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NDE1を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
When the IN is transited to 'L' level from 'H' level, although an undershoot may arise in a node NDE1 used as the drain via a parasitic capacitance (C_GD) of an NMOS transistor MNH1, it is suppressed by current I1 from the MN4.例文帳に追加
ＩＮが‘Ｈ’レベルから‘Ｌ’レベルに遷移した際には、ＮＭＯＳトランジスタＭＮＨ１の寄生容量（Ｃ_ＧＤ）を介して、そのドレインとなるノードＮＤＥ１にアンダーシュートが生じ得るが、それをＭＮ４からの電流Ｉ１によって抑制する。 - 特許庁
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