| 例文 (7件) |
"collision ionization"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
Thus, the collision ionization amplifier CCD is arranged usefully in space.例文帳に追加
これにより、衝突電離増幅衝突ＣＣＤをスペース的に無駄なく配置できる。 - 特許庁
Only image signals at a threshold or lower are amplified by collision ionization multiplication to be read, then an image signal at the threshold or higher is read without multiplication.例文帳に追加
これにより、閾値以下の画像信号のみを衝突イオン化増倍により増幅して読み出し、その後、閾値以上の画像信号を増幅することなく読み出す。 - 特許庁
Then, accidental electrons in the discharge tube 12a are accelerated by this secondary electric field, and collision ionization occurs between the accelerated accidental electrons and rare gas to cause discharge.例文帳に追加
そして、放電管１２ａ内の偶存電子がこの２次電界によって加速され、加速した偶存電子と希ガスＧとの間で衝突電離が起こり放電を生じる。 - 特許庁
To realize a practical high sensitivity/high speed image pickup element by effectively applying a collision ionization amplifier CCD(CCM) to a CCD type image pickup element for high speed photographing.例文帳に追加
衝突電離増幅ＣＣＤ（ＣＣＭ）を、ＣＣＤ型高速撮影用撮像素子に効果的に適用できるようにし、実用的な高感度高速撮像素子を実現する。 - 特許庁
A reciprocating collision ionization amplifier CCD(BCCM) 142 in multi-stages 308 and 309 is inserted between a VCCD 140 and a plurality of HCCD 151 in a multi-line parallel reading CCD for a high speed operation.例文帳に追加
高速化のための多線並列読み出しＣＣＤにおいて、ＶＣＣＤ１４０と多数のＨＣＣＤ１５１の間に、多段３０８、３０９の往復衝突電離増幅ＣＣＤ（ＢＣＣＭ）１４２を挿入する。 - 特許庁
Especially, the number of stages of the arithmetic operation until it exceeds a fixed threshold is calculated according to the combination of the multiplication operation of signal charge amounts using collision ionization with a non-destruction detecting amplifier, so that analog/digital conversion having logarithm characteristics is performed with high sensitivity.例文帳に追加
特に衝突イオン化を用いた信号電荷量の乗算演算と非破壊の検出アンプの組み合わせにより、一定閾値を越えるまでの演算段数を求めることによって、対数特性を持つアナログ・デジタル変換を高感度に行うことができる。 - 特許庁
To provide a nitride semiconductor device capable of preventing current collapse while more enhancing withstand voltage by preventing collision ionization in a nitride semiconductor layer by reducing a leak current of a gate electrode formed on the nitride semiconductor layer.例文帳に追加
窒化物半導体層に形成されるゲート電極のリーク電流を低減し、窒化物半導体層内での衝突イオン化を抑制することにより高耐圧化を実現し、同時に電流コラプスを抑制することができる窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁
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