「-ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(493ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a solid polymer electrolyte fuel cell that is less likely to cause voltage drop in a low-current region and is capable of suppressing dissolution of acid ions, by improving a bonding state of catalyst layers 2a and 2b to a polymer ion exchange membrane 3.例文帳に追加

高分子イオン交換膜３に対する触媒層２a，２bの結合状態を改善することにより、低電流領域での電圧降下が少なく酸性イオンの溶出も抑制された固体高分子型燃料電池を得る。 - 特許庁

The light-emitting device is provided in which, for example, an n-type region and a p-type region formed by an ion implantation method constitute a pn junction on an insulating layer buried type semiconductor silicon carbide substrate.例文帳に追加

絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板上に、例えば、イオン注入法で形成されたｎ型領域とｐ型領域が、該炭化珪素基板上でｐｎ接合を構成していることを特徴とする発光デバイス。 - 特許庁

A silicon substrate W is placed on a susceptor 12 arranged inside a chamber 10 that can be evacuated an etching gas is electrically discharged inside the chamber 10 to generate a plasma; and a primary radio-frequency wave RF_L for pulling in ion to the susceptor 12 is impressed.例文帳に追加

真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Ｌを印加する。 - 特許庁

The material and shape of a conductive electrode tip 186 of an ion source are optimized to form an atomic layer with a trimer on a surface of the tip, and the tip is allowed to operate in an ultralow temperature condition, so that ionization efficiency with gas helium is improved.例文帳に追加

イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。 - 特許庁

To stably generate a plasma by preventing electrical insulation between a filament and an arc chamber from being damaged by the polluting matter to the surface of an insulator for fixing the filament to the arc chamber of an ion implanter.例文帳に追加

イオン注入装置のアークチャンバにフィラメントを固定する絶縁体の表面に汚染物質が付着することでフィラメントとアークチャンバとの電気的絶縁がとれなくなるのを解消し、安定的にプラズマが発生するようにする。 - 特許庁

The air blowing apparatus comprises a fan 6, a fan driving motor 7, the ion generating part 15 creating ions, a cylindrical body case 1 to hold the above components and a nozzle 33 mounted on an outlet 11 of the body case 1.例文帳に追加

ファン６およびファン駆動用のモータ７と、イオンを生成するイオン発生部１５と、これらを収容する筒状の本体ケース１と、本体ケース１の吹出口１１に装着されるノズル３３とを備える送風装置である。 - 特許庁

The cathode plate 3 composed of a cathode base plate 3a and the cathode activator 3b are taken out from the lithium ion secondary battery, cut into square plates having a side length of 30 mm or smaller, immersed in aqueous solution of sulfuric acid, and stirred.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池から取り出した正極基板３ａと正極活物質３ｂとからなる正極板３を、１辺の長さ３０ｍｍ以下に切断し、ｐＨ０〜３に調整した硫酸水溶液中に浸漬して撹拌する。 - 特許庁

A part of manganese of LiMn2O4 used as a positive electrode active material of a lithium ion secondary battery is substituted with B and at least one of Si and Ti for preventing rupture and distortion of a crystal of LiMn2O4 and improving a cycle characteristic.例文帳に追加

リチウムイオン２次電池の正極活物質として使用されるＬｉＭｎ_2Ｏ_4のマンガンの一部をＳｉ及びＴｉの少なくとも一方とＢとで置換し、ＬｉＭｎ_2Ｏ_4の結晶の破壊、歪みを防止し、サイクル特性を向上させる。 - 特許庁

A method for protecting an article from a high temperature, oxidative environment is presented, along with alloy compositions and ion plasma deposition targets (108) suitable for use in the method, and an article used in the environment.例文帳に追加

物品を高温酸化環境から保護する方法と共に、その方法において使用するのに適する合金組成及びイオンプラズマ蒸着ターゲット（１０８）、並びにそのような環境において使用するための物品が提示される。 - 特許庁

In a preferable embodiment, at least one portion of the anode is made of lead, and the insulation layer (for covering the discharge surface of the anode), where the greater part is made of lead fluoride is formed by fluorine ion sputtering on an anode surface.例文帳に追加

好ましい実施形態では、陽極の少なくとも一部分は鉛から成っており、陽極面のフッ素イオン・スパッタリングによって、大部分が鉛フッ化物から成る絶縁層（陽極の放電面を覆う）が作り出される。 - 特許庁

To provide a novel ion implantation method in which a variety of patterns of implantation amount distribution can be made inexpensively and an uneven implantation such that implantation distributions between each implantation regions become continuous and smooth can be performed.例文帳に追加

安価で、注入量分布のパターンに多様性を持たせることができ、各注入領域間の注入分布が連続的でスムーズになるような不均一注入を行うことができる新規なイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the generation of a gap at an interface between a solid electrolyte and an electrode caused by the movement of ion at the inside of the electrolyte, and to cope with the mechanical deformation in a state of keeping the electric bonding of the electrolyte and the electrode.例文帳に追加

イオンの電解質内部の移動により、固体電解質と電極との界面に隙間が生じることを防ぐことができるとともに、電解質と電極との電気的な接合を保ちながら機械的な変形に対応できる。 - 特許庁

This ionizer controller consists of the ionizer which ionizes gas molecules in the air by corona discharge and emits ion wind 2, and a heater which can heat gas, that is arranged between the ionizer 3 and a compressor (air-supply means) 4 supplying the gas to the ionizer 3.例文帳に追加

コロナ放電により空気中の気体分子をイオン化してイオン風２を放出するイオナイザ３と、このイオナイザ３に気体を供給するコンプレッサ（給気手段）４との間に気体を加熱可能に配設されるヒータからなる。 - 特許庁

Consequently, constituent substances, such as atoms and molecules, of a metal film and a piezoelectric substance layer of the functional layer FL on the substrate 1 are scattered and removed, due to collision of the ion beam to etch the functional layer FL in the desired pattern shape.例文帳に追加

これにより、基板１上の機能層ＦＬの金属膜と圧電体層の原子や分子等の構成物質がイオンビームの衝突により飛散して除去され、機能層ＦＬが所望のパターン形状にエッチングされる。 - 特許庁

Then, reactive ion etching is carried out by O_2/CF_4, the second carbon and silicon films not covered with the resist pattern for forming the projection are removed, and a third carbon film is formed on the first carbon film exposed in the removed parts.例文帳に追加

次に、Ｏ_2／ＣＦ_4による反応性イオンエッチングを行い、突起形成用レジストパターンで覆われていない第２カーボン膜及び第２シリコン膜を除去し、除去部分に露出した第１カーボン膜上に第３カーボン膜を形成する。 - 特許庁

At least one of catalyst metal selected from Pt, Pd, Rh, Ir, Ag, and Cu is carried onto substituted zeolite, where at least a part of Al element is substituted with at least one of metal element selected from B, Ga, In, and Tl, by ion exchange.例文帳に追加

ゼオライト中のAl元素の少なくとも一部がＢ，Ga，In及びTlから選ばれる少なくとも一種の金属元素で置換された置換ゼオライトに、Pt，Pd，Rh，Ir，Ag及びCuから選ばれる少なくとも一種の触媒金属をイオン交換担持した。 - 特許庁

A silicon substrate 101 is selectively etched by RIE (Reactive Ion Etching) using a silicon oxide layer 104 as a mask to form a through-hole 106 reaching one surface of the silicon substrate 101 (an interface with a buried oxide layer 102).例文帳に追加

酸化シリコン層１０４をマスクとしたＲＩＥにより、シリコン基板１０１を選択的にエッチングすることで、シリコン基板１０１の一方の面（埋め込み酸化層１０２との界面）に到達する貫通孔１０６を形成する。 - 特許庁

In the plasma treatment, the DLC coating film is irradiated with plasma with an adjusted amount of ions of 1.30×10^16 to 1.85×10^17 ions/cm^2 at a bias (ion acceleration) voltage of 80-140 V.例文帳に追加

前記プラズマ処理は、照射イオン量を調整してＤＬＣ皮膜にプラズマ照射する処理であり、照射イオン量は１．３０×１０^１６〜１．８５×１０^１７イオン／ｃｍ^２であり、バイアス（イオン加速）電圧は８０〜１４０Ｖである。 - 特許庁

By this, the secondary particles 57 in which a myriad of the primary particles (raw material particles) 33 are flocculated via the second ion conductive polymer 51 on the target 55 are formed in layers on the target 55 to be the electrode layer 59.例文帳に追加

これによって、ターゲット５５には、無数の一次粒子（原料粒子）３３が第二のイオン伝導性ポリマー５１を介して凝集してなる二次粒子５７が、ターゲット５５上で層状に形成され、電極層５９となる。 - 特許庁

A washing machine is provided with a drum 630 where the laundry is housed, an ion elution unit for eluting the metal ions and adding them to water, a detection means 701 for detecting the unbalance in rotating the housing tub and an unbalance correction means 702.例文帳に追加

洗濯機に、洗濯物が収容されるドラム６３０と、金属イオンを溶出して水に添加するイオン溶出ユニットと、収容槽の回転時のアンバランスを検知する検知手段７０１と、アンバランス修正手段７０２とを設ける。 - 特許庁

At least at the central portion of the electrode 30 in winding axial direction, an Li supply means 40 is arranged to supply Li ion to the electrolyte when the Li concentration of electrolyte positioned at the central portion drops.例文帳に追加

電極体３０の少なくとも捲回軸方向の中央部には、該中央部に位置する電解液のＬｉ濃度が低下した場合に該電解液にＬｉイオンを供給するＬｉ供給手段４０が配置されている。 - 特許庁

The method includes a lens formation step in which a high refractive index is imparted only to an In ion implantation region by implanting In ions from the surface side of a first planarization layer 11, and a projection-shaped in-layer lens 12 is formed only on the underside.例文帳に追加

第１平坦化層１１の表面側からＩｎイオンを注入することにより、Ｉｎイオンの注入領域のみを高屈折率化して、下にのみ凸形状の層内レンズ１２を形成するレンズ形成工程を有している。 - 特許庁

The third oven 33 accommodates the gas piping 16 from the oven 32 outlet to around the ion source 12 inlet and a flow controller 10 to heat the raw material gas 4 up to a prescribed temperature T3 higher than the prescribed temperature T2.例文帳に追加

第３のオーブン３３は、オーブン３２の出口からイオン源１２の入口付近までのガス配管１６および流量調節器１０を格納していてそれらを設定温度Ｔ_2 よりも高い設定温度Ｔ_3 に加熱する。 - 特許庁

To provide an ion implanting apparatus wherein the measuring accuracy of the dose implanted in a sample can be improved and the intra- or inter- wafer implantation uniformity (reproducibility) can be improved.例文帳に追加

本発明は、試料に注入されるドーズ量の測定精度を向上させると共に、ウェーハ内注入均一性やウェーハ間注入均一性（再現性）を向上させることが可能なイオン注入装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The highly strong fibrin molded article can be obtained by stationarily holding a suspension containing a blood plasma component condensed 1.2 to 4 times, blood platelet, and calcium ion for 0.5 to 72 hr to solidify and mold the same, and washing the obtained molded article.例文帳に追加

１．２〜４倍に濃縮された血漿成分、血小板及びカルシウムイオンを含有する懸濁液を０．５〜７２時間静置して固化成形し、得られた成形体を洗浄することにより得られる高強度フィブリン成形体。 - 特許庁

The air electrode 11 and the fuel electrode 13 are composed of compounds of Ag-Pd alloys and oxygen ion conductive ceramic, and an Ag-Pd alloy content is 50% of the whole compound and an Ag content is 30 mol% of the whole alloy.例文帳に追加

空気極１１及び燃料極１３は、Ａｇ−Ｐｄ合金と酸素イオン導電性セラミックスとの複合体からなり、Ａｇ−Ｐｄ合金は複合体全体の５０％、Ａｇは合金全体の３０ｍｏｌ％である。 - 特許庁

To find thin film formation conditions of Li_4SiO_4-Li_3PO_4 which is promising as an inorganic solid electrolyte of a lithium ion secondary battery and to provide a solid electrolyte thin film consisting of the Li_4SiO_4-Li_3PO_4.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の無機固体電解質として有望なＬｉ_４ＳｉＯ_４−Ｌｉ_３ＰＯ_４の薄膜形成条件を見出すとともに、当該Ｌｉ_４ＳｉＯ_４−Ｌｉ_３ＰＯ_４からなる固体電解質薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide an ion sputtering system where uniform coating can be applied to a sample having ruggedness, the contamination of a vacuum and the defect in operation caused by the exhaustion of grease do not occur, and further, the time for sputtering is not long.例文帳に追加

本発明は、凹凸のある試料に均一なコーティングができ、真空を汚したり、グリース切れによる動作不良がなく、しかも、スパッタリングに費やす時間が長くかからないイオンスパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The ion thruster 101 generates the plasma by ionizing a propellant by discharging in the discharge case 1, and obtains the thrust by accelerating the cation of the plasma by the acceleration grid 8 having negative potential, and extracting the same to the external.例文帳に追加

このイオンスラスタ１０１は放電容器１内で推進剤を放電により電離させプラズマを生成し、このプラズマの陽イオンを負電位となっている加速グリッド８により加速して外部に抽出することにより推力を得ている。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery comprises a positive electrode, a negative electrode and an electrolyte having a boiling point of 200 degrees C or higher, the negative electrode using a graphite-based carbonaceous material, coated with amorphous coke as a negative electrode active material.例文帳に追加

正極、負極および沸点２００℃以上の電解質を具備してなるリチウムイオン二次電池において、負極がアモルファスなコークスで被覆された黒鉛系炭素質物を負活物とすることを特徴とするリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

To suppress a crystal defect caused by damage by ion implantation and preventing the fluctuation of an operation threshold Vt of a semiconductor device when the density of a contact region inserted into a lower part of a source region is increased.例文帳に追加

ソース領域の下部に入り込ませるコンタクト領域の濃度を濃くする場合に、イオン注入のダメージによる結晶欠陥を抑制できるようにすると共に、半導体装置の動作しきい値Ｖｔが変動することを防止する。 - 特許庁

To provide a lithium ion battery pack consisting of five battery blocks and capable of stably protecting the battery blocks from an over-voltage, an over-discharge and an overload without requiring a complicated circuit, and to provide a power tool.例文帳に追加

５つの電池ブロックから構成されるリチウムイオン電池パックにおいて、複雑な回路を要することなく、安定的に過電圧・過放電・過負荷から電池ブロックを保護することができる電池パック及び電動工具を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide film of 10-50 nm thick is deposited on the entire surface of a semiconductor substrate 11 and subjected to anisotropic etching to form an ion implantation regulating film 18 of silicon oxide on the side face of a gate structure 17.例文帳に追加

半導体基板１１の全面に膜厚が１０〜５０ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、異方性エッチングを行なうことにより、ゲート構造体１７の側面上に酸化シリコンからなるイオン注入調整膜１８を形成する。 - 特許庁

The device for preparing a plane TEM sample comprises a glow discharge emission spectral analysis (GDS) device part 102 and an ion milling device part 103, and sets a control program corresponding to a specific element contained in a sample 5 comprising a multilayer film.例文帳に追加

平面ＴＥＭ試料作製装置はグロー放電発光分光分析（ＧＤＳ）装置部１０２とイオンミリング装置部１０３とを備え、多層膜からなる試料５に含まれる特定元素に対応した制御プログラムを設定する。 - 特許庁

To provide a raw material powder, with which occurrence of cracks is prevented and a dense sintered compact can be obtained stably, a method of producing the same, and a method of producing a lanthanum-based oxygen ion conductor using such a raw material powder.例文帳に追加

クラックの発生を防いで安定して緻密な焼結体を得るための原料粉体及びその製造方法、ならびにそのような原料粉体を用いたランタン系酸素イオン伝導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a gas barrier film in which hydrolyzed condensates closely related to the gas barrier properties of the gas barrier film are dispersed minutely and uniformly and which is formed from the polycarboxylic acid cross-linked by a polyvalent metal ion.例文帳に追加

ガスバリア性フィルムのガスバリア性と密接な関連のある、加水分解縮合物が、微細かつ均一に分散した多価金属イオン架橋ポリカルボン酸から形成されるガスバリア性フィルムの製造方法を開発すること。 - 特許庁

Furthermore, a permanent magnet group 54 is provided which forms a mirror magnetic field in the magnetic pole spacing 34 that is weak in magnetic field in the central area in ion beam passing direction and stronger in magnetic field in the entrance and the exit side than the central area.例文帳に追加

更に、磁極間空間３４に、そのイオンビーム通過方向における中央付近で磁場が弱く、中央付近よりも入口寄りおよび出口寄りで磁場が強いミラー磁場を形成する永久磁石群５４を備えている。 - 特許庁

This Cr-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and the content of B is preferably controlled to 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｂ含有量が、０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

By setting a thermal process temperature for the SD extension 61 to be lower than that for a silicide reaction, and an impurity ion is prevented from diffusing to be deeper at the shallow joint of the SD extension 61.例文帳に追加

ＳＤエクステンション６１の熱処理温度を、シリサイド反応における熱処理温度よりも低い温度とすることによって、ＳＤエクステンション６１の浅い接合における不純物イオンが拡散して深くなることを防止する。 - 特許庁

This phosphoric acid supplying material is composed by bonding a phosphate ion to a particulate containing a central part 1 composed of metallic iron, covered with a metallic organic compound 3 having an anion exchange group 2 at the terminal on the peripheral thereof and having 1-100 nm mean particle diameter by ions.例文帳に追加

中心部１が金属鉄からなり、その周りが末端にアニオン交換基２を有する金属有機化合物３により取り囲まれている平均粒径１〜１００ｎｍの微粒子に、リン酸イオンがイオン結合している。 - 特許庁

The method for producing the α-perfluoroalkylacrylic acid involves obtaining the α-perfluoroalkylacrylic acid from a tert-alkyl α-perfluoroalkylacrylate by using at least one kind selected from an ion-exchange resin and sulfated zirconia, and/or an α-perfluoroalkylacrylic acid as a catalyst.例文帳に追加

α−パーフルオロアルキルアクリル酸三級アルキルエステルから、イオン交換樹脂及び硫酸化ジルコニアから選ばれる少なくとも１種及び／又はα−パーフルオロアルキルアクリル酸を触媒として、α−パーフルオロアルキルアクリル酸を得る製造方法。 - 特許庁

An N-type impurity is applied through ion implantation by using the gate electrode 602 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type second impurity diffusion layer 608 in a shallower area than the first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加

ゲート電極６０２をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入した後、熱処理を行なうことにより第１の不純物拡散層６０５よりも浅い領域にＮ型の第２の不純物拡散層６０８を形成する。 - 特許庁

To provide a fan-forced heater capable of efficiently supplying negative ion to a room, heating the entire room while keeping the indoor environment in high quality, and keeping the safe and stable performance for a long period.例文帳に追加

温風暖房機において、マイナスイオンを室内に効率よく供給し、室内環境を高品位に保ちつつ、室内全体を暖房するとともに、長期にわたって安全で安定した性能を維持することを目的としたものである。 - 特許庁

An area of a PMOSFET around a gate, which is at least not affecting the characteristic of the transistor, is covered with a resist 10, and oblique ion pouring for drain engineering is effected under a gate electrode 7 on a P-well area 1.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴの、少なくともトランジスタ特性に影響を与えないゲート周りの領域をレジスト１０で覆い、Ｐウェル領域１の上であって、ゲート電極７の下にドレインエンジニアリングのための斜めイオン注入を行なう。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a semiconductor substrate capable of forming an SOI layer and a BOX layer in a uniform thickness as a whole by suppressing temperature drop of a part in contact with a stopper from which an ion current flows out.例文帳に追加

本発明は、イオン電流の流出が行なわれるストッパと接触する部分の温度低下を抑えてＳＯＩ層やＢＯＸ層を全体的に均一な厚さに形成できる半導体基板の製造装置を提供すること。 - 特許庁