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7-40Pの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
Then the polysilicon films 5 and 7 and silicon nitride film 8 are partially etched to form gate electrodes 10n, 10p, 40n, and 40p on the gate insulating film 4.例文帳に追加
そして、ポリシリコン膜5,7及びシリコン窒化膜9を部分的にエッチングして、ゲート絶縁膜4上にゲート電極10n,10p,40n,40pを形成する。 - 特許庁
At this time, the polysilicon film 5 is etched faster in the area, higher in phosphorus concentration than the polysilicon film 7, than the polysilicon film 7, so notches are formed at bottom parts of flanks of the gate electrodes 10p, 40n, and 40p.例文帳に追加
このとき、ポリシリコン膜5において、ポリシリコン膜7よりもリン濃度が高い領域では、ポリシリコン膜7よりもエッチングスピードが速くなるため、ゲート電極10p,40n,40pの側面の底部にノッチが形成される。 - 特許庁
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