「STI」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide mechanisms associated with STI-571 resistance exhibited in patients treated with STI-571 in CML and related cancers as well as diagnostic and therapeutic procedures.例文帳に追加

CMLおよび関連する癌におけるSTI-571を投与した患者で観察されるSTI-571耐性に関連する機構、ならびに診断法および治療法の提供。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING STI OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体素子のＳＴＩ形成方法 - 特許庁

On the STI 105, the stopper film 106 is formed by covering the STI 105.例文帳に追加

ＳＴＩ１０５上には、ＳＴＩ１０５を覆うように、ストッパ膜１０６が形成されている。 - 特許庁

To provide the MOS transistor of a pseudo double gate structure while keeping the element separation resistance of STI element separation.例文帳に追加

STI 素子分離の素子分離耐性を保ちつつ、疑似ダブルゲート構造のＭＯＳトランジスタを実現する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING STI STRUCTURE WITH AIR GAP例文帳に追加

エアギャップを有するＳＴＩ構造体の製造方法 - 特許庁

A pair of second STI regions includes regions which lie directly under the gate electrode, and is separated by a semiconductor strip, while being adjoined to the semiconductor strip.例文帳に追加

一対の第二STI領域は、ゲート電極の真下に位置する部分を含み、一対の第二STI領域は、半導体ストリップにより互いに分離され、且つ、半導体ストリップに隣接する。 - 特許庁

STRUCTURE AND METHOD OF PRESERVING STI DURING ETCHING例文帳に追加

エッチング中にＳＴＩを保持する構造および方法 - 特許庁

The STI region is formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１にＳＴＩ領域を形成する。 - 特許庁

A sidewall of the STI film 15 is retreated by etching the STI film 15 with the use of an isotropic etching technology.例文帳に追加

ＳＴＩ膜１５を等方性エッチング技術を用いてエッチングし、ＳＴＩ膜１５の側壁を後退させる。 - 特許庁

An STI region is formed in the trench.例文帳に追加

そして、これらの溝の内部にＳＴＩ領域を形成する。 - 特許庁

To form inter-device STI (Shallow Trench Isolation) regions and intra-device STI regions using different dielectric materials.例文帳に追加

異なる誘電材料を用いたインター装置ＳＴＩ領域とイントラ装置ＳＴＩ領域の形成を提供する。 - 特許庁

The first STI structure is formed to a first depth (D1), and a second STI structure is formed to a second depth (D2).例文帳に追加

第一ＳＴＩ構造は第一深さ（Ｄ１）に形成され、第二ＳＴＩ構造は第二深さ（Ｄ２）に形成される。 - 特許庁

The processes protect the semiconductor substrate 200 and the oxide layers on the corners 207 of the shallow trench 207 and is used for isolating the STI.例文帳に追加

本工程は、半導体基板２００とシャロートレンチのコーナー２０７上の酸化層を保護し、STIを隔離するのに用いる。 - 特許庁

STI STRUCTURE OF SOI/BULK BOUNDARY FOR HOT DEVICE例文帳に追加

ＨＯＴデバイスのためのＳＯＩ／バルク境界のＳＴＩ構造 - 特許庁

The STI 2 protrudes from the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

ＳＴＩ２はシリコン基板１の表面より突出している。 - 特許庁

To provide an STI manufacturing method for making constant an STI level difference in a semiconductor device having a minute structure.例文帳に追加

微細な構造の半導体装置におけるＳＴＩ段差を一定にすることが可能なＳＴＩの製造方法を提供する。 - 特許庁

An STI groove 60 is formed on the N-type epitaxial layer 3, and a thermal oxidation film 6 is formed on the concave inner surface of the STI groove 60.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層３にはＳＴＩ溝６０が形成され、その凹部内面には熱酸化膜６が形成されている。 - 特許庁

A pair of first STI (shallow trench isolation) regions includes regions which lie directly under parts of the source/drain regions, respectively, and is separated by a semiconductor strip, while being adjoined to the semiconductor strip.例文帳に追加

一対の第一STI領域は、ソース/ドレイン領域の一部分の真下に位置する部分を含み、一対の第一STI領域は、半導体ストリップにより分離され、且つ、半導体ストリップに隣接する。 - 特許庁

Then the polisilicon layer in the STI area is etched away.例文帳に追加

その後、ＳＴＩ領域上のポリシリコン層がエッチング除去される。 - 特許庁

The second STI separating layer 33 is used to electrically separate the transistor element 31 together with the first STI separating layer 32.例文帳に追加

第２ＳＴＩ分離層３３は、第１ＳＴＩ分離層３２と共に、トランジスタ素子３１を電気的に分離するために用いられる。 - 特許庁

In this manner, the SOI wafer will present the STI structure at the time of completion of the SOI process without the need of a further STI manufacturing step.例文帳に追加

こうして、ＳＯＩウェーハは更なるＳＴＩ製造ステップを必要とせずにＳＯＩプロセスの完了時にＳＴＩ構造を呈する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STI STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＳＴＩ構造を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR SALICIDING SOURCE LINE IN FLASH MEMORY HAVING STI例文帳に追加

ＳＴＩを有するフラッシュメモリ内にソースラインをサリサイド化する方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of preventing the occurrence of a film-thinning phenomenon for relatively thinning the thickness of an oxide film at a boundary surface between an STI(Shallow Trench Isolation) structure and a thick gate oxide film, when a dual gate oxide film process is applied to the normal STI structure.例文帳に追加

ノーマルSTI(normal Shallow Trench Isolation)構造にデュアルゲート酸化膜工程を適用する際に、STIと厚いゲート酸化膜の境界面で前記酸化膜の厚さが相対的に薄くなる薄膜化現象が惹起されることを防ぐことができる半導体素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

HOT PROCESS STI IN SRAM DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING例文帳に追加

ＳＲＡＭデバイスにおけるＨＯＴプロセスＳＴＩおよび製造方法 - 特許庁

To form fine and accurate STI using a silica-based SOD film.例文帳に追加

シリカ系ＳＯＤ膜を用いて微細で緻密なＳＴＩを形成する。 - 特許庁

Accordingly, the STI film 2 can be prevented from being cut.例文帳に追加

したがって、ＳＴＩ膜２が削られることを防止することができる。 - 特許庁

A second STI region is formed while the second STI region extends between the first STI region and the collector region, and undercuts a part of an active base region with an undercut angle of about 90° or less.例文帳に追加

第２のＳＴＩ領域が形成され、この第２のＳＴＩ領域は、第１のＳＴＩ領域とコレクタ領域との間に延在し、約９０°以下のアンダーカット角度で活性ベース領域の一部をアンダーカットする。 - 特許庁

Dual depth STI 20 is used for mutually separating wells.例文帳に追加

ウェルを互いに分離するために、デュアル・デプスＳＴＩ１６、２０が使用される。 - 特許庁

Further, the STI groove 60 is filled with an HDP-NSG film 7.例文帳に追加

さらにＳＴＩ溝６０はＨＤＰ−ＮＳＧ膜７で埋め込まれている。 - 特許庁

To surely remove a plasma damage occurring in an STI gap filling step.例文帳に追加

ＳＴＩギャップフィル工程で発生するプラズマダメージを確実に除去する。 - 特許庁

The height of upper surface of the first STI area 52 is set so as to be equal to the height of upper surface of the second STI 53 or lower than it.例文帳に追加

第１のＳＴＩ領域５２の上面の高さは、第２のＳＴＩ領域５３の上面の高さと同等か又はそれよりも低く設定されている。 - 特許庁

The upper surface of an STI 304 of an LV type transistor region 103 and the upper surface of an STI 404 of a cell region 104 are simultaneously etched by EB processing.例文帳に追加

ＬＶ系トランジスタ領域１０３のＳＴＩ３０４の上面を、ＥＢ加工により、セル領域１０４のＳＴＩ４０４の上面と同時にエッチングする。 - 特許庁

An STI (shallow trench insulation) extends to the embedded oxide layer 22 in the silicon layer 23.例文帳に追加

ＳＴＩは、シリコン層２３において埋め込み酸化物層２２まで延びる。 - 特許庁

A source region 40 and a drain region 50 are arranged so as to be isolated from each other in a semiconductor substrate 30 whose elements are isolated by an element isolation region (STI) 20.例文帳に追加

素子分離領域(STI)２０により素子分離された半導体基板３０中に、ソース領域４０およびドレイン領域５０が離間して設けられている。 - 特許庁

The invention described herein relates to novel genes and their encoded proteins, termed Mutants Associated with Resistance to STI-571 (e.g., T315I Bcr-Abl), and to diagnostic and therapeutic methods and compositions useful in the management of various cancers that express MARS.例文帳に追加

STI-571に対する耐性に関連する変異体（Mutants Associated with Resistance to STI-571）（例えばT315I Bcr-Abl）と呼ばれる新規の遺伝子、および、これにコードされるタンパク質、また診断法および治療法、ならびにMARSを発現するさまざまな癌の管理に有用な組成物。 - 特許庁

To reduce the quantity of leak current of a semiconductor device with an STI structure.例文帳に追加

ＳＴＩ構造を有する半導体装置のリーク電流量を少なくする。 - 特許庁

To provide voids in an STI region for forming a bulk FinFET.例文帳に追加

バルクＦｉｎＦＥＴを形成するＳＴＩ領域中のボイドを提供すること。 - 特許庁

To provide an element isolation structure capable of restraining subduction of an STI structure.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の沈み込みを抑制できる素子分離構造を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PROTECTING SEMICONDUCTOR SHALLOW TRENCH ISOLATION (STI) OXIDE FROM ETCHING例文帳に追加

半導体シャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）酸化物をエッチングから保護する方法 - 特許庁

On the surface of the SOI layer 4, an STI region 5 is selectively formed.例文帳に追加

ＳＯＩ層４の表面にはＳＴＩ領域５を選択的に形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of STI which hardly produces defects in silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板に欠陥の生じにくいＳＴＩの製造方法を提供する。 - 特許庁

At least either: the STI opening and the partial TSV opening are formed simultaneously, or, the STI opening and the extended partial TSV opening are filled simultaneously.例文帳に追加

少なくとも、ＳＴＩ開口および部分的ＴＳＶ開口は同時に形成され、またはＳＴＩ開口および延長された部分的ＴＳＶ開口は同時に充填される。 - 特許庁

To provide a means for reducing variations in the width of an STI (shallow trench isolation) step when an element isolation layer formed by STI method is polished together with a stopper nitride film.例文帳に追加

ＳＴＩ法により形成する素子分離層をストッパ窒化膜と共に研磨する場合におけるＳＴＩ段差のバラツキ幅を低減する手段を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING TRANSISTOR OF NAND FLASH MEMORY ELEMENT USING STEP STI PROFILE例文帳に追加

ステップＳＴＩプロファイルを用いたＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のトランジスタ形成方法 - 特許庁