P-typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
P-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
p型半導体 - 特許庁
p-TYPE SILICON WAFER例文帳に追加
p型シリコンウェーハ - 特許庁
The p-type semiconductor layer includes a first p-type layer to a fourth p-type layer.例文帳に追加
p形半導体層は第1〜第4p形層を含む。 - 特許庁
The nitride semiconductor light-emitting device comprises a p-type contact layer 28, a p-type intermediate layer 26 formed below the p-type contact layer 28, and a p-type clad layer 24 formed below the p-type intermediate layer.例文帳に追加
p型コンタクト層28と、p型コンタクト層28の下層に形成されたp型中間層26と、p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層24とを備える。 - 特許庁
a semiconductor called {p-type semiconductor} 例文帳に追加
P型半導体という半導体 - EDR日英対訳辞書
P TYPE FIRE ALARM DEVICE例文帳に追加
P型火災報知設備 - 特許庁
P-TYPE SIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加
p型SiC半導体 - 特許庁
the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor 例文帳に追加
p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet
Band gap difference between the p-type contact layer 28 and the p-type intermediate layer 26 and that between the p-type intermediate layer 26 and the p-type clad layer 24 are set at 200 meV or less.例文帳に追加
p型コンタクト層28と前記p型中間層26間および、p型中間層26と前記p型クラッド層24間のバンドギャップ差がそれぞれ200meV以下となるように構成する。 - 特許庁
A type P+ type embedded layer 2 is formed at a type P- type semiconductor substrate 1.例文帳に追加
P−型半導体基板1にP+型埋め込み層2を形成する。 - 特許庁
To prevent a p-type electrode material from being peeled off when Ag is used as the p-type electrode material for a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加
p型窒化物半導体層にp型電極材料としてAgを用いる際に、p型電極材料の剥がれを防止すること。 - 特許庁
P-TYPE WIDE GAP SEMICONDUCTOR例文帳に追加
p型ワイドギャップ半導体 - 特許庁
p-TYPE SINGLE CRYSTAL ZnO例文帳に追加
p型単結晶ZnO - 特許庁
in a semiconducting crystal, a junction between a p-type region and an n-type region 例文帳に追加
半導体の単結晶中のP型とN型との接合 - EDR日英対訳辞書
Next, a type P- type epitaxial layer 3 is formed at the type P- type semiconductor substrate 1 and a type P+ type embedded contact layer 5 is formed in the type P- type epitaxial layer 3.例文帳に追加
次にP−型半導体基板1上にP−型エピタキシャル層3を形成し、該P−型エピタキシャル層3内にP+型埋め込みコンタクト層5を形成する。 - 特許庁
What is this? singer choi chun hee is in that type of relationship with mr. p?例文帳に追加
何だ?歌手チェ・チュニが p氏と交際中? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
The conductivity type of pixel transistors is a P type.例文帳に追加
画素トランジスタの導電型をP型にした。 - 特許庁
In the p-type semiconductor layer 5, a p-type electronic barrier layer 21, a p-type guiding layer 22, a p-type ultra-lattice clad layer 23 and a p-type contact layer 24 are successively laminated.例文帳に追加
p型半導体層5は、p型電子バリア層21、p型ガイド層22、p型超格子クラッド層23、p型コンタクト層24が順次積層されている。 - 特許庁
The p-side electrode contacts the p-type semiconductor layer.例文帳に追加
p側電極はp形半導体層に接する。 - 特許庁
ELECTRODE FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
p型半導体層用電極 - 特許庁
The p-type polysilicon layer 8 and p^+ layer 12 include a p-type impurity of the same kind.例文帳に追加
p型ポリシリコン層8とp^+層12とは、同種のp型不純物を含んでいる。 - 特許庁
The first p-type layer contacts the p-side electrode and contains a p-type impurity at a first concentration.例文帳に追加
第1p形層はp側電極に接し第1濃度でp形不純物を含む。 - 特許庁
A gate electrode 11 is electrically connected with the p-type upper epitaxial layer 5 through the p-type lower epitaxial layer 3 and a p^+-type area 6.例文帳に追加
ソース領域7およびドレイン領域9は、n型エピタキシャル層4に接続されている。 - 特許庁
A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加
シリコン基板1上に、Pウエル2、Nウエル3を互いに隣接して形成する。 - 特許庁
p-CHANNEL TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
pチャネル型電界効果トランジスタ - 特許庁
A p-type anode layer is formed away from the p-type base layer, and an n-type resistance layer and an n-type drain layer are formed between the p-type anode layer and the p-type base layer.例文帳に追加
そのp型ベース層とは離れてp型アノード層が形成され、p型アノード層とp型ベース層間にn型の抵抗層とn型ドレイン層が形成される。 - 特許庁
Next, a type P+ type up-diffusing layer 2b that is coupled with the type P+ type embedded contact layer 5 in the P- type epitaxial layer 3 from the P+ type embedded layer 2 is formed.例文帳に追加
次にP+型埋め込み層2からP−型エピタキシャル層3内のP+型埋め込みコンタクト層5に連結するP+型這い上がり層2bを形成する。 - 特許庁
You can make both p and ntype semiconductors例文帳に追加
p-とn-typeの半導体を両方つくることができるので - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加
p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁
A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加
サファイア基板1上にGaNバッファ層2、n-GaN層3、n-AlGaInNクラッド層4、GaN活性層5、p-AlGaInNクラッド層6、p-GaN層7を順次堆積する。 - 特許庁
A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加
n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
The p-type dopant concentration N_P1 of the first p-type embedded layer 15 is lower than the p-type dopant concentration N_P2 of the second p-type embedded layer 19.例文帳に追加
第1のp型埋込層15のp型ドーパント濃度N_P1は第2のp型埋込層19のp型ドーパントの濃度N_P2より低い。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 12 includes a p-type guide layer 16, a p-type AlGaN electron blocking layer 17 and a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加
p型半導体層12は、p型ガイド層16、p型AlGaN電子ブロック層17およびp型AlGaNクラッド層18を含む。 - 特許庁
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。 - 特許庁
Omit the -p if the user does not have a password.Otherwise, when prompted, type the password. 例文帳に追加
ユーザーにパスワードがない場合は -p を省略します。 - NetBeans
P-TYPE SEMICONDUCTOR AND PHOTOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加
p型半導体及び光電素子 - 特許庁
The p-type/n-type source/drain layers 37, 40 are patterned to form p-type/n-type source/drains 37a, 37b, 40a, 40b.例文帳に追加
p型/n型ソース・ドレイン層37,40をパターニングして、p型/n型ソース・ドレイン37a,37b,40a,40bを形成する。 - 特許庁
HIGH-TEMPERATURE P-TYPE THERMOELEMENT MATERIAL例文帳に追加
高温用p型熱電素子材料 - 特許庁
The third p-type layer is provided between the first p-type layer and the second p-type layer and contains the p-type impurity at a third concentration lower than the second concentration.例文帳に追加
第3p形層は第1p形層と第2p形層との間に設けられ、第2濃度よりも低い第3濃度でp形不純物を含む。 - 特許庁
The P-type first drain region 16 has a P-type impurity concentration higher than those of the P-type second drain region 6 and the P-type third drain region 10.例文帳に追加
P型第1ドレイン領域16はP型第2ドレイン領域6及びP型第3ドレイン領域10よりも濃いP型不純物濃度をもっている。 - 特許庁
At this time, the p-type impurity contained in the p^+-type impurity layer 22 is diffused into the p-type epitaxial layer 10 and, as a result, a p^+-type impurity layer 11 is formed.例文帳に追加
このとき、p^+ 型不純物層22中のp型不純物がp型エピタキシャル層10に拡散して、p^+ 型不純物層11が形成される。 - 特許庁
P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER ACTIVATING METHOD例文帳に追加
p型半導体層活性化方法 - 特許庁
Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加
P型半導体26とN型半導体27とが交互に配置され、電極23がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁
A donor is contained in the first p-type organic semiconductor layer (5D); and an acceptor is contained in the second p-type organic semiconductor layer (5L).例文帳に追加
第2のp型有機半導体層(5L)にアクセプターを含ませる。 - 特許庁
A P-type diffusion layer 13 is also formed on the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加
P型半導体基板1にP型拡散層13も形成されている。 - 特許庁
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