「"d region"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To calculate the radio wave image of the surface of the atmosphere or the earth from a radio wave occultation signal and to clear the data related to a change in the inclination of electron density in the D-region or E-region of an ionization layer.例文帳に追加

電波オカルテーション信号から、大気や地球表面の電波イメージを求め、また、電離層のＤ領域やＥ領域における電子密度の傾斜の変化に関する情報を明らかにする。 - 特許庁

In one embodiment, a second S/D region is separated from the channel by an offset region, and the photo absorption threshold bias region is the offset region in the Ge layer, after light P-doping.例文帳に追加

一実施形態において、第２のＳ／Ｄ領域は、オフセット領域によりチャネルから引き離され、光吸収しきい値バイアス領域は、濃度の薄いＰ型ドーピング後のＧｅ層中のオフセット領域である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, for manufacturing an LDD region, a pocket layer and a high concentration source/ drain(S/D) region with minimum number of manufacturing processes.例文帳に追加

ＬＤＤ領域、ポケット層及び高濃度ソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）領域を、最小限の製造工程数で製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, the auto-correlation value of the surface image of polysilicon film in an S/D region as well as that on a gate electrode are acquired for calculating the laser power which satisfies both, and this is set as the manufacture margin.例文帳に追加

そして、Ｓ／Ｄ領域上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値と、ゲート電極上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値を求め、両者が満足するレーザパワーを算出し、これを製造マージンとする。 - 特許庁

The interlayer insulating film 40 is vertically dry-etched with respect to the surface of the semiconductor substrate 20 with the resist pattern 50 as a mask, and an opening 100' toward the S/D region 25 is formed in the interlayer insulating film 40.例文帳に追加

次に、このレジスパターン５０をマスクに層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して垂直にドライエッチングして、層間絶縁膜４０にＳ／Ｄ領域２５に至る開口部１００´を形成する。 - 特許庁

Then, the auto-correlating value of the surface image of polysilicon film in an S/D region as well as that on a gate electrode are acquired, and both numerical results is utilized to decide the quality of the polysilicon film.例文帳に追加

そして、Ｓ／Ｄ領域上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値と、ゲート電極上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値を求め、この数値化した両者の結果を利用して、ポリシリコン膜の良否を判断する。 - 特許庁

Placement of the individual antenna elements is optimized on the roof panel 11 by assigning A-region 31, B-region 32, C-region 33 and D-region 34 in ascending order of line length from the transceiver 12 at predetermined spaced intervals.例文帳に追加

ルーフパネル１１には、送受信機１２からのライン長の短い順にＡ領域３１、Ｂ領域３２、Ｃ領域３３、Ｄ領域３４が予め決められた間隔で割り当てられ、各アンテナ素子の配置が最適化されている。 - 特許庁

In the produced VHH single heavy-chain antibodies, the VHH heavy chain gene locus includes a VHH region of camelidae origin, a J region of non-camelidae origin, a D region of non-camelidae origin, and a constant heavy chain region.例文帳に追加

産生されるＶＨＨ単一重鎖抗体は、ＶＨＨ重鎖遺伝子座が、ラクダ科動物起源のＶＨＨ領域と、非ラクダ科動物起源のＪ領域と、非ラクダ科動物起源のＤ領域と、定常重鎖領域とを含む。 - 特許庁

Loads F43, F44, F45 which are applied on the seal members 33, 34, 35 toward an inner circumference surface of the circumference wall 17 by flat springs 43, 44, 45 installed in D region are equal to each other and are greater than loads of the flat springs 40, 41, 42.例文帳に追加

Ｄ領域に設置されている板ばね４３、４４、４５が周壁１７の内周面に向けてシール部材３３、３４、３５に加える荷重Ｆ４３、Ｆ４４、Ｆ４５は等しく、その荷重は板ばね４０、４１、４２の荷重よりも大きい。 - 特許庁

In the control of a region following a spike region initial stage (running average output control: D region), control allowing for running average output value deviation in running accumulated pulse number cast on one place is carried out supposing the use state of an aligner.例文帳に追加

スパイク領域初期に続く領域の制御（移動平均出力制御：Ｄ領域）において、露光装置の使用形態を前提にして、１か所に照射する移動積算パルス数における移動平均出力値偏差を考慮した制御を行う。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 comprises: a pair of substrates 7, 8 which hold a liquid crystal layer 12 therewith; a lighting means 3 which emits light applied to the liquid crystal layer 12; the light reflection film 23 disposed on the substrate 7; and a transmission display region T and a reflection display region R disposed within a sub-pixel D region.例文帳に追加

液晶層１２を挟持する一対の基板７，８と、液晶層１２へ供給する光を出射する照明装置３と、基板７に設けられた光反射膜２３と、サブ画素Ｄ領域内に設けられた透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒとを有する液晶表示装置１である。 - 特許庁

In this case, the impurities are introduced into both of the upper surface and the upper site of one side surface of the gate electrode 102 and the impurities for one time is introduced into one side of a S/D region 104 while the impurities for one time is not introduced into the other part of the same or some of the impurities are introduced but the same will not substantially affect.例文帳に追加

このとき、ゲート電極１０２には上面及び一側面の上部位の双方に、不純物導入がなされ、Ｓ／Ｄ領域１０４にはその一方に１回分の不純物導入がなされ、他方には導入されないか、或いは若干導入されるものの、殆ど影響はない。 - 特許庁