an SiCとは 意味・読み方・使い方

A carbon substrate or an amorphous SiC substrate is used for the carbon atom supply substrate 17.例文帳に追加

前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 - 特許庁

An SiC melt is housed in the crucible 6.例文帳に追加

坩堝６には、ＳｉＣ溶液が収納される。 - 特許庁

The method also comprises the steps of increasing an amount of the nitrogen in the carrier gas to 50%, and growing an n+-type SIC contact layer 107.例文帳に追加

キャリアガス中の窒素の量を50%に増加させ、ｎ^+-SiCコンタクト層１０７を成長する。 - 特許庁

An n^- type SiC layer 2 or a p^- type SiC layer 4 is insulated separated in an insulation separating layer 3.例文帳に追加

絶縁分離層３にてｎ^-型ＳｉＣ層２やｐ^-型ＳｉＣ層４を絶縁分離する。 - 特許庁

A conductive oxide layer and an ohmic electrode are formed in an n-type SiC substrate, and a diode is formed.例文帳に追加

n形SiC基板に導電性酸化物層とオーミック電極を形成し、ダイオードを作製する。 - 特許庁

An SiC semiconductor device comprises the SiC semiconductor and the oxide film formed on the surface of the SiC semiconductor.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置は、ＳｉＣ半導体と、ＳｉＣ半導体の表面上に形成された酸化膜とを備える。 - 特許庁

This method for producing the α-SiC crystal comprises growing the α-SiC crystal on a substrate by a sublimation recrystallization method of an SiC powder.例文帳に追加

ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal which can provide an SiC single crystal that exhibits high resistivity and an SiC substrate, and can stably manufacture an SiC single crystal that exhibits high resistivity.例文帳に追加

高抵抗率を示すＳｉＣ単結晶とＳｉＣ基板を提供し、高抵抗率を示すＳｉＣ単結晶を安定して製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁