「Protection film」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, after an ultraviolet ray curing acrylic resin is applied to the second reflection film 15, ultraviolet rays are applied, thus forming a second protection film 16 and a printed layer 17 called as a label.例文帳に追加

次に、第２反射膜１５上に紫外線硬化アクリル樹脂を塗布した後に、紫外線を照射することにより第２保護膜１６及びレーベルと呼ばれる印刷層１７が形成される。 - 特許庁

To provide a resist peeling device which can effectively peel off not only a resist film on a rib, but also a solid resist film for terminal protection, etc., without changing the process conditions.例文帳に追加

プロセス条件を変えることなく、リブ上のレジスト膜のみならず、端子保護用などのベタ状レジスト膜をも効果的に剥離して除去できるレジスト剥離装置を提供する。 - 特許庁

A protection film 3 with a thickness of 1 μm or less is formed on the surface of a high-temperature superconductive thin film 2 that is formed on the surface of a substrate 1, and etching for flattening is made in this state.例文帳に追加

基板１の表面に形成された高温超伝導薄膜２の表面に１μｍ以下の厚みの保護膜３を形成し、この状態で平坦化のためのエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a surface protective film having a good surface protection operation is formed instead of a multiple layer structure including a silicon nitride surface protective film, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シリコン窒化表面保護膜を含む複層構造のかわりに、良質の表面保護作用のある表面保護膜を形成する半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An electronic circuit layer 14, a display layer 15, a protection film 16, and an optical film 17 are formed in this order on a substrate 13 having a supporter 11 laminated via a fixing layer 12.例文帳に追加

固定層１２を介して積層された支持体１１を有する基板１３の表面に電子回路層１４，表示層１５，保護膜１６および光学膜１７をこの順に成膜する。 - 特許庁

The protection film F is composed of a reaction film formed by reaction between a surface of at least a partial surface of the circulation flow passage 30 which comes into contact with the water-based cooling liquid L, and the benzotriazole or a derivative thereof.例文帳に追加

保護膜Ｆは、水系冷却液Ｌに接触する循環流路３０の少なくとも一部の表面とベンゾトリアゾール又はその誘導体との反応被膜で形成されている。 - 特許庁

To provide an ESD protection device having a gate electrode structure which reduces a surge voltage applied to a gate insulation film and restrains breakdown of the gate insulating film, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に加わるサージ電圧を低減し、ゲート絶縁膜の破壊を抑制するゲート電極構造を有するＥＳＤ保護装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve interface adhesion between a low dielectric constant film and a protection film without damaging excellent dielectric properties of an organic low dielectric constant material, flatness and gap filling characteristics.例文帳に追加

有機低誘電率材料の持つ優れた誘電特性、平坦性およびギャップフィル特性を損なうことなく、低誘電率膜と保護膜との界面密着性を改善すること。 - 特許庁

To provide a protection film for optical uses, having antistatic properties, scratch resistance, ready cleanability for pollutant, printability, good adhesion to a substrate film, transparency, a moderate slippage, etc.例文帳に追加

帯電防止性、傷付き防止性、汚染物易洗浄性、印刷適性、基材フィルムとの密着性、透明性および適度な滑り性などを有する光学用保護フィルムを提供すること。 - 特許庁

The inspection wiring 5, an inter-layer insulating film 6, a surface protection film 12, and the inspection outside pad 16 have a side on a level with the side of the semiconductor substrate 3 respectively.例文帳に追加

検査用配線５、層間絶縁膜６、表面保護膜１２および検査用外部パッド１６は、それぞれ半導体基板３の側面と面一をなす側面（端面）を有している。 - 特許庁

To execute immersion exposure properly by preventing the occurrence of unevenness of coating in an outer peripheral end part of a wafer when spin-coating a coating film such as a resist or an immersion protection film on the wafer.例文帳に追加

ウエハ上にレジストや液浸保護膜等の塗布膜を回転塗布するときに、ウエハの外周端部に塗布むらが発生することを防止して、液浸露光を適正に実行可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing variation in performance characteristics of an element even if an SiN film is used as a protection film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

保護膜としてＳｉＮ膜が使用されている場合であっても、素子動作特性の変動を軽減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An integrated circuit, where a wiring electrode 103 is formed on a circuit substrate 101 via an insulation film 102 and an insulation protection film 104 and the like are formed on it, is to be a testing object.例文帳に追加

回路基板１０１上に絶縁膜１０２を介して配線電極１０３が形成され、その上に絶縁保護膜１０４などが形成された集積回路が試験対象となる。 - 特許庁

The emboss spacer tape 10 is a protection tape member to be interposed between film carriers in the case of winding and holding the film carrier where a plurality of semiconductor chips are fixed and arranged at prescribed intervals on a reel.例文帳に追加

エンボススペーサテープ１０は、複数の半導体チップが所定間隔で固定配置されたフィルムキャリアをリールに巻き付け保持する際にフィルムキャリア間に介在させる保護テープ部材である。 - 特許庁

The polarizer protection film has an application layer consisting essentially of (meth)acrylic resin (B) on at least one surface of the film consisting essentially of (meth)acrylic resin (A).例文帳に追加

本発明の偏光子保護フィルムは、（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）を主成分として含むフィルムの少なくとも一方の面に、（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）を主成分として含む塗布層を有する。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented polyester film for backside protection of a solar cell having high hydrolysis resistance, which can prevent brittle breakdown incident to film crystallization during long term outdoor exposure.例文帳に追加

屋外長期暴露時のフィルム結晶化に伴う脆性破壊を防ぐことができる、高度な耐加水分解性を有する太陽電池裏面保護用二軸配向ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor wafer is formed so as to remove a polyimide film used as a protection film from among various thin films formed on the surface of the chip invalid region in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程においてチップ無効領域の表面に形成される各種薄膜の内、保護膜として用いられるポリイミド膜を除去する様に形成してある半導体ウエハ。 - 特許庁

The molding stamper 200 is used to mold a disk substrate 6, and an optical disk 300 is manufactured by forming a reflection film 7 and a protection film 8 on the disk substrate 6.例文帳に追加

また、この成型用スタンパ２００を用いて、ディスク基板６を成型し、ディスク基板６上に反射膜７、保護膜８を形成することにより、光ディスク３００を製造する。 - 特許庁

After that, hydrogenating anneal processing is executed to introduce hydrogen from a channel protection layer 13a formed by patterning the hydrogen-containing silicon-based insulation film 13 to the microcrystalline silicon thin film 7a.例文帳に追加

その後、水素含有シリコン系絶縁膜１３をパターニングしてなるチャネル保護層１３ａから微結晶シリコン薄膜７ａに対して、水素を導入するための水素化アニール処理を行う。 - 特許庁

To provide a polyester film having hydrolysis resistance capable of preventing brittle breakdown incident to film crystallization during outdoor long term exposure, and suitable for solar cell backside protection.例文帳に追加

屋外長期暴露時のフィルム結晶化に伴う脆性破壊を防ぐことのできる耐加水分解性を有する、太陽電池裏面保護用として好適なポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

A fluorescent substance film 4 is formed on a recess 2 formed on the top surface of a substrate 1, and a protection body 5 which covers the fluorescent substance film 4 is bonded with the substrate at the periphery of the recess 2.例文帳に追加

基板１の表面に形成した凹部２に蛍光物質膜４を成膜し、この蛍光物質膜４を覆う保護体５を前記凹部周囲の基板２に接合して設ける。 - 特許庁

To provide liquid crystal display technology which eliminates deterioration in spectral characteristics of a color filter even when TFTs and color filters are formed on the same substrate and an inorganic insulating film is used as a wiring protection film.例文帳に追加

ＴＦＴとカラーフィルタを同一基板上に形成し配線保護膜に無機絶縁膜を用いた場合も、カラーフィルタの分光特性が劣化しない液晶表示技術の提供。 - 特許庁

To improve characteristics of a film face of an MgO protection film, since the characteristics have an influence on address discharge delay and discharge voltage characteristics due to secondary electron emission characteristics, and sputtering-proofing characteristics.例文帳に追加

ＭｇＯ保護膜の膜面の特性は２次電子放出特性によるアドレス放電遅延や放電電圧特性、耐スパッタ特性に影響を与えるため、これらの特性を改善する。 - 特許庁

In the thermal infrared detecting element thus obtained, the heat resistance variation film 3 and the conductive protection film 4 which covers the connection part of the heat resistance variation film 3 for a wiring metal film 5 and has at least its surface made of metal are arranged at the connection part of the wiring metal film 5 connected to the heat resistance variation film 3.例文帳に追加

このようにして得られた熱型赤外線検出素子は、熱抵抗変化膜３と、該熱抵抗変化膜３に接続される配線金属膜５との接続部に、上記熱抵抗変化膜３における上記配線金属膜５との接続部を覆う、少なくとも表面が金属からなる導電性の保護膜４が配されている。 - 特許庁

To provide an ultrasonic sensor which prolongs a service life thereof, and a polycrystal aluminum molded article having a protecting film of which the protection effect is sufficient.例文帳に追加

長寿命の超音波センサを提供し、また保護効果が十分な保護膜を有する多結晶アルミニウム成形体を提供する。 - 特許庁

A protection film whose surface 1 has a surface hardness of 600 Hv or over is formed to the porous material 2 including porous carbon or the like.例文帳に追加

ポーラスカーボンなどからなるポーラス材２は、表面１に６００Ｈｖ以上の表面硬度を有する保護膜を形成してある。 - 特許庁

A protection film 12 preventing oxidation is formed on the principal face 101 by exposing the deformation 11 in the rear face 102 of the wafer 10.例文帳に追加

次に、ウェーハ１０の裏面１０２は歪み１１を露出させ、主面１０１上に酸化を阻止する保護膜１２を形成する。 - 特許庁

The controller 126 operates the heating means 122 in the case where the dry etching process and protection film forming process are conducted to the processing work.例文帳に追加

制御部１２６は、被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理を行う場合に、加熱手段１２２を動作させる。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup element in which an optical resin protection film having a function of preventing adhesion of dust or the like to its microlenses is formed.例文帳に追加

マイクロレンズへのダスト付着防止などの機能を有する光学樹脂製保護膜を形成した固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a surface protection film reducing fixing between a surface layer and a self-adhesive layer regardless of self-adhesive power of the self-adhesive layer.例文帳に追加

粘着層の粘着力に係わらず、表面層と粘着層との固着が抑制される表面保護フィルムを提供すること。 - 特許庁

To obtain an electrostatic-breakdown-protection element and a method for manufacturing the same for protecting a gate oxide film of a MIS type transistor from excessive voltages.例文帳に追加

ＭＩＳ型トランジスタのゲート酸化膜を過大電圧から保護するための静電破壊保護素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A falsification prevention structure 2 made of an amorphous magnetic thin film formed on a resin substrate is inserted or buried in a sheet of safety protection paper 1.例文帳に追加

樹脂基材上に、非晶質磁性体薄膜を形成した偽造防止体２を安全保護紙１に挿入又は埋設する。 - 特許庁

A moisture resistant barrier film 18 is provided on one principal surface of the protection sheet 20 via a clear adhesive layer 19.例文帳に追加

プロテクトシート２０は、その一方の主面上にクリア接着剤層１９を介して耐湿バリア膜１８が設けられた構成を有する。 - 特許庁

A peeling prevention layer 30 for preventing the insulating film 17 and the protection layer 23 from peeling is formed in the corner of the semiconductor device 100.例文帳に追加

半導体装置１００のコーナー部に、絶縁膜１７、保護層２３の剥離を防止するための剥離防止層３０を形成する。 - 特許庁

(5) A surface protection insulating film having an opening at a required position is formed on the outer layer circuit pattern including the connection pad portion.例文帳に追加

（５）前記接続パッド部を含む前記外層回路パターンに、所要の位置に開口を有する表面保護絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To secure the life of constant voltage TDDB of a gate insulation film of an in-process charge-up protection element which uses a MOS diode element etc.例文帳に追加

ＭＯＳ型ダイオード素子等を用いた工程中チャージアップ保護素子のゲート絶縁膜の定電圧ＴＤＤＢ寿命を確保する。 - 特許庁

Structurally, the protection insulating film is formed on a surface of the semiconductor substrate but not formed on an inner side of the substrate.例文帳に追加

そして、前記保護絶縁膜は、前記半導体基板の表面に形成され、当該基板内側には形成しない構造を採用する。 - 特許庁

A resin formed using the positive photosensitive resin composition can be utilized as a semiconductor protection film or an interlayer dielectric.例文帳に追加

本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて形成された樹脂は、半導体保護膜や層間絶縁膜として利用され得る。 - 特許庁

To obtain a hard coat film usable suitably as a polarized plate in a liquid crystal displaying body or a protection of various kinds of displays.例文帳に追加

液晶表示体における偏光板用、あるいは各種ディスプレイの保護用として、好適に用いることができるハードコートフィルムを得る。 - 特許庁

In this case, a sealing material 11 is provided on the glass substrate 9 in the circumference of the transparent conduction film 10 for electrostatic protection.例文帳に追加

この場合、静電気保護用透明導電膜１０の周囲におけるガラス基板９上にはシール材１１が設けられている。 - 特許庁

At that time, a protection film may be formed in the opening 13 to prevent the progress of etching along the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

このとき、開口部１３に、半導体基板の表面に沿ってエッチングが進行することを防止する保護膜を形成してもよい。 - 特許庁

The light-shielding array 22 can be formed by a thin film pattern at the side of the lens array 12 of a transparent cover plate (a cover glass 20) for internal protection.例文帳に追加

該遮光アレイ２２は、内部保護用の透明なカバー板（カバーガラス２０）のレンズアレイ１２側に薄膜パターンで形成することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which an electrode with large layer thickness and a protection film with high reliability can be formed.例文帳に追加

層厚の厚い電極部および信頼性の高い保護膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A resist formed in an island state and a reflection film other than a region piled on a protection layer 120 in the flat plane are etched by etching liquid.例文帳に追加

島状に形成されたレジストと、保護層１２０と平面的に重なる領域以外の反射膜とを、エッチング液でエッチングする。 - 特許庁

A ≥0.1 μm thick water-resistant protection film 22 is formed on the surface layer of at least one side 9a of the sintered compact 9.例文帳に追加

焼結体９の少なくとも片側面９ａの表層には、厚さ０．１μm以上の耐水性保護膜２２が形成されている。 - 特許庁