「"effective work function"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a metal nitride film that achieves an intended effective work function (for example, a high effective work function) and has an EOT exhibiting a change or reducing a change, a semiconductor device using the metal nitride film; and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

所望の実効仕事関数（例えば、高い実効仕事関数）を実現し、かつ、ＥＯＴが変化しない、またはＥＯＴの変化を低減した金属窒化膜、金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device having a low threshold voltage with an eWF (effective Work Function) substantially decreased even when a channel width is narrow.例文帳に追加

チャネル幅が狭い場合においても、ｅＷＦが十分に低減された閾値電圧が低い半導体装置を実現できようにする。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device in which eWF (effective work function) is sufficiently reduced and a threshold value is low even when a channel width is small.例文帳に追加

チャネル幅が狭い場合においても、ｅＷＦが十分に低減された閾値電圧が低い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Then, on the semiconductor substrate 101, a second cap film 109 comprising an element having effect of lowering an effective work function is formed.例文帳に追加

その後、半導体基板１０１の上に、実効仕事関数を低下させる効果を有する元素を含む第２のキャップ膜１０９を形成する。 - 特許庁

To actualize an n-type, a p-type MIS transistor having a low threshold voltage by increasing the effective work function of the p-type MIS transistor, while suppressing thickening of the converted film thickness of an oxide film of a gate insulating film of the p-type MIS transistor.例文帳に追加

ｐ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜の酸化膜換算膜厚の厚膜化を抑制しつつ、ｐ型ＭＩＳトランジスタの実効仕事関数を増加させて、低閾値電圧を有するｎ型，ｐ型ＭＩＳトランジスタを実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a MOSFET device capable of controlling an effective work function and a threshold voltage a metal gate electrode of various transistor types, with a simple, reproducible and effective method.例文帳に追加

本発明は、様々なトランジスタタイプの金属ゲート電極の実効仕事関数及び閾値電圧を、簡便で、再生可能でまた効率的な方法で制御することができるＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To decrease the number of etching processes and to avoid the occurrence of etching damage when a suitable threshold voltage is actualized by adjusting an effective work function of a complementary transistor employing a high dielectric constant film with respect to a semiconductor device and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率膜を用いた相補型トランジスタの実効仕事関数を調整して適切なしきい値電圧を実現する際に、エッチング工程数を低減するとともに、エッチングダメージの発生を回避する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same wherein an effective work function of a gate electrode can be stably set at a value near mid-gap of an Si band gap, in the semiconductor device having an NMOS and a PMOS such as an NMOSFET and a PMOSFET.例文帳に追加

ＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴ等のＮＭＯS及びＰＭＯSを有する半導体装置において、ゲート電極の実効仕事関数を、Ｓｉバンドギャップのmid-gap付近の値に安定的に設定することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁