「-ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

an index of the density of a hydrogen ion, called pH 例文帳に追加

ペーハーという,水素イオン濃度を示す指数 - EDR日英対訳辞書

VEHICULAR AIR CONDITIONER WITH ION GENERATING DEVICE例文帳に追加

イオン発生装置付き車両用空調装置 - 特許庁

What is the fastest way to get to Ion from the hotel?例文帳に追加

ホテルからイオンへ行く一番早い方法は？ - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文

METHOD OF REMOVING FLUORIDE ION AND REMOVING AGENT FOR THE SAME例文帳に追加

フッ素イオンの除去方法及び除去剤 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING INTRA-FILM ION QUANTITY MEASURING METHOD例文帳に追加

膜内イオン量測定方法および装置 - 特許庁

WAFER HOLDER AND ION MILLING DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

ウェーハホルダ及びこれを備えたイオンミリング装置 - 特許庁

2. Deregulation of Lithium-ion battery certification (South Korea)例文帳に追加

2．リチウムイオン電池認証規制の緩和（韓国） - 経済産業省

CARBON POWDER, ITS PRODUCTION METHOD, NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR RECHARGEABLE LITHIUM ION BATTERY, NEGATIVE ELECTRODE FOR RECHARGEABLE LITHIUM ION BATTERY, AND RECHARGEABLE LITHIUM ION BATTERY例文帳に追加

炭素粉末およびその製造方法、リチウムイオン二次電池用負極材料、リチウムイオン二次電池用負極ならびにリチウムイオン二次電池 - 特許庁

To provide a Lithium ion conductor having high ion-conductivity and a whole solid Lithium ion secondary battery having excellent large current-discharge properties.例文帳に追加

イオン導電率の高いリチウムイオン導電体、および良好な大電流放電特性を有する全固体リチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

GRAPHITE MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD, NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR LITHIUM ION SECONDARY CELL, NEGATIVE ELECTRODE FOR LITHIUM ION SECONDARY CELL AND LITHIUM ION SECONDARY CELL例文帳に追加

黒鉛質材料とその製造方法、リチウムイオン二次電池用負極材料、リチウムイオン二次電池用負極およびリチウムイオン二次電池 - 特許庁

To provide a technique for adsorbing a sodium ion, a potassium ion and a rubidium ion selectively from an aqueous solution in which various cations coexist with one another.例文帳に追加

各種の陽イオンが共存する水溶液からナトリウムイオン、カリウムイオン及びルビジウムイオンを選択的に吸着する技術を提供する。 - 特許庁

POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, POSITIVE ELECTRODE, LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION SECONDARY BATTERY例文帳に追加

リチウムイオン二次電池用の正極活物質、正極、リチウムイオン二次電池、および、リチウムイオン二次電池用正極活物質の製造方法 - 特許庁

NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR LITHIUM ION SECONDARY BATTERY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, NEGATIVE ELECTRODE FOR LITHIUM ION SECONDARY BATTERY USING THE NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL, AND LITHIUM ION SECONDARY BATTERY例文帳に追加

リチウムイオン二次電池用負極材、その製造方法、該負極材を用いたリチウムイオン二次電池用負極およびリチウムイオン二次電池 - 特許庁

An ion supply unit 21 takes out hydride ions from a minus ion source S by heating the minus ion source S and applying an electric field to the same.例文帳に追加

イオン供給ユニット２１は、マイナスイオンソースＳを加熱して電界を印加することにより、マイナスイオンソースＳから水素化物イオンを取り出す。 - 特許庁

LITHIUM ION SECONDARY BATTERY NEGATIVE ELECTRODE COLLECTOR COPPER FOIL, LITHIUM ION SECONDARY BATTERY NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL, AND LITHIUM ION SECONDARY BATTERY NEGATIVE ELECTRODE COLLECTOR SELECTION METHOD例文帳に追加

リチウムイオン二次電池負極集電体用の銅箔、リチウムイオン二次電池負極材及びリチウムイオン二次電池負極集電体選定方法。 - 特許庁

At least a part of the crystallized glass is amorphous, and contains vanadium or either of lithium ion, sodium ion and magnesium ion.例文帳に追加

結晶化ガラスの少なくとも一部は非晶質であり、結晶化ガラスがバナジウムあるいは、リチウムイオン，ナトリウムイオン，マグネシウムイオンのいずれかを含む。 - 特許庁

Accordingly, the metal ion is easily captured by the metal ion removing part 64 to improve the efficiency of the metal ion removing process.例文帳に追加

このため、金属イオンを、金属イオン除去部６４によって捕捉しやすくなるので、金属イオンの除去工程を効率化することができる。 - 特許庁

To provide an ion beam implantation device capable of preventing damage of an ion beam current detection means and exactly implanting ion beam.例文帳に追加

本発明は、イオンビーム電流検出手段の損傷を防止して正確にイオンビームを注入できるイオンビーム注入装置を提供する。 - 特許庁

At this time, the ion implantation dosage control part 5 performs correction of ion implantation dosage based on the correction coefficient and conducts control of the ion implantation dosage.例文帳に追加

この時、イオン注入量制御部５は、補正係数を基にイオン注入量の補正を行いイオン注入量の実行を制御する。 - 特許庁

The ion conductive material made from the ion conductive composition is very suitable for a member for a fuel cell such as an ion conductive membrane or the like.例文帳に追加

本発明のイオン伝導性組成物よりなるイオン伝導材料は、イオン伝導膜等の燃料電池用の部材に極めて好適である。 - 特許庁

The components in the ion implanter having the surface defining at least a part of the ion beam path through the ion implanter is provided.例文帳に追加

イオン注入装置を通るイオンビームパスを少なくとも一部画定している表面を有するイオン注入装置コンポーネントが提供される。 - 特許庁

To provide an ion implanting device suppressing variation of angles in a wafer surface at which a wafer is irradiated with an ion beam, and an ion implanting method.例文帳に追加

イオンビームがウェハに照射される角度のウェハ面内ばらつきを抑制するイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of properly exchanging an ion source electrode in compliance with an individual difference of life of the ion source electrode.例文帳に追加

イオン電極装置において、イオン源電極の電極寿命の個体差に応じて、適切にイオン源電極を交換できるようにする。 - 特許庁

In a step 30 for identifying ion distribution, existing ion distribution generated with ion injections of n times (n: a natural number) already performed is identified.例文帳に追加

イオン分布特定ステップ３０は、既に実行されたｎ回（ｎは自然数）のイオン注入によって生じた既存のイオン分布を特定する。 - 特許庁

To provide an ion machining apparatus to improve a method for supplying the power for ion machining, and an electricity supply structure for ion machining.例文帳に追加

イオン加工用電気の供給方法を改良することが可能なイオン加工装置及びそのイオン加工用電気伝達構造を提供する。 - 特許庁

An ion-implanted layer 12 having an impurity ion peak is formed in an SiC substrate 11 by implanting an impurity ion into the substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１に不純物イオンを注入して、ＳｉＣ基板１１内に不純物イオンのピークを有する注入層１２を形成する。 - 特許庁

A deflection electric field E0 for making a sample ion generated by an ion source incident toward the ion orbit.例文帳に追加

電場Ｅ１とＥ６の間には、イオン源で生成された試料イオンをイオン軌道に向けて入射させるための偏向電場Ｅ０が配置されている。 - 特許庁

The M plasma parameters are selected from a group including wafer voltage, ion density, etch rate, wafer current, etch selectivity, ion energy, and ion mass.例文帳に追加

Ｍ個のプラズマパラメータはウェハ電圧、イオン密度、エッチング速度、ウェハ電流、エッチング選択性、イオンエネルギー及びイオン質量を含む群から選択される。 - 特許庁

To provide an ion irradiation apparatus capable of achieving both of clean ion irradiation for an object to be irradiated and close monitoring of ion beams.例文帳に追加

被照射物に対するクリーンなイオン照射と、イオンビームの厳重なモニタとを両立させることができるイオン照射装置を提供する。 - 特許庁

FET BASE SENSOR FOR ION MATERIAL DETECTION, DETECTION DEVICE OF ION MATERIAL EQUIPPED THEREWITH, AND DETECTION METHOD OF ION MATERIAL UTILIZING IT例文帳に追加

イオン物質検出用のＦＥＴ基盤のセンサー、それを備えるイオン物質の検出装置及びそれを利用したイオン物質の検出方法 - 特許庁

To enhance ion blowing-off efficiency from an ion generator to the inside of a cabin and prevent an occupant from feeling operation start of the ion generator.例文帳に追加

イオン発生装置から車室内へのイオンの吹出効率を高めるとともに、イオン発生装置の作動オンを乗員に伝わりにくくする。 - 特許庁

The ion irradiation part 300 irradiates an ion generated from an ion source 320 different from the plasma 700 to an outer peripheral part of the target 200.例文帳に追加

また、イオン照射部３００は、プラズマ７００と異なるイオン源３２０から発生したイオンをターゲット２００の外周部に対して照射する。 - 特許庁

This invention is related to a method for conserving and caring the electrolyte by adjusting ion concentration and ion composition of the electrolyte by an ion exchanger.例文帳に追加

本発明は、イオン交換体によって電解質のイオン濃度とイオン組成を調整する、電解質の保守および手入れの方法に関する。 - 特許庁

A condition preventing an ion beam from entering into a Faraday cage in an ion implantation chamber is created at least before or after an actual ion implantation process (S1).例文帳に追加

少なくとも実際のイオン注入処理前または後に、イオン注入室内のファラデーにイオンビームが入らない状態を作る（Ｓ１）。 - 特許庁

The control unit 5 makes the blower 2 stop upon starting operation to carry out ion detection by the ion detector 3 for determining existence of ion generation.例文帳に追加

制御部５は、運転開始時に送風機２を停止させて、イオン検出器３によるイオン検出を実行して、イオン発生の有無を判定する。 - 特許庁

To provide an ion injection system that equalizes characteristics within the surface of a wafer 20, in an ion injection system provided with an ion injection device and injected characteristic measuring part.例文帳に追加

イオン注入装置と注入された特性測定部とを備えるイオン注入システムにおいて、ウェハ２０面内の特性を均一にする。 - 特許庁

A first secondary ion intensity of ion having a mass number roughly equal to that of the measuring object element and a second secondary ion intensity of molecular ion which is an isotope of the interfering ion relative to the measuring object element are measured, and thereafter correlation between the second secondary ion intensity and an isotope abundance of the molecular ion is obtained, and then a third secondary ion intensity of the interfering ion is calculated by using the correlation.例文帳に追加

測定対象元素を含む試料を用いて、測定対象元素と略等しい質量数を有するイオンの第１の二次イオン強度と、測定対象元素に対する妨害イオンの同位体となる分子イオンの第２の二次イオン強度とを測定した後、第２の二次イオン強度と分子イオンの同位体存在比との相関関係を求め、その後、該相関関係を用いて、妨害イオンの第３の二次イオン強度を算出する。 - 特許庁

This polarized ion beam generating device adopts a means comprising an ion source to generate a non-polarized ion beam, a beam transporting means to enter the non-polarized ion beam from the ion source in a target, and an ion extracting means to extract a polarized ion elastically scattered from an atom on this target surface.例文帳に追加

上記課題を解決するために、偏極イオンビーム発生装置は、無偏極のイオンビームを発生するイオン源と、当該イオン源からの無偏極イオンビームを標的に入射するビーム輸送手段と、この標的表面の原子から弾性散乱された偏極イオンを取り出すイオン取出し手段とからなることを特徴とする手段を採用した。 - 特許庁

This ion milling device is provided with an ion beam source radiating ion beams to the specimen, an acceleration electrode accelerating ions of the ion beam source and functioning as a secondary electron suppressor, and an ion beam current measurement apparatus measuring electric current of the ion beams, and the acceleration electrode is installed between the specimen and the ion beam source.例文帳に追加

本発明は、試料にイオンビームを照射するイオンビーム源と、前記イオンビーム源のイオンを加速させるとともに二次電子サプレッサとして機能する加速電極と、前記イオンビームの電流を測定するイオンビーム電流測定器とを備え、前記試料と前記イオンビーム源との間に前記加速電極を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The ion implanter 1 forms an ion beam X having a spreading angle through an ion source 10, an ion analyzer 12 and a multipole lens 14, and also, the ion beam X is made into an near-parallel beam to be a wide-shape ion beam by suppressing a spread in a width direction of the ion beam X formed by a quadrupolar device 16.例文帳に追加

イオン注入装置１は、イオン源１０、イオン分析器１２及び多極子レンズ１４を介して拡がり角度を有するイオンビームＸを生成するとともに、生成されたイオンビームＸの幅方向の拡がりを４重極子デバイス１６により抑制することにより、イオンビームＸを略平行ビームにして幅広形状のイオンビームとする。 - 特許庁

To provide an ion source that generates an ion beam having a large effective diameter with an ion beam current density of 10 mA/cm2 or more, an ion beam uniformity of ±3% or less and a reproducibility (change with the passage of time) of ion beam current density of ±1% or less.例文帳に追加

本発明は、イオンビーム電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^2 以上、イオンビームの均一性±３％以内、イオンビーム電流密度の再現性（経時変化）±１％以内で、有効径の大きいイオンビームを発生するイオン源を提供する。 - 特許庁

The tetragonal BiCoO_3 has such a structure that Bi^3+ ion 11 and Co^3+ ion 12, and O^2- ion 13 are arranged with displacement in the c-axis direction, and shows ferroelectricity because an electric dipole moment is formed by such a displacement of the positive ion and the negative ion.例文帳に追加

正方晶BiCoO_3は、Bi^3+イオン１１及びCo^3+イオン１２とO^2-イオン１３がc軸方向にずれて配置される構造を有し、このような正イオンと負イオンの変位により電気双極子モーメントが形成されることにより強誘電性を有する。 - 特許庁

Furthermore, the ion gun 2 has an ion deflection part 23 which deflects ion beams I out of the ion beam I extracted from the plasma source 21 to the extraction electrode 22 and light emitted together with the ion beams I from the plasma source 21, in the direction of the processed object W.例文帳に追加

更にイオン銃２は、プラズマ源２１から引き出し電極２２に引き出されたイオンビームＩ、及びプラズマ源２１からイオンビームＩと共に放射された光のうち、イオンビームＩを被加工物Ｗの方向に偏向するイオン偏向部２３を有する。 - 特許庁

To provide: a lithium ion conductive material having high ionic conductivity and excellent shape stability; a lithium ion conductive electrolyte membrane using the lithium ion conductive material; a lithium ion conductive electrolyte membrane-electrode assembly; and a lithium ion polymer battery.例文帳に追加

高いイオン伝導性を有し、形状安定性に優れたリチウムイオン伝導性材料、該リチウムイオン伝道性材料を使用したリチウムイオン伝導性電解質膜、リチウムイオン伝導性電解質膜−電極接合体、及びリチウムイオンポリマー電池の提供。 - 特許庁

The ion discharged from an ion source 1 is input to a collision cell 3 repeatedly switching in alternate shift between the first mode in which an ion is practically fragmented to generate daughter ion and the second mode in which an ion is not practically fragmented.例文帳に追加

イオン源１から放出されたイオンは、イオンが実質的にフラグメント化され娘イオンを生成する第１のモードとイオンが実質的にフラグメント化しない第２のモードとの間を交互に繰り返し切り換わる衝突セル３に入射する。 - 特許庁