「Spin diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

THIN FILM MAGNETORESISTANCE(MR) SPIN VALVE READING SENSOR EQUIPPED WITH DIFFUSION BARRIER AND MAGNETIC DISK DRIVE例文帳に追加

拡散障壁を備えた薄膜磁気抵抗（ＭＲ）スピン・バルブ読取りセンサおよび磁気ディスク・ドライブ - 特許庁

The free layer structure can include a spin diffusion layer that prevents shunt of a spin current to the voltage source by assuring that all spin current is scattered and lost completely before it reaches the lead to the voltage source.例文帳に追加

自由層構造は、電圧源へのリードに到達する前に全てのスピン電流が完全に散失されることを保証することによって、電圧源へのスピン電流の分流を阻止する、スピン拡散層を含むことができる。 - 特許庁

The surface of the solid sample is structure-analyzed by measuring the diffusion process of the ^1H spin as ^13C NMR.例文帳に追加

この^1Hスピンの拡散過程を^13C NMRとして測定することにより、固体試料の表面の構造解析が可能となる。 - 特許庁

An improved spin valve sensor 300 is obtd., and the sensor 300 has a diffusion barrier 348 between a free layer 318 and a spacer layer 322.例文帳に追加

自由層（３１８）とスペーサ層（３２２）の間に挟まれた拡散障壁（３４８）を有する改良されたスピン・バルブ・センサ（３００）。 - 特許庁

Since there is no need to obtain a navigator echo by a spin echo component, a diffusion highlighting image can be obtained without extending the shortest TE of the image.例文帳に追加

ナビゲーターエコーをスピンエコー成分で取得する必要が無いので、画像の最短TEを延長せずに拡散強調画像が取得できる。 - 特許庁

To provide a spin conductive device having improved characteristics by suppressing diffusion of metal atoms of magnetized free layers, magnetized fixed layers, and tunnel insulating layers to channel layers.例文帳に追加

磁化自由層、磁化固定層、及びトンネル絶縁層の金属原子がチャンネル層へ拡散することを抑制し、良好な特性を有するスピン伝導デバイスを提供すること。 - 特許庁

A diffusion prevention layer formed of an Al thin film is formed on at least either of a lower part and an upper part of the reference layer included in a spin valve layer of the CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ層に含まれるリファレンス層の下部及び上部のうちの少なくとも一方にＡｌの薄膜よりなる拡散防止層を形成する。 - 特許庁

The magnetic memory of spin injection writing type comprises a memory cell 1 having a magnetoresistive effect element 3 whose one end is connected to a first node and a selective transistor 4 of which a first diffusion region is connected to the other end of the magnetoresistive effective element and the second diffusion region is connected to the second node.例文帳に追加

スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。 - 特許庁

In a pulse sequence for measuring the b-factor, a spin echo or a stimulated echo is measured when inclined magnetic field pulses for uses in an optional diffusion-measuring pulse sequence are applied and also when the pulses are not applied.例文帳に追加

b-factor計測用のパルスシーケンスにおいて、任意の拡散計測パルスシーケンスで用いられる傾斜磁場パルスの印加を行う場合と、行わない場合についてスピンエコーあるいはスティミュレィテッドエコーを計測する。 - 特許庁

During heat treating the improved spin valve sensor 300 in the production process, the spacer layer 322 is inserted between the free layer 318 and a pinning layer 320 so as to effectively prevent diffusion of the free layer 318 and the spacer layer 322.例文帳に追加

製造中の改良したスピン・バルブ・センサ（３００）の熱処理の間に自由層（３１８）とスペーサ層（３２２）の拡散を有効に防止するために、自由層（３１８）とピン止め層（３２０）の間にスペーサ層（３２２）を挟む。 - 特許庁

Such a film can be formed by a spin coat method, so that a flat film can be formed on its surface, and a hydrogen barrier film 22 formed thereon is made uniform in thickness sufficient to keep hydrogen diffusion blocking performance.例文帳に追加

このような膜はスピンコート法で形成できるので容易にその表面が平坦な膜が得られ、従ってその上に形成される水素バリア膜２２の膜厚も一様となって水素拡散阻止能力が維持できる。 - 特許庁

To provide a structure can prevent diffusion of an element such as Ge in a reference layer while keeping exchange coupling between the reference layer and other layer, in a spin valve film of a CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。 - 特許庁

The film thickness t1 of a first free magnetic layer 53 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure is set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept identical.例文帳に追加

人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁

A resulting spin valve sensor exhibits improvement of temperature stability principally attained through increase of GMR coefficient due to induced mirror face scattering of conduction electrons and protection of a fundamental detection layer against intefacial mixture or oxygen diffusion during annealing process.例文帳に追加

その結果生じたスピンバルブ・センサは、導通電子の誘起された鏡面散乱によると思われるＧＭＲ係数の増加、及びアニーリング・プロセス時の界面混合及び酸素拡散からの基礎的な検出層の保護によることを主にして得られる温度安定度の改良を示す。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

After magnetization is excited in a single-dimensional direction like a wavelet function by a combination of an RF pulse 11 and an inclined magnetic field 16, homopolar diffusion detection inclined magnetic fields 16 and 17 are arranged with a π pulse 12 sandwiched, and a readout inclined magnetic field 18 is applied in an x direction to measure a spin echo signal 19.例文帳に追加

RFパルス１１と傾斜磁場１６の組合せにより１次元方向の磁化を空間的にwavelet関数状に励起した後、πパルス１２を挟み同極性の拡散検出傾斜磁場１６、１７を配置しｘ方向リードアウト傾斜磁場１８を印加してスピンエコー信号１９を計測する。 - 特許庁

The film thicknesses t1 and t2 of a first free magnetic layer 53 and a second free magnetic layer 55 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure are set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept unchanged.例文帳に追加

人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及び第２フリー磁性層５５の膜厚ｔ２をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁