「SN2」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

At that time, the bit line BLL is separated from a sense node SN2 by turning off the selection gate SG20.例文帳に追加

このとき、選択ゲートＳＧ２０をオフとしてビット線ＢＬＬをセンスノードＳＮ２から切り離す。 - 特許庁

A storage node electrode SN2 is provided on a plug 6, respectively, with a dielectrics film 8 comprising BST provided entirely so as to cover the upper part of a plurality of storage node electrodes SN2.例文帳に追加

ストレージノード電極ＳＮ２はプラグ６上にそれぞれ設けられ、複数のストレージノード電極ＳＮ２の上部を覆うようにＢＳＴで構成される誘電体膜８が全面的に配設されている。 - 特許庁

Then, a silicon nitride film SN2 is formed on the low temperature oxide film LTO, and dry-etched and selectively removed.例文帳に追加

次に、この低温酸化膜ＬＴＯ上に、シリコン窒化膜ＳＮ２を形成し、ドライエッチングを施して選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a novel method for bring about nucleophilic substitutions of an aromatic nucleophilic substitution (SNAr) type and of a nucleophilic secondary substitution (SN2) type.例文帳に追加

芳香族求核置換（ＳＮＡｒ）および求核二次置換（ＳＮ２）タイプの、求核置換をもたらす新規方法を提供する。 - 特許庁

The service executing devices SN1 and SN2 conduct services respectively based on the acquired L-SPC (A) and G-SPC (A).例文帳に追加

サービス実行装置ＳＮ１およびＳＮ２は，それぞれ取得したＬ−ＳＰＣ（Ａ）およびＧ−ＳＰＣ（Ａ）に基づいてサービスを実行する。 - 特許庁

A pair of charge memory sites SN1 and SN2 are provided on the side of the respective side surface 13c, and the film is opposite to the side surface 13c with the tunnel insulation film 15a in between.例文帳に追加

各側面１３ｃ側に一対の電荷記憶サイトＳＮ１， ＳＮ２を設け、この膜はトンネル絶縁膜１５ａを介して側面１３ｃに対向する。 - 特許庁

First and second pad sensor sections SN1 and SN2 are arranged in a communicating connection section 21 which is formed in each position of first and second edge sections Sa and Sb of the space section.例文帳に追加

空間部Ｓの第１、第２端部Ｓａ、Ｓｂの各位置に形成される連通部２１に第１、第２パッドセンサ部ＳＮ１、ＳＮ２が配設される。 - 特許庁

An abnormality signal is fed to the body based on the information detected by the delivery sensor SN2 to display that a paper sheet to be fed is in the part in a body display device.例文帳に追加

そして排紙センサＳＮ２の検知情報をもとに、本体に異常信号を送り用紙がその部分にあることを本体ディスプレイに表示する。 - 特許庁

A decoder 21 on/off-controls the switches S0 to S4, SP1, SP2, SN1 and SN2 respectively by inputted digital signals D0 to D2.例文帳に追加

デコーダ２１は、入力デジタル信号Ｄ０〜Ｄ２により、スイッチＳ０〜Ｓ４、ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＮ１、ＳＮ２をそれぞれ開閉制御（オンオフ制御）するようになっている。 - 特許庁

When paper sheet is conveyed to the prestack tray, a conveyance roller rotates in the direction of delivery, is conveyed to a staple delivery sensor SN2, and stops.例文帳に追加

用紙がプレスタックトレイに搬送された状態の場合は搬送ローラが排紙方向に回転し、ステイプル排紙センサＳＮ２まで搬送され停止する。 - 特許庁

The heating processes can be provided only after the respective grating formation process SN2 and Si2 of the grating 20N lastly manufactured and at least one other grating 20i.例文帳に追加

最後に作製されるグレーティング２０_Nおよび他の何れか１以上のグレーティングそれぞれのグレーティング形成工程の後に加熱工程を設けるだけでもよい。 - 特許庁

This gate insulating film GX serves as a capacitor insulating film of a capacitor C20, and the well region 601 functions as a storage node SN2 of the electrode capacitor C20.例文帳に追加

この、ゲート絶縁膜ＧＸが、キャパシタＣ２０のキャパシタ絶縁膜となり、ウエル領域６０１が電極キャパシタＣ２０のストレージノードＳＮ２として機能する。 - 特許庁

Provided are specified isomers of conjugated linoleic acids (CLA) at either the SN1 and SN3 or SN2 positions of acylglyceride molecule including the conjugated linoleic acid and another fatty acyl residue at the other of the SN1 and SN3 or SN2 positions of the acylglyceride molecule including the conjugated linoleic acid.例文帳に追加

共役リノール酸を含むアシルグリセリド分子のＳＮ１位およびＳＮ３位、またはＳＮ２位のうちのいずれかの共役リノール酸（ＣＬＡ）、およびその共役リノール酸を含むアシルグリセリド分子のＳＮ１位およびＳＮ３位、またはＳＮ２位のうちのもう一方の位置における別の脂肪アシル残基の、特定の異性体。 - 特許庁

This allergic composition comprises (A) 100 pts.wt. of a lipid containing a phospholipid wherein a fatty acid at the sn1- or sn2-position of glycerol or fatty acids at the sn1 and sn2-positions of the glycerol are dococahexaenoic acid and (B) 0.001-5 pts.wt. of astaxanthin or an astaxanthin fatty acid ester.例文帳に追加

Ａ成分として、グリセリンのｓｎ１位−またはｓｎ２位−の脂肪酸若しくはｓｎ１位−，ｓｎ２位−の両方の脂肪酸がドコサヘキサエン酸であるリン脂質を含有する脂質１００重量部に対して、Ｂ成分として、アスタキサンチンまたはアスタキサンチンの脂肪酸エステルを０．００１〜５重量部含有することを特徴とする経口用抗アレルギー性組成物。 - 特許庁

A control gate is provided in a manner to be opposite to the charge memory sites SN1 and SN2 with the third insulation film 15b in between, as well as to be opposite to the top surface 13c with the gate insulation film 15c in between.例文帳に追加

第３の絶縁膜１５ｂを介して各電荷記憶サイトＳＮ１， ＳＮ２と対向し、かつゲート絶縁膜１５ｃを介して頂面１３ｃと対向するコントロールゲートを設ける。 - 特許庁

When a user host terminal H1 conducts telephone conversation with a user host terminal H2 by VoIP, the terminal H1 transmits a service activation message to service executing devices SN1 and SN2.例文帳に追加

ユーザホスト端末Ｈ１がユーザホスト端末Ｈ２とＶｏＩＰによる通話を行う場合に，端末Ｈ１はサービス起動メッセージをサービス実行装置ＳＮ１およびＳＮ２に送信する。 - 特許庁

or above and selected out of an Au1-Sn1 intermetallic compound, an Au1-Sn2 intermetallic compound, and an Au1-Sn4 intermetallic compound.例文帳に追加

接合層４０は、その体積の５０原子％以上がＡｕ_１−Ｓｎ_１金属間化合物、Ａｕ_１−Ｓｎ_２金属間化合物、Ａｕ_１−Ｓｎ_４金属間化合物の１つ又は複数により生成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing tin phosphate glass by which foaming during fusing is easily suppressed when an aqueous phosphoric acid solution is used as the source material of P2O5 and oxidation of Sn2+ included in the glass is easily prevented.例文帳に追加

本発明はＰ_2Ｏ_5の原料としてリン酸水溶液を使用した場合の溶融時の発泡を容易に抑え、かつガラス中に含まれるＳｎ^2+の酸化を容易に防ぐリン酸スズガラスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Because the unsaturated carboxylic acid such as methacrylic acid, acrylic acid, the unsaturated alcohol such as allyl alcohol, the hydroxyl alkyl phosphine or the peripheral specific compounds is contained as the stabilizer, the oxidation of Sn2+ is prevented to suppress the turbidity with time.例文帳に追加

メタクリル酸、アクリル酸などの不飽和カルボン酸、アリルアルコールなどの不飽和アルコール、ヒドロキシアルキルホスフィン、或はその周辺の特定化合物を安定剤として含有するため、Ｓｎ^2+の酸化を防止して浴の濁りを経時的に抑制できる。 - 特許庁

By means of this message, the service executing device SN1 requests an authentication server A1 related to service information L-SPC (A) for VoIP service on the terminal H1, and the service executing device SN2 requests the authentication server A1 related to service information G-SPC (A) for VoIP service on the terminal H1.例文帳に追加

このメッセージにより，サービス実行装置ＳＮ１は端末Ｈ１のＶｏＩＰサービスに関するサービス情報Ｌ−ＳＰＣ（Ａ）を認証サーバＡ１に要求し，サービス実行装置ＳＮ２は端末Ｈ１のＶｏＩＰサービスに関するサービス情報Ｇ−ＳＰＣ（Ａ）を認証サーバＡ１に要求する。 - 特許庁

The image forming apparatus is configured so that a first detection position 3 and a second detection position 4 are set between adjacent conveyance rollers 5 and 6, and has two sensors SN1 and SN2 and two sensors SN3 and SN4 which are disposed in the first detection position 3 and in the second detection position at the interval of N.例文帳に追加

隣接する搬送ローラ５および搬送ローラ６の間に、第１検知位置３および第２検知位置４を設定し、第１検知位置３および第２検知位置に間隔Ｎで配置された２つのセンサＳＮ１およびＳＮ２、ＳＮ３およびＳＮ４をそれぞれ備える。 - 特許庁

A P type impurity region 512 is provided in contact with a flank of the wall region 601, and a contact part 522 provided penetrating an inter-layer insulating film 4 to reach the impurity region 512 and a gate wiring 405 electrically connects the storage node SN2 to a gate electrode of a transistor T22.例文帳に追加

ウエル領域６０１の側面に接するようにＰ型の不純物領域５１２が設けられており、層間絶縁膜４を貫通して不純物領域５１２およびゲート配線４０５に達するように設けられたコンタクト部５２２により、ストレージノードＳＮ２はトランジスタＴ２２のゲート電極に電気的に接続される。 - 特許庁