「"transition width"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a perpendicular recording magnetic head capable of narrowing a magnetization inversion width (magnetization transition width) between recording patterns where magnetizations recorded in a recording medium are inverted each other, and reducing magnetized inversion noise, and its manufacturing method.例文帳に追加

記録媒体に記録された磁化が互いに反転する記録パターン間の磁化反転幅（磁化遷移幅）を狭くでき、磁化反転ノイズを低下させることが可能な垂直記録磁気ヘッド、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor epitaxial wafer, capable of producing and supplying a semiconductor epitaxial wafer in which an epitaxial film has uniform resistivity distribution and a transition width is narrow, with high quality and productivity, and to provide the semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

エピタキシャル膜の抵抗率分布が均一であり、また遷移幅の狭い半導体エピタキシャルウエーハを、高品質かつ高生産性で製造し供給する事のできる半導体エピタキシャルウエーハの製造方法やそのような半導体エピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic recording head such that the magnetism inversion width (magnetism transition width) between recording patterns which are mutually inverted in magnetism, specially, magnetism recorded on a recording medium can be made narrow and trailing-side magnetic field lines of recording patterns can be as parallel to a track width as possible.例文帳に追加

特に記録媒体に記録された磁化が互いに反転する記録パターン間の磁化反転幅（磁化遷移幅）を狭く、且つ前記記録パターンのトレーリング側磁界線をトラック幅方向により平行に近づけることが可能な垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon epitaxial wafer including a process of performing vapor-phase growth of a silicon single-crystal thin film on the surface of a silicon single-crystal substrate, wherein variation in resistivity in a depth direction between the silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal thin film is steep and the transition width of the resistivity is small.例文帳に追加

シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコン単結晶基板とシリコン単結晶薄膜間の深さ方向の抵抗率変化が急峻で、抵抗率の遷移幅が小さいシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁