states and currents are applied to them, the forward direction losses of the MOS-FETs 22 and 23 are very small.例文帳に追加
MOS型FET22,23がオンして電流が流れていても、MOS型FET22,23の順方向損失は極めて小さい。 - 特許庁
To improve the degree of integration of a memory LSI in which memory cells and the other peripheral circuits are composed of CMOS FETs (complementary metal oxide FETs).例文帳に追加
メモリセルとその他の周辺回路を共にCMOSFETで構成したメモリLSIの集積度を向上させる。 - 特許庁
Since the source-drain potential of the FETs 101-104 is fixed, a bias voltage for turning the FETs 101-104 on can be applied stably between the gate-source of the FETs 101-104.例文帳に追加
FET101〜104のソース・ドレイン電位を固定することで、FET101〜104のゲート・ソース間に、FET101〜104をオンにするためのバイアス電圧を安定して印加することができる。 - 特許庁
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