「"transition region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

This microstructure is achieved by selecting an alloy composition whose martensite start temperature is 350°C or higher and by selecting a cooling regime from the austenite phase through the martensite transition region that avoids regions in which autotempering occurs.例文帳に追加

このミクロ構造は、そのマルテンサイト開始温度が３５０℃または３５０℃より大きく、合金組成物を選択することによって、そして自己焼きもどしが起こる領域を回避する、オーステナイト相からマルテンサイト転移領域を通る、冷却形式を選択することによって達成される。 - 特許庁

A temperature-sensitive magnetic member 64 includes a plurality of components arranged along the width direction of a fixing belt 61, and a transition region where the magnetic property changes between ferromagnetism and paramagnetism according to the temperature includes a temperature region different from that of a second component in one or more components.例文帳に追加

感温磁性部材６４は、定着ベルト６１の幅方向に沿って配列された複数の構成部分により構成され、磁気特性が温度に応じて強磁性と常磁性との間で遷移する遷移領域が、一または複数の構成部分において他の構成部分とは異なる温度領域からなる。 - 特許庁

By creating a transition region composed of transverse rows intersecting the output waveguide array (where the rows have equal dimensions and the effective refractive index is controlled by increasing the spacing width gradually from row to row), an adiabatic transition is created from slab waveguide to channel waveguide array.例文帳に追加

出力導波路アレイと交差する横方向列からなる遷移領域を創り出すことによって（この場合、その列が等しい寸法を有し、有効屈折率が間隔幅を列から列へ徐々に増加してゆくことによって制御される）、スラブ導波路からチャンネル導波路アレイまで断熱遷移が創り出される。 - 特許庁

The potential of the node pd of the photodiode 1 is brought to the transition region of the comparator 2 by providing the horizontal control line 6 with potential Φramp to be second control voltage by the variable voltage generation circuit 7 from time t5 to time t7 in a signal reading period T1 next to the signal electrode accumulation period T2.例文帳に追加

一方、この信号電荷蓄積期間Ｔ２の次の信号読み出し期間Ｔ１において、時刻ｔ５から時刻ｔ７に亘って、可変電圧発生回路７１は水平制御線６に第２の制御電圧となる電位Φｒａｍｐを与えて、フォトダイオード１のノードｐｄの電位をコンパレータ２の遷移領域に持ってくる。 - 特許庁

The organized microstructure includes a first surface region having the ultra-fine grained, equiaxed microstructure and a second surface region comprising a recrystallized, coarser grained microstructure having an average linear grain size of greater than 25 microns, wherein the first and second surface regions are separated by a transition region.例文帳に追加

本発明によると、組織化微細構造は、超微細粒状化等軸微細構造を有する第１の表面部位と、２５マイクロメートルよりも大きい平均線形粒径を有する再結晶化した粗粒状の微細構造を備える第２の表面部位とを含み、第１と第２の表面部位は転移部位により分離されている。 - 特許庁

In a prescribed transition region with the accelerator aperture corresponding to a traveling mode switching point as a boundary, an acceleration pedal device is constituted so that a pedaling change amount necessary for acquiring the same accelerator aperture change amount is differed from those between the first traveling mode regions 252, 262 and between the second traveling mode regions 254, 264.例文帳に追加

走行モード切換点に対応するアクセル開度を境界とする所定の移行領域では、第１の走行モード領域２５２，２６２および第２の走行モード領域２５４，２６４の間では、同一のアクセル開度変化量を得るために必要なアクセルペダル踏力変化量が異なるように、アクセルペダル装置は構成される。 - 特許庁

The active layer 14 has: a gain area 31; an end face window region 33 formed in a region containing an end face of the resonator, which has larger bandgap energy compared with that of the gain area 31; and a transition region 32 formed between the between gain area 31 and the end face window region 33, the bandgap energy of which changes continuously.例文帳に追加

活性層１４は、利得領域３１と、共振器の端面を含む領域に形成され且つ利得領域３１と比べてバンドギャップエネルギーが大きい端面窓領域３３と、利得領域３１と端面窓領域３３との間に形成され且つバンドギャップエネルギーが連続的に変化する遷移領域３２とを有している。 - 特許庁

An impurity concentration profile, at which an inclination 22a where the impurity concentration approximately rectilinearly falls with an increase in the distance from the surface 1a of the semiconductor substrate 1 (with a decrease in depth D) crosses a curve 21a of a transition region at the boundary between the semiconductor substrate 1 and the semiconductor thin film 2, is obtained.例文帳に追加

この結果半導体基板１と半導体薄膜２との界面における遷移領域のカーブ２１ａに対して、半導体基板１の表面１ａからの距離が大きくなるにつれて（深さＤが小さくなるにつれて）略直線状に不純物濃度が低下していく傾斜２２ａが交差する不純物濃度プロファイルが得られる。 - 特許庁

For example, a reaction container 21 is longitudinally divided into three temperature regions, that is, a high temperature region, a transition region and a low temperature region and the optimum materials (showing high corrosion resistance in the respective temperature regions) with respect to the respective temperature regions are selected as the respective materials constituting the upper member 42, intermediate member 43 and lower member 44 corresponding to the respective temperature regions.例文帳に追加

例えば、反応容器２１を高温域と遷移域及び低温域の３つの温度領域に縦方向に３分割し、それぞれの領域に対応する上部材４２、中間部材４３及び下部材４４を構成する各材質として各温度域に対して最適なもの（つまり、その温度域で高い耐食性を示すもの）を選定する。 - 特許庁

In an apparatus for generating a circulation flow in the flow duct 18 constituting the flue gas outlet 10 of an incineration plant, two wall parts 26 are formed in the transition region 20 from a combustion chamber 12 to the flue gas outlet 10 while facing each other at a wall width b for defining the flow duct wherein the wall part 26 has a first wall part of length l1.例文帳に追加

焼却プラントの煙道ガス出口（１０）を構成するフローダクト（１８）内に循環流を生成する装置であって、燃焼室（１２）から煙道ガス出口（１０）への遷移領域（２０）には、フローダクトを区画する壁幅ｂで対向する二つの壁部（２６）が形成されており、この壁部（２６）は長さｌ_1の第１壁部を有している。 - 特許庁

The solar cell element having the antireflection film 5 on one main surface side of the semiconductor substrate 1 is configured so that an intermediate oxide layer 3 and a density transition region 4 containing the main component of the intermediate oxide layer 3 and the main component of the antireflection film 5 are successively provided from the semiconductor substrate 1 between the semiconductor substrate 1 and the antireflection film 5.例文帳に追加

半導体基板１の一主面側に反射防止膜５を有して構成される太陽電池素子であって、半導体基板１及び反射防止膜５の間に、中間酸化物層３と、該中間酸化物層３の主成分と反射防止膜５の主成分とを含有してなる密度遷移領域４とを、半導体基板１から順次有するように構成する。 - 特許庁

The crystal grains having a uniform particle size and a uniform interval r are formed and the grain boundary width (the magnetization transition region width W) between grains is accurately adjusted by appropriately setting the distance between a substrate 1 plated with metal of NiP or the like and a copper member 2, depositing Cu deposits 4 on the substrate 1 at a uniform interval r and replacing the Cu deposits 4 with magnetic particles 10.例文帳に追加

ＮｉＰ等の金属めっきされた基板１と銅部材２との距離を適切に設定して、基板１上にＣｕ析出物４を均等間隔ｒで析出させ、Ｃｕ析出物４を磁性粒子１０に置き換えることにより、均一な粒径と均等間隔ｒとをもつ結晶粒を形成し、結晶粒間の粒界幅（磁化遷移領域幅Ｗ）を精度良く調整する。 - 特許庁

In the insulating film structure formed with, on a substrate 1 of a wideband gap semiconductor material, an insulating film 4 using a silicon dioxide film ≥90% at a composition ratio as a matrix, and mainly formed of nitrogen ≤10% includes a transition region where a silicon composition ratio and a carbon composition ratio rapidly change in the vicinity of an interface between the insulating film 4 and the wideband gap semiconductor material substrate 1.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体材料の基板１上に、組成比で９０％以上の二酸化珪素膜を母体とし且つ１０％以下の窒素で主に構成される絶縁膜４を形成した絶縁膜構造体であって、絶縁膜４とワイドバンドギャップ半導体材料基板１との界面近傍において、珪素組成比、及び、炭素組成比が急激に変化する遷移領域を有する。 - 特許庁

An organism adhesion prevention device comprises an organism adhesion prevention part 11 as a cathode, an electrode 12 as an anode that is opposed to the organism adhesion prevention part, and a power feeding device 13 that continuously applies direct current between the organism adhesion prevention part and the electrode, such that an electrolysis reaction on a surface of the organism adhesion prevention part is in a transition region during implementation of the organism adhesion prevention method.例文帳に追加

カソードとされる生物付着防止部分１１と、該生物付着防止部分に対して配置されたアノードとしての電極１２と、生物付着防止実施環境に於ける前記生物付着防止部分の表面での電気分解反応が遷移域となる様、前記生物付着防止部分と前記電極間に常時直流電流を通電する電力供給装置１３とを具備する。 - 特許庁

The process of cleaning the semiconductor substrate by ejecting cleaning liquid from a ultrasonic nozzle to the rotated circular semiconductor substrate comprises a small power output cleaning process 102A for lowering the ultrasonic vibration output in the inner peripheral part of the semiconductor substrate, a large power output cleaning process 101A for increasing the ultrasonic vibration output in the outer peripheral part, and a transition region cleaning process 103A between both processes 102A and 101A.例文帳に追加

回転される円形状半導体基板に超音波ノズルから洗浄液を噴射させて当該半導体基板を洗浄する工程を、半導体基板の内周部分においては超音波の発振出力を低くする低出力洗浄工程１０２Ａと、外周部分においては超音波の発振出力を高くする高出力洗浄工程１０１Ａと、これら両工程１０２Ａ，１０１Ａ間における遷移領域洗浄工程１０３Ａとから構成したものである。 - 特許庁