例文 (4件) |
"ion implantation technique"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
The conductive fine particle 102 is formed by introducing silver into the silicon oxide film 101 by an ion implantation technique.例文帳に追加
上記導電性微粒子102は、シリコン酸化膜101中に銀を負イオン注入法により導入して形成する。 - 特許庁
A capacitor is formed in a substrate having a doped Perovskite conductive ground layer by embedding an ion layer using a method such as an ion implantation technique.例文帳に追加
キャパシタは、イオン注入のような方法を使用して、イオンの層を埋め込むことにより、ドープされたペロブスカイト導電性グランド層を有する基板内に形成される。 - 特許庁
Further, secondly, a thick insulation region is formed by the oxygen ion implantation technique onto a semiconductor substrate below the winding belt-like conductive film that makes up the inductance element.例文帳に追加
更に、第2は、インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。 - 特許庁
The filter is manufactured, such that a high-purity ZnO target is epitaxially grown on a sapphire substrate, using the sputtering method to obtain a high-resistance ZnO film, which is further grown by doping As using the ion implantation technique or using a dopant-mixed target to obtain a low-resistance P-type 2-6 group compound semiconductor film.例文帳に追加
高純度ZnOターゲットをスパッタリング法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させ高抵抗のZnO膜を得、さらにAsをイオン注入法でドーピング、または、ドーパントを混ぜたターゲットを用いて成長させる低抵抗のP型2−6族化合物半導体膜を得る。 - 特許庁
例文 (4件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|