「"inversion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An information code reading system 1 is characterized in that a light-color module region of an information code C added to an information code forming medium 10 is an inversion region, and a dark-light module region is a non-inversion region.例文帳に追加

情報コード読取システム１では、情報コード形成媒体１０に付された情報コードＣの明色モジュール領域が反転領域とされ、暗色モジュール領域が非反転領域とされている。 - 特許庁

The polarization inversion structure is formed repeatedly in a predetermined period along the propagation direction of light, wherein the proportion of an inversion region to a non-inversion region in each period is continuously changed in at least a part of the propagation direction of light in the nonlinear optical medium 41, and the structure includes a period that does not have non-inversion region.例文帳に追加

光の伝播方向に一定周期で前記分極反転構造が形成され、かつ、周期ごとの反転領域と非反転領域の割合が、少なくとも非線形光学媒質４１の光の伝播方向の一部において連続的に変化し、非反転領域のない周期を含む。 - 特許庁

A current blocking layer 11 containing an N-type inversion region is formed on a side surface of a ridge-shaped clad layer 9.例文帳に追加

リッジ形状のクラッド層９の側面にｎ型反転領域を含む電流阻止層１１を設ける。 - 特許庁

Silicon or the like volatilized from a mask material is introduced, thereby forming the N-type inversion region.例文帳に追加

このｎ型反転領域は、マスク材料から揮発したシリコン等が導入されることにより形成される。 - 特許庁

To provide a device for forming a uniform short-period polarization inversion region on a ferroelectric single crystal.例文帳に追加

均一、かつ、短周期の分極反転領域を強誘電体単結晶に形成する装置を提供すること。 - 特許庁

Therefore, it is possible to reduce the generation of leakage currents between those n type diffusion layers 24 through the n type inversion region.例文帳に追加

したがって、ｎ型反転領域を介した複数ｎ型拡散層２４間での漏れ電流の発生を抑制できる。 - 特許庁

In the configuration described above, the display panel driving circuit 14 gives a driving signal KS to the inversion region 122.例文帳に追加

上述の構成において、表示パネル駆動回路１４は、反転領域１２２に駆動用信号ＫＳを与える。 - 特許庁

Furthermore, the cost can be reduced by employing p^+ field ion implantation for forming the anti-inversion region B.例文帳に追加

また、この反転防止領域Ａを形成するイオン注入をｐ^＋ フィールドイオン注入で行うことで低コスト化することができる。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 11 including n-type silicon, in which a first polarity inversion region 12A and a second polarity inversion region 12B are formed on an upper side with an interval from each other, and introduced with a p-type impurity.例文帳に追加

半導体装置は、上部に互いに間隔をおいて形成され且つｐ型不純物が導入されてなる第１の極性反転領域１２Ａ及び第２の極性反転領域１２Ｂが形成されたｎ型シリコンからなる半導体基板１１を有している。 - 特許庁

The polarization inversion structure is formed repeatedly in a predetermined period along the propagation direction of light, wherein the proportion of an inversion region to a non-inversion region in each period is continuously changed, in at least a part of the propagation direction of light in the nonlinear optical medium 41.例文帳に追加

光の伝播方向に一定周期で分極反転構造が形成され、かつ、周期ごとの反転領域と非反転領域の割合が、少なくとも非線形光学媒質４１の光の伝播方向の一部において、連続的に変化している。 - 特許庁

An inversion region and a non-inversion region are discriminatingly detected in an image of the imaged information code forming medium 10 to extract regions of the light-color module and dark-color module, and the information code C is deciphered based upon extraction results.例文帳に追加

そして、その撮像された情報コード形成媒体１０の画像において反転領域と非反転領域とを区別して検出することで明色モジュール及び暗色モジュールの領域を抽出し、その抽出結果に基づいて情報コードＣを解読している。 - 特許庁

To form a polarization inversion region uniformly in the entire region of a substrate when a nonlinear optical element having cyclic polarization inversion structure is formed.例文帳に追加

周期的分極反転構造を有する非線形光学素子の製造にあたり、基板全域に均一に分極反転領域を形成する。 - 特許庁

To make the transconductance of an operational amplifier having a differential amplifier circuit composed of a CMOS constant over the whole input range even in an intense inversion region.例文帳に追加

差動増幅回路をＣＭＯＳで構成される演算増幅器において、強反転領域でも全入力範囲でトランスコンダクタンスを一定にする。 - 特許庁

A plurality of polarization inversion arrays PL alternately formed with polarization inversion regions and polarization non-inversion region are formed in the optical wavelength conversion element 30.例文帳に追加

光波長変換素子３０には、分極反転領域と分極非反転領域とが交互に形成された分極反転列ＰＬが複数形成されている。 - 特許庁

To manufacture a substrate having a periodical polarization inversion region without needing complicated constitution for applying pulse voltage and complicated constitution for applying a ferroelectric field.例文帳に追加

パルス電圧を印加するための複雑な構成や強電界を印加するための複雑な構成を必要とせずに周期的分極反転領域を持つ基板を製造する。 - 特許庁

The crystal-axis inversion parts grow up to the inside of the crystal, propagate up to the inside of the crystal, and the parts corresponding to the protruding parts 4 are jointed to form a crystal-axis inversion region 6.例文帳に追加

この結晶軸反転部分が結晶内部まで成長して結晶内部まで伝播し、凸部４に対応する部分がつながって、結晶軸反転領域６が形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing device for optical wavelength conversion element that facilitate control over the size of a polarization inversion region by generating polarization inversion nuclei with high density.例文帳に追加

分極反転核を均一で高密度に生成することで、分極反転領域の寸法を制御し易い光波長変換素子の製造方法およびその製造装置を提供する。 - 特許庁

The optical waveguide element which has a substrate consisting of a material having an electrooptic effect and an optical waveguide formed on the substrate and wherein a part of the substrate concerning the optical waveguide part has a polarization inversion region 10, 11, or 12 has the polarization domain wall in the polarization inversion region inclined in the direction toward which structural strength of the substrate is made weak.例文帳に追加

電気光学効果を有する材料からなる基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路部に係る基板の一部が分極反転領域１０，１１，１２を有する光導波路素子において、該基板の構造的強度の弱い方位に対して傾斜している該分極反転領域の分極ドメイン壁を有することを特徴とする。 - 特許庁

Constant current I1 of a constant current circuit is reduced by on-resistance of a high resistance value of a NMOS transistor 23 operating in a strong inversion region/non-saturation region, without depending on a resistance of a high resistance value.例文帳に追加

高い抵抗値の抵抗によらず、強反転領域・非飽和領域で動作するＮＭＯＳトランジスタ２３の高い抵抗値のオン抵抗により、定電流回路の定電流Ｉ１が少なくなる。 - 特許庁

By applying a negative voltage to the light-blocking film 315 and the transparent conductive film 321, a P^++-type inversion region 329 is formed in a topmost part of the N-type photoelectric conversion region 303.例文帳に追加

この遮光膜３１５および透明導電膜３２１にマイナス電圧を印加することにより、Ｎ型光電変換領域３０３の表層部にＰ^++型反転領域３２９を形成する。 - 特許庁

The periodic polarization inversion region 115 and the optical waveguide 117 are so designed that the first and the second light beams form quasi-phase matching to generate a third light beam having a third wavelength.例文帳に追加

周期分極反転領域１１５と光導波路１１７は第１の光と第２の光とが擬似位相整合して第３の波長の第３の光を発生するように設計されている。 - 特許庁

By controlling the reverse bias across the PN junction between the source and the substrate, the pinch-off point of the inversion region is pulled back toward the source, thereby increasing the programming efficiency of the MOSFET.例文帳に追加

ソース−基板間のＰＮ接合の逆バイアスを制御することによって、反転領域のピンチオフ点がソースの方へ引き戻され、それによってＭＯＳＦＥＴのプログラミング効率を増大させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a polarization inversion region of a short period at a ferroelectric single crystal within the time at which controllable voltage is applied and to provide an optical wavelength conversion element using the same.例文帳に追加

制御可能な電圧印加時間内に強誘電体単結晶に短周期の分極反転領域を形成する方法およびそれを用いた光波長変換素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a polarization inversion region of a short period at a ferroelectric single crystal within the time at which controllable voltage is applied and to provide an optical wavelength conversion element using the same.例文帳に追加

制御可能な電圧印加時間内に強誘電体単結晶に短周期の分極反転領域を製造する方法およびそれを用いた光波長変換素子を提供すること。 - 特許庁

To increase processing speed while maintaining accuracy of conversion with respect to a device having a gray-level inversion region, and to improve color reproducibility by suppressing deterioration of gray-level inversion in inverse transformation.例文帳に追加

階調反転領域があるデバイスに対して変換の精度を維持しつつ処理速度を向上させ、且つ逆変換の際に階調反転の悪化を抑制して色再現性を向上させる。 - 特許庁

A wavelength conversion element holder 57 holding a wavelength conversion element 35 is provided movably in the depth direction of a polarization inversion region and tiltably in an arbitrary direction with respect to a holder support 59.例文帳に追加

波長変換素子３５を保持する波長変換素子ホルダ５７を、ホルダ支持部５９に対して、分極反転領域の深さ方向に移動可能に、且つ任意の方向に傾動可能に設ける。 - 特許庁

By passing light through the ridge waveguide 9, the light passes through the inversion part of the crystal axis (polarization inversion region) 4 while confined in the waveguide 9 to convert wavelengths.例文帳に追加

よって、このリッジ型導波路９に光を通すことにより、光はリッジ型導波路９に閉じ込められた状態で、結晶軸反転部分（分極反転領域）４を通過し、波長変換が行われる。 - 特許庁

By applying negative voltage to the light-shielding film 315 and the transparent conductive film 321, a p^++-type inversion region 329 is formed at the surface layer part of the n-type photoelectric conversion region 303.例文帳に追加

この遮光膜３１５および透明導電膜３２１にマイナス電圧を印加することにより、Ｎ型光電変換領域３０３の表層部にＰ^++型反転領域３２９を形成する。 - 特許庁

Without employing a resistor having a high resistance value, a constant current IREF of a constant curent circuit is reduced by an on resistance having a high resistance value of an NMOS transistor 13 operated in an unsaturated region of a strong inversion region.例文帳に追加

高い抵抗値の抵抗によらず、強反転領域の非飽和領域で動作するＮＭＯＳトランジスタ１３の高い抵抗値のオン抵抗により、定電流回路の定電流ＩＲＥＦが少なくなる。 - 特許庁

In particular, a spherical protrusion 91 is provided on the wavelength conversion element holder 57, and a recess 92 having a columnar surface is provided, in the shape of a groove, in the holder support 59 to extend in the depth direction of the polarization inversion region.例文帳に追加

特に波長変換素子ホルダ５７に球面状の凸部９１を設け、ホルダ支持部５９に円柱面状の凹部９２を分極反転領域の深さ方向に延在するように溝状に設ける。 - 特許庁

To provide a compact and inexpensive optical modulator having a plurality of optical modulation units arranged in parallel on a substrate including a polarization inversion region, and applying input light rays to the optical modulation units with a low loss.例文帳に追加

分極反転領域を含む基板上に複数の光変調部を並列に配置し、該各光変調部に入力光を低損失で与えることのできる小型で低コストの光変調器を提供する。 - 特許庁

The polarization inversion region is formed by using a substrate consisting of a single crystal of lithium tantalate having a stoichiometric composition or a composition near to the stoichiometric composition and applying a DC electric field having ≤5 [kV/mm] electric field intensity to the substrate for ≥1 [sec].例文帳に追加

定比組成（ストイキオメトリ）または定比組成に近いタンタル酸リチウム単結晶からなる基板を用い、電界強度５［ｋＶ／ｍｍ］以下の直流電界を、１［秒間］以上印加して、分極反転領域を形成する。 - 特許庁

A signal processing circuit contains one or more ion-sensitive field-effect transistors, namely, ISFET, and a bias circuit for biasing them or each ion-sensitive field-effect transistor so as to operate in a weak inversion region.例文帳に追加

１つ以上のイオン感応電界効果トランジスタ、すなわちＩＳＦＥＴと、弱反転領域で動作するよう前記または各々のイオン感応電界効果トランジスタにバイアスをかけるためのバイアス回路とを含む信号処理回路である。 - 特許庁

In the optical modulator, each of light beams obtained by branching one input light are input to optical modulation units 20A and 20B arranged in parallel on the same substrate 10 including the polarization inversion region Pi via curved waveguides 13A and 13B.例文帳に追加

分極反転領域Ｐｉを含んだ同一基板１０上に並列に配置した各光変調部２０Ａ，２０Ｂに対し、一つの入力光を分岐した各光が曲線導波路１３Ａ，１３Ｂを介して入力される。 - 特許庁

A semiconductor laser light P1 is made incident on an optical waveguide 2 of the light wavelength conversion element 22 in which a polarization inversion region 3 and the optical waveguide 2 are formed on a LiTaO_3 substrate and the wavelength is converted to obtain blue light.例文帳に追加

ＬｉＴａＯ_3基板に分極反転領域３と光導波路２とを形成した光波長変換素子２２の光導波路２に半導体レーザ光Ｐ１を入射させ、波長変換することで青色光を得る。 - 特許庁

A second optical system 320 enters a first modulation light and a second modulation light that are divided from a same light so as to interfere with each other in the polarization inversion region, in such a state that the first and second modulation lights have an equal optical path length after the light dividing.例文帳に追加

第２の光学系３２０は、同一の光を分割することにより生成した第１の変調光および第２の変調光を、分割後の光路長が互いに等しい状態で、分極反転領域で互いに干渉するように入射させる。 - 特許庁

The mask set contains: a pair of phase inversion regions which consist of two phase inversion regions having different phases arranged adjacent to each other to induce extinction interference and which define an access line; and a first opaque pattern formed on a transparent substrate to define the above phase inversion region pair.例文帳に追加

消滅干渉を起こせるように隣接配置された相異なる位相の位相反転領域２つよりなってアクセス配線を定義する位相反転領域対と前記位相反転領域対とを定義すべく透明基板上に形成された第１不透明パターンを含む。 - 特許庁

The p/n-inversion region caused by thermal donor generation is formed at a depth position not contacting the device activation region and the depletion region to be formed so as to contact therewith when heat treatment at 450°C for one hour is applied, and the depth position exceeds 8 μm from the surface.例文帳に追加

前記サーマルドナー発生に起因するｐ／ｎ反転部は、４５０℃にて１時間加熱する処理を行った場合に、デバイス活性領域およびそれに接して形成される空乏層領域には接しない深さ位置に形成され、そして、その深さ位置は、表面から８μｍを超えるものである。 - 特許庁

The upper electrode layer 9 has a geometric plane in such a shape that area of the plane enlarges from the incident plane side toward the outgoing plane side, to cover the polarization inversion region 5b of the core layer 5, and the lower electrode layer is connected electrically to an external electrode part 10 on the incident plane side.例文帳に追加

上部電極層９はコア層５の分極反転領域５ｂを被覆するようにして入射面側から出射面側に向かって面積が拡大する幾何学的面を有し、下部電極層は入射面側で外部電極部１０に電気的に接続されている。 - 特許庁

As a result, even if signal electrodes 31A and 31B of the optical modulation units shift at the boundary portion of the polarization inversion region, the spacing between the signal electrodes does not become narrow, and hence the radius of curvature of each of the curved waveguides 13A and 13B for guiding the input light to each of the optical modulation units can be increased.例文帳に追加

よって、分極反転の境界部分で各光変調部の信号電極３１Ａ，３１Ｂがシフトしても、該信号電極の間隔が狭くはならないので、各光変調器に入力光を導く曲線導波路１３Ａ，１３Ｂの曲率半径を大きくできる。 - 特許庁

The ferroelectric material is lithium niobate to which magnesium oxide is added, and at least one surface of the light incident surface 110a and the light outgoing surface 110b of the polarization inversion region 110 is formed to be parallel to a crystal plane of the ferroelectric material.例文帳に追加

前記強誘電体材料は、酸化マグネシウム添加ニオブ酸リチウムであり、分極反転領域１１０の光入射面１１０ａ及び光出射面１１０ｂの少なくとも一方の面は、前記強誘電体材料の結晶面に対して平行に形成されている。 - 特許庁

In MZ type optical waveguides of the optical modulation units 20A and 20B, a spacing between the pair of branching waveguides of the adjacent optical modulation units is formed so as to be wider in the vicinity of a border of an input side polarization inversion region than in the vicinity of a start point of an interaction portion INT.例文帳に追加

各光変調器２０Ａ，２０ＢのＭＺ型光導波路は、隣り合う光変調部の一対の分岐導波路同士の間隔が、相互作用部ＩＮＴの始点近傍よりも入力側の分極反転の境界近傍で広くなるように形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an inversion structure, with which belt width variation in inversion regions is suppressed even when an angle between a longitudinal direction of the inversion region and the y-axis direction gets large, in a periodically polarization inversion structure comprising the inversion regions with a fan out shape or the like arranged in a radial pattern.例文帳に追加

ファンアウト形状のような反転領域が放射状に配置される周期的分極反転構造において、該反転領域の長手方向とＹ軸方向とのなす角度が大きくなっても、該領域の帯幅の変化を抑制し得る、反転構造の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The external resonator type laser apparatus has a first reflection element 103, a light emitting element 101 for emitting a first light beam having a first wavelength, a laser 131 for emitting a second light beam having a second wavelength and the non-linear optical crystal 113 having a periodic polarization inversion region 115 and an optical waveguide 117.例文帳に追加

外部共振器型レーザ装置は、第１の反射素子１０３、第１の波長の第１の光を発生する発光素子１０１、第２の波長の第２の光を発生するレーザ１３１、周期分極反転領域１１５と光導波路１１７を持つ非線形光学結晶１１３を有する。 - 特許庁

The method for using the ion-sensitive field-effect transistor to monitor properties of a medium includes the step of biasing the ion-sensitive field-effect transistor in a weak inversion region, exposing the ion-sensitive field-effect transistor to the medium, and analyzing the output of different ion-sensitive field-effect which depends on the properties.例文帳に追加

イオン感応電界効果トランジスタを用いて媒体の性質をモニタする方法は、弱反転領域のイオン感応電界効果トランジスタにバイアスをかけるステップと、イオン感応電界効果トランジスタを前記媒体に露出するステップと、前記性質に依存して異なるイオン感応電界効果の出力を分析するステップとを含む。 - 特許庁