「Rewiring」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A solder ball 7 connected to the rewiring 10 through a surface protective film is formed on the rewiring 10.例文帳に追加

再配線１０の上に表面保護膜を介して再配線１０につながる半田ボール７が設けられている。 - 特許庁

A rewiring pattern 32 is formed on a top surface of the sealing resin part 30 to form an external connection terminal on the rewiring pattern.例文帳に追加

封止樹脂部３０の上面に再配線パターン３２を形成し、その上に外部接続端子を形成する。 - 特許庁

The resistance value of the rewiring is obtained by being laid out while at least one of the width, length, and material of a rewiring layer is changed.例文帳に追加

再配線の抵抗値は、再配線層の幅、長さ、材質の少なくとも一つを変えてレイアウトすることにより得る。 - 特許庁

To dispose as many rewiring as possible between adjacent land parts by reducing the diameter of the externally connected land parts of the rewiring while suppressing peeling between the rewiring and an insulating layer formed on it.例文帳に追加

再配線とその上の絶縁層との間での剥離を抑制しながら、外部接続される再配線のランド部を小径化し、隣接し合う該ランド部間に、より多くの再配線を設ける。 - 特許庁

Since the contact area of the rewiring 15 and the pad 18 increases, the pad 18 is not peeled off from the rewiring 15 easily.例文帳に追加

これにより、再配線１５とパッド１８の接触面積が大きくなるので、パッド１８が再配線１５から剥がれ難くなる。 - 特許庁

Thereafter, the solder bump 5 is formed on the rewiring circuit 3.例文帳に追加

その後再配線回路３上にはんだバンプ５を形成する。 - 特許庁

A ball-like terminal 22 is formed on the rewiring layer 21.例文帳に追加

再配線層２１上には、ボール状端子２２が形成されている。 - 特許庁

To reduce processing step number for forming upper-layer rewiring of a semiconductor device by forming the upper-layer rewiring with a method other than electroplating.例文帳に追加

上層再配線を有する半導体装置の製造方法に際し、上層再配線を電解メッキ以外の方法で形成して、工程数を低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-quality semiconductor device by suppressing conductivity of rewiring from being varied by variation in the shape of rewiring.例文帳に追加

再配線の形状のばらつきにより再配線の導電率が変化することを抑制し、品質の高い半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To improve adhesion between rewiring of the uppermost layer consisting of copper and an overcoat film in a semiconductor device having the rewiring and the overcoat film.例文帳に追加

再配線およびオーバーコート膜を有する半導体装置において、銅からなる最上層の再配線とオーバーコート膜との密着性を向上する。 - 特許庁

Rewiring 8 or a protruding electrode is formed on the alloy seed film 5.例文帳に追加

再配線８または突出電極は合金シード膜５上に形成する。 - 特許庁

A rewiring pattern 4 of a predetermined pattern is formed at a second main face S2 side.例文帳に追加

第２の主面Ｓ２側に所定パターンの再配線パターン４を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which forms a second rewiring layer electrically connected via a first rewiring layer and a via into a desired pattern without leaving a resist film in the via of the first rewiring layer.例文帳に追加

第１の再配線層のビア部内にレジスト膜を残存させることなく、第１の再配線層とビア部を介して電気的に接続される第２の再配線層を所望のパターンで形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A connection structure, for example an UBM 18, is formed on the rewiring buildup layer.例文帳に追加

接続構造、例えば、ＵＢＭ１８が再配線ビルドアップ層上に形成される。 - 特許庁

To improve a step covering property of a rewiring in a connection hole where the rewiring is connected to an outer terminal in a semiconductor device which is packaged by using a wafer process package technique.例文帳に追加

ウエハプロセスパッケージ技術を用いた半導体装置において外部端子と再配線とを接続する接続孔内における再配線の段差被覆性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-quality semiconductor device by suppressing fluctuation in the conductivity of rewiring which is caused by a variation of a shape of rewiring.例文帳に追加

再配線の形状のばらつきにより再配線の導電率が変化することを抑制し、品質の高い半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

REWIRING PROCESSING METHOD FOR INTEGRATED CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT DESIGNING DEVICE, AND RECORDING MEDIUM HAVING PROGRAM MAKING COMPUTER IMPLEMENT REWIRING PROCESSING METHOD FOR INTEGRATED CIRCUIT RECORDED THEREON例文帳に追加

集積回路の再配線処理方法、集積回路設計装置、集積回路の再配線処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

When the resistance of rewiring is a problem, an Au film is formed on the Pd film and a rewiring structure having Ti film/Pd film/Au film from a lower layer is obtained.例文帳に追加

再配線の抵抗が問題となる場合には、Ｐｄ膜上にＡｕ膜を形成し、下層からＴｉ膜／Ｐｄ膜／Ａｕ膜を有する再配線構造とする。 - 特許庁

A rewiring circuit 3 produced by plating is formed on a wafer 1, and the thermal stress relaxing post 4 consisting of a conductive material, such as solder, is formed on the rewiring circuit 3.例文帳に追加

ウエハ１上にメッキによる再配線回路３を形成すると共に該再配線回路３上にはんだ等の導電材による熱応力緩和ポスト４を形成する。 - 特許庁

Then the mask data generated through the rewiring processing in the step S14 are outputted (S15).例文帳に追加

処理Ｓ１４の再配線処理で生成されたマスクデータを出力する（Ｓ１５）。 - 特許庁

An upper rewiring pattern 34, an insulating film 35, a solder ball 37, etc. are formed.例文帳に追加

次に、上層再配線３４、絶縁膜３５、半田ボール３７などを形成する。 - 特許庁

The electronic components 40 are rearranged in a second insulation layer and rewiring is executed.例文帳に追加

さらに、この電子部品４０を第２の絶縁層内に再配置して再配線を行う。 - 特許庁

Thus, the restriction of the rewiring layout due to the presence of the fuse forming area is eliminated.例文帳に追加

これにより、ヒューズ形成領域の存在による再配線レイアウトの制約がなくなる。 - 特許庁

To improve reliability of a semiconductor device with rewiring in WPP technology.例文帳に追加

ＷＰＰ技術における再配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

Ground wires 29, 30 are provided to both sides of the rewiring 24 in the width direction.例文帳に追加

再配線２４の幅方向両側にはグラウンド配線２９、３０が設けられている。 - 特許庁

This allows the rewiring pattern 4 in the wiring region 5b to be formed with a more recessed condition on the semiconductor substrate 1 side than the rewiring pattern 4 in the protrusion region 5a.例文帳に追加

これにより配線領域５ｂにおける再配線パターン４は突起領域５ａにおける再配線パターン４よりも半導体基板１側に凹んだ状態に形成される。 - 特許庁

Rewiring 9 electrically connected to the second functional device 2 is formed on the surface of the insulating film 22, a protective resin 12 is arranged so as to cover the rewiring 9.例文帳に追加

絶縁膜２２の表面には、第２機能素子２に電気的に接続された再配線９が形成されており、再配線９を覆うように保護樹脂１２が設けられている。 - 特許庁

Rewiring 9 electrically connected to the second functional device 2 is formed on the surface of the insulating film 22, a protective regin 12 is arranged so as to cover the rewiring 9.例文帳に追加

絶縁膜２２の表面には、第２機能素子２に電気的に接続された再配線９が形成されており、再配線９を覆うように保護樹脂１２が設けられている。 - 特許庁

Further, dicing processing is carried out along scribe lines of the semiconductor wafer after a first rewiring layer 9, a second photosensitive polyimide resin layer 10, and a second rewiring layer 13 are formed.例文帳に追加

続いて、第１の再配線層９、第２の感光性ポリイミド樹脂層１０、第２の再配線層１３を形成した後に、半導体ウェーハのスクライブラインに沿ってダイシング処理を行なう。 - 特許庁

In this case, the connection section 15 and the rewiring 16 are formed by an integrated metal.例文帳に追加

本発明では、接続部１５と再配線１６とが一体化された金属により形成される。 - 特許庁

A recognition pattern 20 used in the inspection is drawn to a metal film 11 for the rewiring.例文帳に追加

再配線用金属膜１１に対し検査で使う認識パターン２０が描画されている。 - 特許庁

A metal post 16, where a solder ball 22 is to be formed, is formed on the electrode pad of the rewiring layer.例文帳に追加

ハンダボール２２が形成されるメタルポスト１６を再配線層の電極パッド上に形成する。 - 特許庁

After the rewiring layer is formed, the complete wafer 31 is scribed so that a desired semiconductor chip can be obtained.例文帳に追加

再配線層の形成後、完成ウエハ３１をスクライビングして所望の半導体チップを得る。 - 特許庁

The joint 15 and the rewiring 16 are formed of an integrated metal.例文帳に追加

本発明では、接続部１５と再配線１６とが一体化された金属により形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having rewiring structure and a package, and a method of forming the same.例文帳に追加

再配線構造を有する半導体素子とパッケージ、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which achieves formation of a layout more flexible than that in a rewiring layer.例文帳に追加

再配線層におけるより柔軟なレイアウト形成を実現した半導体装置を提供する。 - 特許庁

A rewiring layer is formed in at least one of stacked semiconductor elements.例文帳に追加

積層された半導体素子の少なくとも一つに再配線層が形成された素子を使用する。 - 特許庁

Rewiring circuits 6 and 6 and bumps 7 and 7 are formed on the back surface of the light emitting diode body 2.例文帳に追加

発光ダイオード本体２の裏面に再配線回路６、６とバンプ７、７を形成する。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device with rewiring in a WPP technology.例文帳に追加

ＷＰＰ技術における再配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

This probe card 1A is equipped with a wiring layer 2A, a rewiring layer 3A and a contactor 4.例文帳に追加

本発明のプローブカード１Ａは、配線層２Ａ、再配線層３Ａおよび接触子４を備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device suitable for excellent formation of a rewiring layer.例文帳に追加

再配線層の良好な形成に適した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Interconnection lines from an integrated circuit are formed on a semiconductor wafer 10, a rewiring layer 22 from a part of the wiring, i.e. a pad 18, is formed on the semiconductor wafer 10 and an external terminal 38 is formed on the rewiring layer 22.例文帳に追加

集積回路から配線が形成されてなる半導体ウエハ１０に、配線の一部であるパッド１８から再配線層２２を形成し、再配線層２２に外部端子３８を形成する。 - 特許庁

While a semiconductor device sealing board 20A having the semiconductor device 21 coated with an insulating layer 23 is fabricated, a rewiring board 30A having a rewiring layer laminated is fabricated in a process different therefrom.例文帳に追加

半導体素子２１を絶縁層２３で被覆した半導体素子封止基板２０Ａを作製する一方で、これとは別工程で、再配線層を積層した再配線基板３０Ａを作製する。 - 特許庁

The method further includes a step of forming rewiring circuits 3, 4 on both the upper and lower surfaces of the wafer 1, and connecting the rewiring circuits 3, 4 by a plating 9 applied on the insulating layer 14 in the through hole 2.例文帳に追加

該ウエハ１の上下両面に再配線回路３、４を形成すると共に該再配線回路３、４を前記スルーホール２内において絶縁層１４上に施したメッキ９により接続する。 - 特許庁

A lower-layer insulating film 22 is provided on the reverse surface of the base plate 1 and lower-layer rewiring 24 is provided on its reverse surface while connected to the upper-layer rewiring 17 through a vertical conduction part 28.例文帳に追加

ベース板１の下面には下層絶縁膜２２が設けられ、その下面には下層再配線２４が上下導通部２８を介して上層再配線１７に接続されて設けられている。 - 特許庁